JPS6237466B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブル記憶素子に係り、特に磁気
バブル検出器に関する。

磁気バブルを検出するには従来から種々の方法
が考案されており、その一つに磁気抵抗効果を利
用する方法がある。磁気バブル転送路中にＲ
（Ω）の電気抵抗値をもつパーマロイ膜等の軟磁
性膜からなる磁気抵抗素子を配置し、この素子に
一定の電流Ｉ(A)を流しておく。磁気バブルがこの
素子に到達した時、磁気バブルからの漏洩磁場を
受けて抵抗値はＲ＋△Ｒ（Ω）に変化する。従つ
て素子両端に発生するＩ△Ｒの電圧変化を取り出
すことにより、磁気バブルの存在を検出すること
ができる。

しかし磁気バブルは年々微小化されており、単
一の磁気バブルでは検出するに充分な出力電圧を
得ることができない。従つて磁気抵抗素子を用い
る場合には、多段シエブロンパタン等を用いて磁
気バブル（長）径を数百倍に拡大する必要があ
る。このようにすることによつて検出出力電圧は
磁気バブル拡大長に比例して増大し、検出の信頼
性が増す。第１図は従来用いられている磁気バブ
ル拡大器及び検出器の配置図で、シエブロン拡大
器１０の１個のシエブロンパタンのパタン幅は６
μｍ、頂角は90゜である。300段からなるシエブ
ロン拡大器１０で拡大された磁気バブルは同じく
300段からなる等しい長さの検出器１により検出
される。（磁気バブルは反時計方向に回転する回
転磁場により図示矢印のように右方から左方へ転
送されるものとする。以下の図面においても全て
同じである。）検出の終つた磁気バブルはシエブ
ロン拡大器２０を経てガードレール（図示されて
いない）外へ棄却されるか又は縮小されて再度記
憶部へ蓄積される。

シエブロン拡大器１０及び検出器１で磁気バブ
ルを確実に拡大させるためにパタン形状、繰り返
り周期等の最適化が計られているが、しかし拡大
した磁気バブル間の反発力は通常の磁気バブル間
の反発力に比べて大きいため、第１図に示した従
来構成では磁気バブルが連続しているようなデー
タ（いわゆるAll“１”）パタンでの拡大動作マー
ジンは小さく、特に高速動作時にその問題は顕著
になる。検出出力は磁気バブルの長さに比例する
ため不充分な拡大は誤検出につながり致命的エラ
ーとなる。従来これを避けるため駆動周波数を下
げたり、１個おきのデータ（いわゆるAll“10”）
パターンのみに制限したりしていたが、そのため
高速読出し、高密度化を計る際の大きな障害とな
つていた。

本発明の目的は、充分な検出出力を確実に供給
し、特に磁気バブル列の連続しているデータパタ
ンの検出を容易にする検出器を備えた磁気バブル
記憶素子を提供することにある。

本発明は磁気バブルの転送方向と直角の方向に
磁気バブルを拡大し、検出する検出器及び前記検
出器の前後に配置された磁気バブル拡大器を有す
る磁気バブル記憶素子において、前記検出器の後
続位置に、回転磁場によつて誘起される磁気バブ
ル拡大のための磁化量が前記検出器に誘起される
同種磁化量よりも小さい磁気バブル拡大器を配置
することによつて達成される。

次に本発明の詳細について実施例を用いて説明
する。第２図は本発明による第一の実施例で磁気
バブル記憶素子の検出器及び拡大器を示す図であ
る。第１図の従来構成と異なる点は検出器１に隣
接したシエブロン拡大器２１の個々のシエブロン
パタンのパタン幅を４μｍと細くしたことであ
る。第２図右方より転送されてきた磁気バブルは
シエブロン拡大器１０によつて拡大され、検出器
１によつて検出される。検出後拡大した磁気バブ
ルはシエブロン拡大器２１に移るが、該拡大器２
１のパタン幅が細くなつていて、回転磁場によつ
て誘起されるシエブロンパタンの磁化量が検出器
１における同種磁化量よりも小さいため磁気バブ
ルを拡大したまゝ保持することが困難で収縮し易
い状態となつている。従つて、特に連続バルブが
来た場合には、まず始めにシエブロン拡大器２１
に到達した磁気バブルが収縮するため検出器１に
到達した磁気バブルは先行磁気バブルからの漏洩
磁場の影響を殆んど受けず安定に拡大された状態
が保持される。

第３図は本発明による第二の実施例を示す図で
ある。第１図の従来構成と異なる点は、検出器１
に隣接したシエブロン拡大器２１の個々のシエブ
ロンパタンの頂角を135゜と広くしたことであ
る。第３図右方より転送されてきた磁気バブルは
シエブロンパタン拡大器１０によつて拡大され検
出器１によつて検出される。検出後拡大した磁気
バブルはシエブロン拡大器２１に移るが、該拡大
器２１の頂角が広くなつておりシエブロンパタン
に誘起される磁化量が小さく磁気バブルを拡大し
たまゝ保持することが困難で収縮し易い状態とな
つている。従つて第１の実施例の場合と同様、検
出器１に到達した磁気バブルは安定に拡大され保
持される。

以上の実施例から明らかなように、検出器の後
続位置（各図面における検出器の左方を後続位置
とする）に設けたシエブロン拡大器を、検出器１
よりも回転磁場によつて誘起される磁化量を小さ
くし、拡大した磁気バブルを保持し難い形状に
し、検出器での拡大磁気バブル列の連続している
データパタンでの検出出力が安定に得られ、動作
マージンの広い高安定、高信頼性ひいては低コス
トの磁気バブル記憶素子を実現することができ
る。

本発明の実施例においては、回転磁場によつて
誘起される磁気バブル拡大のための磁化量の小さ
いシエブロン拡大器を検出器に後続隣接する位置
にのみ配置したが、検出器に後続位置する全ての
シエブロン拡大器を磁化量の小さくなるようにし
ても本発明の効果は失なわれない。又、磁気量を
小さくする方法としてシエブロンパタン幅と頂角
を変更したが、必ずしもこれらに限ることはな
く、磁気バブル拡大のための磁化量が小さくなれ
ば、いかなる形状でも差し支えない。

本発明の実施例においては、検出器に用いた磁
気抵抗素子の膜厚が数千Åと厚い厚膜検出器を用
いたが、数百Åの膜厚からなる薄膜検出器であつ
ても有効であり、さらに言えば磁気バブルを転送
方向と直角の方向に拡大して検出する検出器であ
ればいかなるものであつても本発明の素子に適用
可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気バブル記憶素子に用いられ
ている検出器及び拡大器の概略を示す平面図、第
２図及び第３図はそれぞれ本発明の実施例による
磁気バブル記憶素子に用いられている検出器及び
拡大器の概略を示す平面図である。 図中、１……検出器、１０，２０……シエブロ
ン拡大器、２１……回転磁場によつて誘起される
磁気バブル拡大のための磁化量の小さいシエブロ
ン拡大器。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 磁気バブルを検出する検出器及び前記険出器
   の前後に配置された、磁気バブルを拡大する磁気
   バブル拡大器を有する磁気バブル記憶素子におい
   て、前記検出器の後続位置の前記磁気バブル拡大
   器の個々のシエブロンパタンのパタン幅を、前記
   検出器の前段の前記磁気バブル拡大器の個々のシ
   エブロンパタンのパタン幅よりも細くすることに
   より、あるいは前記検出器の後続位置の前記磁気
   バブル拡大器の個々のシエブロンパタンの頂角
   を、前記検出器の前段の前記磁気バブル拡大器の
   個々のシエブロンパタンの頂角よりも大きくした
   ことを特徴とする磁気バブル記憶素子。