JPS6237783B2

JPS6237783B2 -

Info

Publication number: JPS6237783B2
Application number: JP57020964A
Authority: JP
Inventors: Kenji Imamura; Hiroshi Saito; Katsuhisa Kakizaki; Motohiko Makino
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1982-02-12
Filing date: 1982-02-12
Publication date: 1987-08-14
Also published as: JPS58145622A

Description

【発明の詳細な説明】発明の背景技術分野本発明は、特に、磁性キヤリア粒子に関する。
さらに詳しくは、特に磁気ブラシ現象に用いる磁
性キヤリア粒子に関する。先行技術とその問題点磁気ブラシ現象において、キヤリヤ粒子とし
て、いわゆるソフトフエライトを用いる旨の提案
がなされている（米国特許第3839029号、同
3914181号、同3929657号等）。このようなフエライトからなるキヤリヤ粒子
は、従来の鉄粉キヤリヤと同等の磁気特性を示す
他、鉄粉キヤリヤのように、表面に樹脂等の被覆
層を設ける必要がないので、耐久性もきわめて高
いものである。この場合、従来キヤリヤ粒子として実際用いら
れているフエライトの組成は、（MO）_100-X
（Fe₂O₃）_X（ただしＭは２価の金属の１種以上）
とあらわしたとき、ｘが53モル％程度あるいはそ
れ以下である。ところで、本発明者らの研究結果によれば、同
一組成のフエライト粒子でも、焼成の際の雰囲気
を制御すると、粒子の抵抗が変化することが判明
している。そして、キヤリヤ粒子の抵抗を変える
ことにより、種々の階調をもつ画像が得られ、画
質を種々選定できる。また、抵抗を変えることに
より、種々の複写装置に最適の特性とすることが
できる。このため、フエライト粒子としては、焼成雰囲
気を変更することによる抵抗値の変化巾が大きい
ものほど好ましいといえる。しかし、上記したような、Fe₂O₃量53モル％程
度以下の組成のものでは、それ自体抵抗値が高
く、得られる画像濃度が低い。また、焼成雰囲気
を変更しても抵抗値の変化巾は小さく、階調性の
変化率が小さく、画質を任意に選定できないこと
が判明している。発明の目的本発明はこのような実状に鑑みなされたもので
あつて、その主たる目的は、抵抗値変化巾が従来
に比し格段と広いフエライトキヤリヤ粒子組成を
提供することにある。本発明者らは、このような目的につき種々検討
をくりかえした結果、本発明をなすに至つた。すなわち、本発明は、２価金属酸化物または３
価金属酸化物に換算して下記式〔〕で表される
組成をもつフエライトからなることを特徴とする
磁性キヤリア粒子である。式〔〕（MO）_100-X（Fe₂O₃）_X ｛上記式において、Ｍは、Mn、Zn、またはMnと
Zn、Cu、MgおよびCoのうちの１種以上との組
合せを表わす。ただし、ＭがMnのほかに他の元
素の１種以上を含む場合、Ｍ中のMnの原子比は
0.05以上である。またＭがMgを含む場合、Ｍ中
のMgの原子比は0.05未満である。さらに、ｘは53モル％より大である。｝発明の具体的構成以下、本発明の具体的構成について詳細に説明
する。上記式において、Ｍは、MnまたはZnのみから
なるか、MnとZn、Cu、MgおよびCoのうちの１
種以上、計２〜５種の元素の組合せのいずれかで
ある。一方、Fe₂O₃に換算したFe量ｘは53モル％より
大である。ｘが53モル％以下となると、抵抗値変
化巾が小さくなつてしまう。そして、特に、ｘが
54モル％以上となると、抵抗値変化巾はきわめて
大きくなる。これに対し、ｘの上限については特に制限はな
く、100モル％未満でありさえすればよい。た
だ、飽和磁化の点では、ｘが99モル％、より好ま
しくは90モル％以下であることが好ましい。この
とき、飽和磁化はきわめて大きくなり、キヤリヤ
が感光体に付着したり、キヤリヤが磁気ブラシか
ら飛散してしまうことがほとんどなくなるからで
ある。他方、Ｍは上記のとおりであり、Ｍは、Mnま
たはZnのみからなるものであつても、Mnと他の
Zn、Cu、MgおよびCoの１種以上からなるもの
であつてもよい。ただ、ＭがMnのほかに他の元
素の１種以上を含むときには、Ｍ中のMnの原子
比は0.05以上である。これは、Mnの原子比が0.05未満となると、飽
和磁化が減少し、前記のようなキヤリヤ付着やキ
ヤリヤ飛散が多くなるからである。なお、Ｍ中にMgが含まれる場合、Mgの原子比
は0.05未満である。このような上記式〔〕で表わされる組成のう
ちでは、式〔〕におけるMOが、下記式〔〕
で表わされるものであることが好ましい。式〔〕（MnO）_y（XO）_1-y 上記式〔〕において、ｘは、Zn、または、
ZnとCu、MgおよびCoのうちの１種以上との組
合せを表わす。ｙは0.05以上１未満である。このような上記式〔〕で示される組成のもの
は、きわめて高い飽和磁化を与える。この場合、ｙが0.05〜0.99、特に0.1〜0.7とな
るとより好ましい結果を得る。さらにＸ中におけるZnの原子比は、１または
0.3以上１未満であることが好ましい。このとき
飽和磁化はきわめて高いものとなる。なお、ＸがZnと他のCu、Mg、Coのうちの２
種または３種との組合せであるとき、Cu、Mgな
いしCoの組成比率は任意のものとすることがで
きる。このようなフエライト粒子は、スピネル構造を
もつ。このような組成をもつフエライト粒子中には、
一般に、全体の５モル％以内の範囲内で、Ca、
Ba、Cr、Ta、Mo、Si、Ｖ、Ｂ、Pb、Ｋ、Na、
Ba等の元素が酸化物等の形で含有されていても
よい。このようなフエライト粒子は、通常、1000μｍ
以下の平均粒子径をもつ。また、粒子表面には、一般には被覆層を形成せ
ず、そのまま磁性キヤリア粒子とされる。上記したような本発明の磁性キヤリア粒子を構
成するフエライト粒子の抵抗は、下記のような測
定を行つたとき、100V印加時において、10⁴〜
10¹⁴Ω、特に10⁵〜10¹²Ωの範囲内とされる。そして、このような抵抗値範囲内にて、本発明
のフエライト粒子は、後述の焼成条件の変更によ
り、抵抗値が連続的に変化し、その最大変化比は
10⁵〜10¹⁰にも及び、任意の画質の静電画像を適
宜選定することができる。フエライト粒子の抵抗測定は、磁気ブラシ現像
方式を模し、下記のようにして行う。すなわち、磁極間間隙８mmにて、Ｎ極およびＳ
極を対向させる。この場合、磁極の表面磁束案度
は1500Gauss、対向磁極面績は10×30mmとする。
磁極間に、電極間間隙８mmにて、非磁性の平行平
板電極を配置し、電極間に被検試料200mgを入
れ、磁力により電極間に試料を保持する。このよ
うにして、抵抗を、絶縁抵抗計、または電流計に
より測定すればよい。なお、このようにして測定した抵抗が、10¹⁴Ω
をこえると、画像濃度が低下する。一方、10⁴Ω
未満となると、キヤリヤの感光体への付着が多く
なり、また、解像力、階調性等が低下したり、画
質が硬調となる傾向にある。さらに、本発明におけるフエライト粒子の飽和
磁化σ_nは、35emu／ｇ以上であることが好まし
い。このとき、キヤリヤが感光体に付着するいわ
ゆるキヤリヤ引きが解消し、また、くりかえし現
像に際してのキヤリヤの飛散がなくなるからであ
る。この場合σ_nは40emu／ｇ以上であると、よ
り好ましい結果を得る。このようなフエライト粒子からなる磁性キヤリ
ア粒子は、大略、米国特許第3839029号、同
391418号、同3926657号）等に記載されているよ
うな一般的な手順によつて製造される。すなわち、まず、対応する金属の酸化物を調合
する。次いで、溶媒、通常水を加え、例えばボールミ
ル等によりスラリー化し、必要に応じ分散剤、結
合剤等を添加する。そして、スプレードライヤーにて造粒乾燥す
る。その後、所定の焼成雰囲気および焼成温度プロ
フイールにて、焼成を行う。焼成は、常法に従
う。この場合、焼成の際の平衝酸素分圧を減少させ
れば、抵抗値は減少する。そして、焼成雰囲気を
空気中から窒素雰囲気中まで連続的に酸素分圧を
変化させたとき、粒子の抵抗値は連続的に変化す
る。焼成終了後、粒子を解砕ないし分散させ、次に
所望の粒度に分級して本発明の磁性キヤリア粒子
が製造される。発明の具体的作用効果本発明の磁性キヤリア粒子は、トナーと組合せ
て現像剤とされる。この場合、用いるトナーの種
類およびトナー濃度については制限はない。また、静電複写画像を得るにあたり、用いる磁
気ブラシ現像方式および感光体等についても特に
制限はなく、公知の磁気ブラシ現像法に従い、静
電複写画像が得られる。本発明の磁性キヤリア粒子は、その焼成雰囲気
をかえて製造することにより、10⁵〜10¹⁰にも及
ぶ広い抵抗値変化比をもつ。このため、複写装置
の機種に応じ、最適画像を与えるキヤリヤ粒子を
容易に得ることができる。また、任意の画質を選
定することができる。そして、表面に皮膜を形成する必要がないの
で、耐久性は良好である。また、飽和磁化も35emu／ｇ以上を得、キヤリ
ヤが感光体に付着するいわゆるキヤリヤ引きやキ
ヤリヤの飛散の発生も少ない。発明の具体的実施例以下、本発明を具体的実施例により、さらに詳
細に説明する。実施例１２価金属酸化物およびFe₂O₃に換算して、モル
比で、下記表１に示される６種の組成にて（試料
No.１〜６）対応する金属酸化物を調合した。次に、この調合組成物１重量部あたり、１重量
部の水を添加し、ボールミルにて５時間混合し、
スラリー化し、分散剤および結合剤を適量添加し
た。次いで、150℃以上の温度で、スプレードライ
ヤーにより造粒乾燥した。各造粒物を、ロータリーキルン中にて、それぞ
れ酸素を含む窒素雰囲気および窒素雰囲気下で、
それぞれ最高温度1350℃で焼成した。この後、解砕、分級して、平均粒子径45μｍの
計12種のフエライト粒子を得た。得られた各フエライト粒子のＸ線解析および定
量化学分析を行つたところ、各粒子ともスピネル
構造をもち、上記調合比と対応する金属組成をも
つことが確認された。次いで、得られた各フエライト粒子の飽和磁化
σ_n（emu／ｇ）と100V印加時の抵抗（Ω）を測
定した。この場合、飽和磁化σ_nは、振動試料型の磁力
計で測定した。また抵抗は、上記したようにして、200mgの試
料の100V印加時の抵抗を絶縁抵抗計で測定し
た。各組成につき、測定された窒素中焼成でのσ
_n、酸素を含む窒素雰囲気中焼成での抵抗Ｒ_A、窒
素中焼成での抵抗ＲＮおよび抵抗変化比ＲＡ／Ｒ
_Nを下記表１に示す。さらに、以上のような各フエライト粒子をその
まま磁性キヤリア粒子として、トナー濃度11.5重
量％にて、市販の２成分トナー（平均粒子径11.5
±1.5μｍ）と混合して現像剤とした。各像剤を用い、市販の静電複写機を用い、磁気
ブラシ現像を行つた。この場合、磁気ブラシ用マグネツトローラーの
表面磁束密度は1000Gauss、回転数は90rpmであ
る。また、マグネツトローラー−感光体間隙は
4.0±0.3mmである。さらに感光体としては、セレ
ン感光体を用い、表面最高電位は800Vとした。イーストマン・コダツク社製のグレースチール
を用い、上記の静電複写機により、普通紙上にト
ナー画像を得、オリジナル濃度（OD）1.0におけ
る画像濃度（ID）を求め、各組成における窒素
雰囲気中焼成を行つた粒子の（ID）_Nと、酸素を
含む窒素雰囲気中焼成を行つた粒子の（ID）_Aと
の差を求めた。結果を表１に併記する。なお、ほとんどの磁性キヤリア粒子は、キヤリ
ヤの感光体への付着はほとんどなく、またキヤリ
ヤ飛散もほとんどなかつたが、試料No.５、６にお
けるFe₂O₃53モル％以下のもので空気中焼成した
ものは、σ_nが40emu／ｇ以下となり、キヤリヤ
付着とキヤリヤ飛散とが認められた。BACKGROUND OF THE INVENTION TECHNICAL FIELD The present invention relates in particular to magnetic carrier particles.
More specifically, the present invention relates to magnetic carrier particles used particularly for magnetic brush phenomena. Prior art and its problems In the magnetic brush phenomenon, it has been proposed to use so-called soft ferrite as carrier particles (US Pat. No. 3,839,029,
3914181, 3929657, etc.). Carrier particles made of such ferrite exhibit magnetic properties equivalent to those of conventional iron powder carriers, and unlike iron powder carriers, there is no need to provide a coating layer such as resin on the surface, so they are extremely durable. It is something. In this case, the composition of ferrite actually used as carrier particles is (MO) _100-X
(Fe ₂ O ₃ ) _X (M is one or more divalent metals)
When expressed as, x is about 53 mol% or less. By the way, according to the research results of the present inventors, it has been found that even if ferrite particles have the same composition, the resistance of the particles changes when the atmosphere during firing is controlled. By changing the resistance of the carrier particles, images with various gradations can be obtained, and various image qualities can be selected. Furthermore, by changing the resistance, the characteristics can be optimized for various copying devices. For this reason, it can be said that it is preferable that the ferrite particles have a larger range of change in resistance value when the firing atmosphere is changed. However, a composition having a Fe ₂ O ₃ content of about 53 mol % or less as described above has a high resistance value and the resulting image density is low. Furthermore, it has been found that even if the firing atmosphere is changed, the range of change in resistance value is small, the rate of change in gradation is small, and image quality cannot be arbitrarily selected. OBJECTS OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and its main purpose is to provide a ferrite carrier particle composition having a much wider range of change in resistance value than in the past. The present inventors have repeatedly conducted various studies for this purpose, and as a result, have completed the present invention. That is, the present invention provides divalent metal oxides or trivalent metal oxides.
These magnetic carrier particles are characterized by being made of ferrite having a composition expressed by the following formula [ ] in terms of valence metal oxide. Formula [] (MO) _100-X (Fe ₂ O ₃ ) _X {In the above formula, M is Mn, Zn, or Mn.
Represents a combination with one or more of Zn, Cu, Mg and Co. However, if M contains one or more other elements in addition to Mn, the atomic ratio of Mn in M is
It is 0.05 or more. Further, when M contains Mg, the atomic ratio of Mg in M is less than 0.05. Furthermore, x is greater than 53 mol%. } Specific Configuration of the Invention The specific configuration of the present invention will be described in detail below. In the above formula, M consists of only Mn or Zn, or one of Mn and Zn, Cu, Mg and Co.
It is any combination of 2 to 5 types of elements. On the other hand, the amount x of Fe converted to Fe ₂ O ₃ is greater than 53 mol%. When x is 53 mol% or less, the range of resistance value change becomes small. And especially, if x
When it is 54 mol% or more, the range of resistance value change becomes extremely large. On the other hand, there is no particular restriction on the upper limit of x, as long as it is less than 100 mol%. However, in terms of saturation magnetization, x is preferably 99 mol% or less, more preferably 90 mol% or less. At this time, the saturation magnetization becomes extremely large, and it is almost impossible for the carrier to adhere to the photoreceptor or to scatter from the magnetic brush. On the other hand, M is as described above, and even if M is composed only of Mn or Zn, M is composed of Mn and other
It may be composed of one or more of Zn, Cu, Mg and Co. However, when M contains one or more other elements in addition to Mn, the atomic ratio of Mn in M is 0.05 or more. This is because when the atomic ratio of Mn is less than 0.05, the saturation magnetization decreases and carrier adhesion and carrier scattering as described above increase. In addition, when Mg is included in M, the atomic ratio of Mg is less than 0.05. Among the compositions represented by the above formula [], MO in the formula [] is the following formula []
It is preferable that it is expressed by Formula [] (MnO) _y (XO) _1-y In the above formula [], x is Zn or
Represents a combination of Zn and one or more of Cu, Mg and Co. y is 0.05 or more and less than 1. The composition represented by the above formula [] gives extremely high saturation magnetization. In this case, more preferable results are obtained when y is 0.05 to 0.99, particularly 0.1 to 0.7. Furthermore, the atomic ratio of Zn in X is 1 or
It is preferably 0.3 or more and less than 1. At this time, the saturation magnetization becomes extremely high. In addition, X is Zn and two of the other Cu, Mg, Co
When using one species or a combination of three species, the composition ratio of Cu, Mg or Co can be set arbitrarily. Such ferrite particles have a spinel structure. In ferrite particles with such a composition,
Generally, within 5 mol% of the total Ca,
Ba, Cr, Ta, Mo, Si, V, B, Pb, K, Na,
Elements such as Ba may be contained in the form of oxides or the like. Such ferrite particles are usually 1000μm
It has the following average particle size. Furthermore, a coating layer is generally not formed on the surface of the particles, and they are used as magnetic carrier particles as they are. The resistance of the ferrite particles constituting the magnetic carrier particles of the present invention as described above is 10 ⁴ to 10 4 when 100 V is applied when the following measurements are performed.
10 ¹⁴ Ω, especially within the range of 10 ⁵ to 10 ¹² Ω. Within such a resistance value range, the resistance value of the ferrite particles of the present invention changes continuously by changing the firing conditions described below, and the maximum change ratio is
10 ⁵ to 10 ¹⁰ , and an electrostatic image of any image quality can be appropriately selected. The resistance measurement of ferrite particles is performed as follows, imitating the magnetic brush development method. In other words, with a magnetic pole gap of 8 mm, the N pole and S
Opposite poles. In this case, the surface magnetic flux density of the magnetic pole is 1500 Gauss, and the surface area of the opposing magnetic pole is 10 x 30 mm.
Non-magnetic parallel plate electrodes are arranged between the magnetic poles with an inter-electrode gap of 8 mm, 200 mg of the test sample is placed between the electrodes, and the sample is held between the electrodes by magnetic force. In this way, the resistance may be measured using an insulation resistance meter or an ammeter. Note that the resistance measured in this way is 10 ¹⁴ Ω.
If it exceeds , the image density will decrease. On the other hand, 10 ⁴ Ω
If it is less than that, the carrier tends to adhere to the photoreceptor more often, and the resolution, gradation, etc. tend to decrease, and the image quality tends to become high contrast. Furthermore, the saturation magnetization σ _n of the ferrite particles in the present invention is preferably 35 emu/g or more. At this time, the so-called carrier drag in which the carrier adheres to the photoreceptor is eliminated, and the carrier is no longer scattered during repeated development. In this case, more preferable results are obtained when σ _n is 40 emu/g or more. Magnetic carrier particles made of such ferrite particles are generally described in U.S. Pat. No. 3,839,029;
No. 391418, No. 3926657), etc. That is, first, a corresponding metal oxide is prepared. Next, a solvent, usually water, is added to form a slurry using, for example, a ball mill, and if necessary, a dispersant, a binder, etc. are added. Then, it is granulated and dried using a spray dryer. Thereafter, firing is performed in a predetermined firing atmosphere and firing temperature profile. Firing follows a conventional method. In this case, if the equilibrium oxygen partial pressure during firing is reduced, the resistance value is reduced. When the oxygen partial pressure of the firing atmosphere is continuously changed from air to nitrogen atmosphere, the resistance value of the particles changes continuously. After the firing, the particles are crushed or dispersed and then classified to a desired particle size to produce the magnetic carrier particles of the present invention. Specific effects of the invention The magnetic carrier particles of the invention are combined with a toner to form a developer. In this case, there are no restrictions on the type of toner used and the toner concentration. Further, in obtaining an electrostatic copy image, there are no particular limitations on the magnetic brush development method, photoreceptor, etc. used, and the electrostatic copy image can be obtained according to a known magnetic brush development method. The magnetic carrier particles of the present invention have a wide resistance value change ratio ranging from 10 ⁵ to ^{10 10} by producing them by changing the firing atmosphere. Therefore, carrier particles that provide an optimal image can be easily obtained depending on the model of the copying apparatus. Furthermore, any image quality can be selected. Furthermore, since there is no need to form a film on the surface, durability is good. Furthermore, the saturation magnetization is 35 emu/g or more, and there is little occurrence of so-called carrier pulling or carrier scattering, in which the carrier adheres to the photoreceptor. Specific Examples of the Invention The present invention will be explained in more detail below using specific examples. Example 1 In terms of molar ratio in terms of divalent metal oxide and Fe ₂ O ₃ , six types of compositions shown in Table 1 below (sample
No. 1 to 6) Corresponding metal oxides were prepared. Next, 1 part by weight of water was added per 1 part by weight of this blended composition, and mixed in a ball mill for 5 hours.
The slurry was made into a slurry, and appropriate amounts of a dispersant and a binder were added. Next, the mixture was granulated and dried using a spray dryer at a temperature of 150°C or higher. Each granule was put in a rotary kiln under a nitrogen atmosphere containing oxygen and a nitrogen atmosphere, respectively.
Each was fired at a maximum temperature of 1350℃. Thereafter, it was crushed and classified to obtain a total of 12 types of ferrite particles with an average particle diameter of 45 μm. When each of the obtained ferrite particles was subjected to X-ray analysis and quantitative chemical analysis, it was confirmed that each particle had a spinel structure and a metal composition corresponding to the above-mentioned blending ratio. Next, the saturation magnetization σ _n (emu/g) and resistance (Ω) when 100 V was applied were measured for each of the obtained ferrite particles. In this case, the saturation magnetization σ _n was measured with a vibrating sample type magnetometer. Further, the resistance was measured using an insulation resistance meter when 100V was applied to a 200mg sample as described above. For each composition, measured σ during firing in nitrogen
_n , resistance R _A when fired in a nitrogen atmosphere containing oxygen, resistance RN and resistance change ratio RA/R when fired in nitrogen
_N is shown in Table 1 below. Furthermore, using each of the above ferrite particles as magnetic carrier particles, a commercially available two-component toner (average particle size 11.5
±1.5 μm) to prepare a developer. Magnetic brush development was performed using each developer using a commercially available electrostatic copying machine. In this case, the surface magnetic flux density of the magnetic roller for the magnetic brush is 1000 Gauss, and the rotation speed is 90 rpm. Also, the magnetic roller-photoreceptor gap is
It is 4.0±0.3mm. Furthermore, a selenium photoreceptor was used as the photoreceptor, and the highest surface potential was 800V. Using gray steel manufactured by Eastman Kodatsu, a toner image was obtained on plain paper using the electrostatic copying machine described above, the image density (ID) at an original density (OD) of 1.0 was determined, and the image was fired in a nitrogen atmosphere for each composition. The difference between (ID) _N of the particles subjected to this process and (ID) _A of particles fired in a nitrogen atmosphere containing oxygen was determined. The results are also listed in Table 1. In addition, most of the magnetic carrier particles had almost no adhesion to the carrier photoreceptor, and almost no carrier scattering, but samples Nos. 5 and 6 containing less than 53 mol% of Fe ₂ O ₃ were fired in air. In the case of the sample, σ _n was 40 emu/g or less, and carrier adhesion and carrier scattering were observed.

【表】表１に示される結果から、（Fe₂O₃量ｘが53モ
ル％より大きい本発明の磁性キヤリア粒子は、抵
抗変化比がきわめて大きく、画像の階調が大きく
変化し、選択できる画質の自由度がきわめて大き
いことがわかる。なお、上記において焼成雰囲気を、酸気と窒素
の混合ガスとし、混合比を種々変更したところ、
抵抗および画像濃度が、上記の値の中間にて連続
的に変化することが確認された。実施例２下記表２に示される組成にて、実施例１に準じ
て磁性キヤリア粒子を作成し、上記Ｒ_A、Ｒ_N、Ｒ
_A−Ｒ_Nおよび（ID）_N−（ID）_Aを測定した。結果を表２に示す。[Table] From the results shown in Table 1, the magnetic carrier particles of the present invention with an Fe ₂ O ₃ content x greater than 53 mol% have an extremely large resistance change ratio, a large change in image gradation, and can be selected. It can be seen that the degree of freedom in image quality is extremely large.In addition, in the above, the firing atmosphere was a mixed gas of acid gas and nitrogen, and when the mixing ratio was changed variously,
It was confirmed that the resistance and image density changed continuously between the above values. Example 2 Magnetic carrier particles were prepared according to Example 1 with the composition shown in Table 2 below, and the above R _A , R _N , R
_A −R _N and (ID) _N −(ID) _A were measured. The results are shown in Table 2.

【表】表２に示される結果から、本発明の効果があき
らかである。なお試料No.９〜16では、40emu／ｇ以上のσ_n
が得られ、キヤリヤ引きとキヤリヤ飛散がほとん
どなかつたが、試料No.７、８では、σ_nが
20emu／ｇ以下であり、キヤリヤ引きとキヤリヤ
飛散が大きかつた。[Table] From the results shown in Table 2, the effects of the present invention are clear. In addition, in samples No. 9 to 16, σ _n of 40 emu/g or more
was obtained, and there was almost no carrier pull or carrier scattering, but in samples No. 7 and 8, σ _n was
It was less than 20 emu/g, and carrier pull and carrier scattering were large.

Claims

[Scope of Claims] 1. Magnetic carrier particles comprising ferrite having a composition expressed by the following formula [ ] in terms of divalent metal oxide or trivalent metal oxide. Formula [] (MO) _100-X (Fe ₂ O ₃ ) _X {In the above formula, M is Mn, Zn, or Mn.
Represents a combination with one or more of Zn, Cu, Mg and Co. However, if M contains one or more other elements in addition to Mn, the atomic ratio of Mn in M is
It is 0.05 or more. Further, when M contains Mg, the atomic ratio of Mg in M is less than 0.05. } Furthermore, x is greater than 53 mol%.