JPS6238866B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6238866B2 JPS6238866B2 JP57219917A JP21991782A JPS6238866B2 JP S6238866 B2 JPS6238866 B2 JP S6238866B2 JP 57219917 A JP57219917 A JP 57219917A JP 21991782 A JP21991782 A JP 21991782A JP S6238866 B2 JPS6238866 B2 JP S6238866B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- hole
- lid
- electrode
- convex portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/40—Fillings or auxiliary members in containers, e.g. centering rings
- H10W76/42—Fillings
- H10W76/47—Solid or gel fillings
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子をケース内に樹脂封止する
とともに、蓋体にて密封する半導体装置の製造方
法に関する。
とともに、蓋体にて密封する半導体装置の製造方
法に関する。
一般に素子をケース内に樹脂封止する場合、外
部との接続のために素子より電極を取り出さなけ
ればならないが、この電極はモールド用ケースの
蓋体に設けられた孔を介して外部へ導かれるた
め、電極と孔との気密性を保ち素子が外部雰囲気
による悪影響を受けないようにすることが肝要で
ある。
部との接続のために素子より電極を取り出さなけ
ればならないが、この電極はモールド用ケースの
蓋体に設けられた孔を介して外部へ導かれるた
め、電極と孔との気密性を保ち素子が外部雰囲気
による悪影響を受けないようにすることが肝要で
ある。
従来この気密性を保つ手段として、蓋体の電極
が貫通する孔に外部より種々の封止剤を塗布した
り、蓋体の裏面に孔をとりまく凸部を設けること
により凸部が樹脂に食い込むようにして外部雰囲
気を遮断していた。しかしながら前者は余分な工
程を必要とするため作業性が悪く、また両者とも
電極と孔との隙間が狭いため、封止剤あるいは樹
脂が入りにくく信頼性に乏しいという欠点があつ
た。
が貫通する孔に外部より種々の封止剤を塗布した
り、蓋体の裏面に孔をとりまく凸部を設けること
により凸部が樹脂に食い込むようにして外部雰囲
気を遮断していた。しかしながら前者は余分な工
程を必要とするため作業性が悪く、また両者とも
電極と孔との隙間が狭いため、封止剤あるいは樹
脂が入りにくく信頼性に乏しいという欠点があつ
た。
本発明は上記に鑑みなされたものであり、その
要旨とするところは、モールド用ケースの蓋体の
電極貫通部に、外方に向かつて先細りの孔を持つ
た凸部を設け、未硬化の樹脂に該凸部を押し込ん
で樹脂を孔内の上部に這い上がらせることによ
り、装置の気密性を高め素子を外部より保護した
点にある。
要旨とするところは、モールド用ケースの蓋体の
電極貫通部に、外方に向かつて先細りの孔を持つ
た凸部を設け、未硬化の樹脂に該凸部を押し込ん
で樹脂を孔内の上部に這い上がらせることによ
り、装置の気密性を高め素子を外部より保護した
点にある。
以下に本発明の原理を、蓋体の電極貫通部に設
けられ、外方に向かつて先細りの孔を有する凸部
の拡大断面図を示す第１図を参照して説明する。
けられ、外方に向かつて先細りの孔を有する凸部
の拡大断面図を示す第１図を参照して説明する。
半導体素子を封止した直後の樹脂１は適度に粘
性を有する軟化状態であるから、これに外方に向
かつて先細りの孔を有する蓋体２の凸部３を押し
込むと、凸部３の内孔５は広口であるから、樹脂
１ａは電極４に沿つて比較的容易に孔内へ侵入す
る。この時内孔５はその径が順次狭くなるように
形成されているため、内孔５へ侵入した樹脂１ａ
は樹脂１と空間６との境界線Ａと、凸部３の内側
先端部３ａを通る垂線Ｂとから囲まれる凸部の内
側部分３ｂ（二点鎖線で示す）に相応した体積分
だけ高さ方向に這い上がる。したがつて電極４と
樹脂１ａとの接触部分が大きくなり内孔５と電極
４との径の差により生じた隙間が樹脂１ａにより
十分満たされ、気密が保たれる。凸部３の内孔５
が広口であるため、樹脂１ａが容易に孔内へ侵入
することも相俟つて本発明によれば装置の気密性
が向上する。
性を有する軟化状態であるから、これに外方に向
かつて先細りの孔を有する蓋体２の凸部３を押し
込むと、凸部３の内孔５は広口であるから、樹脂
１ａは電極４に沿つて比較的容易に孔内へ侵入す
る。この時内孔５はその径が順次狭くなるように
形成されているため、内孔５へ侵入した樹脂１ａ
は樹脂１と空間６との境界線Ａと、凸部３の内側
先端部３ａを通る垂線Ｂとから囲まれる凸部の内
側部分３ｂ（二点鎖線で示す）に相応した体積分
だけ高さ方向に這い上がる。したがつて電極４と
樹脂１ａとの接触部分が大きくなり内孔５と電極
４との径の差により生じた隙間が樹脂１ａにより
十分満たされ、気密が保たれる。凸部３の内孔５
が広口であるため、樹脂１ａが容易に孔内へ侵入
することも相俟つて本発明によれば装置の気密性
が向上する。
次に本発明の一実施例を第２図に示す半導体装
置の断面図を参照して説明する。
置の断面図を参照して説明する。
２は電極４の貫通部としての孔７を有する蓋体
であり、この蓋体２の裏面には孔７をとりまく凸
部３が設けられており、孔７に連なる凸部３の内
孔５はその先端から順次狭くなるように形成され
ている。８は基板９に搭載され電極４が接続され
た半導体素子であり、素子８を囲むようにして枠
体１０を基板に取り付け蓋体２とともにモールド
用ケースを構成している。そしてこのケースに樹
脂１を充填すれば、この直後から樹脂１の硬化反
応が進行する。
であり、この蓋体２の裏面には孔７をとりまく凸
部３が設けられており、孔７に連なる凸部３の内
孔５はその先端から順次狭くなるように形成され
ている。８は基板９に搭載され電極４が接続され
た半導体素子であり、素子８を囲むようにして枠
体１０を基板に取り付け蓋体２とともにモールド
用ケースを構成している。そしてこのケースに樹
脂１を充填すれば、この直後から樹脂１の硬化反
応が進行する。
本実施例は上記注入された樹脂が硬化する以前
のまだ粘性を有する軟化状態のとき、前記凸部３
を樹脂１に押し込むようにして、蓋体２を枠体１
０に固着することにより凸部３の内孔５に樹脂１
を侵入させ、蓋体２によるケースの密封と同時に
内孔５と電極４との隙間の気密をはかつている。
のまだ粘性を有する軟化状態のとき、前記凸部３
を樹脂１に押し込むようにして、蓋体２を枠体１
０に固着することにより凸部３の内孔５に樹脂１
を侵入させ、蓋体２によるケースの密封と同時に
内孔５と電極４との隙間の気密をはかつている。
第３図、第４図は本発明の変形例を説明するた
めの蓋体の凸部拡大断面図であり、それぞれ凸部
の内孔形状が第２図実施例に限定されないことを
示している。すなわち、第３図は凸部３の先端を
鋭角とし、内孔１１に設けられる傾斜部を樹脂１
の水平面までとした構造であり、第４図は凸部３
の内孔１２に設けられる傾斜部を曲線状に構成す
ることにより、孔内の隙間を樹脂が侵入可能な範
囲で小さくし、その這い上がりを高め気密性を向
上せんとしたものである。
めの蓋体の凸部拡大断面図であり、それぞれ凸部
の内孔形状が第２図実施例に限定されないことを
示している。すなわち、第３図は凸部３の先端を
鋭角とし、内孔１１に設けられる傾斜部を樹脂１
の水平面までとした構造であり、第４図は凸部３
の内孔１２に設けられる傾斜部を曲線状に構成す
ることにより、孔内の隙間を樹脂が侵入可能な範
囲で小さくし、その這い上がりを高め気密性を向
上せんとしたものである。
第５図は本発明に係る半導体装置の一例を示す
斜視図であり、同図では半導体素子を同一ケース
に複数個収納しており、また電極４は蓋体２より
突出した位置で折り曲げられている。このように
素子を複数個収納する場合には、蓋体２の孔７も
素子の数だけ必要となり、それだけ気密性が要求
されてくるが、本発明によれば素子の保護手段と
しての樹脂と、蓋体によるケースの密封と同時に
その気密手段として利用するため、孔の数とは無
関係にばらつきのない均一な封止をしかも特別な
工程を必要とせずに行なうことが可能となる。
斜視図であり、同図では半導体素子を同一ケース
に複数個収納しており、また電極４は蓋体２より
突出した位置で折り曲げられている。このように
素子を複数個収納する場合には、蓋体２の孔７も
素子の数だけ必要となり、それだけ気密性が要求
されてくるが、本発明によれば素子の保護手段と
しての樹脂と、蓋体によるケースの密封と同時に
その気密手段として利用するため、孔の数とは無
関係にばらつきのない均一な封止をしかも特別な
工程を必要とせずに行なうことが可能となる。
更にまた本発明の特徴とする凸部３の広口の内
孔５は、蓋体２を枠体１０に固着する際に電極４
を外部へ導く案内手段としての付随効果を有す
る。これは電極４を蓋体２より複数個突出する際
には、作業性の面からの効果は大きい。
孔５は、蓋体２を枠体１０に固着する際に電極４
を外部へ導く案内手段としての付随効果を有す
る。これは電極４を蓋体２より複数個突出する際
には、作業性の面からの効果は大きい。
以上の説明から明らかな様に本発明によれば、
電極が貫通した蓋体孔内への樹脂の侵入を容易に
しその気密性を向上したため、外部雰囲気による
影響を受けない信頼性の高い半導体装置を容易に
得ることが可能となる。
電極が貫通した蓋体孔内への樹脂の侵入を容易に
しその気密性を向上したため、外部雰囲気による
影響を受けない信頼性の高い半導体装置を容易に
得ることが可能となる。
第１図は本発明の原理を説明する蓋体の凸部拡
大断面図、第２図は本発明の一実施例を説明する
半導体装置の断面図、第３図、第４図は本発明の
変形例を説明するための蓋体の凸部拡大断面図、
第５図は本発明に係る半導体装置の一例を示す斜
視図である。 １……樹脂、２……蓋体、３……凸部、４……
電極、５……内孔、７……孔、８……半導体素
子、９……基板、１０……枠体。
大断面図、第２図は本発明の一実施例を説明する
半導体装置の断面図、第３図、第４図は本発明の
変形例を説明するための蓋体の凸部拡大断面図、
第５図は本発明に係る半導体装置の一例を示す斜
視図である。 １……樹脂、２……蓋体、３……凸部、４……
電極、５……内孔、７……孔、８……半導体素
子、９……基板、１０……枠体。
Claims (1)
- １ モールド用ケースの蓋体の電極貫通部に、外
方に向かつて先細りの孔を持つた凸部を設け、未
硬化の樹脂に該凸部を押し込んで樹脂を孔内の上
部にまで這い上がらせることを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57219917A JPS59110141A (ja) | 1982-12-15 | 1982-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57219917A JPS59110141A (ja) | 1982-12-15 | 1982-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59110141A JPS59110141A (ja) | 1984-06-26 |
| JPS6238866B2 true JPS6238866B2 (ja) | 1987-08-20 |
Family
ID=16743042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57219917A Granted JPS59110141A (ja) | 1982-12-15 | 1982-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59110141A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0787230B2 (ja) * | 1988-05-24 | 1995-09-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP4053257B2 (ja) * | 2001-06-14 | 2008-02-27 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US11239124B2 (en) | 2017-05-10 | 2022-02-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device, power conversion device, and moving body |
| JP7247124B2 (ja) | 2020-01-07 | 2023-03-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
| EP4270466A1 (en) * | 2022-04-25 | 2023-11-01 | Infineon Technologies AG | Power semiconductor module arrangements and methods for producing power semiconductor module arrangements |
-
1982
- 1982-12-15 JP JP57219917A patent/JPS59110141A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59110141A (ja) | 1984-06-26 |
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