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JPS6238892B2 - - Google Patents
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JPS6238892B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6238892B2
JPS6238892B2 JP54052332A JP5233279A JPS6238892B2 JP S6238892 B2 JPS6238892 B2 JP S6238892B2 JP 54052332 A JP54052332 A JP 54052332A JP 5233279 A JP5233279 A JP 5233279A JP S6238892 B2 JPS6238892 B2 JP S6238892B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
output
cmos
mos transistors
flop
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP54052332A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS55145440A (en
Inventor
Minoru Takada
Yasoji Suzuki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP5233279A priority Critical patent/JPS55145440A/en
Publication of JPS55145440A publication Critical patent/JPS55145440A/en
Publication of JPS6238892B2 publication Critical patent/JPS6238892B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K23/00Pulse counters comprising counting chains; Frequency dividers comprising counting chains
    • H03K23/58Gating or clocking signals not applied to all stages, i.e. asynchronous counters

Landscapes

  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はMOS集積回路化に適した入力パル
スの周波数シフト機能をもつ分周回路に関する。 最近、デイジタルチユーニング方式のFM、
AMラジオが開発されている。このようなチユー
ニング方式のラジオではPLL方式の周波数シンセ
サイザが用いられており、その前段部のプリスケ
ーラには周波数シフト機能をもつ分周回路が設け
られる。 第1図は上記従来の周波数シフト機能をもつ分
周回路の構成図である。図において200MHzの周
波数をもつ入力パルス信号fINは、直列接続され
た2つのバイナリカウンタ11,12の前段のバ
イナリカウンタ11の入力端に供給され、後段の
バイナリカウンタ12のQ出力信号Q2はインバ
ータ13および直列接続された2つの1ビツトシ
フトレジスタ14,15のクロツク入力端に供給
される。上記1ビツトシフトレジスタ14のD入
力端には、所定期間毎にそのレベルが反転する切
換え信号がインバータ16を介して供
給され、さらに1ビツトシフトレジスタ14のQ
出力信号Q3および1ビツトシフトレジスタ15
の出力信号4はともにナンドゲート17に供
給される。さらに上記ナンドゲート17には、周
波数シフト要求時、“0”となるシフト信号
がインバータ18を介して供給される。
そして上記ナンドゲート17の出力信号Xは前記
インバータ13の出力信号とともにナンドゲート
19に供給され、さらにこのナンドゲート19の
出力信号Yはバイナリカウンタ20の入力端に供
給される。 第2図は上記回路の動作を示すタイミングチヤ
ートであり、次にこのタイミングチヤートを用い
てその動作を簡単に説明すると、先ずシフト信号
が“1”の時には切換え信号の
レベルに無関係にナンドゲート17の出力信号X
は“1”となり、これに続くナンドゲート19が
開いて2つのバイナリカウンタ11,12により
分周された50MHzの信号Q2がバイナリカウンタ
20に供給される。この結果バイナリカウンタ2
0はQ2を1/2分周し、そのQ出力信号Q5の周波数
は第2図に示すように50/2MHzとなる。一方、
周波数のシフト要求が起つてシフト信号
が“0”となり、さらにこの後、切換え信号
が“0”になると、バイナリカウンタ
12のQ出力信号Q2の次の立上りに同期して、
1ビツトシフトレジスタ14のQ出力信号Q3
“1”となり、さらにQ2の次の立上りに同花期し
て1ビツトシフトレジスタ15の出力信号4
が“0”となる。このときがまだ“0”
を保持していれば、ナンドゲート17の出力信号
Xは第2図に示すようにQ2の1ビツト期間
“0”となり、これに続くナンドゲート19の出
力信号YはQ2より1パルス少ない信号となる。
この結果、バイナリカウンタ20のQ出力信号
Q5の周波数は、Q2の周波数50MHzより1Hz少な
い信号を1/2分周したもの、すなわち25MHz−
0.5Hzとなる。 ところで従来、プリスケーラのように高速動作
する回路はECL等の超高速用素子が使われてい
たが、ECLは電力消費および集積化の点で難点
がある。これに対し現在では数100MHzで動作可
能なMOSトランジスタが開発されており、周波
数シンセサイザをCMOSトランジスタを用いて1
チツプ化できる状況となつている。しかしながら
前記第1図に示す従来の入力パルスの周波数シフ
ト機能をもつ分周回路をCMOSトランジスタで構
成した場合、バイナリカウンタ20の入力信号と
なるバイナリカウンタ12のQ出力信号Q2は2
段のゲートすなわちインバータ13及びナンドゲ
ート19を通過することになるので、入力信号f
INの周波数を極めて高くした場合には、この2段
ゲートによる信号伝達遅れ時間の影響によりバイ
ナリカウンタ20が誤動作を起こすといつた欠点
があつた。 この発明は上記のような事情を考慮してなされ
たものであり、その目的とするところは高集積
化、低電力消費化が可能であり、かつ高速動作が
可能な入力パルスの周波数シフト機能をもつ分周
回路を提供することにある。 以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明
する。第3図はこの発明の一実施例の構成図であ
り、従来回路と対応する箇所には同一符号を付し
てその説明は省略する。そこで従来回路と異なつ
た箇所を説明すると、バイナリカウンタ12のQ
出力信号Q2はバイナリカウンタ21の入力端T
に直接に供給されるとともに、ナンドゲート17
の出力信号Sはこのバイナリカウンタ21のシフ
ト制御信号入力端Sに供給される。ここで、上記
バイナリカウンタ11及び12、シフトレジスタ
14及び15、インバータ16と18、ナンドゲ
ート17は、入力パルスfINの周波数シフト要求
時、所定期間毎にそのレベルが反転する切換え信
号のレベル変化を検出することにより
入力パルスfINの所定ビツト期間、レベルが反転
するシフト制御信号Sを発生する回路を構成して
いる。 第4図は入力端Tの他に上記シフト制御信号出
力端Sが追加された上記バイナリカウンタ21を
詳細に示すものであり、上記Q2の立下りで出力
信号の状態が変化する立下り同期式のバイナリカ
ウンタの場合が示されている。第4図の回路は、
大きく分けてマスターフリツプフロツプ回路41
とスレーブフリツプフロツプ回路42で構成され
る。すなわちマスターフリツプフロツプ回路41
ではNチヤネル型MOSトランジスタ43、Pチ
ヤネル型MOSトランジスタ44からなるCMOS
インバータ本体とVDD電位供給端(以下、VDD
称する)との間に、Pチヤネル型MOSトランジ
スタ45,46,47(第1ないし第3のMOS
トランジスタ)の並列回路を挿入してCMOS回路
48を形成し、またNチヤネル型MOSトランジ
スタ49、Pチヤネル型MOSトランジスタ50
からなるCMOSインバータ本体とVDDとの間にP
チヤネル型MOSトランジスタ51,52,53
(第4ないし第7のMOSトランジスタ)の並列回
路を挿入してCMOS回路54を形成している。そ
して上記CMOS回路48の入、出力端とCMOS回
54の出、入力端とは相接続され、これにより
フリツプフロツプ要素55が構成される。また
CMOS回路48の出力端Mとアース電位供給端
(以下単にアースと称す)との間には、Nチヤネ
ル型MOSトランジスタ56,57,58(第7
ないし第9のMOSトランジスタ)や直列接続さ
れ、CMOS回路54の出力端QMとアースとの間
には、Nチヤネル型MOSトランジスタ59,6
0,61(第10ないし第12のMOSトランジス
タ)が直列接続される。 スレーブフリツプフロツプ回路42では、Pチ
ヤネル型MOSトランジスタ62、Nチヤネル型
MOSトランジスタ63からなるCMOSインバー
タ本体とアースとの間に、Pチヤネル型MOSト
ランジスタ64,65(第13、第14のMOSトラ
ンジスタ)の並列回路を挿入してCMOS回路66
を形成し、またPチヤネル型MOSトランジスタ
67、Nチヤネル型MOSトランジスタ68から
なるCMOSインバータ本体とアースとの間に、N
チヤネル型MOSトランジスタ69,70(第
15、第16のMOSトランジスタ)の並列回路を挿
入してCMOS回路71を形成している。そして
CMOS回路66の入、出力端とCMOS回路71
出、入力端とは相接続され、これによりフリツプ
フロツプ要素72が構成される。またCMOS回路
66の出力端とVDDとの間には、Pチヤネル型
MOSトランジスタ73,74(第17、第18の
MOSトランジスタ)が直列接続され、CMOS回
71の出力端QとVDDとの間にはPチヤネル型
MOSトランジスタ75,76(第19、第20の
MOSトランジスタ)が直列接続される。 またトランジスタ46,51,58,61,6
5,69,73,75のゲートを前記バイナリカ
ウンタ12のQ2出力端に接続し、CMOS回路
8の出力端Mはトランジスタ70,76のゲー
トに接続し、CMOS回路54の出力端Mはトラ
ンジスタ64,74のゲートに接続し、CMOS回
66の出力端6はトランジスタ45,56の
ゲートに接続し、さらにCMOS回路71の出力端
Q6はトランジスタ53,59のゲートに接続す
る。またトランジスタ46,52,57,60の
ゲートを前記ナンドゲート17の出力端に接続す
る。すなわち、バイナリカウンタ21は次のよう
に構成されている。Nチヤネル型MOSトランジ
スタ43とPチヤネル型MOSトランジスタ44
とからなるCMOSインバータ本体にPチヤネル型
の第1、第2、第3のMOSトランジスタ45,
46,47の並列回路を介挿してなる第1の
CMOS回路の入、出力端と、Nチヤネル型MOS
トランジスタ49とPチヤネル型MOSトランジ
スタ50とからなるCMOSインバータ本体にPチ
ヤネル型の第4、第5、第6のMOSトランジス
タ51,52,53の並列回路を介挿してなる第
2のCMOS回路の出、入力端とを接続してなる第
1のフリツプフロツプ要素、前記第1のCMOS回
路の出力端とアースとの間にNチヤネル型の第
7、第8、第9のMOSトランジスタ56,5
7,58を、前記第2のCMOS回路の出力端とア
ースとの間にNチヤネル型の第10、第11、第12の
MOSトランジスタ59,60,61をそれぞれ
直列介挿してなる第1、第2の直列回路を有した
マスターフリツプフロツプ41およびPチヤネル
型MOSトランジスタ62とNチヤネル型MOSト
ランジスタ63とからなるCMOSインバータ本体
にNチヤネル型の第13、第14のMOSトランジス
タ64,65の並列回路を介挿してなる第3の
CMOS回路の入、出力端と、Pチヤネル型MOS
トランジスタ67とNチヤネル型MOSトランジ
スタ68とからなるCMOSインバータ本体にNチ
ヤネル型の第15、第16のMOSトランジスタ6
9,70の並列回路を介挿してなる第4のCMOS
回路の出、入力端とを接続してなる第2のフリツ
プフロツプ要素、前記第3のCMOS回路の出力端
とVDDとの間にPチヤネル型の第17、第18の
MOSトランジスタ73,74を、前記第4の
CMOS回路の出力端とVDDとの間にPチヤネル型
の第19、第20のMOSトランジスタ75,76を
それぞれ直列接続してなる第3、第4の直列回路
を有したスレーブフリツプフロツプ42からな
り、入力パルスQ2を第3、第4、第9、第12、
第14、第15、第17、第19のMOSトランジスタ4
7,51,58,61,65,69,73,75
のゲートに、第1のCMOS回路の出力信号を第
16、第20のMOSトランジスタ70,76のゲー
トに、第2のCMOS回路の出力信号を第13、第18
のMOSトランジスタ64,74のゲートに、第
3のCMOS回路の出力信号を第1、第7のMOS
トランジスタ45,56のゲートに、第4の
CMOS回路の出力信号を第6、第10のMOSトラ
ンジスタ53,59のゲートに、前記シフト制御
信号Sを第2、第5、第8、第11のMOSトラン
ジスタ46,52,57,60のゲートにそれぞ
れ供給して構成されている。 次に上記のように接続された回路の動作を第5
図のタイミングチヤートを用いて説明する。先ず
予めバイナリカウンタ11にたとえば従来と同様
に200MHzの入力信号fINを供給する。これによ
り2つのバイナリカウンタ11,12で順次分周
された50MHzの信号がバイナリカウンタ21の
入力端に入力する。この状態でシフト信号
が“1”の時には切換え信号の
レベルに無関係にナンドゲート17の出力信号S
は“1”となる。 ここで第4図においてQ2=“0”、Q6=“1”、
M=“1”と仮定する(第5図のt0)。S=“1”
のときトランジスタ57,60はオン、トランジ
スタ46,52はオフとなる。この状態で次に
Q2が“0”から“1”に変化すると、トランジ
スタ61がオンし、トランジスタ59はQ6
“1”であることによりオンしており、従つてQM
は“1”から“0”に変化する。このためトラン
ジスタ74はオンするが、Q2が“1”であるこ
とによりトランジスタ73はオフしているから、
6は“0”、Q6は“1”を保持する。次にQ2
“1”から“0”に変化すると、トランジスタ7
3がオンして6が“0”から“1”に変化し、
MはQ2が“1”に変化したときにトランジスタ
45,44を介して“0”から“1”に変化して
いるから、トランジスタ70はオンしており、ま
たトランジスタ68も6が“1”でオンしてい
るため、Q6は“1”から“0”に変化する。以
下同様の動作を繰返すと、第5図のようなタイミ
ングチヤートとなり、従つて第3図の回路はS=
“1”のとき、従来と同様に50MHzの信号を1/2
分周することになる。 一方周波数のシフト要求が起つてシフト信号
が“0”となり、さらにこの後切換え信
号が“0”になると、従来と同様にバ
イナリカウンタ12のQ出力信号Q2の次の立上
りに同期して、1ビツトシフトレジスタ14のQ
出力信号Q3が“1”となり、さらにQ2の次の立
上りに同期して1ビツトシフトレジスタ15の
出力信号4が“0”となる。このときが
まだ“0”を保持していれば、ナンドゲート17
の出力信号Sは第5図に示すようにQ2の1ビツ
ト期間“0”となる。 ここで第4図においてQ6=“0”、QM=“0”
とすると、S=“0”によりいままでオンしてい
たトランジスタ57,60がオフし、いままでオ
フしていたトランジスタ46,52がオンする。
このときQM=“0”によりトランジスタ44がオ
ンし、M=“1”によりトランジスタ49がオン
しているので、Q2が変化してもMはトランジス
タ46,44により“1”に保持され、さらにQ
Mはトランジスタ49により“0”に保持され
る。すなわち、S=“0”のときにはQ2とは無関
係にマスターフリツプフロツプ回路41は以前の
状態を保持するために、この期間バイナリカウン
タ21はQ2をカウントしない。この結果、バイ
ナリカウンタ21の出力Q66の周波数は、Q2
の周波数50MHzより1Hz少ない信号を1/2分周し
たもの、すなわち25MHz−0.5Hzとなり、バイナ
リカウンタ21の入力信号の周波数シフトが行な
われることになる。 このように上記実施例では、バイナリカウンタ
21の入力としてバイナリカウンタ12の出力信
号Q2を直接用いることができるので、従来のよ
うにゲートによる信号伝達遅れ時間が発生するこ
とがなく、したがつて入力信号fINの周波数を極
めて高くしても、バイナリカウンタ21は誤動作
する恐れはない。またQ2をバイナリカウンタ2
1の直接の入力とすることにより、第3図に示す
回路すべてをCMOS化することが可能となり、高
集積化、低電力消費化をはかることができる。 第6図はこの発明の他の実施例を示すものであ
る。上記実施例ではバイナリカウンタ21は立下
り同期式のものであつたが、ここでは立上り同期
式とした場合の例である。この実施例は上記実施
例と原理的に対応するので、対応し得る箇所には
同一符号を付しかつこれにダツシユを付して説明
を省略する。この場合の特徴はQ2の立上りでデ
ータを変化させるため、Nチヤネル型MOSトラ
ンジスタ73′,75′の各ゲートにQ2を供給す
るとともに、Nチヤネル型MOSトランジスタ4
6′,52′およびPチヤネル型MOSトランジス
タ57′,60′それぞれのゲートに、インバータ
77を介してSを供給するようにしたことにあ
る。 この実施例回路ではバイナリカウンタ21が立
ち上がり同期式であるため、その動作を示す第7
図のタイミングチヤートのようにQMは信号Q2
立ち上がりに同期して変化し、さらにQ6はQM
りも信号Q2の半ビツトだけ遅れて変化する。 第8図はこの発明のさらに他の実施例を示すも
ので、回路の簡略化をはかつた場合である。すな
わち、第4図のバイナリカウンタから、トランジ
スタ45,46,47,51,52,53および
64,65,69,70を省略している。すなわ
ち、バイナリカウンタ21はNチヤネル型MOS
トランジスタ43とPチヤネル型MOSトランジ
スタ44とからなる第1のCMOSインバータの
入、出力端をNチヤネル型MOSトランジスタ4
9とPチヤネル型MOSトランジスタ50とから
なる第2のCMOSインバータの出、入力端に接続
してなる第1のフリツプフロツプ要素、第1の
CMOSインバータの出力端とアースとの間にNチ
ヤネル型の第1、第2、第3のMOSトランジス
タ56,57,58を、前記第2のCMOSインバ
ータの出力端とアースとの間にNチヤネル型の第
4、第5、第6のMOSトランジスタ59,6
0,61をそれぞれ直列介挿してなる第1、第2
の直列回路を有したマスターフリツプフロツプ4
1およびPチヤネル型MOSトランジスタ62と
Nチヤネル型MOSトランジスタ63とからなる
第3のCMOSインバータの入、出力端をPチヤネ
ル型MOSトランジスタ67とNチヤネル型MOS
トランジスタ68とからなる第4のCMOSインバ
ータの出、入力端に接続してなる第2のフリツプ
フロツプ要素、前記第3のCMOSインバータの出
力端とVDDとの間にPチヤネル型の第7、第8の
MOSトランジスタ73,74を、前記第4の
CMOSインバータの出力端とVDDとの間にPチヤ
ネル型の第9、第10のMOSトランジスタ75,
76をそれぞれ直列介挿してなる第3、第4の直
列回路を有したスレーブフリツプフロツプ42か
らなり、入力パルスQ2を第3、第6、第7、第
9のMOSトランジスタ58,61,73,75
のゲートに、第1のCMOSインバータの出力信号
を第10のMOSトランジスタ76のゲートに、第
2のCMOSインバータの出力信号を第8のMOS
トランジスタ74のゲートに、第3のCMOSイン
バータの出力信号を第1のMOSトランジスタ5
6のゲートに、第4のCMOSインバータの出力信
号を第4のMOSトランジスタ59のゲートに、
前記シフト制御信号Sを第2、第5のMOSトラ
ンジスタ57,60にそれぞれ供給して構成され
ている。この場合、完全にはCMOS構成とはなら
ないが、第5図のタイミングチヤートと対応した
動作が得られる。なお第6図のバイナリカウンタ
も第8図の場合と同様にして、回路の簡略化がは
かれることはもちろんである。 以上詳述したようにこの発明によれば、高集積
化、低電力消費化が可能であり、かつ高速動作が
可能な入力パルスの周波数シフト機能をもつ分周
回路を提供することができる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a frequency dividing circuit having an input pulse frequency shifting function suitable for MOS integrated circuits. Recently, digital tuning FM,
AM radio is being developed. In such a tuning radio, a PLL frequency synthesizer is used, and a prescaler at the front stage thereof is provided with a frequency dividing circuit having a frequency shifting function. FIG. 1 is a block diagram of the conventional frequency dividing circuit having a frequency shifting function. In the figure, an input pulse signal f IN having a frequency of 200 MHz is supplied to the input terminal of the binary counter 11 at the front stage of two binary counters 11 and 12 connected in series, and the Q output signal Q 2 of the binary counter 12 at the rear stage is It is supplied to the clock input terminals of an inverter 13 and two 1-bit shift registers 14 and 15 connected in series. A switching signal whose level is inverted every predetermined period is supplied to the D input terminal of the 1-bit shift register 14 via an inverter 16.
Output signal Q3 and 1-bit shift register 15
Both output signals 4 are supplied to a NAND gate 17. Furthermore, a shift signal that becomes "0" is supplied to the NAND gate 17 via an inverter 18 when a frequency shift is requested.
The output signal X of the NAND gate 17 is supplied to the NAND gate 19 together with the output signal of the inverter 13, and the output signal Y of the NAND gate 19 is further supplied to the input terminal of the binary counter 20. FIG. 2 is a timing chart showing the operation of the above circuit. Next, using this timing chart, the operation will be briefly explained. First, when the shift signal is "1", the NAND gate 17 is activated regardless of the level of the switching signal. Output signal
becomes “1”, the NAND gate 19 following this opens, and the 50 MHz signal Q 2 frequency-divided by the two binary counters 11 and 12 is supplied to the binary counter 20. As a result, binary counter 2
0 divides Q 2 by 1/2, and the frequency of the Q output signal Q 5 becomes 50/2MHz as shown in FIG. on the other hand,
When a frequency shift request occurs and the shift signal becomes "0", and after that, when the switching signal becomes "0", in synchronization with the next rising edge of the Q output signal Q2 of the binary counter 12,
The Q output signal Q3 of the 1-bit shift register 14 becomes "1", and the output signal 4 of the 1-bit shift register 15 becomes "1" at the same time as the next rising edge of Q2 .
becomes “0”. At this time it is still “0”
, the output signal X of the NAND gate 17 becomes "0" for one bit period of Q 2 as shown in FIG. Become.
As a result, the Q output signal of the binary counter 20
The frequency of Q 5 is 1/2 of the signal 1 Hz lower than the frequency of Q 2 , 50 MHz, that is, 25 MHz -
It becomes 0.5Hz. Conventionally, ultra-high-speed elements such as ECL have been used for high-speed operating circuits such as prescalers, but ECL has drawbacks in terms of power consumption and integration. On the other hand, MOS transistors that can operate at several 100 MHz have now been developed, and frequency synthesizers can be made into single frequency synthesizers using CMOS transistors.
The situation is such that it can be turned into chips. However, when the conventional frequency dividing circuit having the frequency shifting function of input pulses shown in FIG.
Since it passes through the gate of the stage, that is, the inverter 13 and the NAND gate 19, the input signal f
When the frequency of IN is made extremely high, there is a drawback that the binary counter 20 may malfunction due to the influence of the signal transmission delay time due to the two-stage gate. This invention was made in consideration of the above circumstances, and its purpose is to provide an input pulse frequency shifting function that enables high integration, low power consumption, and high-speed operation. The object of the present invention is to provide a frequency dividing circuit with An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 3 is a block diagram of one embodiment of the present invention, and parts corresponding to those of the conventional circuit are given the same reference numerals, and the explanation thereof will be omitted. Therefore, to explain the differences from the conventional circuit, the Q of the binary counter 12 is
The output signal Q 2 is the input terminal T of the binary counter 21
In addition to being supplied directly to NAND gate 17
The output signal S of is supplied to the shift control signal input terminal S of this binary counter 21. Here, the binary counters 11 and 12, shift registers 14 and 15, inverters 16 and 18, and NAND gate 17 control the level change of the switching signal whose level is inverted every predetermined period when the frequency shift of the input pulse f IN is requested. A circuit is constructed which generates a shift control signal S whose level is inverted during a predetermined bit period of the input pulse f IN by detection. FIG. 4 shows in detail the binary counter 21 in which the shift control signal output terminal S is added in addition to the input terminal T, and is a falling synchronization in which the state of the output signal changes at the falling edge of Q2 . The case of a binary counter of Eq. The circuit in Figure 4 is
Broadly divided into master flip-flop circuits 41
and a slave flip-flop circuit 42 . That is, the master flip-flop circuit 41
Here, the CMOS consists of an N-channel type MOS transistor 43 and a P-channel type MOS transistor 44.
P-channel type MOS transistors 45 , 46 , 47 (first to third MOS
Create a CMOS circuit by inserting a parallel circuit (transistor)
48 , and an N-channel MOS transistor 49 and a P-channel MOS transistor 50.
There is a P between the CMOS inverter main body consisting of
Channel type MOS transistors 51, 52, 53
A CMOS circuit 54 is formed by inserting a parallel circuit of (fourth to seventh MOS transistors). The input and output terminals of the CMOS circuit 48 and the output and input terminals of the CMOS circuit 54 are connected in phase, thereby forming a flip-flop element 55 . Also
N -channel MOS transistors 56 , 57, 58 (seventh
N-channel MOS transistors 59 and 6 are connected in series and are connected between the output terminal Q M of the CMOS circuit 54 and the ground.
0 and 61 (10th to 12th MOS transistors) are connected in series. In the slave flip-flop circuit 42 , a P channel type MOS transistor 62, an N channel type MOS transistor 62,
A parallel circuit of P-channel type MOS transistors 64 and 65 (the 13th and 14th MOS transistors) is inserted between the CMOS inverter body consisting of the MOS transistor 63 and the ground to form the CMOS circuit 66.
Also, between the CMOS inverter main body consisting of a P channel type MOS transistor 67 and an N channel type MOS transistor 68 and the ground, an N
Channel type MOS transistors 69, 70 (No.
15, 16th MOS transistor) are inserted in parallel to form a CMOS circuit 71 . and
The input and output terminals of the CMOS circuit 66 and the output and input terminals of the CMOS circuit 71 are connected in phase, thereby forming a flip-flop element 72 . Also CMOS circuit
Between the output terminal of 66 and VDD , there is a P channel type
MOS transistors 73, 74 (17th, 18th
MOS transistors) are connected in series, and a P-channel type transistor is connected between the output terminal Q of the CMOS circuit 71 and VDD .
MOS transistors 75 and 76 (19th and 20th
MOS transistors) are connected in series. Also, transistors 46, 51, 58, 61, 6
The gates of 5, 69, 73, and 75 are connected to the Q2 output terminal of the binary counter 12, and the CMOS circuit 4
The output terminal M of the CMOS circuit 54 is connected to the gates of the transistors 64 and 74, and the output terminal M of the CMOS circuit 66 is connected to the gates of the transistors 45 and 76. 56, and the output terminal of CMOS circuit 71 .
Q 6 is connected to the gates of transistors 53 and 59. Further, the gates of the transistors 46, 52, 57, and 60 are connected to the output terminal of the NAND gate 17. That is, the binary counter 21 is configured as follows. N-channel type MOS transistor 43 and P-channel type MOS transistor 44
A CMOS inverter body consisting of P channel type first, second and third MOS transistors 45,
The first one is formed by inserting 46 and 47 parallel circuits.
Input and output terminals of CMOS circuit and N-channel MOS
A second CMOS circuit is constructed by inserting a parallel circuit of fourth, fifth, and sixth P-channel MOS transistors 51, 52, and 53 into a CMOS inverter body consisting of a transistor 49 and a P-channel MOS transistor 50. A first flip-flop element is formed by connecting the output terminal and the input terminal, and N-channel type seventh, eighth, and ninth MOS transistors 56, 5 are connected between the output terminal of the first CMOS circuit and the ground.
7, 58, N-channel type 10th, 11th, and 12th circuits are connected between the output terminal of the second CMOS circuit and the ground.
A master flip-flop 41 having first and second series circuits each having MOS transistors 59, 60, and 61 inserted in series, and a CMOS inverter comprising a P channel type MOS transistor 62 and an N channel type MOS transistor 63. A third transistor is formed by inserting a parallel circuit of N-channel type 13th and 14th MOS transistors 64 and 65 into the main body.
Input and output terminals of CMOS circuit and P channel type MOS
A CMOS inverter body consisting of a transistor 67 and an N-channel MOS transistor 68 includes 15th and 16th N-channel MOS transistors 6.
4th CMOS with 9.70 parallel circuits inserted
a second flip-flop element connected to the output and input terminals of the circuit; 17th and 18th P-channel type flip-flop elements connected between the output terminal of the third CMOS circuit and VDD ;
The MOS transistors 73 and 74 are connected to the fourth
A slave flip-flop which has third and fourth series circuits formed by connecting P-channel type 19th and 20th MOS transistors 75 and 76 in series between the output terminal of the CMOS circuit and VDD . 42, the input pulse Q 2 is the 3rd, 4th, 9th, 12th,
14th, 15th, 17th, 19th MOS transistor 4
7, 51, 58, 61, 65, 69, 73, 75
The output signal of the first CMOS circuit is connected to the gate of the first CMOS circuit.
16. The output signal of the second CMOS circuit is applied to the gates of the 13th and 18th MOS transistors 70 and 76.
The output signal of the third CMOS circuit is applied to the gates of the MOS transistors 64 and 74 of the first and seventh MOS transistors.
A fourth transistor is connected to the gates of the transistors 45 and 56.
The output signal of the CMOS circuit is applied to the gates of the sixth and tenth MOS transistors 53 and 59, and the shift control signal S is applied to the gates of the second, fifth, eighth and eleventh MOS transistors 46, 52, 57 and 60. It is configured by supplying each. Next, the operation of the circuit connected as above is explained in the fifth section.
This will be explained using the timing chart shown in the figure. First, an input signal f IN of 200 MHz is supplied to the binary counter 11 in advance, for example, as in the conventional case. As a result, a 50 MHz signal whose frequency has been sequentially divided by the two binary counters 11 and 12 is input to the input terminal of the binary counter 21. In this state, when the shift signal is "1", the output signal S of the NAND gate 17 is independent of the level of the switching signal.
becomes “1”. Here, in FIG. 4, Q 2 = “0”, Q 6 = “1”,
Assume that Q M =“1” (t 0 in FIG. 5). S=“1”
At this time, transistors 57 and 60 are turned on, and transistors 46 and 52 are turned off. In this state, next
When Q 2 changes from “0” to “1”, transistor 61 turns on, and transistor 59 is on because Q 6 is “1”, so Q M
changes from “1” to “0”. Therefore, transistor 74 is turned on, but since Q 2 is "1", transistor 73 is turned off, so
6 holds “0” and Q 6 holds “1”. Next, when Q 2 changes from “1” to “0”, transistor 7
3 turns on, 6 changes from “0” to “1”,
Since M changes from "0" to "1" via transistors 45 and 44 when Q 2 changes to "1", transistor 70 is on, and transistor 68 also changes when 6 changes to "1". ”, Q6 changes from “1” to “0”. If the same operation is repeated thereafter, the timing chart as shown in FIG. 5 will be obtained, and therefore the circuit of FIG.
When “1”, 50MHz signal is halved as before.
The frequency will be divided. On the other hand, when a frequency shift request occurs and the shift signal becomes "0", and then the switching signal becomes "0", as in the conventional case, in synchronization with the next rising edge of the Q output signal Q2 of the binary counter 12, Q of 1-bit shift register 14
The output signal Q3 becomes "1", and in synchronization with the next rising edge of Q2 , the output signal 4 of the 1-bit shift register 15 becomes "0". If it still holds “0” at this time, NAND gate 17
The output signal S becomes "0" for one bit period of Q2 as shown in FIG. Here, in Fig. 4, Q 6 = “0”, Q M = “0”
Assuming that S=“0”, the transistors 57 and 60 that have been on until now are turned off, and the transistors 46 and 52 that have been off until now are turned on.
At this time, transistor 44 is turned on due to Q M = “0”, and transistor 49 is turned on due to M = “1”, so even if Q 2 changes, M is held at “1” by transistors 46 and 44. , and further Q
M is held at "0" by transistor 49. That is, when S="0", the master flip-flop circuit 41 maintains the previous state regardless of Q2 , so the binary counter 21 does not count Q2 during this period. As a result, the frequency of the output Q 6 , 6 of the binary counter 21 is Q 2
The signal whose frequency is 1 Hz less than the frequency of 50 MHz is divided by 2, that is, 25 MHz - 0.5 Hz, and the frequency of the input signal of the binary counter 21 is shifted. In this way, in the above embodiment, the output signal Q2 of the binary counter 12 can be directly used as an input to the binary counter 21, so there is no signal transmission delay time caused by the gate as in the conventional case, and therefore, Even if the frequency of the input signal f IN is made extremely high, there is no risk that the binary counter 21 will malfunction. Also, Q 2 is binary counter 2
By directly inputting 1, all the circuits shown in FIG. 3 can be implemented as CMOS, and higher integration and lower power consumption can be achieved. FIG. 6 shows another embodiment of the invention. In the embodiments described above, the binary counter 21 was of the fall synchronous type, but in this example, it is of the rise synchronous type. Since this embodiment corresponds in principle to the above-mentioned embodiment, the same reference numerals and dashes will be attached to corresponding parts, and the explanation thereof will be omitted. The feature of this case is that since the data changes at the rising edge of Q 2 , Q 2 is supplied to each gate of the N-channel MOS transistors 73' and 75', and the N-channel MOS transistor 4
6', 52' and the gates of P channel type MOS transistors 57', 60' are supplied with S through an inverter 77. In this example circuit, since the binary counter 21 is of the rising synchronization type, the seventh
As shown in the timing chart in the figure, Q M changes in synchronization with the rise of signal Q 2 , and Q 6 changes later than Q M by half a bit of signal Q 2 . FIG. 8 shows still another embodiment of the present invention, in which the circuit is simplified. That is, the transistors 45, 46, 47, 51, 52, 53 and 64, 65, 69, 70 are omitted from the binary counter in FIG. That is, the binary counter 21 is an N-channel type MOS
The input and output terminals of a first CMOS inverter consisting of a transistor 43 and a P-channel MOS transistor 44 are connected to an N-channel MOS transistor 4.
9 and a P-channel MOS transistor 50, a first flip-flop element is connected to the output and input terminals of a second CMOS inverter consisting of a P-channel MOS transistor 50;
N-channel type first, second, and third MOS transistors 56, 57, and 58 are connected between the output end of the CMOS inverter and the ground, and N-channel type MOS transistors 56, 57, and 58 are connected between the output end of the second CMOS inverter and the ground. 4th, 5th, and 6th MOS transistors 59, 6 of type
0 and 61 in series, respectively.
Master flip-flop 4 with a series circuit of
The input and output terminals of a third CMOS inverter consisting of 1 and P channel type MOS transistors 62 and N channel type MOS transistors 63 are connected to P channel type MOS transistors 67 and N channel type MOS transistors.
a second flip-flop element connected to the output and input ends of a fourth CMOS inverter consisting of a transistor 68; a P-channel type seventh flip-flop element connected between the output end of the third CMOS inverter and VDD 8's
The MOS transistors 73 and 74 are connected to the fourth
P-channel type ninth and tenth MOS transistors 75 are connected between the output terminal of the CMOS inverter and VDD ,
It consists of a slave flip-flop 42 having third and fourth series circuits formed by inserting MOS transistors 58 and 61 in series, respectively, and transmits the input pulse Q 2 to the third, sixth, seventh and ninth MOS transistors 58 and 61. ,73,75
The output signal of the first CMOS inverter is connected to the gate of the 10th MOS transistor 76, and the output signal of the second CMOS inverter is connected to the gate of the 8th MOS transistor 76.
The output signal of the third CMOS inverter is connected to the gate of the transistor 74 to the first MOS transistor 5.
6, the output signal of the fourth CMOS inverter is connected to the gate of the fourth MOS transistor 59,
The shift control signal S is supplied to second and fifth MOS transistors 57 and 60, respectively. In this case, although it is not a complete CMOS configuration, an operation corresponding to the timing chart in FIG. 5 can be obtained. It goes without saying that the circuit of the binary counter shown in FIG. 6 can be simplified in the same way as the case shown in FIG. 8. As described in detail above, according to the present invention, it is possible to provide a frequency dividing circuit that is capable of high integration, low power consumption, and has an input pulse frequency shifting function that allows high-speed operation.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の入力パルスの周波数シフト機能
をもつ分周回路の構成図、第2図は同回路の動作
を示すタイミングチヤート、第3図はこの発明の
一実施例に係る入力パルスの周波数シフト機能を
もつ分周回路の構成図、第4図は上記実施例回路
の一部の詳細図、第5図は上記実施例回路の動作
を示すタイミングチヤート、第6図はこの発明の
他の実施例の構成図、第7図は上記第6図の回路
を持つ前記第3図回路のタイミングチヤート、第
8図はこの発明のさらに他の実施例の構成図であ
る。 11,12,21……バイナリカウンタ、1
4,15……1ビツトシフトレジスタ、16,1
8……インバータ、17……ナンドゲート、41
……マスターフリツプフロツプ回路、42……ス
レーブフリツプフロツプ回路、48,54,6
6,71……CMOSインバータ、55,72……
フリツプフロツプ要素。
Fig. 1 is a block diagram of a conventional frequency divider circuit with an input pulse frequency shifting function, Fig. 2 is a timing chart showing the operation of the circuit, and Fig. 3 is an input pulse frequency according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a detailed diagram of a part of the above-mentioned embodiment circuit, FIG. 5 is a timing chart showing the operation of the above-mentioned embodiment circuit, and FIG. FIG. 7 is a timing chart of the circuit shown in FIG. 3 having the circuit shown in FIG. 6, and FIG. 8 is a construction diagram of still another embodiment of the present invention. 11, 12, 21...Binary counter, 1
4, 15...1 bit shift register, 16, 1
8...Inverter, 17...Nand gate, 41
...Master flip-flop circuit, 42...Slave flip-flop circuit, 48, 54, 6
6,71...CMOS inverter, 55,72...
flipflop element.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 入力パルスを分周する分周回路と、 上記分周回路の出力がクロツクとして供給さ
れ、入力信号として所定期間毎にレベルが反転す
る切換え信号が供給される第1のD型フリツプフ
ロツプ回路と、 上記分周回路の出力がクロツクとして供給さ
れ、入力信号として上記第1のD型フリツプフロ
ツプ回路の出力信号が供給される第2のD型フリ
ツプフロツプ回路と、 上記第1、第2のD型フリツプフロツプ回路の
出力信号及び周波数シフト要求時に所定レベルに
されるシフト信号が供給され、上記入力パルスの
所定ビツト期間、レベルが反転するシフト要求信
号を発生するゲート回路と、 第1のCMOSインバータの入、出力端を第2の
CMOSインバータの出、入力端に接続してなる第
1のフリツプフロツプ要素、上記第1のCMOSイ
ンバータの出力端と第1の電位供給端との間に第
1チヤネル型の第1、第2、第3のMOSトラン
ジスタを、上記第2のCMOSインバータの出力端
と第1の電位供給端との間に第1チヤネル型の第
4、第5、第6のMOSトランジスタをそれぞれ
直列介挿してなる第1、第2の直列回路を有した
マスターフリツプフロツプ及び第3のCMOSイン
バータの入、出力端を第4のCMOSインバータの
出、入力端に接続してなる第2のフリツプフロツ
プ要素、上記第3のCMOSインバータの出力端と
第2の電位供給端との間に第2チヤネル型の第
7、第8のMOSトランジスタを、上記第4の
CMOSインバータの出力端と第2の電位供給端と
の間に第2チヤネル型の第9、第10のMOSトラ
ンジスタをそれぞれ直列介挿してなる第3、第4
の直列回路を有したスレーブフリツプフロツプか
らなり、上記分周回路の出力を上記第3、第6、
第7、第9のMOSトランジスタのゲートに、第
1のCMOSインバータの出力を上記第10のMOS
トランジスタのゲートに、第2のCMOSインバー
タの出力を上記第8のMOSトランジスタのゲー
トに、第3のCMOSインバータの出力を上記第1
のMOSトランジスタのゲートに、第4のCMOS
インバータの出力を上記第4のMOSトランジス
タのゲートに、上記シフト要求信号を上記第2、
第5のMOSトランジスタのゲートにそれぞれ供
給してなるバイナリカウンタ回路とを具備したこ
とを特徴とする入力パルスの周波数シフト機能を
もつ分周回路。 2 入力パルスを分周する分周回路と、 上記分周回路の出力がクロツクとして供給さ
れ、入力信号として所定期間毎にレベルが反転す
る切換え信号が供給される第1のD型フリツプフ
ロツプ回路と、 上記分周回路の出力がクロツクとして供給さ
れ、入力信号として上記第1のD型フリツプフロ
ツプ回路の出力信号が供給される第2のD型フリ
ツプフロツプ回路と、 上記第1、第2のD型フリツプフロツプ回路の
出力信号及び周波数シフト要求時に所定レベルに
されるシフト信号が供給され、上記入力パルスの
所定ピツト期間、レベルが反転するシフト要求信
号を発生するゲート回路と、 CMOSインバータ本体に第1チヤネル型の第
1、第2、第3のMOSトランジスタの並列回路
を介挿してなる第1のCMOS回路の入、出力端
と、CMOSインバータ本体に第1チヤネル型の第
4、第5、第6のMOSトランジスタの並列回路
を介挿してなる第2のCMOS回路の出、入力端と
を接続してなる第1のフリツプフロツプ要素、上
記第1のCMOS回路の出力端と第1の電位供給端
との間に第2チヤネル型の第7、第8、第9の
MOSトランジスタを、上記第2のCMOS回路の
出力端と第1の電位供給端との間に第2チヤネル
型の第10、第11、第12のMOSトランジスタをそ
れぞれ直列介挿してなる第1、第2の直列回路を
有したマスターフリツプフロツプ及びCMOSイン
バータ本体に第2チヤネル型の第13、第14の
MOSトランジスタの並列回路を介挿してなる第
3のCMOS回路の入、出力端と、CMOSインバー
タ本体に第2チヤネル型の第15、第16のMOSト
ランジスタの並列回路を介挿してなる第4の
CMOS回路の出、入力端とを接続してなる第2の
フリツプフロツプ要素、上記第3のCMOS回路の
出力端と第2の電位供給端との間に第1チヤネル
型の第17、第18のMOSトランジスタを、上記第
4のCMOS回路の出力端と第2の電位供給端との
間に第1チヤネル型の第19、第20のMOSトラン
ジスタをそれぞれ直列介挿してなる第3、第4の
直列回路を有したフレーブフリツプフロツプから
なり、上記分周回路の出力を上記第3、第4、第
9、第12、第14、第15、第17、第19のMOSトラ
ンジスタのゲートに、第1のCMOS回路の出力を
上記第16、第20のMOSトランジスタのゲート
に、第2のCMOS回路の出力を上記第13、第18の
MOSトランジスタのゲートに、第3のCMOS回
路の出力を上記第1、第7のMOSトランジスタ
のゲートに、第4のCMOS回路の出力を上記第
6、第10のMOSトランジスタのゲートに、上記
シフト要求信号を上記第2、第5、第8、第11の
MOSトランジスタのゲートにそれぞれ供給して
なるバイナリカウンタ回路とを具備したことを特
徴とする入力パルスの周波数シフト機能をもつ分
周回路。
[Claims] 1. A frequency dividing circuit that divides the frequency of an input pulse, and a first circuit that is supplied with the output of the frequency dividing circuit as a clock and that is supplied with a switching signal whose level is inverted every predetermined period as an input signal. a D-type flip-flop circuit; a second D-type flip-flop circuit to which the output of the frequency divider circuit is supplied as a clock and the output signal of the first D-type flip-flop circuit as an input signal; a gate circuit which is supplied with the output signal of the second D-type flip-flop circuit and a shift signal set to a predetermined level when a frequency shift is requested, and generates a shift request signal whose level is inverted for a predetermined bit period of the input pulse; Connect the input and output terminals of the CMOS inverter to the second
a first flip-flop element connected to the output and input terminals of the CMOS inverter; A fourth, fifth, and sixth MOS transistor of the first channel type are respectively inserted in series between the output terminal of the second CMOS inverter and the first potential supply terminal. 1. A second flip-flop element comprising a master flip-flop having a second series circuit and input and output terminals of a third CMOS inverter connected to output and input terminals of a fourth CMOS inverter; The seventh and eighth MOS transistors of the second channel type are connected between the output terminal of the CMOS inverter No. 3 and the second potential supply terminal;
The third and fourth MOS transistors are each formed by inserting second channel type ninth and tenth MOS transistors in series between the output end of the CMOS inverter and the second potential supply end.
It consists of a slave flip-flop having a series circuit of
The output of the first CMOS inverter is connected to the gates of the seventh and ninth MOS transistors.
The output of the second CMOS inverter is connected to the gate of the eighth MOS transistor, and the output of the third CMOS inverter is connected to the gate of the first CMOS transistor.
A fourth CMOS transistor is connected to the gate of the MOS transistor.
The output of the inverter is applied to the gate of the fourth MOS transistor, and the shift request signal is applied to the gate of the second MOS transistor.
1. A frequency dividing circuit having an input pulse frequency shifting function, comprising a binary counter circuit supplied to each gate of a fifth MOS transistor. 2. a frequency dividing circuit that divides the frequency of an input pulse; a first D-type flip-flop circuit to which the output of the frequency dividing circuit is supplied as a clock and a switching signal whose level is inverted at predetermined intervals as an input signal; a second D-type flip-flop circuit to which the output of the frequency divider circuit is supplied as a clock and the output signal of the first D-type flip-flop circuit is supplied as an input signal; and the first and second D-type flip-flop circuits. A gate circuit is provided with an output signal of the CMOS inverter and a shift signal which is set to a predetermined level when a frequency shift is requested, and which generates a shift request signal whose level is inverted during a predetermined pit period of the input pulse; The input and output terminals of a first CMOS circuit formed by inserting parallel circuits of first, second, and third MOS transistors, and the fourth, fifth, and sixth MOS transistors of the first channel type are connected to the CMOS inverter body. A first flip-flop element formed by connecting the output and input terminals of a second CMOS circuit formed by inserting a parallel circuit of transistors, and between the output terminal of the first CMOS circuit and the first potential supply terminal. the 7th, 8th, and 9th channels of the second channel type.
A first MOS transistor formed by inserting second channel type 10th, 11th, and 12th MOS transistors in series between the output end of the second CMOS circuit and the first potential supply end, respectively; A master flip-flop with a second series circuit and a second channel type 13th and 14th
The input and output terminals of a third CMOS circuit are formed by inserting a parallel circuit of MOS transistors, and the fourth CMOS circuit is formed by inserting a parallel circuit of 15th and 16th MOS transistors of the second channel type into the CMOS inverter body.
a second flip-flop element connected to the output and input terminals of the CMOS circuit; Third and fourth MOS transistors are formed by inserting first channel type 19th and 20th MOS transistors in series between the output end of the fourth CMOS circuit and the second potential supply end, respectively. It consists of a flave flip-flop with a series circuit, and the output of the frequency dividing circuit is applied to the gates of the third, fourth, ninth, 12th, 14th, 15th, 17th, and 19th MOS transistors. , the output of the first CMOS circuit is connected to the gates of the 16th and 20th MOS transistors, and the output of the second CMOS circuit is connected to the gates of the 13th and 18th MOS transistors.
Shift the output of the third CMOS circuit to the gate of the first and seventh MOS transistors, and the output of the fourth CMOS circuit to the gates of the sixth and tenth MOS transistors. The request signal is sent to the second, fifth, eighth, and eleventh
A frequency dividing circuit having an input pulse frequency shifting function, characterized by comprising a binary counter circuit supplied to each gate of a MOS transistor.
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