JPS6239597B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6239597B2 JPS6239597B2 JP14890679A JP14890679A JPS6239597B2 JP S6239597 B2 JPS6239597 B2 JP S6239597B2 JP 14890679 A JP14890679 A JP 14890679A JP 14890679 A JP14890679 A JP 14890679A JP S6239597 B2 JPS6239597 B2 JP S6239597B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- piezoelectric material
- ball
- sound wave
- concave hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000497 Amalgam Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- -1 etc. Substances 0.000 description 1
- 238000009659 non-destructive testing Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G10—MUSICAL INSTRUMENTS; ACOUSTICS
- G10K—SOUND-PRODUCING DEVICES; METHODS OR DEVICES FOR PROTECTING AGAINST, OR FOR DAMPING, NOISE OR OTHER ACOUSTIC WAVES IN GENERAL; ACOUSTICS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G10K11/00—Methods or devices for transmitting, conducting or directing sound in general; Methods or devices for protecting against, or for damping, noise or other acoustic waves in general
- G10K11/004—Mounting transducers, e.g. provided with mechanical moving or orienting device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、音波探触子、特に高周波音波エネル
ギーを利用する顕微鏡に用いて好適な音波探触子
に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a sonic probe, particularly a sonic probe suitable for use in a microscope that utilizes high frequency sonic energy.
近年、1GHZに及ぶ高周波音波の発生、検出が
可能となつたために、水中での音波波長として約
1ミクロンが得られ、したがつて音波エネルギー
を利用した顕微鏡が検討されるようになつた。こ
のような超音波顕微鏡については特開昭50−
16058号公報に記載されている。 In recent years, it has become possible to generate and detect high-frequency sound waves up to 1 GHZ, resulting in a sound wave wavelength of about 1 micron underwater, and therefore, a microscope that uses sound wave energy has been considered. Regarding this type of ultrasonic microscope, please refer to Japanese Patent Application Laid-Open No. 1986-
It is described in Publication No. 16058.
このような装置では如何にして細い集束音波ビ
ームを作成するかが重要であり、音波探触子の性
能を向上させることが強く望まれている。まず、
第1図を参照して従来の音波探触子について説明
する。なお、この従来の音波探触子については、
プロシーデイングス・オブ・ジ・アイ・イー・イ
ー・イー・PRCEEDINGS OF THE IEEE)第
67巻、第8号、第1092頁〜第1114頁(1979年8
月)に掲載された論文、とくにその第1094頁に示
されている。 In such devices, it is important to create a narrow focused acoustic beam, and it is strongly desired to improve the performance of the acoustic probe. first,
A conventional sonic probe will be explained with reference to FIG. Regarding this conventional sonic probe,
Proceedings of the IE PRCEEDINGS OF THE IEEE) No.
Volume 67, No. 8, pp. 1092-1114 (August 1979)
The paper published in May), especially on page 1094.
すなわち、音波探触子は1端面が平面に研磨さ
れ、他端面には凹面状の穴がうがつられたサフア
イア等の音波伝播媒質からなる円柱状の結晶(音
波伝播媒体)1と、この結晶1の平面に研磨され
た端面にチタン、金、クローム、アルミニウム等
の下部電極2を蒸着等により設け、その上に酸化
亜鉛等の圧電物質3をスパツタ等で設け、さらに
その上に上部電極4を蒸着等により設けた圧電素
子とからなる。かかる探触子の上部電極4と下部
電極2との間にRF電気信号を印加すると圧電物
質3により、結晶1内の平面波のRF音波を放射
する。この平面波は前記の凹面部分に形成される
結晶1と媒質5との界面で形成される正の球面レ
ンズにより、その所定焦点Sに集束される。 That is, the sonic probe consists of a cylindrical crystal (sound wave propagation medium) 1 made of a sound wave propagation medium such as sapphire, which has one end surface polished to a flat surface and a concave hole bored in the other end surface, and this crystal 1. A lower electrode 2 made of titanium, gold, chrome, aluminum, etc. is provided on the polished end surface by vapor deposition or the like, a piezoelectric material 3 such as zinc oxide is provided on it by sputtering or the like, and an upper electrode 4 is further placed on top of it. It consists of a piezoelectric element provided by vapor deposition or the like. When an RF electric signal is applied between the upper electrode 4 and the lower electrode 2 of such a probe, the piezoelectric material 3 emits a plane wave RF sound wave within the crystal 1. This plane wave is focused at a predetermined focal point S by a positive spherical lens formed at the interface between the crystal 1 and the medium 5 formed in the concave portion.
周知の様に焦点距離と開口の比、すなわちレン
ズのFナンバーが充分小さいと、上述の構成によ
り著しく狭い音波ビームを作成する事が出来る。 As is well known, if the ratio of the focal length to the aperture, ie, the F-number of the lens, is sufficiently small, it is possible to create an extremely narrow acoustic beam with the above-described configuration.
上記集束された音波は、その焦点付近におかれ
た試料6により、反射、散乱、透過減衰といつた
じよう乱を受けるので、このじよう乱音波エネル
ギーを検出することにより、試料の弾性的性質を
反映した電気信号を得ることが出来るわけであ
る。 The focused sound waves are subject to disturbances such as reflection, scattering, and transmission attenuation by the sample 6 placed near the focal point. This means that it is possible to obtain electrical signals that reflect the properties.
なお、上記音波エネルギーの検出には、上述の
音波探触子を再び利用したり、又は共焦点に対向
して配置された同様の音波探触子を利用しても良
い。 Note that for the detection of the sound wave energy, the above-described sound wave probe may be used again, or a similar sound wave probe placed facing the confocal area may be used.
上述の説明からあきらかなように従来例は結晶
と媒質の音速差を利用した正の球面レンズをその
集束原理としている。したがつて、良い集束性を
有する球面レンズを形成するためには結晶に鏡面
度、真球度の優れた凹面穴を形成することが重要
となる。しかも、レンズ面から焦点Sまでの媒質
中における音波の減衰が著しく大きいために、例
えば0.2mmといつた微小口径の凹面穴を形成する
ことにより低いFナンバーのレンズを作成し、レ
ンズ面から焦点までの距離を減じて音波減衰をさ
ける必要がある。 As is clear from the above explanation, the conventional example uses a positive spherical lens as its focusing principle, which utilizes the difference in sound speed between the crystal and the medium. Therefore, in order to form a spherical lens with good focusing properties, it is important to form a concave hole with excellent specularity and sphericity in the crystal. Moreover, since the attenuation of sound waves in the medium from the lens surface to the focal point S is extremely large, it is necessary to create a lens with a low F number by forming a concave hole with a minute diameter, for example, 0.2 mm, and from the lens surface to the focal point S. It is necessary to reduce the distance to avoid sound wave attenuation.
一方、RF音波を放射する圧電素子部分も、レ
ンズ球面が小さくなるにともなつて、小面積とな
ることが望ましい。すなわち、第1図に示すよう
に凹面穴の口径dと上部電極4の直径Dとが等し
くなるのが望ましい。これは、次のような理由に
よる。即ち、例えば、第2図に示すように、d<
Dの条件下でRF音波を放射せせた場合、結晶内
での平面波の伝達は点線で示すような経路を通
る。したがつて凹面穴より外の部分に伝達されて
来た平面波は結晶内において乱反射をして、圧電
物質3に入射するために不要信号(雑音)の原因
となるからである。 On the other hand, it is desirable that the area of the piezoelectric element portion that emits RF sound waves becomes smaller as the spherical surface of the lens becomes smaller. That is, as shown in FIG. 1, it is desirable that the diameter d of the concave hole and the diameter D of the upper electrode 4 be equal. This is due to the following reasons. That is, for example, as shown in FIG.
When RF sound waves are emitted under conditions D, plane waves propagate within the crystal along the path shown by the dotted line. Therefore, the plane wave transmitted to the outside of the concave hole is diffusely reflected within the crystal and enters the piezoelectric material 3, causing unnecessary signals (noise).
また、上述の条件とは反対にd>Dの場合にお
いては、レンズのFナンバーが大きくなるために
集束性が悪くなり高分解能が得られなくなる。 Moreover, when d>D, contrary to the above-mentioned condition, the F number of the lens becomes large, resulting in poor focusing performance and high resolution cannot be obtained.
ここで、レンズのFナンバーと分解能との関係
を第3図にもとづいて述べる。図において平面板
の波長をλ、レンズのFナンバーをSinθmとす
ると、分解能Δρは次式によつて求まる。 Here, the relationship between the F number of the lens and the resolution will be described based on FIG. 3. In the figure, when the wavelength of the plane plate is λ and the F number of the lens is Sinθm, the resolution Δρ can be found by the following equation.
Δρ=λ/4Sin θm
ここで、θmは音波ビームの開き角である。し
たがつて、分解能Δρは音波ビームの開き角θm
が大きい程良い。 Δρ=λ/4Sin θm Here, θm is the opening angle of the acoustic beam. Therefore, the resolution Δρ is the aperture angle θm of the acoustic beam
The larger the value, the better.
上述した説明の如く、音波エネルギーを利用し
た顕微鏡装置等において、高分解能の撮影像を得
るためには、音波探触子における集束用球面レン
ズのレンズ口径を小さくすると共に、音波を放射
する圧電素子も小面積にすることが必要である。 As explained above, in order to obtain high-resolution images in microscope devices that utilize sound wave energy, it is necessary to reduce the lens aperture of the focusing spherical lens in the sound wave probe and to use a piezoelectric element that emits sound waves. It is also necessary to reduce the area.
本発明者等は、石英ガラス等のガラス類を作成
する場合或いは天然の石英、水晶等を利用する場
合にその内部に存在又は発生する気泡が球面レン
ズとして極めて有用であることを見出し、このよ
うな気泡を含む石英を上記気泡の赤道面まで研磨
加工した後、上記気泡の半球を球面レンズとした
石英を作成することにより、従来の研磨法では不
可能な微小口径(0.2mm)と鏡面度、真空度を有
する球面レンズを得ることができるようになつ
た。しかしながら、上述したように凹面穴の口径
が0.2mm程度と微小になつてくると、これと等し
い直径を有する上部電極を従来の如く蒸着等によ
り凹面穴の軸上に取り付けることは極めて困難な
作業であつた。しかも、上部電極を凹面穴の幾何
学的軸に合わせて上部電極を取り付けても、両者
の音響的軸が必ずしも一致しない場合もあつた。
また、上部電極にRF電気信号を印加するための
リード線を接続することも極めて困難であつた。 The inventors of the present invention have discovered that when creating glasses such as quartz glass, or when using natural quartz, crystal, etc., air bubbles that exist or occur inside the glass are extremely useful as spherical lenses. After polishing quartz containing bubbles up to the equatorial plane of the bubbles, we created quartz with the hemisphere of the bubbles as a spherical lens, resulting in a micro diameter (0.2 mm) and specularity that is impossible with conventional polishing methods. , it became possible to obtain a spherical lens with a degree of vacuum. However, as mentioned above, as the diameter of the concave hole becomes as small as about 0.2 mm, it becomes extremely difficult to attach an upper electrode with the same diameter on the axis of the concave hole by vapor deposition as in the past. It was hot. Moreover, even if the upper electrode is attached so as to align with the geometrical axis of the concave hole, the acoustic axes of the two do not necessarily coincide in some cases.
Furthermore, it was extremely difficult to connect a lead wire for applying an RF electric signal to the upper electrode.
本発明は以上の点を鑑みてなされたものであ
り、上部電極を所定断面積で圧電物質に完全に、
かつ正確に取り付けることができる音波探触子を
提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and the upper electrode is completely made of piezoelectric material with a predetermined cross-sectional area.
Another object of the present invention is to provide a sonic probe that can be mounted accurately.
かかる目的を達成するために、本発明の音波探
触子は、その一端部に形成された凹面穴を有する
音波伝播媒体と、上記音波伝播媒体の他端部に第
1の電極(下部電極)と、圧電物質と、第2の電
極(上部電極)とがこの順に形成された圧電素子
とからなる音波探触子において、上記第2の電極
の一端部を回転自在に支持する手段を具備し、上
記第2の電極の他端部が所定断面積で上記圧電物
質と接触する平坦部を有するとともに上記平坦部
に柔軟な導電体層を設けたことを特徴とする。 In order to achieve this object, the sonic probe of the present invention includes a sound wave propagation medium having a concave hole formed at one end thereof, and a first electrode (lower electrode) at the other end of the sound wave propagation medium. and a piezoelectric element in which a piezoelectric material and a second electrode (upper electrode) are formed in this order, the acoustic probe comprising means for rotatably supporting one end of the second electrode. , the other end of the second electrode has a flat part that contacts the piezoelectric material with a predetermined cross-sectional area, and a flexible conductor layer is provided on the flat part.
以下、本発明を図面を参照して詳細に説明す
る。第4図は本発明の一実施例を示す図である。
図において、一端部に形成された凹面穴を有する
音波伝播媒体である結晶1はケース7により支持
され、試料6との間を所定の間隙で維持されてい
る。ケース7の上部にはRF発振器(図示せず)
に接続するためのコネクター8が取りつけてあ
る。また、このコネクター8は4個のツマミ9に
よりXY平面上を移動できるようになつている。 Hereinafter, the present invention will be explained in detail with reference to the drawings. FIG. 4 is a diagram showing an embodiment of the present invention.
In the figure, a crystal 1, which is a sound wave propagation medium having a concave hole formed at one end, is supported by a case 7, and is maintained at a predetermined gap from a sample 6. At the top of case 7 is an RF oscillator (not shown).
A connector 8 is attached for connecting to. Furthermore, this connector 8 can be moved on the XY plane using four knobs 9.
コネクター8の先端には柔軟なベローズ10が
取りつけてあり、さらにボール受11を経てボー
ル(金属球)12により圧電物質2にRF信号を
伝達するようになつている。即ち、本実施例の探
触子においては、ボール12が上部電極として作
用するのである。 A flexible bellows 10 is attached to the tip of the connector 8, and an RF signal is transmitted to the piezoelectric material 2 via a ball receiver 11 and a ball (metal ball) 12. That is, in the probe of this embodiment, the ball 12 acts as an upper electrode.
かかる構成によれば、ボール12はツマミ9を
調節することにより圧電物質3上を任意に移動で
きる。したがつて、ボール12と下部電極2との
間に電気信号を印加し、圧電物質3から結晶1内
に平面波を放射し、その反射波を検出しながらツ
マミ9を調節することにより、ボール12と結晶
1の凹面穴との音響的軸合わせを簡単に行なうこ
とができる。 According to this configuration, the ball 12 can be arbitrarily moved on the piezoelectric material 3 by adjusting the knob 9. Therefore, by applying an electric signal between the ball 12 and the lower electrode 2, emitting a plane wave from the piezoelectric material 3 into the crystal 1, and adjusting the knob 9 while detecting the reflected wave, the ball 12 Acoustic axis alignment between the concave hole of the crystal 1 and the concave hole of the crystal 1 can be easily performed.
第5図はボール受11の近傍の拡大図である。
ボール12の上部はその球面とほぼ一致する凹面
穴をもつたボール受11に回転自在に支持されて
いる。またボール12の下部は結晶1の凹面穴
(レンズ球面)の直径dと等しい直径Dになるよ
うに平坦に加工され、かつこの平坦面には柔軟な
導電体層13、例えば金と水銀のアマルガム層が
設けられている。 FIG. 5 is an enlarged view of the vicinity of the ball receiver 11.
The upper part of the ball 12 is rotatably supported by a ball receiver 11 having a concave hole that substantially matches the spherical surface of the ball. The lower part of the ball 12 is flattened to have a diameter D equal to the diameter d of the concave hole (lens spherical surface) of the crystal 1, and this flat surface is coated with a flexible conductive layer 13, such as an amalgam of gold and mercury. There are layers.
したがつて、若し装置の組立上、第6図aのよ
うに圧電物質3の上面と、ボール12の下部の平
坦面に設けられた導電体層13とが完全に平行で
なくある角度θで支持されている状態であつても
両者を徐々に接近させて行き、上記導電体層13
の1部分が圧電物質3の1個所に接触した場合
(第6図b)、ボール12は回転し、導電体層13
は圧電物質3の面上に完全に接触する(第6図
c)。 Therefore, when assembling the device, as shown in FIG. Even when the conductive layer 13 is supported by
When a portion of the piezoelectric material 3 contacts a portion of the piezoelectric material 3 (FIG. 6b), the ball 12 rotates and the conductive layer 13
completely contacts the surface of the piezoelectric material 3 (FIG. 6c).
また、ボール12の平坦面や圧電物質3の上面
に微小な凹凸やうねりがある場合でも、ボール1
2と圧電物質3との接触面には柔軟な導電体層1
3が介在することとなり、ボール12と圧電物質
3とは極めて軽くしかも電気的には確実に接触す
る。 Furthermore, even if there are minute irregularities or undulations on the flat surface of the ball 12 or the upper surface of the piezoelectric material 3, the ball 1
A flexible conductive layer 1 is provided on the contact surface between 2 and the piezoelectric material 3.
3 intervenes, and the ball 12 and the piezoelectric material 3 are in extremely light and electrically reliable contact.
なお、上述のごときボール12は次のような方
法によつて容易に製作できる。第7図aに示すよ
うにボール12の切欠き長さLを適当に選び、ボ
ール12の切欠き部分の直径Dが結晶1の凹面穴
の直径dと等しくなるようにボール12を切欠
き、この切欠き部分を研磨する。次に上記研磨面
に金14をメツキあるいは蒸着等により付着す
る。さらに上記金14の表面に水銀15を塗布す
ると、上記研磨面には金14と水銀15とが化合
しアマルガム層が形成される。 Note that the ball 12 as described above can be easily manufactured by the following method. As shown in FIG. 7a, the notch length L of the ball 12 is appropriately selected, and the ball 12 is notched so that the diameter D of the notch portion of the ball 12 is equal to the diameter d of the concave hole of the crystal 1. Polish this notch. Next, gold 14 is deposited on the polished surface by plating or vapor deposition. Furthermore, when mercury 15 is applied to the surface of the gold 14, the gold 14 and mercury 15 combine to form an amalgam layer on the polished surface.
以上は、上部電極として切欠き部分を設けたボ
ールを用いた場合について述べたが、ボールの代
わりに第8図に示すように円錐体の頂点の部分を
長さLによつて切断し、その切断面の直径Dが凹
面穴の直径dと等しくなるように研磨し、その研
磨面に上述と同様に金と水銀のアマルガム層を形
成すれば、同様な効果を得ることができる。しか
しながら、この場合には円錐体の支持を柔軟なも
のにしないと第6図で述べたように圧電物質3の
上面との平行度が保たれていない場合、円錐体の
切欠き部分は点接触となり、完全接触は不可能と
なる。 The above has described the case where a ball with a cutout part is used as the upper electrode, but instead of using the ball, the apex part of the cone is cut with length L as shown in FIG. A similar effect can be obtained by polishing so that the diameter D of the cut surface is equal to the diameter d of the concave hole, and forming an amalgam layer of gold and mercury on the polished surface in the same manner as described above. However, in this case, if the support of the cone is not flexible, and the parallelism with the top surface of the piezoelectric material 3 is not maintained as shown in FIG. Therefore, complete contact is impossible.
なお、上述の実施例では2個の電極を有する音
波探触子について説明したが、音波伝播媒体を電
気伝導性を有する物質(例えばグラツシーカーボ
ン等のガラス性炭素)で形成することにより音波
伝播媒体自身を下部電極とした音波探触子にも、
本発明を適用できることは当然である。 In the above embodiment, a sonic probe having two electrodes was explained, but the sound wave propagation medium can be made of an electrically conductive material (for example, glassy carbon such as glassy carbon). There are also sonic probes that use the medium itself as the lower electrode.
It goes without saying that the present invention can be applied.
以上述べたごとく、本発明によれ製従来極めて
困難であつた上部電極蒸着工程及びリード線接続
工程を省略する事が出来ると同時に、音波集束部
の面積と音波放射部の面積とを容易に等しくする
ことができる。さらに電気的接触を完全なものに
することができるという利点を有し、高周波集束
音波を用いる装置、すなわち音波顕微鏡、微小非
破壊検査、超音波スペクトロスコピー等の作成に
おいて、大いなる効果を期待することができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to omit the upper electrode deposition process and the lead wire connection process, which were extremely difficult in the past, and at the same time, it is possible to easily equalize the area of the sound wave focusing part and the area of the sound wave emission part. can do. Furthermore, it has the advantage of perfecting electrical contact, and is expected to have great effects in the creation of devices that use high-frequency focused sound waves, such as sonic microscopes, micro-nondestructive testing, and ultrasonic spectroscopy. I can do it.
第1図は従来の音波探触子の構造を説明する
図、第2図は従来の音波探触子の欠点を説明する
ための図、第3図はレンズのFナンバーと分解能
との関係を説明するための図、第4図は本発明の
一実施例の構成を示す図、第5図は第4図に示し
た一実施例の要部の構成を示す図、第6図は第4
図に示した一実施例における上部電極と圧電物質
との接触の様子を説明する図、第7図は上記上部
電極を示す図、第8図は本発明の他の実施例の上
部電極を示す図である。
Figure 1 is a diagram to explain the structure of a conventional sonic probe, Figure 2 is a diagram to explain the drawbacks of a conventional sonic probe, and Figure 3 is a diagram to explain the relationship between the F number of the lens and the resolution. FIG. 4 is a diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention, FIG. 5 is a diagram showing the configuration of the main part of the embodiment shown in FIG. 4, and FIG.
A diagram for explaining the state of contact between the upper electrode and the piezoelectric material in one embodiment shown in the figure, FIG. 7 is a diagram showing the above-mentioned upper electrode, and FIG. 8 is a diagram showing the upper electrode of another embodiment of the present invention. It is a diagram.
Claims (1)
媒体と、上記音波伝播媒体の他端部に第1の電極
と、圧電物質と、第2の電極とがこの順に形成さ
れた圧電素子とからなる音波探触子において、上
記第2の電極の一端部を回転自在に支持する手段
を具備し、上記第2の電極の他端部がその所定断
面積で上記圧電物質と接触する平坦部を有すると
共に、上記平坦部に柔軟な導電体層を設けたこと
を特徴とする音波探触子。 2 特許請求の範囲第1項記載の音波探触子にお
いて、上記第2の電極が所定断面積の切欠き部を
上記平坦部とする金属球であることを特徴とする
音波探触子。 3 特許請求の範囲第1項又は第2項記載の音波
探触子において、上記柔軟な導電体層が金と水銀
のアマルガム層であることを特徴とする音波探触
子。[Claims] 1. A sound wave propagation medium having a concave hole formed at one end, a first electrode, a piezoelectric material, and a second electrode formed at the other end of the sound wave propagation medium in this order. A sonic probe comprising a piezoelectric element made of a metal oxide, comprising means for rotatably supporting one end of the second electrode, the other end of the second electrode being connected to the piezoelectric material in a predetermined cross-sectional area. What is claimed is: 1. A sonic probe characterized in that the probe has a flat part in contact with the flat part, and a flexible conductive layer is provided on the flat part. 2. The sonic probe according to claim 1, wherein the second electrode is a metal ball whose flat portion is a cutout portion with a predetermined cross-sectional area. 3. The sonic probe according to claim 1 or 2, wherein the flexible conductive layer is an amalgam layer of gold and mercury.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14890679A JPS5672598A (en) | 1979-11-19 | 1979-11-19 | Acoustic-wave probe |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14890679A JPS5672598A (en) | 1979-11-19 | 1979-11-19 | Acoustic-wave probe |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5672598A JPS5672598A (en) | 1981-06-16 |
| JPS6239597B2 true JPS6239597B2 (en) | 1987-08-24 |
Family
ID=15463305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14890679A Granted JPS5672598A (en) | 1979-11-19 | 1979-11-19 | Acoustic-wave probe |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5672598A (en) |
-
1979
- 1979-11-19 JP JP14890679A patent/JPS5672598A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5672598A (en) | 1981-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11609326B2 (en) | Transparent ultrasound transducer with light beam shaping and the method for assembling the same | |
| WO2019032938A1 (en) | Optically transparent micromachined ultrasonic transducer (cmut) | |
| JPH0254503B2 (en) | ||
| US4510810A (en) | Ultrasonic microscope | |
| JPH04198751A (en) | Ultrasonic spectrum microscope | |
| US20240424531A1 (en) | High frequency ultrasonic transducer and method of fabrication | |
| US4694699A (en) | Acoustic microscopy | |
| JPH0577025B2 (en) | ||
| JP3856468B2 (en) | Microscope electromagnetic radiation transmitter or electromagnetic radiation detection device | |
| JPH0421139B2 (en) | ||
| CN116237224B (en) | A piezoelectric high-frequency broadband transparent ultrasonic transducer and its fabrication method | |
| JPS6239597B2 (en) | ||
| JPS5837503B2 (en) | sonic probe | |
| US4566333A (en) | Focusing ultrasonic transducer element | |
| CN113092381A (en) | Acousto-optic coupling prism suitable for large depth-of-field detection of photoacoustic microimaging | |
| JPH0128339B2 (en) | ||
| Fang et al. | Ring-shaped Transparent and Broadband Ultrasonic Transducer for Photoacoustic Systems | |
| JPS6171350A (en) | Acoustic microscope for analyzing deep parts of objects | |
| CN109374738B (en) | Ultrasonic microscope and method based on annular array | |
| JPS606859A (en) | Sonic probe and its manufacturing method | |
| JPS634142B2 (en) | ||
| JPH0746694A (en) | Ultrasonic transducer | |
| JPS6162857A (en) | ultrasound microscope probe | |
| CN109374739B (en) | Ultrasonic microscope and method based on annular area array | |
| Chubachi et al. | Scanning acoustic microscope employing concave ultrasonic transducers |