JPS6239743B2 - - Google Patents
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- JPS6239743B2 JPS6239743B2 JP56067416A JP6741681A JPS6239743B2 JP S6239743 B2 JPS6239743 B2 JP S6239743B2 JP 56067416 A JP56067416 A JP 56067416A JP 6741681 A JP6741681 A JP 6741681A JP S6239743 B2 JPS6239743 B2 JP S6239743B2
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- shift
- electrode
- discharge
- write
- cell
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、セルフシフト型ガス放電パネルの
駆動方法に関し、特に壁電荷転送方式のシフト動
作を採用した場合に問題となる転送電荷の不所望
な消失現象を防止するようにした新しい駆動方法
に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for driving a self-shifting gas discharge panel, and in particular to a method for preventing undesirable loss of transferred charges, which is a problem when a wall charge transfer type shift operation is adopted. The invention relates to a new driving method.
AC駆動型ガス放電パネルの1種にセルフシフ
ト型のガス放電パネルがある。これはシフト用放
電セルの周期的配列よりなるシフトチヤンネルの
1端に書込み電極を設けて書込みセルを画定し、
書込みセル上に発生した放電スポツトをシフトチ
ヤンネルに沿つて順次シフトさせるようになつて
いる。シフト動作のメカニズムとしては、隣接シ
フト放電セル間の空間電荷の結合を利用するもの
と壁電荷の結合を利用するものとがあり、最近で
はシフト動作の高速化を達成して表示の流れが目
に映ずるのを防止する観点から後者の壁電荷転送
方式の採用が多く試みられている。 One type of AC-driven gas discharge panel is a self-shifting gas discharge panel. In this method, a write electrode is provided at one end of a shift channel consisting of a periodic arrangement of shift discharge cells to define a write cell,
Discharge spots generated on write cells are sequentially shifted along a shift channel. There are two mechanisms for shift operation: one that utilizes the coupling of space charges between adjacent shift discharge cells, and another that utilizes the coupling of wall charges.Recently, the shift operation has been made faster and the flow of the display has improved. Many attempts have been made to adopt the latter wall charge transfer method from the viewpoint of preventing the image from appearing on the wall.
ここで上記壁電荷転送方式のシフト動作は、例
えば特開昭49−43535号公開公報に述べられてい
るように、シフト方向に順次互い違いに対向配置
したシフト電極でシフトセルを構成し、各シフト
電極を周期的に4相の母線に接続して順次負極性
のシフト電圧パネルを印加し、このシフトパネル
を印加しているセルと電極を共用した形で隣接す
る後位のセルの壁電荷の助けによつてシフト放電
を発生させるとともに当該放電に伴う正の壁電荷
を次位の電極との間のシフト放電に供するように
行われる。而してかかる壁電荷転送方式では、最
初の書込み放電に伴う壁電荷の量が直ちにシフト
動作に影響し、壁電荷の発生量が少な過ぎるとシ
フト動作の途中でシフト放電の発生が不能となつ
て転送情報を現わす壁電荷が消失することがあ
る。このような壁電荷の消失現象は、オン状態の
セルが連続してシフトされる場合、先頭側のセル
の壁電荷が隣接した後位のオンセルに取り込まれ
るような形で発生し、シフトマージンが着しく低
下したものとなる。 Here, the shift operation of the above-mentioned wall charge transfer method is performed by constructing a shift cell with shift electrodes arranged alternately and facing each other in the shift direction, as described in, for example, Japanese Unexamined Patent Publication No. 49-43535. is periodically connected to the four-phase busbar and sequentially applies a negative polarity shift voltage panel, and this shift panel is used to share the electrode with the cell to which it is applied, and the wall charge of the adjacent subsequent cell is assisted. This is done so that a shift discharge is generated and the positive wall charge accompanying the discharge is used for a shift discharge between the electrode and the next electrode. In such a wall charge transfer method, the amount of wall charge accompanying the first write discharge immediately affects the shift operation, and if the amount of wall charge generated is too small, it becomes impossible to generate a shift discharge during the shift operation. The wall charge representing the transferred information may disappear. This phenomenon of wall charge disappearance occurs when on-state cells are shifted successively, in such a way that the wall charge of the leading cell is incorporated into the adjacent subsequent on-cell, and the shift margin increases. This results in a sharp decline.
上記のような壁電荷の発生不足を補うためには
書込み電圧を大きくしたり書込み電圧パルスを数
回印加して最初の壁電荷を大きくする等の対策も
考えられるが、この場合には書込み放電自体が強
くなり過ぎて、隣接チヤンネルや隣接絵素に該放
電を生ずる危険があり、書込みマージンが小さく
制限されたものとなる。また例えば特開昭53−
6533号公開公報に示されるごとく、1セルシフト
するごとに壁電荷を確立するための安定化サイク
ルを挿入するやり方も考えられるが、シフト周期
が長くなつて高速シフトのメリツトが生かせない
問題がある。 In order to compensate for the insufficient generation of wall charge as described above, it is possible to consider measures such as increasing the write voltage or applying write voltage pulses several times to increase the initial wall charge, but in this case, the write discharge There is a risk that the discharge itself will become too strong and cause the discharge to occur in adjacent channels or adjacent picture elements, and the write margin will be small and limited. For example, JP-A-53-
As shown in Publication No. 6533, it is possible to insert a stabilization cycle to establish a wall charge every time one cell is shifted, but there is a problem that the shift period becomes long and the benefits of high-speed shifting cannot be utilized.
この発明は以上のような状況から、壁電荷転送
方式のセルフシフト駆動方法において、安定かつ
確実なシフト動作の達成を目的とするものであ
る。またこの発明は、転送すべき壁電荷の不足に
よる情報の消失ミスを防止しようとするものであ
り、さらに具体的には書込みマージンの低下をき
たすことなく充分な量の壁電荷でもつて確実なシ
フト動作を達成するようにした新しいシフト方法
の提供を目的とするものである。 In view of the above-mentioned circumstances, it is an object of the present invention to achieve a stable and reliable shift operation in a wall charge transfer type self-shift drive method. This invention also aims to prevent errors in information loss due to insufficient wall charge to be transferred, and more specifically, to ensure reliable shifting even with a sufficient amount of wall charge without reducing the write margin. The object of the present invention is to provide a new shifting method that achieves the desired operation.
簡単に述べるとこの発明は、1絵素配列周期内
における特定相のシフトセル、例えば書込みセル
に隣接した第1相のシフト放電セルでの放電回数
を複数回として壁電荷の安定化を図つた後、当該
壁電荷に依存する放電スポツトを次のシフト放電
セルに転送するようにしたことを特徴とするもの
であり、以下図面を参照してさらに詳細に説明す
る。 Briefly stated, the present invention aims at stabilizing the wall charge by making the number of discharges in a shift cell of a specific phase within one pixel array period, for example, a shift discharge cell of the first phase adjacent to a write cell, multiple times. , the discharge spot depending on the wall charge is transferred to the next shifted discharge cell, and will be explained in more detail below with reference to the drawings.
駆動法の説明に先立つてまずこの発明を適用す
るセルフシフト型ガス放電パネルの1例構成につ
いて述べる。第1図および第2図はそのようなパ
ネルの断面図と電極配置の要部平面図で、基本的
なパネル構成は例えば特開昭53−10759号公開公
報に示されたものと実質的に変らない。 Before explaining the driving method, an example configuration of a self-shifting gas discharge panel to which the present invention is applied will be described. Figures 1 and 2 are a sectional view of such a panel and a plan view of the main part of the electrode arrangement, and the basic panel configuration is substantially the same as that shown in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10759/1983. It doesn't change.
すなわち第1図および第2図から明らかなよう
に、パネル10は、ガス放電空間11を挾んで気
密に対向配置した1対のガラス基板12および1
3を主体としてなり、各ガラス基板の内面には符
号14で代表するX側電極セツトと符号15で代
表するY側電極セツトが配設され、それぞれその
表面を誘電体層16および17により覆われてい
る。 That is, as is clear from FIG. 1 and FIG.
3, and an X-side electrode set represented by 14 and a Y-side electrode set represented by 15 are arranged on the inner surface of each glass substrate, and the surfaces thereof are covered with dielectric layers 16 and 17, respectively. ing.
上側のガラス基板12上に配設したX側の電極
セツト14は、第2図中実線で示したような電極
パターンを有し、この場合水平方向に延びる4本
のシフトラインに沿つて交互に配設した2群のシ
フト電極x1i,x2jと、各シフトラインの同
順位のシフト電極同志をシフトラインと交差する
方向に接続した細幅の接続導体xl1i,xl2jならび
にこれらの接続導体を両側で交互に接続してなる
母線導体X1,X2を含んでいる。他方、下側ガ
ラス基板13上に配設したY側の電極セツト15
は、第2図中点線で示したような電極パターンを
有し、実質的には上記X側電極パターンの投影を
シフトラインの方向に半ピツチ分オフセツトして
対向させた形となつている。而してY側の各シフ
ト電極y1iとy2jは、それぞれ隣接した2個のX側
シフト電極にまたがつて共通に対向したかたちと
なり、またこれらY側の同順位シフト電極同志を
両側2本の母線導体Y1,Y2に交互に接続する
接続導体yl1i,yl2jはX側接続導体の間に位置し
たかたちとなる。 The X-side electrode set 14 disposed on the upper glass substrate 12 has an electrode pattern as shown by solid lines in FIG. The two groups of shift electrodes x1i, x2j arranged, narrow connection conductors xl 1 i, xl 2 j connecting the shift electrodes of the same rank in each shift line in a direction crossing the shift line, and these connection conductors. It includes bus conductors X1 and X2 which are alternately connected on both sides. On the other hand, the Y-side electrode set 15 disposed on the lower glass substrate 13
has an electrode pattern as shown by the dotted line in FIG. 2, and is substantially in a shape in which the projection of the X-side electrode pattern is offset by a half pitch in the direction of the shift line and opposed to it. Therefore, each of the shift electrodes y 1 i and y 2 j on the Y side commonly faces two adjacent shift electrodes on the X side, and these shift electrodes on the Y side have the same rank. Connection conductors yl 1 i and yl 2 j alternately connected to the two bus conductors Y1 and Y2 on both sides are positioned between the X-side connection conductors.
かくしてX側シフト電極x1i,x2jとY側シフト
電極y1i,y2jの各対向間隙にはそれら電極の組合
せに応じて一方の電極を順次隣接セル間で共用し
た形の4相のシフト放電セルa1,b1,c1,d1……
が画定され、このシフト放電セル配列がそれぞれ
のシフトチヤンネルSC1―SC4に対応し、かつ
セル配列の1周期が1絵素に対応したものとな
る。また各シフトチヤンネルの右端には、第1シ
フト電極y11と対向して書込み電極Wが設けら
れ、それらの間に書込み放電セルwを構成してい
る。この書込み電極Wと、最終シフト電極yeに
対応する部分の誘電体層表面には電荷のリークパ
スを与えるためのクレバス18(第1図参照)が
形成され、シフト動作に伴つてチヤンネルの両端
部に蓄積する過剰な電荷を当該端部電極から排出
するようになつている。 Thus, in each opposing gap between the X-side shift electrodes x 1 i, x 2 j and the Y-side shift electrodes y 1 i, y 2 j, one electrode is sequentially shared between adjacent cells according to the combination of these electrodes. Four-phase shift discharge cells a 1 , b 1 , c 1 , d 1 ...
is defined, and this shift discharge cell array corresponds to each shift channel SC1 to SC4, and one period of the cell array corresponds to one picture element. Further, at the right end of each shift channel, a write electrode W is provided facing the first shift electrode y11 , and a write discharge cell w is formed between them. A crevasse 18 (see Fig. 1) is formed on the surface of the dielectric layer in a portion corresponding to the write electrode W and the final shift electrode ye to provide a charge leakage path. Excess charge that accumulates is discharged from the end electrode.
以上のようなパネル構成において、この発明の
駆動法によれば次のようなシフト動作が行われる
すなわち第3図はこの発明によるシフト動作の1
態様を第1図に示したシフトチヤンネル構成との
関連において模式的に示したものであり、書込み
セルWで発生した放電スポツトは、引続く4相の
シフトセルa―dにおいてそれぞれ、3回、1回
1回,1回の割合で放電しながら転送されて行
く。 In the panel configuration as described above, according to the driving method of the present invention, the following shift operation is performed. That is, FIG. 3 shows one of the shift operations according to the present invention.
The mode is schematically shown in relation to the shift channel configuration shown in FIG. The data is transferred while being discharged one time at a time.
第4図はそのようなシフト動作を達成するため
の駆動波形を示す図で、同図Aは4相の母線を通
して各シフト電極の群に加わる電極電圧波形と書
込み電極に加わる書込み電圧波形を対応する電極
符号で示し、同図Bは上記電極電圧の合成として
各セルに加わる電圧波形を対応するセル符号で示
している。この第4図と第3図の関連から明らか
なように、書込みセルWは第4相のシフトセル群
dに対応したタイミングで駆動され、従つてセル
dから次の周期のセルcまでが1絵素シフト周期
Tpsとなる。そしてこの1絵素シフト周期Tpsは
4つのシフトステツプt1―t4を持ち、書込みセル
に隣接した第1相セル群aの駆動ステツプt2にお
いてのみ3回の放電を生じるようになつている。 Figure 4 is a diagram showing drive waveforms for achieving such a shift operation, and Figure A corresponds to the electrode voltage waveform applied to each group of shift electrodes through the four-phase bus bar and the write voltage waveform applied to the write electrode. Figure B shows the voltage waveform applied to each cell as a composite of the electrode voltages using corresponding cell codes. As is clear from the relationship between FIG. 4 and FIG. 3, the write cell W is driven at a timing corresponding to the shift cell group d of the fourth phase, and therefore one picture is drawn from cell d to cell c in the next cycle. elementary shift period
Become Tps. This one-pixel shift period Tps has four shift steps t1 to t4 , and three discharges occur only in the drive step t2 of the first phase cell group a adjacent to the write cell. .
各シフト電極は通常は維持電圧電位Vsに維持
されていて、駆動タイミングの際順次接地電位に
スイツチされる。かくして第1シフト電極群Y1
が接地電位にあるステツプt1において書込み電極
Wに書込み電圧Vwを印加すると、書込みセルW
に最初の放電が発生する。この書込み放電に伴な
つて第1シフト電極Y1に対応した誘電体層表面
に正電荷(イオン)が蓄積する。引続くステツプ
t2において電極Y1の電位は維持電圧電位Vsまで
引上げられ、隣接した対向電極X1が接地電位に
スイツチされるので、これら電極間のセルaに電
位差がVsが加わり、これに先の壁電荷による内
部電圧が加算されて放電が発生し、同時に電極Y
1上にあつた壁電荷は低電位側の対向電極X1上
にシフトした形で蓄積する。 Each shift electrode is normally maintained at a sustaining voltage potential Vs, and is sequentially switched to ground potential during drive timing. Thus, the first shift electrode group Y1
When a write voltage Vw is applied to the write electrode W at step t1 when the write cell W is at ground potential, the write cell W
The first discharge occurs. Along with this write discharge, positive charges (ions) are accumulated on the surface of the dielectric layer corresponding to the first shift electrode Y1. subsequent steps
At t 2 , the potential of the electrode Y1 is raised to the sustaining voltage potential Vs, and the adjacent counter electrode The internal voltage is added and a discharge occurs, and at the same time the electrode Y
The wall charges on X1 are shifted and accumulated on the counter electrode X1 on the low potential side.
ここで、このシフト電極X1上に移動した壁電
荷を直ちに次のシフト電極Y2上に転送するよう
な形で1パルスシフト動作を繰返すと、転送途中
で最初に述べたような壁電荷の減衰消失が起こ
る。そこでこの発明においては、第1相のセルa
の対向電極X1上に一且シフトした壁電荷を元の
電極Y1上に戻した後、再度電極X1上にシフト
させるよう当該セルaにおいて3回維持電圧Vs
の極性を切替えている。つまり書込みセルWから
第1相セルaにシフトされた放電スポツトは、そ
こで3回の放電を繰返すことによつて安定化さ
れ、結果として増大された壁電荷を電極X1上に
確立することができる。第3図および第4図にお
ける矢印と添え数字は、放電による正の壁電荷の
移動方向とそれぞれのセルまたはステツプにおけ
る放電回数を表している。 Here, if the one-pulse shift operation is repeated in such a way that the wall charge that has moved onto this shift electrode happens. Therefore, in this invention, the first phase cell a
After returning the wall charge that has shifted once onto the counter electrode X1 to the original electrode Y1, the maintenance voltage Vs is applied three times in the cell a so as to shift it again onto the electrode X1.
is switching the polarity of the In other words, the discharge spot shifted from the write cell W to the first phase cell a is stabilized by repeating the discharge three times there, and as a result, an increased wall charge can be established on the electrode X1. . The arrows and subscripts in FIGS. 3 and 4 indicate the direction of movement of positive wall charges due to discharge and the number of discharges in each cell or step.
第1相のセルaにおいて増大された壁電荷は、
次に電極Y2が接地電位にスイツチされるステツ
プtsにおいて第2相セルbでの放電を助けた後、
当該電極Y2上に移る。次いで電極X2が接地電
位にスイツチされて第3相セルcに放電が起こ
り、引続いて再度第1電極群Y1が賦勢される
時、次の絵素の書込みが行われる。 The increased wall charge in cell a of the first phase is
After assisting the discharge in the second phase cell b in a step ts where the electrode Y2 is then switched to ground potential,
Move onto the electrode Y2. Next, the electrode X2 is switched to ground potential to cause a discharge in the third phase cell c, and when the first electrode group Y1 is subsequently activated again, the next picture element is written.
この発明は、以上のように1絵素シフト周期の
中に転送すべき壁電荷の増大安定化サイクルを挿
入して駆動することを最大の特徴とするものであ
るが、この安定化サイクルは書込みセルに隣接し
た第1相セルの駆動ステツプに挿入した場合にお
いて最も効果的であることが実験的に確かめられ
ている。従つて、高速シフト動作が望まれる場合
には、第1相セルの駆動ステツプにのみ放電の安
定化サイクルを挿入し他のステツプにおいては1
パルスで放電をシフトさせるようにするのが好ま
しい。また動作マージンの改善の点からは、上記
安定化サイクルは少なくとも3パルス程度必要で
ある。しかしながらそれ以上パネル数を増しても
顕著な改善効果は余り望めない。 The main feature of the present invention is that, as described above, a stabilization cycle for increasing the wall charge to be transferred is inserted into one pixel shift period. It has been experimentally confirmed that it is most effective when inserted into the drive step of the first phase cell adjacent to the cell. Therefore, when high-speed shift operation is desired, a discharge stabilization cycle is inserted only in the first phase cell drive step, and one cycle is inserted in the other steps.
It is preferable to shift the discharge in pulses. Furthermore, from the viewpoint of improving the operating margin, the stabilization cycle requires at least three pulses. However, even if the number of panels is increased further, a significant improvement effect cannot be expected.
第5図は、この発明による動作マージンの改善
効果を説明するための動作特性図である。供試パ
ネルとしては、第2図に示したようなパターンの
電極を電極ピツチ250μm、絵素ピツチ500μmで
配設し、100μmの対向間隙にNeと0.2%のXeと
の混合ガスを500Torrの圧力で封入したものを用
いた第5図において縦軸には維持電圧Vsがとつ
てあり横軸は書込み電圧Vwに対応している。そ
して点線Iで図んだ領域が1パルスシフト動作の
ときの動作可能範囲であり、実線で囲んだ拡大
領域がこの発明の実施例に従つて3―1―1―1
ステツプのシフト動作をなしたときの動作可能範
囲である1絵素シフト周期40μsecにおいていず
れの場合もシフトパルスのパルス幅は6.5μsecで
あつた。この第5図から明らかなように、この発
明によれば書込み電圧の下限Vwminが低下して
書込み動作のマージンが大幅に広がることが判
る。 FIG. 5 is an operating characteristic diagram for explaining the effect of improving the operating margin according to the present invention. For the test panel, electrodes with the pattern shown in Figure 2 were arranged with an electrode pitch of 250 μm and a pixel pitch of 500 μm, and a mixed gas of Ne and 0.2% Xe was applied at a pressure of 500 Torr between opposing gaps of 100 μm. In FIG. 5, the vertical axis shows the sustain voltage Vs, and the horizontal axis corresponds to the write voltage Vw. The area indicated by the dotted line I is the operable range for one-pulse shift operation, and the enlarged area surrounded by the solid line is the area indicated by 3-1-1-1 according to the embodiment of the present invention.
In each case, the pulse width of the shift pulse was 6.5 μsec in a one-pixel shift cycle of 40 μsec, which is the operable range when performing a step shift operation. As is clear from FIG. 5, according to the present invention, the lower limit Vwmin of the write voltage is lowered and the margin of the write operation is greatly expanded.
さて、以上この発明の1実施例について説明し
たのであるが、要は書込みセルに隣接した第1相
セル、あるいは他の第2,第3および第4相セル
のいずれか1セルでのシフトステツプにおいて複
数回放電を繰返すことが特徴であり、シフト速度
上問題がなければ、他の相のセルのシフトステツ
プに安定化サイクルを追加しても良い。この場合
には、3―1―3―1ステツプや、3―3―1―
1ステツプを採ることが可能である。なお、かか
る変形動作おいて書込みセルと同相の第4相セル
dでの放電回数を3回もしくはそれ以上にした場
合には、当該書込みセルWに対して時間的には同
じ回数だけ書込みパルスを供給できることになる
が、このような複数パルス書込みは書込み動作マ
ージンの上限Vwmaxを引下げて誤放電の危険を
増すので好ましくない。1絵素転送周期Tpsの書
込みステツプ(dセル駆動ステツプ)において印
加する書込みパルスは1波が良く、従つて同ステ
ツプ中に書込みパルスを印加できるタイミングが
複数回存在する場合には、最後のタイミングにお
いて印加するのが最適である。 Now, one embodiment of the present invention has been described above, but the point is that the shift step in the first phase cell adjacent to the write cell, or any one of the other second, third, and fourth phase cells. The characteristic is that the discharge is repeated multiple times, and if there is no problem with the shift speed, a stabilization cycle may be added to the shift step of the cells of other phases. In this case, 3-1-3-1 step or 3-3-1-
It is possible to take one step. Note that in this modified operation, if the number of discharges in the fourth phase cell d that is in the same phase as the write cell is three or more times, the write pulse is applied to the write cell W the same number of times in terms of time. However, such multiple pulse writing is not preferable because it lowers the upper limit Vwmax of the write operation margin and increases the risk of erroneous discharge. It is best to apply one write pulse in the write step (d cell drive step) with one pixel transfer period Tps. Therefore, if there are multiple timings at which a write pulse can be applied during the same step, the last timing It is best to apply the voltage at
他方、実際の多行文字表示パネルに上記のよう
な3―1―1―1ステツプのシフト動作を適用す
る場合の駆動回路の1例ブロツク構成を第6図に
示す。 On the other hand, FIG. 6 shows an example block configuration of a drive circuit when the above-mentioned 3-1-1-1 step shift operation is applied to an actual multi-line character display panel.
第6図において、パネル10は第1表示行
ROW1と第2表示行ROW2を持ち、各行7本ず
つの書込み電極W11―W17およびW21―W
27は互いに共通に接続されて書込みドライブ回
路21に接続されている。またX側2群のシフト
電極も各行に共通の母線端子X1とX2を通して
X側シフトドライブ回路22に接続されている。
Y側2群のシフト電極は、各行別々の母線端子Y
11,Y21とY12,Y22を通してそれぞれ
2つのY側シフトドライブ回路23,24に接続
されている。 In FIG. 6, the panel 10 is the first display line.
ROW1 and second display row ROW2, each row has 7 write electrodes W11-W17 and W21-W.
27 are commonly connected to each other and connected to the write drive circuit 21. Furthermore, the two groups of shift electrodes on the X side are also connected to the X side shift drive circuit 22 through common bus terminals X1 and X2 for each row.
The two groups of shift electrodes on the Y side are connected to separate bus terminals Y for each row.
11, Y21 and Y12, Y22 to two Y-side shift drive circuits 23, 24, respectively.
上記各ドライブ回路の駆動タイミングは、カウ
ンタとプログラマブル・リード・オンリー・メモ
リ(PROM)を組合せて構成したタイミング発生
回路25からの7つの基準タイミング信号列によ
つて制御される。すなわちこのタイミング発生回
路25からは、2群のX電極駆動波形に対応した
信号Xs1とXs2、Y電極シフト波形に対応した信
号Ys1とYs2、およびY電極スウエイシフト用波
形に対応した信号Ysw1,Ysw2、ならびに書込み
タイミング信号Wsが所定のクロツク信号により
対応した信号線上に繰返しシリーズに読出される
ようになつている。そしてこれらタイミング信号
の内、Y側4系統のタイミング信号については、
次のデコーダ・ゲート回路26において行選択信
号Rsにより、選択シフト行側のシフトドライブ
回路にシストタイミング信号Ys1,Ys2が分配さ
れ、非選択シフト行側のシフトドライブ回路にス
ウエイシフトタイミング信号Ysw1,Ysw2が分配
されるようになつている。また書込みタイミング
信号Wsは、文字パターン発生回路27からアド
レスデータ信号Dsに基づいて読出された1ライ
ン7ビツトずつのドツトパターン信号をシフト動
作に同期した所定のタイミングで書込みドライブ
回路21に与えるようになつている。なお28は
インターフエース回路、29は制御回路を示す。 The drive timing of each of the drive circuits described above is controlled by seven reference timing signal trains from a timing generation circuit 25 configured by combining a counter and a programmable read-only memory (PROM). That is, from this timing generation circuit 25, signals Xs 1 and Xs 2 corresponding to the two groups of X electrode drive waveforms, signals Ys 1 and Ys 2 corresponding to the Y electrode shift waveforms, and signals corresponding to the Y electrode sway shift waveforms are generated. The signals Ysw 1 and Ysw 2 and the write timing signal Ws are repeatedly read out in series on corresponding signal lines by a predetermined clock signal. Of these timing signals, the timing signals of the four systems on the Y side are as follows:
In the next decoder/gate circuit 26, the shift timing signals Ys 1 and Ys 2 are distributed to the shift drive circuits on the selected shift row side by the row selection signal Rs, and the sway shift timing signals are distributed to the shift drive circuits on the non-selected shift row side. Ysw 1 and Ysw 2 are now distributed. Further, the write timing signal Ws is such that a dot pattern signal of 7 bits per line read out from the character pattern generation circuit 27 based on the address data signal Ds is applied to the write drive circuit 21 at a predetermined timing synchronized with the shift operation. It's summery. Note that 28 represents an interface circuit, and 29 represents a control circuit.
制御回路29から上記タイミング発生回路に対
しては、PROM内容の読出しタイミングを規定す
るクロツク信号CLと、シフト動作とフイクス表
示動作の切替えを指令するモード選択信号Msが
与えられている。モード選択信号Msがハイレベ
ルの時は、タイミング発生回路25のシフトモー
ド記憶領域から先に第4図Aについて説明したよ
うな3―1―1―1ステツプのシフト電圧波形に
対応しタイミングパルス列が1絵素シフト周期の
繰返しで読出され、行選択信号Rsにより選択さ
れた行においてシフト動作が行われる。他方、モ
ード選択信号Msがローレベルの時は、タイミン
グ発生回路25の表示モード記憶領域からスウエ
イシフト動作の駆動電圧波形に対応したタイミン
グパルス列が読出されて、所定の位置まで転送さ
れた文字パターンを表わす放電スポツトをその位
置を基準に隣接セル間でスウエイしながら表示す
るモードが与えられる。 The control circuit 29 supplies the timing generating circuit with a clock signal CL that defines the read timing of PROM contents, and a mode selection signal Ms that instructs switching between a shift operation and a fix display operation. When the mode selection signal Ms is at a high level, a timing pulse train is generated from the shift mode storage area of the timing generation circuit 25 corresponding to the 3-1-1-1 step shift voltage waveform as previously explained with reference to FIG. 4A. The data is read out repeatedly in one pixel shift period, and a shift operation is performed in the row selected by the row selection signal Rs. On the other hand, when the mode selection signal Ms is at a low level, a timing pulse train corresponding to the drive voltage waveform of the sway shift operation is read out from the display mode storage area of the timing generation circuit 25, and the character pattern transferred to a predetermined position is read out. A mode is provided in which a discharge spot representing a discharge spot is displayed while swaying between adjacent cells based on the position of the discharge spot.
以上述べたところから明らかなように、要する
にこの発明は、セルフシフト型ガス放電パネルに
対する壁電荷転送方式の駆動方法を採用する場
合、1絵素配列周期内の特定相のシフトセル、例
えば書込みセルに隣接した第1相の放電セルの駆
動ステツプに壁電荷増大のための安定化サイクル
を挿入することを特徴としたものであり、書込み
電圧マージンを改善するとともに安定で確実なシ
フト動作を達成する上にきわめて大きな効果を発
揮する。 As is clear from the above description, in short, the present invention is applicable to a shift cell of a specific phase within one pixel arrangement period, for example, a write cell, when a wall charge transfer driving method is adopted for a self-shift type gas discharge panel. This feature is characterized by inserting a stabilization cycle to increase the wall charge in the drive step of adjacent first phase discharge cells, which improves the write voltage margin and achieves stable and reliable shift operation. It has an extremely large effect on
第1図および第2図はこの発明を適用するセル
フシフト型ガス放電パネルの1例構成を示す要部
断面図と電極配置の平面図、第3図はこの発明に
よるシフト動作をシフトチヤンネルとの関連にお
いて模式的に説明するための図、第4図Aおよび
Bはシフト動作のための電極電圧波形とセル電圧
波形を示す図、第5図はシフト動作マージンの改
善効果を対比して示す特性図、第6図は駆動回路
の1例構成を示すブロツク図である。
10:パネル、11:ガス放電空間、12およ
び13:ガラス基板、14:X側電極セツト、1
5:Y側電極セツト、16および17:誘電体
層、18:電荷リーク用クレパス、W:書込み電
極、Y11:第1シフト電極、X11:第2シフ
ト電極、a―d:第1〜第4相シフト放電セル、
Tps:1絵素シフト周期、Vs:維持電圧、Vw:
書込み電圧。
1 and 2 are a cross-sectional view of essential parts and a plan view of electrode arrangement showing one example of the configuration of a self-shifting gas discharge panel to which the present invention is applied, and FIG. 3 is a diagram illustrating a shift operation according to the present invention with a shift channel. Figures 4A and 4B are diagrams showing the electrode voltage waveform and cell voltage waveform for the shift operation, and Figure 5 is a diagram showing the improvement effect of the shift operation margin in comparison. 6 are block diagrams showing one example of the configuration of the drive circuit. 10: panel, 11: gas discharge space, 12 and 13: glass substrate, 14: X side electrode set, 1
5: Y side electrode set, 16 and 17: dielectric layer, 18: crevice for charge leakage, W: writing electrode, Y11: first shift electrode, X11: second shift electrode, ad: 1st to 4th phase shift discharge cell,
Tps: 1 pixel shift period, Vs: Maintenance voltage, Vw:
Write voltage.
Claims (1)
び第2の基板と、第1基板上に設けた書込み電極
と、該書込み電極に対向するよう第2基板上に設
けた第1シフト電極と、該第1シフト電極に共通
に対向するよう前記書込み電極に隣接して第1基
板上に設けた第2シフト電極、ならびに該第2シ
フト電極に引続いて交互に対向するよう順次規則
的に配列した他のシフト電極を有し、これらシフ
ト電極によつて前記ガス放電空間内に複数相のシ
フト放電セルの周期的配列を定めて交互に一方の
シフト電極を共通とした隣接セル間で放電に伴う
壁電荷を転送するようにしてなるセルフシフト型
ガス放電パネルにおいて、前記シフト放電セルの
単位配列周期内におけるシフト動作が、前記書込
み電極と第1シフト電極との間の書込みセルで発
生した放電スポツトを、当該単位配列周期内の所
定相のシフト放電セルで複数回繰返し放電させる
ステツプを含んでなることを特徴とするセルフシ
フト型ガス放電パネルの駆動方法。 2 前記所定相のシフト放電セルが、第1シフト
電極と第2シフト電極との間の第1相シフト放電
セルであることを特徴とする特許請求の範囲第1
項に記載のセルフシフト型ガス放電パネルの駆動
方法。 3 前記シフト動作がシフト放電セルの1絵素配
列周期内の相数に対応した駆動ステツプを持ち、
書込みセルに隣接した第1相のシフト放電セルの
駆動ステツプにおける放電回数を他の相のシフト
放電セルの駆動ステツプにおける放電回数よりも
多くしたことを特徴とする特許請求の範囲第2項
に記載のセルフシフト型ガス放電パネルの駆動方
法。[Scope of Claims] 1. A first and a second substrate arranged facing each other with a gas discharge space in between, a write electrode provided on the first substrate, and a write electrode provided on the second substrate opposite to the write electrode. a first shift electrode, a second shift electrode provided on the first substrate adjacent to the write electrode so as to commonly face the first shift electrode, and a second shift electrode successively and alternately facing the second shift electrode; and other shift electrodes arranged in a regular manner in sequence, and these shift electrodes define a periodic arrangement of shift discharge cells of a plurality of phases in the gas discharge space, and one shift electrode is alternately used in common. In a self-shift gas discharge panel configured to transfer wall charges accompanying discharge between adjacent cells, the shift operation within a unit array period of the shift discharge cells is performed to transfer wall charges between the write electrode and the first shift electrode. 1. A method for driving a self-shifting gas discharge panel, comprising the step of repeatedly discharging a discharge spot generated in a write cell in a shift discharge cell of a predetermined phase within the unit array period. 2. Claim 1, wherein the predetermined phase shift discharge cell is a first phase shift discharge cell between a first shift electrode and a second shift electrode.
A method for driving a self-shifting gas discharge panel as described in . 3. The shift operation has drive steps corresponding to the number of phases within one pixel array period of the shift discharge cell,
Claim 2, characterized in that the number of discharges in the drive step of the first phase shift discharge cell adjacent to the write cell is made greater than the number of discharges in the drive step of the other phase shift discharge cells. How to drive a self-shifting gas discharge panel.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56067416A JPS57192994A (en) | 1981-04-30 | 1981-04-30 | Driving of self-shift type gas discharge panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56067416A JPS57192994A (en) | 1981-04-30 | 1981-04-30 | Driving of self-shift type gas discharge panel |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57192994A JPS57192994A (en) | 1982-11-27 |
| JPS6239743B2 true JPS6239743B2 (en) | 1987-08-25 |
Family
ID=13344279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56067416A Granted JPS57192994A (en) | 1981-04-30 | 1981-04-30 | Driving of self-shift type gas discharge panel |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57192994A (en) |
-
1981
- 1981-04-30 JP JP56067416A patent/JPS57192994A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57192994A (en) | 1982-11-27 |
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