JPS6244866B2 - - Google Patents
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- JPS6244866B2 JPS6244866B2 JP56201906A JP20190681A JPS6244866B2 JP S6244866 B2 JPS6244866 B2 JP S6244866B2 JP 56201906 A JP56201906 A JP 56201906A JP 20190681 A JP20190681 A JP 20190681A JP S6244866 B2 JPS6244866 B2 JP S6244866B2
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体光検出装置に関する。
半導体光検出装置として従来、第１図に示す如
き例えばＮ型の半導体基板１上にPN接合２を形
成すべくＰ型の半導体層３が形成され、一方半導
体基板１の半導体層３側とは反対側の主面４上に
電極５がオーミツクに附されてなる構成を有する
ものが提案されている。
き例えばＮ型の半導体基板１上にPN接合２を形
成すべくＰ型の半導体層３が形成され、一方半導
体基板１の半導体層３側とは反対側の主面４上に
電極５がオーミツクに附されてなる構成を有する
ものが提案されている。
所で、斯る構成の半導体光検出装置は、電極５
及び半導体層３間にPN接合２に逆バイアスとな
るバイアス電源６を接続して、PN接合２より主
として半導体基板１側に広がる空乏層を形成せる
状態で、光７を半導体層３側より入射せしめれ
ば、これに応じた光電流を電極５及び半導体層３
を通つて外部に導出するという機能を呈するもの
であるが、その分光感度特性が第２図に示す如
く、PN接合２の深さＤに応じて変化し、PN接合
２の深さＤが小である程、広い波長域に亘つて感
度を有するものである。又感度を有する波長域の
下限は、半導体基板１及び半導体層３のバンドギ
ヤツプによつて決まり、又上限は表面層の反射、
吸収によつて制約を受けるものである。
及び半導体層３間にPN接合２に逆バイアスとな
るバイアス電源６を接続して、PN接合２より主
として半導体基板１側に広がる空乏層を形成せる
状態で、光７を半導体層３側より入射せしめれ
ば、これに応じた光電流を電極５及び半導体層３
を通つて外部に導出するという機能を呈するもの
であるが、その分光感度特性が第２図に示す如
く、PN接合２の深さＤに応じて変化し、PN接合
２の深さＤが小である程、広い波長域に亘つて感
度を有するものである。又感度を有する波長域の
下限は、半導体基板１及び半導体層３のバンドギ
ヤツプによつて決まり、又上限は表面層の反射、
吸収によつて制約を受けるものである。
然し乍ら、第１図に示す半導体光検出装置の場
合、広い波長域に亘つて感度を得べく、PN接合
２の深さＤを小とするのに困難を伴い、この為広
い波長域に亘つて感度を得ることが困難であつ
た。
合、広い波長域に亘つて感度を得べく、PN接合
２の深さＤを小とするのに困難を伴い、この為広
い波長域に亘つて感度を得ることが困難であつ
た。
この為、従来、第３図に示す如き、例えばＰ型
半導体基板１１上に薄いＮ型層１２が形成される
べくSiO2膜１３が形成され、一方半導体基板１
１のSiO2膜１３側とは反対側に電極１４がオー
ミツクに附され、又Ｎ型層１２にSiO2膜１３に
穿設せる窓１５を介して電極１６を附してなる構
成を有する半導体光検出装置が提案されている。
半導体基板１１上に薄いＮ型層１２が形成される
べくSiO2膜１３が形成され、一方半導体基板１
１のSiO2膜１３側とは反対側に電極１４がオー
ミツクに附され、又Ｎ型層１２にSiO2膜１３に
穿設せる窓１５を介して電極１６を附してなる構
成を有する半導体光検出装置が提案されている。
所で、斯る構成を有する半導体光検出装置の場
合、半導体基板１１とＮ型層１２との間にPN接
合１７が形成されているので、電極１４及び１６
間にPN接合１７を逆バイアスすべくバイアス電
源６を接続して、半導体基板１１内にPN接合１
７より拡がる空乏層を得ている状態で光７を照射
せしめれば、第１図の場合と同様に電極１４及び
１６を介して光電流を得ることが出来るが、この
半導体光検出装置を再現性良く得るのに困難を伴
うという欠点を有していた。
合、半導体基板１１とＮ型層１２との間にPN接
合１７が形成されているので、電極１４及び１６
間にPN接合１７を逆バイアスすべくバイアス電
源６を接続して、半導体基板１１内にPN接合１
７より拡がる空乏層を得ている状態で光７を照射
せしめれば、第１図の場合と同様に電極１４及び
１６を介して光電流を得ることが出来るが、この
半導体光検出装置を再現性良く得るのに困難を伴
うという欠点を有していた。
又第４図に示す如く例えばＮ型の半導体基板２
１の一方の面上に、シヨツトキ接合２２を形成す
べく金属電極２３が附され、又半導体基板２１の
金属電極２３側とは反対側に電極２４がオーミツ
クに附されてなる構成の半導体光検出装置も従来
提案されている。
１の一方の面上に、シヨツトキ接合２２を形成す
べく金属電極２３が附され、又半導体基板２１の
金属電極２３側とは反対側に電極２４がオーミツ
クに附されてなる構成の半導体光検出装置も従来
提案されている。
然し乍ら、斯る構成を有する半導体光検出装置
の場合、電極２３及び２４間にシヨツトキ接合２
２を逆バイアスすべくバイアス電源６を接続し
て、半導体基板２１内にシヨツトキ接合２２より
拡がる空乏層を形成せる状態で、光７を照射せし
めれば、第１図の場合と同様に電極２３及び２４
を介して光電流を得ることが出来るが、金属電極
２３での光７の反射損失が大である為、効率が悪
いという欠点を有していたと共に、シヨツトキ接
合２２を良好に形成するのが困難であつた等の欠
点を有していた。
の場合、電極２３及び２４間にシヨツトキ接合２
２を逆バイアスすべくバイアス電源６を接続し
て、半導体基板２１内にシヨツトキ接合２２より
拡がる空乏層を形成せる状態で、光７を照射せし
めれば、第１図の場合と同様に電極２３及び２４
を介して光電流を得ることが出来るが、金属電極
２３での光７の反射損失が大である為、効率が悪
いという欠点を有していたと共に、シヨツトキ接
合２２を良好に形成するのが困難であつた等の欠
点を有していた。
依つて本発明は上述せる欠点のない新規な半導
体光検出装置を提案せんとするもので、以下詳述
する所より明らかとなるであろう。
体光検出装置を提案せんとするもので、以下詳述
する所より明らかとなるであろう。
第１図は本発明による半導体光検出装置の第１
の実施例を示し、例えばＮ型の半導体基板５１内
にその主面５２側より、複数のPN接合５３ａ，
５３ｂ……を形成すべくＰ型の半導体領領域５４
ａ，５４ｂ……が形成されている。
の実施例を示し、例えばＮ型の半導体基板５１内
にその主面５２側より、複数のPN接合５３ａ，
５３ｂ……を形成すべくＰ型の半導体領領域５４
ａ，５４ｂ……が形成されている。
又半導体基板５１の主面５２と対向する主面５
５上に電極５６がオーミツクに附されている。
５上に電極５６がオーミツクに附されている。
更に半導体基板５１内に、その主面５２側より
複数のN+型電極用半導体領域５７ａ，５７ｂ…
…が、半導体領域５４ａ及び５４ｂ間、５４ｂ及
び５４ｃ間に配されてなる態様を以つて形成され
ている。
複数のN+型電極用半導体領域５７ａ，５７ｂ…
…が、半導体領域５４ａ及び５４ｂ間、５４ｂ及
び５４ｃ間に配されてなる態様を以つて形成され
ている。
尚更に電極５６と、半導体領域５７ａ，５７ｂ
……とがバイアス電源６の一端に接続され、半導
体領域５４ａ，５４ｂ……がバイアス電源６の他
端（接地）に接続されている。
……とがバイアス電源６の一端に接続され、半導
体領域５４ａ，５４ｂ……がバイアス電源６の他
端（接地）に接続されている。
以上が本発明による半導体光検出装置の第１の
第１の実施例の構成であるが、斯る構成によれ
ば、バイアス電源６を、PN接合５３ａ，５３ｂ
……に逆バイアスが与えられる極性とし置けば、
半導体基板５１内にPN接合５３ａ，５３ｂ……
より、電極５６側に縦方向に広がる空乏層と、半
導体領域５７ａ，５７ｂ……側に横方向に拡がる
空乏層とが形成されるものである。
第１の実施例の構成であるが、斯る構成によれ
ば、バイアス電源６を、PN接合５３ａ，５３ｂ
……に逆バイアスが与えられる極性とし置けば、
半導体基板５１内にPN接合５３ａ，５３ｂ……
より、電極５６側に縦方向に広がる空乏層と、半
導体領域５７ａ，５７ｂ……側に横方向に拡がる
空乏層とが形成されるものである。
従つて半導体基板５１と、半導体領域５４ａ，
５４ｂ……と、電極５６とを含んで複数の縦型フ
オトダイオードVDa，VDb……を構成し、又半導
体基板５１と、半導体領域５４ａ，５４ｂ……
と、半導体領域５７ａ，５７ｂ……とを含んで複
数の横型フオトダイオードLDa，LDb……を構成
しているものである。
５４ｂ……と、電極５６とを含んで複数の縦型フ
オトダイオードVDa，VDb……を構成し、又半導
体基板５１と、半導体領域５４ａ，５４ｂ……
と、半導体領域５７ａ，５７ｂ……とを含んで複
数の横型フオトダイオードLDa，LDb……を構成
しているものである。
依つて半導体基板５１の主面５２側より光７を
入射せしめれば、縦型フオトダイオードVDa，
VDb……による光電流を電極５６と半導体領域５
４ａ，５４ｂ……とを介して得ることができ、又
横型フオトダイオードLDa，LDb……による光電
流とを半導体領域５４ａ，５４ｂ……と半導体領
域５７ａ，５７ｂ……とを介して得ることができ
るものである。
入射せしめれば、縦型フオトダイオードVDa，
VDb……による光電流を電極５６と半導体領域５
４ａ，５４ｂ……とを介して得ることができ、又
横型フオトダイオードLDa，LDb……による光電
流とを半導体領域５４ａ，５４ｂ……と半導体領
域５７ａ，５７ｂ……とを介して得ることができ
るものである。
この為縦型フオトダイオードVDa，VDb……に
よつて長波長領域の感度を得ることができ、又横
型フオトダイオードLDa，LDb……によつて短波
長領域の感度を得ることができ、依つて全体とし
て広い波長域に亘つて感度を得ることができる大
なる特徴を有するものである。
よつて長波長領域の感度を得ることができ、又横
型フオトダイオードLDa，LDb……によつて短波
長領域の感度を得ることができ、依つて全体とし
て広い波長域に亘つて感度を得ることができる大
なる特徴を有するものである。
次に第６図を伴なつて本発明の第２の実施例を
述べるに、第５図との対応部分には同一符号を附
して詳細説明はこれを省略するも、第５図にて上
述せる構成に於て、電極５６と半導体領域５７
ａ，５７ｂ……とが切換スイツチ６０を介してバ
イアス電源６に接続されていることを除いては、
第５図の場合と同様の構成を有する。
述べるに、第５図との対応部分には同一符号を附
して詳細説明はこれを省略するも、第５図にて上
述せる構成に於て、電極５６と半導体領域５７
ａ，５７ｂ……とが切換スイツチ６０を介してバ
イアス電源６に接続されていることを除いては、
第５図の場合と同様の構成を有する。
以上が本発明による半導体光検出装置の第２の
実施例であるが、斯る構成によれば、それが上述
せる事項を除いて第５図の場合と同様の構成を有
するので、詳細説明はこれを省略するも、切換ス
イツチ６０の切換によつて縦型フオトダイオード
VDa，VDb……を選択することにより、光７を主
として長波長域で検出することが出来、又横型フ
オトダイオードLDa，LDb……を選択することに
より、光７を主として短波長域で検出することが
出来る大なる特徴を有するものである。
実施例であるが、斯る構成によれば、それが上述
せる事項を除いて第５図の場合と同様の構成を有
するので、詳細説明はこれを省略するも、切換ス
イツチ６０の切換によつて縦型フオトダイオード
VDa，VDb……を選択することにより、光７を主
として長波長域で検出することが出来、又横型フ
オトダイオードLDa，LDb……を選択することに
より、光７を主として短波長域で検出することが
出来る大なる特徴を有するものである。
次に第７図を伴なつて本発明の第３の実施例を
述べるに、第６図との対応部分に同一符号を附し
て詳細説明はこれを省略するも、第６図にて上述
せる構成に於て、複数の半導体領域５４ａ，５４
ｂ……が切換スイツチ６２にて選択されることを
除いては、第６図の場合と同様の構成を有する。
述べるに、第６図との対応部分に同一符号を附し
て詳細説明はこれを省略するも、第６図にて上述
せる構成に於て、複数の半導体領域５４ａ，５４
ｂ……が切換スイツチ６２にて選択されることを
除いては、第６図の場合と同様の構成を有する。
以上が本発明による半導体光検出装置の第３の
実施例の構成であるが、斯る構成によれば、それ
が上述せる事項を除いて第６図の場合と同様の構
成を有するので、切換スイツチ６０及び６１の切
換により、複数の縦型フオトダイオードVDa，
VDb……の選択と、複数の横型フオトダイオード
LDa，LDb……の選択とをなして光７の長波長域
の検出と、短波長域の検出をなし得る大なる特徴
を有するものである。
実施例の構成であるが、斯る構成によれば、それ
が上述せる事項を除いて第６図の場合と同様の構
成を有するので、切換スイツチ６０及び６１の切
換により、複数の縦型フオトダイオードVDa，
VDb……の選択と、複数の横型フオトダイオード
LDa，LDb……の選択とをなして光７の長波長域
の検出と、短波長域の検出をなし得る大なる特徴
を有するものである。
尚上述に於ては本発明の僅かな実施例を示した
に留まり、本発明の精神を脱することなしに種々
の変型変更をなし得るであろう。
に留まり、本発明の精神を脱することなしに種々
の変型変更をなし得るであろう。
第１図は従来の半導体光検出装置を示す略線
図、第２図はその説明に供する曲線図、第３図及
び第４図は従来の半導体光検出装置を示す略線
図、第５図、第６図及び第７図は夫々本発明によ
る半導体光検出装置の第１、第２及び第３の実施
例を示す略線図である。
図、第２図はその説明に供する曲線図、第３図及
び第４図は従来の半導体光検出装置を示す略線
図、第５図、第６図及び第７図は夫々本発明によ
る半導体光検出装置の第１、第２及び第３の実施
例を示す略線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１の導電型を有する半導体基板内に、その
第１の主面側より、第１のPN接合を形成すべく
形成された第１の導電型とは逆の第２の導電型を
有する第１のPN接合形成用半導体領域と、 上記半導体基板の上記第１の主面と対向する第
２の主面側に形成された第１の電極又は第１の導
電型を有する第１の電極用半導体領域と、 上記半導体基板の第１の主面側に形成された第
２の電極又は第１の導電型を有する第２の電極用
半導体領域とを有し、 上記半導体基板、上記第１のPN接合形成用半
導体領域、及び上記第１の電極又は第１の電極用
半導体領域を含んで、第１の縦型フオトダイオー
ドが構成され、 上記半導体基板、上記第１のPN接合形成用半
導体領域、及び上記第２の電極又は第２の電極用
半導体領域を含んで、第１の横型フオトダイオー
ドが構成されてなる事を特徴とする半導体光検出
装置。 ２ 第１の導電型を有する半導体基板内に、その
第１の主面側より、第１のPN接合を形成すべく
形成された第１の導電型とは逆の第２の導電型を
有する第１のPN接合形成用半導体領域と、 上記半導体基板の上記第１の主面と対向する第
２の主面側に形成された第１の電極又は第１の導
電型を有する第１の電極用半導体領域と、 上記半導体基板の第１の主面側に形成された第
２の電極又は第１の導電型を有する第２の電極用
半導体領域とを有し、 上記半導体基板、上記第１のPN接合形成用半
導体領域、及び上記第１の電極又は第１の電極用
半導体領域を含んで、第１の縦型フオトダイオー
ドが構成され、 上記半導体基板、上記第１のPN接合形成用半
導体領域、及び上記第２の電極又は第２の電極用
半導体領域を含んで、第１の横型フオトダイオー
ドが構成され、 上記第１の縦型フオトダイオード及び上記第１
の横型フオトダイオードに、それ等に共通のバイ
アス電源を与える第１のバイアス電源附与手段を
有する事を特徴とする半導体光検出装置。 ３ 第１の導電型を有する半導体基板内に、その
第１の主面側より、第１のPN接合を形成すべく
形成された第１の導電型とは逆の第２の導電型を
有する第１のPN接合形成用半導体領域と、 上記半導体基板の上記第１の主面と対向する第
２の主面側に形成された第１の電極又は第１の導
電型を有する第１の電極用半導体領域と、 上記半導体基板の第１の主面側に形成された第
２の電極又は第１の導電型を有する第２の電極用
半導体領域とを有し、 上記半導体基板、上記第１のPN接合形成用半
導体領域、及び上記第１の電極又は第１の電極用
半導体領域を含んで、第１の縦型フオトダイオー
ドが構成され、 上記半導体基板、上記第１のPN接合形成用半
導体領域、及び上記第２の電極又は第２の電極用
半導体領域を含んで、第１の横型フオトダイオー
ドが構成され、 上記第１の縦型フオトダイオード及び上記第１
の横型フオトダイオードに、各別のバイアス電源
を与える第２のバイアス電源附与手段を有する事
を特徴とする半導体光検出装置。 ４ 第１の導電型を有する半導体基板内に、その
第１の主面側より、第１のPN接合を形成すべく
形成された第１の導電型とは逆の第２の導電型を
有する第１のPN接合形成用半導体領域と、 上記半導体基板内に、その第１の主面側より、
第２のPN接合を形成すべく形成された第２の導
電型を有する第２のPN接合形成用半導体領域
と、 上記半導体基板の上記第１の主面と対向する第
２の主面側に形成された第１の電極又は第１の導
電型を有する第１の電極用半導体領域と、 上記半導体基板の第１の主面側に形成された第
２の電極又は第１の導電型を有する第２の電極用
半導体領域とを有し、 上記半導体基板、上記第１のPN接合形成用半
導体領域、及び上記第１の電極又は第１の電極用
半導体領域を含んで、第１の縦型フオトダイオー
ドが構成され、 上記半導体基板、上記第２のPN接合形成用半
導体領域、及び上記第１の電極又は第１の電極用
半導体領域を含んで第２の縦型フオトダイオード
が構成され、 上記半導体基板、上記第１のPN接合形成用半
導体領域、及び上記第２の電極又は第２の電極用
半導体領域を含んで、第１の横型フオトダイオー
ドが構成され、 上記半導体基板、上記第２のPN接合形成用半
導体領域、及び上記第２の電極又は第２の電極用
半導体領域を含んで、第２の横型フオトダイオー
ドが構成されてなる事を特徴とする半導体光検出
装置。 ５ 第１の導電型を有する半導体基板内に、その
第１の主面側より、第１のPN接合を形成すべく
形成された第１の導電型とは逆の第２の導電型を
有する第１のPN接合形成用半導体領域と、 上記半導体基板内に、その第１の主面側より、
第２のPN接合を形成すべく形成された第２の導
電型を有する第２のPN接合形成用半導体領域
と、 上記半導体基板の上記第１の主面と対向する第
２の主面側に形成された第１の電極又は第１の導
電型を有する第１の電極用半導体領域と、 上記半導体基板の第１の主面側に形成された第
２の電極又は第１の導電型を有する第２の電極用
半導体領域とを有し、 上記半導体基板、上記第１のPN接合形成用半
導体領域、及び上記第１の電極又は第１の電極用
半導体領域を含んで、第１の縦型フオトダイオー
ドが構成され、 上記半導体基板、上記第２のPN接合形成用半
導体領域、及び上記第１の電極又は第１の電極用
半導体領域を含んで第２の縦型フオトダイオード
が構成され、 上記半導体基板、上記第１のPN接合形成用半
導体領域、及び上記第２の電極又は第２の電極用
半導体領域を含んで、第１の横型フオトダイオー
ドが構成され、 上記半導体基板、上記第２のPN接合形成用半
導体領域、及び上記第２の電極又は第２の電極用
半導体領域を含んで、第２の横型フオトダイオー
ドが構成され、 上記第１及び第２の縦型フオトダイオードに各
別にバイアス電源を与える第３のバイアス電源附
与手段を有する事を特徴とする半導体光検出装
置。 ６ 第１の導電型を有する半導体基板内に、その
第１の主面側より、第１のPN接合を形成すべく
形成された第１の導電型とは逆の第２の導電型を
有する第１のPN接合形成用半導体領域と、 上記半導体基板内に、その第１の主面側より、
第２のPN接合を形成すべく形成された第２の導
電型を有する第２のPN接合形成用半導体領域
と、 上記半導体基板の上記第１の主面と対向する第
２の主面側に形成された第１の電極又は第１の導
電型を有する第１の電極用半導体領域と、 上記半導体基板の第１の主面側に形成された第
２の電極又は第１の導電型を有する第２の電極用
半導体領域とを有し、 上記半導体基板、上記第１のPN接合形成用半
導体領域、及び上記第１の電極又は第１の電極用
半導体領域を含んで、第１の縦型フオトダイオー
ドが構成され、 上記半導体基板、上記第２のPN接合形成用半
導体領域、及び上記第１の電極又は第１の電極用
半導体領域を含んで第２の縦型フオトダイオード
が構成され、 上記半導体基板、上記第１のPN接合形成用半
導体領域、及び上記第２の電極又は第２の電極用
半導体領域を含んで、第１の横型フオトダイオー
ドが構成され、 上記半導体基板、上記第２のPN接合形成用半
導体領域、及び上記第２の電極又は第２の電極用
半導体領域を含んで、第２の横型フオトダイオー
ドが構成され、 上記第１及び第２の縦型フオトダイオード及び
上記第１及び第２の横型フオトダイオードに各別
にバイアス電源を与える第４のバイアス電源附与
手段を有する事を特徴とする半導体光検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56201906A JPS58103180A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | 半導体光検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56201906A JPS58103180A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | 半導体光検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58103180A JPS58103180A (ja) | 1983-06-20 |
| JPS6244866B2 true JPS6244866B2 (ja) | 1987-09-22 |
Family
ID=16448776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56201906A Granted JPS58103180A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | 半導体光検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58103180A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1317199B1 (it) * | 2000-04-10 | 2003-05-27 | Milano Politecnico | Dispositivo fotorivelatore ultrasensibile con diaframma micrometricointegrato per microscopi confocali |
| TW200947724A (en) | 2008-01-14 | 2009-11-16 | Ibm | Using 3D integrated diffractive gratings in solar cells |
-
1981
- 1981-12-15 JP JP56201906A patent/JPS58103180A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58103180A (ja) | 1983-06-20 |
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