JPS6246979B2 - - Google Patents
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- JPS6246979B2 JPS6246979B2 JP55061767A JP6176780A JPS6246979B2 JP S6246979 B2 JPS6246979 B2 JP S6246979B2 JP 55061767 A JP55061767 A JP 55061767A JP 6176780 A JP6176780 A JP 6176780A JP S6246979 B2 JPS6246979 B2 JP S6246979B2
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造工程のひとつである
ワイヤボンデイング方法及びその装置に関するも
のである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a wire bonding method, which is one of the manufacturing processes of semiconductor devices, and an apparatus therefor.
一般にガラス封止型の半導体装置は、第1図に
示すように、半導体素子(ペレツト)1を固着し
たセラミツクベース2にリードフレーム3をガラ
ス4にて溶着し、その後ペレツト1とリードフレ
ーム3の各インナーリード3aとの間をワイヤ5
にてボンデイングし、更にキヤツプ6をその上か
ら溶着してパツケージを完成するようになつてい
る。ところが、この種の半導体装置では高密度化
のために各インナーリード3aを細幅に形成して
いるので、その剛性は低く、このためこれら複数
のインナーリード3aをセラミツクベース2にガ
ラス溶着すると、ガラスの溶融状態に多少の相違
が生じるだけで各インナーリード3aは夫々異な
る曲げ状態で固着される。したがつて各インナー
リード3aは第2図に示すようにその上面高さ位
置にバラツキが生じるようになる。 Generally, in a glass-sealed semiconductor device, as shown in FIG. 1, a lead frame 3 is welded with glass 4 to a ceramic base 2 to which a semiconductor element (pellet) 1 is fixed, and then the pellet 1 and lead frame 3 are bonded together. A wire 5 is connected between each inner lead 3a.
The cap 6 is then welded onto the cap 6 to complete the package. However, in this type of semiconductor device, each inner lead 3a is formed to have a narrow width in order to achieve high density, so its rigidity is low. Each inner lead 3a is fixed in a different bent state only by a slight difference in the molten state of the glass. Therefore, as shown in FIG. 2, each inner lead 3a comes to have variations in its upper surface height position.
このように各インナーリード3aの高さ位置に
バラツキが生じていると、各インナーリード3a
に夫々好適な超音波ワイヤボンデイングを行なう
ためには、ワイヤボンダのツールのZ方向(上下
方向)の作動特性を、これら高さのバラツキを許
容できるように充分な余裕を持つた特性にする必
要がある。即ち、ツールの下動速度を早い時期で
低速にし、前記バラツキの範囲内ではインナーリ
ードがいずれの高さ位置にあつてもツールが静し
ゆくにインナーリードに当接するように構成する
のである。したがつて、このような余裕を設ける
ことにより、ツールの下動速度が全体的に低下し
てツールの作動サイクル時間が長くなり、結局ワ
イヤボンデイング時間が長くなつて高速化の妨げ
となるという問題がある。 If there are variations in the height position of each inner lead 3a in this way, each inner lead 3a
In order to perform ultrasonic wire bonding that is suitable for each, the operating characteristics of the wire bonder tool in the Z direction (vertical direction) must have sufficient margin to allow for these height variations. be. That is, the downward movement speed of the tool is made low at an early stage, and the tool is configured so that within the above-mentioned variation range, the tool gradually comes into contact with the inner lead no matter what height position the inner lead is at. Therefore, by providing such a margin, the overall downward movement speed of the tool is reduced and the operating cycle time of the tool is lengthened, resulting in a problem that the wire bonding time becomes longer and this becomes a hindrance to increasing the speed. There is.
したがつて本発明の目的は各々のインナーリー
ドの高さ位置に応じてツールのZ方向作動特性を
制御し、各インナーリードにおけるワイヤボンデ
イング時間を夫々最短時間にしてワイヤボンデイ
ング全体としての高速化を図ることができるワイ
ヤボンデイング方法及びその装置を提供すること
にある。 Therefore, an object of the present invention is to control the Z-direction operating characteristics of the tool according to the height position of each inner lead, minimize the wire bonding time for each inner lead, and speed up wire bonding as a whole. An object of the present invention is to provide a wire bonding method and an apparatus therefor.
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。 Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings.
第3図は本発明方法を実施するためのワイヤボ
ンデイング装置を示しており、リード高さ測定部
7、ワイヤボンダ部8、及び制御部9で構成して
いる。リード高さ測定部7は、第4図に合わせて
示すように、シリンダ10等により半導体装置1
1に対して上下動可能な支持体12に複数本の導
電性ピン13……を互に絶縁状態を保つて並設
し、かつ各ピン13……をスプリング14……に
より下方向に付勢している。各ピン13……は半
導体装置11のインナーリード3a間隔に等しい
間隔で並置し、その先端はインナーリードに夫々
接触できるように尖鋭にしかつ後端には夫々リー
ド線15……を接続して制御部8に接続してい
る。16はピン13……の先端下動位置を制限す
るためのストツパである。 FIG. 3 shows a wire bonding apparatus for carrying out the method of the present invention, which is composed of a lead height measuring section 7, a wire bonder section 8, and a control section 9. As shown in FIG.
A plurality of conductive pins 13 are arranged in parallel on a support 12 that can be moved up and down with respect to 1 while maintaining mutual insulation, and each pin 13 is urged downward by a spring 14. are doing. The pins 13 are arranged side by side at intervals equal to the interval between the inner leads 3a of the semiconductor device 11, and their tips are sharp so that they can contact the inner leads, and the respective lead wires 15 are connected to the rear ends for control. It is connected to part 8. 16 is a stopper for restricting the downward movement position of the tip of the pin 13.
一方、前記ワイヤボンダ部9は、水平X,Y軸
方向に移動可能なベース17上に、Zカム18に
て上下Z軸方向に揺動可能なホーン19を設け、
このホーン19に連続するアーム20の先端にウ
エツジ(ツール)21を取着している。ウエツジ
21にはワイヤ22が掛けられ、このワイヤ22
を前記インナーリード3a及び半導体装置11の
素子ペレツト1との間に夫々ボンデイングするよ
うになつている。そして、前記Zカム18の駆動
系は前記制御部8に接続し、制御部8にてZカム
18の回転速度を変化制御できるようになつてい
る。 On the other hand, the wire bonder section 9 is provided with a horn 19 movable in the vertical Z-axis direction by a Z cam 18 on a base 17 movable in the horizontal X and Y-axis directions,
A wedge (tool) 21 is attached to the tip of an arm 20 that is continuous with the horn 19. A wire 22 is hung on the wedge 21, and this wire 22
are bonded between the inner leads 3a and the element pellets 1 of the semiconductor device 11, respectively. The drive system of the Z cam 18 is connected to the control section 8, and the rotation speed of the Z cam 18 can be varied and controlled by the control section 8.
また、前記半導体装置11は、所定の基台23
上に設置しており、一体的なリード3には制御部
8と接続状態にあるコモン24を接続できるよう
になつている。 Further, the semiconductor device 11 is mounted on a predetermined base 23.
The common 24 connected to the control section 8 can be connected to the integrated lead 3.
したがつて、以上の構成のワイヤボンデイング
装置によれば、ワイヤボンダ部9によるワイヤボ
ンデイング作用に先立つて半導体装置11に対し
て測定部7を下動して各インナーリード3aの高
さを測定する。つまり、支持体12を下動してゆ
くことにより、支持体12に弾持した複数本のピ
ン13……は、相対するインナーリードの高さが
高いものから順にインナーリードに接触する。接
触したピンは、リード線15、ピン13、インナ
ーリード(リード)3a、コモン24にて閉回路
を形成して所定の信号を制御部8に出力するた
め、制御部8では経時的に変化する測定部7の下
動位置を順次記録してゆけば、その時々に入力さ
れる信号により回リード3aの高さ位置を夫々独
立に測定することができる。 Therefore, according to the wire bonding apparatus having the above configuration, the height of each inner lead 3a is measured by moving the measuring section 7 downward with respect to the semiconductor device 11 prior to the wire bonding action by the wire bonder section 9. That is, by moving the support body 12 downward, the plurality of pins 13 . The contacted pin forms a closed circuit with the lead wire 15, pin 13, inner lead (lead) 3a, and common 24 and outputs a predetermined signal to the control unit 8, so that the signal changes over time in the control unit 8. By sequentially recording the downward movement positions of the measuring section 7, the height positions of the rotary leads 3a can be measured independently based on the signals input from time to time.
このように各リード3aの高さ位置を測定して
これを制御部8に記憶しておき、次にワイヤボン
ダ部9によるワイヤボンデイング時には、ワイヤ
ボンデイングする夫々のリード3aの高さ位置に
応じて制御部8でZカム18の回転速度を制御す
る。即ち、第5図にウエツジ21のストローク特
性を示すように、リード高さが基準高さH0に比
較して低いときH1には、下動速度V1を若干高速
にしまたリード高さが高いときH2には低速にす
るのである。このように制御することにより、リ
ード高さの相違にかかわらずウエツジのリード接
触速度V2及び接触時期t0を一定に保ち安定したワ
イヤボンデイングを行なうことができる。したが
つて、ウエツジの下動特性に低速の余裕を設ける
必要はなく、その分ワイヤボンデイング時間の短
縮を図ることができるのであり、また、リードの
高さが高い場合にはウエツジとリードとの衝突を
防止してウエツジ先端やリードの破損を防止する
ことができるのである。 In this way, the height position of each lead 3a is measured and stored in the control unit 8, and then when wire bonding is performed by the wire bonder unit 9, control is performed according to the height position of each lead 3a to be wire bonded. Section 8 controls the rotational speed of Z cam 18. That is, as shown in FIG. 5, which shows the stroke characteristics of the wedge 21, when the lead height is lower than the reference height H 0 , the lowering speed V 1 is set slightly higher and the lead height is lower than the reference height H 1 . When it is high, the speed is reduced to H2 . By controlling in this manner, stable wire bonding can be performed by keeping the lead contact speed V 2 and the contact timing t 0 of the wedge constant regardless of the difference in lead height. Therefore, there is no need to provide a low-speed margin in the wedge's downward movement characteristics, which can reduce the wire bonding time. Also, when the lead height is high, the wedge and lead Collisions can be prevented and damage to the wedge tip and lead can be prevented.
以上のように本発明のワイヤボンデイング方法
及びその装置によれば、ワイヤボンデイングに先
立つて複数のリード高さを測定し、この測定値に
基づいて夫々対応するリードのワイヤボンデイン
グ時にツールの上下作動を適切に制御するように
しているので、各々のリードのワイヤボンデイン
グ作用を適切にかつ短時間で行なうことが可能と
なり、これにより半導体装置全体のワイヤボンデ
イングの信頼性を高めかつその高速化を達成する
ことができるという効果を奏する。 As described above, according to the wire bonding method and apparatus of the present invention, the heights of a plurality of leads are measured prior to wire bonding, and the vertical movement of the tool is performed during wire bonding of each corresponding lead based on the measured values. Since it is controlled appropriately, it is possible to perform the wire bonding action of each lead appropriately and in a short time, thereby increasing the reliability and speeding up the wire bonding of the entire semiconductor device. It has the effect of being able to
第1図は半導体装置の破断斜視図、第2図はそ
の一部の拡大断面図、第3図は本発明装置の全体
構成図、第4図は測定部の断面図、第5図は特性
図である。
1……素子ペレツト、2……セラミツクベー
ス、3……リードフレーム、3a……インナーリ
ード、4……ガラス、5……ワイヤ、7……(高
さ)測定部、8……制御部、9……ワイヤボンダ
部、11……半導体装置、12……支持体、13
……ピン、14……スプリング、18……Zカ
ム、19……ホーン、21……ウエツジ(ツー
ル)、22……ワイヤ、24……コモン。
Fig. 1 is a broken perspective view of the semiconductor device, Fig. 2 is an enlarged sectional view of a part thereof, Fig. 3 is an overall configuration diagram of the device of the present invention, Fig. 4 is a sectional view of the measuring section, and Fig. 5 is the characteristics. It is a diagram. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Element pellet, 2...Ceramic base, 3...Lead frame, 3a...Inner lead, 4...Glass, 5...Wire, 7...(Height) measurement unit, 8...Control unit, 9... Wire bonder part, 11... Semiconductor device, 12... Support body, 13
... Pin, 14 ... Spring, 18 ... Z cam, 19 ... Horn, 21 ... Wedge (tool), 22 ... Wire, 24 ... Common.
Claims (1)
ードにワイヤボンデイングを行なうに際し、各イ
ンナーリードに対応して設けた複数本の測定ピン
を有する高さ測定部にてワイヤボンデイングに先
立つて各インナーリードの高さ位置を測定すると
共に、この測定値を記憶する一方でこの記憶に基
づいてワイヤボンダ部におけるツール上下動機構
を制御し、これによりワイヤボンダのツール作動
特性を制御することを特徴とするワイヤボンデイ
ング方法。 2 ワイヤボンデイングを行なう半導体装置の
各々のリード高さを測定する測定部と、前記各々
のリードに対してツールを上下作動してワイヤを
ボンデイングするワイヤボンダ部と、前記測定部
のリード高さ測定信号に基づいて前記ワイヤボン
ダ部のツールの上下作動速度を制御する制御部と
を備えることを特徴とするワイヤボンデイング装
置。 3 測定部はリードに対応する複数本の導電性ピ
ンを互いに絶縁性を保つて上下動可能な支持体に
支持し、各ピンは下動されてリードと接触したと
きに測定信号を出力するようにしてなる特許請求
の範囲第2項記載のワイヤボンデイング装置。[Scope of Claims] 1. When wire bonding is performed on a plurality of inner leads whose heights vary, wire bonding is performed using a height measuring section having a plurality of measurement pins provided corresponding to each inner lead. The height position of each inner lead is measured in advance, and while this measurement value is stored, the tool vertical movement mechanism in the wire bonder section is controlled based on this memory, thereby controlling the tool operating characteristics of the wire bonder. Characteristic wire bonding method. 2. A measurement unit that measures the height of each lead of a semiconductor device to which wire bonding is performed, a wire bonder unit that moves a tool up and down to bond the wire to each of the leads, and a lead height measurement signal of the measurement unit. a control section that controls a vertical movement speed of a tool of the wire bonder section based on the above. 3 The measurement unit supports a plurality of conductive pins corresponding to the leads on a support that can be moved up and down while maintaining insulation from each other, and each pin outputs a measurement signal when it is moved down and comes into contact with the lead. A wire bonding apparatus according to claim 2, which comprises:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6176780A JPS56158441A (en) | 1980-05-12 | 1980-05-12 | Wire bonding and device thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6176780A JPS56158441A (en) | 1980-05-12 | 1980-05-12 | Wire bonding and device thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56158441A JPS56158441A (en) | 1981-12-07 |
| JPS6246979B2 true JPS6246979B2 (en) | 1987-10-06 |
Family
ID=13180592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6176780A Granted JPS56158441A (en) | 1980-05-12 | 1980-05-12 | Wire bonding and device thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56158441A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57183047A (en) * | 1981-05-07 | 1982-11-11 | Nec Corp | Method for wire bonding and device thereof |
-
1980
- 1980-05-12 JP JP6176780A patent/JPS56158441A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56158441A (en) | 1981-12-07 |
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