JPS6247945B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、シリコンを含有する堆積膜、とりわ
け光導電膜、半導体膜もしくは絶縁体膜として有
用なアモルフアスシリコン（以下、ａ―Siと略記
する）または多結晶シリコン等の堆積膜を形成す
るのに好適な堆積膜形成装置に関する。Detailed Description of the Invention [Industrial Application Field] The present invention relates to a deposited film containing silicon, particularly amorphous silicon (hereinafter abbreviated as a-Si) useful as a photoconductive film, a semiconductor film, or an insulating film. The present invention relates to a deposited film forming apparatus suitable for forming a deposited film of polycrystalline silicon or the like.
従来、例えばSiH4やSi2H6等の水素化ケイ素化
合物を原料として堆積膜を形成する方法として
は、グロー放電堆積法や熱エネルギー堆積法が知
られている。これら堆積法は、水素化ケイ素化合
物等を電気エネルギーや熱エネルギーを用いて励
起、分解し、支持体上にａ―Siの堆積膜を形成す
る方法である。このようにして得られた堆積膜は
種々の目的に利用されている。
Conventionally, glow discharge deposition and thermal energy deposition have been known as methods for forming deposited films using silicon hydride compounds such as SiH 4 and Si 2 H 6 as raw materials. These deposition methods are methods in which a silicon hydride compound or the like is excited and decomposed using electrical energy or thermal energy to form a deposited film of a-Si on a support. The deposited film thus obtained is used for various purposes.
しかし、グロー放電堆積法においては、高出力
下では堆積中のａ―Si膜への放電エネルギーの影
響が大きく、再現性のある安定した条件制御が困
難となる。特に、広面積、厚膜の堆積膜を形成す
る場合に、これが顕著である。 However, in the glow discharge deposition method, under high power, the influence of discharge energy on the a-Si film being deposited is large, making it difficult to control conditions reproducibly and stably. This is particularly noticeable when forming a thick deposited film over a wide area.
また、熱エネルギー堆積法においては、高温が
必要となることから、使用できる支持体が限定さ
れると共に、高温によりａ―Si膜中の有用な結合
水素原子が脱離する確率が増加し、所望の特性の
堆積膜が得にくい。 In addition, the thermal energy deposition method requires high temperatures, which limits the types of supports that can be used, and increases the probability that useful bonded hydrogen atoms in the a-Si film will be desorbed due to high temperatures. It is difficult to obtain a deposited film with these characteristics.
このように、グロー放電堆積法や熱エネルギー
堆積法により堆積膜を形成する場合には、均一な
電気的、光学的特性および品質の安定性の確保が
難しく、更には堆積中の膜表面の乱れあるいは堆
積膜内の欠陥が生じやすい等の問題点が残されて
いるのが現状である。 In this way, when forming a deposited film using glow discharge deposition or thermal energy deposition, it is difficult to ensure uniform electrical and optical properties and quality stability, and furthermore, the film surface is disturbed during deposition. At present, there still remain problems such as the tendency for defects to occur in the deposited film.
そこで近年、これらの問題点を解決すべく、光
エネルギーを利用したａ―Si堆積膜の堆積法（光
CVD法）が提案され、注目を集めている。この
光CVD法によると、ａ―Si堆積膜を低温で、か
つイオンフリーの反応で作製できる利点などによ
り、上記問題点を大幅に改善することができる。 Therefore, in recent years, in order to solve these problems, a deposition method of a-Si deposited film using optical energy (optical
CVD method) has been proposed and is attracting attention. According to this optical CVD method, the above-mentioned problems can be significantly improved due to the advantage that the a-Si deposited film can be produced at low temperature and by an ion-free reaction.
しかしながら、光CVD法においては、堆積膜
形成装置の光透過窓上にもａ―Si堆積膜が形成さ
れ、これが反応容器内への入射光の透過率を大き
く下げて、支持体上への堆積膜形成速度を低下さ
せるという新たな問題が生じている。
However, in the optical CVD method, an a-Si deposited film is also formed on the light transmitting window of the deposited film forming device, which greatly reduces the transmittance of incident light into the reaction vessel and prevents the deposition on the support. A new problem has arisen which is to reduce the rate of film formation.
この難点を回避するために、通常、光透過窓の
内面に真空ポンプ用の油を塗布する方法等が採用
されてきた。しかし、反応容器の内部に油などの
有機物を持ちこむとは、形成される堆積膜の内部
に油分子等の不純物を混入させることに繋がり、
光CVD法の特徴である膜の高品質性が損なわれ
るという問題点があつた。 In order to avoid this difficulty, a method of applying vacuum pump oil to the inner surface of the light-transmitting window has generally been adopted. However, bringing organic substances such as oil into the reaction vessel can lead to the introduction of impurities such as oil molecules into the deposited film that is formed.
There was a problem that the high quality of the film, which is a characteristic of the photo-CVD method, was impaired.
本発明は、光CVD法における上記の問題点を
解決すべくなされたものである。 The present invention has been made to solve the above-mentioned problems in the optical CVD method.
本発明の目的は、光透過窓上への堆積を防ぐこ
とによつて支持体上での膜堆積速度を一定に保ち
ながら高品質のシリコン膜を作製することのでき
る光CVD法用の堆積膜形成装置を提供すること
にある。 An object of the present invention is to provide a deposited film for optical CVD that can produce a high quality silicon film while keeping the film deposition rate constant on a support by preventing deposition on a light-transmitting window. An object of the present invention is to provide a forming device.
すなわち、本発明の堆積膜形成装置は、反応容
器と、該反応容器内に原料ガスを導入するための
手段と、該反応容器に配設された光透過窓を介し
て原料ガスに高エネルギー光を照射するための手
段とを備え、光化学反応を利用して該原料ガスを
分解し、該反応容器内に搬入された支持体上に堆
積膜を形成するための堆積膜形成装置に於いて、
光エネルギーの発生装置と、該光エネルギー発生
装置から放射される光を前記光透過窓上に集光す
るための光学系とが配設されてなることを特徴と
する。
That is, the deposited film forming apparatus of the present invention includes a reaction vessel, a means for introducing a raw material gas into the reaction vessel, and a high-energy light applied to the raw material gas through a light transmission window provided in the reaction vessel. In a deposited film forming apparatus for decomposing the source gas using a photochemical reaction and forming a deposited film on a support carried into the reaction vessel,
It is characterized by being provided with a light energy generating device and an optical system for condensing the light emitted from the light energy generating device onto the light transmission window.
以下、本発明の堆積膜形成装置につき一実施例
を示す第１図にしたがい詳細に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The deposited film forming apparatus of the present invention will be described in detail below with reference to FIG. 1 showing one embodiment.
本発明の堆積膜形成装置は、基本的には、反応
容器１と、原料ガスの導入手段と、高エネルギー
光発生装置１７と、光エネルギー発生装置２１
と、光学系２２とを備えて構成される。 The deposited film forming apparatus of the present invention basically includes a reaction vessel 1, a source gas introducing means, a high energy light generation device 17, and a light energy generation device 21.
and an optical system 22.
第１図においては、反応容器１には開閉可能な
隔壁１５で反応容器１と分離された前室１４が付
設されている。堆積膜をその上に形成する所望の
支持体３は、適当な手段を用いて前室１４を通つ
て反応容器１内の支持台２の上に搬入載置され
る。支持体３は、導電性、半導電性あるいは電気
絶縁性のいずれの支持体でもよく、例えば、電気
絶性の支持体としては、ポリエステル、ポリエチ
レン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ化ビ
ニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹
脂のフイルムまたはシート、ガラス、セラミツ
ク、紙などが通常使用される。また、支持体３に
は予め電極層、他のシリコン層等が積層されてい
てもよい。 In FIG. 1, the reaction container 1 is provided with a front chamber 14 separated from the reaction container 1 by a partition wall 15 that can be opened and closed. The desired support 3 on which the deposited film is to be formed is introduced and placed on the support 2 in the reaction vessel 1 through the antechamber 14 using suitable means. The support 3 may be any electrically conductive, semiconductive, or electrically insulating support. For example, electrically insulating supports include polyester, polyethylene, polycarbonate, cellulose acetate, polypropylene, polyvinyl chloride, and polyvinyl chloride. Films or sheets of synthetic resins such as vinylidene chloride, polystyrene, polyamide, glass, ceramics, paper, etc. are usually used. Moreover, an electrode layer, another silicon layer, etc. may be laminated on the support 3 in advance.
支持台２の下部には、支持体加熱用のヒーター
４が配設され、導線５を介して給電され、発熱す
る。本発明の装置を使用して堆積膜を形成する場
合の支持体の温度は特に制限されないが、好まし
くは50〜150℃、より好ましくは100〜150℃であ
る。 A heater 4 for heating the support is disposed at the lower part of the support base 2, and is supplied with electricity via a conductive wire 5 to generate heat. The temperature of the support when forming a deposited film using the apparatus of the present invention is not particularly limited, but is preferably 50 to 150°C, more preferably 100 to 150°C.
原料ガス供給源は６〜９で示され、水素化ケイ
素化合物のうち液状のものを使用する場合には、
適宜の気化装置を具備させる。気化装置には、加
熱沸騰を利用するタイプ、液体検量中にキヤリア
ガスを通過させるタイプ等があり、いずれでもよ
い。ガス供給源の個数は４個に限定されず、原料
ガスとして使用する水素化ケイ素化合物の種類、
あるいはハロゲンガス、キヤリアガス、希釈ガ
ス、触媒ガス等を使用する場合において、原料ガ
スである水素化ケイ素化合物との予備混合の有無
等に応じて適宜選択される。原料ガス供給源６〜
９の符号に、ａを付したのは分岐管、ｂを付した
のは流量計、ｃを付したのは各気体流の開閉及び
流量の調整をするためのバルブである。 The raw material gas supply sources are shown in 6 to 9, and when using liquid silicon hydride compounds,
Equip with appropriate vaporization equipment. The vaporizer may be of any type, such as a type that utilizes heating and boiling, or a type that allows a carrier gas to pass through during liquid measurement. The number of gas supply sources is not limited to four, and the type of silicon hydride compound used as the raw material gas,
Alternatively, in the case of using a halogen gas, carrier gas, diluent gas, catalyst gas, etc., it is selected as appropriate depending on whether or not it is premixed with the silicon hydride compound that is the raw material gas. Raw material gas supply source 6~
To the reference numeral 9, the suffix a indicates a branch pipe, the suffix b indicates a flow meter, and the suffix c indicates a valve for opening/closing each gas flow and adjusting the flow rate.
各ガス供給源から供給される原料ガス等は、ガ
ス導入管１０の途中で混合され、反応容器１内に
導入される。１１は、反応容器１内に導入される
ガスの圧力を計測するための圧力計である。ま
た、１２はガス排気管であり、バルブ１６または
１６′およびレギユレータバルブ１３を介して反
応容器１内あるいは前室１４内を減圧したり、導
入ガスを強制排気するための図示しない排気装置
と接続されている。 Raw material gases and the like supplied from each gas supply source are mixed in the middle of the gas introduction pipe 10 and introduced into the reaction vessel 1 . 11 is a pressure gauge for measuring the pressure of gas introduced into the reaction vessel 1. Further, 12 is a gas exhaust pipe, and an exhaust device (not shown) is used to reduce the pressure inside the reaction vessel 1 or the front chamber 14 through the valve 16 or 16' and the regulator valve 13, or to forcibly exhaust the introduced gas. is connected to.
本発明の堆積膜形成装置を使用して光CVD法
により堆積膜を形成する場合、反応容器１内は、
減圧下におかれるのが好ましいが、常圧下ないし
加圧下においても堆積膜を形成することができ
る。 When forming a deposited film by the optical CVD method using the deposited film forming apparatus of the present invention, the inside of the reaction vessel 1 is
Although it is preferable to use the method under reduced pressure, the deposited film can also be formed under normal pressure or increased pressure.
減圧下で光CVD法により堆積膜を形成する場
合には、原料ガス等を導入する前に、反応容器１
内を排気し、反応容器１内の気圧は、好ましくは
５×10-5Torr以下、より好ましくは１×
10-6Torr以下とされる。また原料ガス等を導入
したときの反応容器１内の圧力は、好ましくは１
×10-2〜100Torr、より好ましくは１×10-2〜
1Torrである。 When forming a deposited film by optical CVD under reduced pressure, the reaction vessel 1 must be
The inside of the reaction vessel 1 is evacuated, and the atmospheric pressure inside the reaction vessel 1 is preferably 5×10 -5 Torr or less, more preferably 1×
It is assumed to be below 10 -6 Torr. Further, the pressure inside the reaction vessel 1 when the raw material gas etc. is introduced is preferably 1
×10 -2 ~100Torr, more preferably 1×10 -2 ~
It is 1 Torr.
高エネルギー光発生装置１７としては、例えば
水銀ランプ、キセノランプ、炭酸ガスレーザー、
アルゴンイオンレーザー、窒素レーザー、エキシ
マレーザー等が用いられる。なお、本発明で用い
る光エネルギーは、紫外線に限定されるものでは
なく、原料ガスを励起、分解させ、分解生成物を
支持体上に堆積させることができるものであれ
ば、波長域を問うものではない。また、光エネル
ギーが原料ガスまたは支持体に吸収されて熱エネ
ルギーに変換し、その熱エネルギーによつて、原
料ガスが励起、分解されて堆積膜が形成される場
合を排除するものでもない。高エネルギー光発生
装置１７から支持体３に向けられた光１８は、反
応容器１に配設された光透過窓１９を介して、矢
印２０の向きに流れている原料ガス等に照射さ
れ、原料ガス等を励起、分解し、支持体３上の全
面または所望部分にａ―Siの堆積膜を形成する。
高エネルギー光発生装置１７に適当な光学系を付
設すれば、支持体３の全面に照射して堆積膜を形
成することができるし、あるいは所望部分のみに
選択的制御的に照射して部分的に堆積膜を形成す
ることもできる。また光CVD法は、レジスト等
を使用して所定の図形部分のみに照射し堆積膜を
形成できるなどの便利さをも有している。 Examples of the high-energy light generator 17 include a mercury lamp, a xeno lamp, a carbon dioxide laser,
Argon ion laser, nitrogen laser, excimer laser, etc. are used. Note that the light energy used in the present invention is not limited to ultraviolet rays, and any wavelength range may be used as long as it can excite and decompose the raw material gas and deposit the decomposition products on the support. isn't it. Further, the present invention does not exclude the case where light energy is absorbed by the source gas or the support and converted into thermal energy, and the source gas is excited and decomposed by the thermal energy to form a deposited film. The light 18 directed from the high-energy light generator 17 to the support 3 is irradiated onto the raw material gas etc. flowing in the direction of the arrow 20 through the light transmission window 19 provided in the reaction vessel 1. A deposited film of a-Si is formed on the entire surface or a desired portion of the support 3 by exciting and decomposing the gas.
If a suitable optical system is attached to the high-energy light generating device 17, it is possible to irradiate the entire surface of the support 3 to form a deposited film, or selectively control and irradiate only the desired portion to form a partial film. A deposited film can also be formed. The optical CVD method also has the convenience of being able to form a deposited film by irradiating only a predetermined graphical area using a resist or the like.
反応容器１内に導入する原料ガスとしての水素
ケイ素化合物を励起、分解し、ａ―Si堆積膜を形
成するにあたり、反応容器１内に気体状態の水
素、ハロゲン化合物（例えば、F2ガス、Cl2ガ
ス、ガス化したBr2、I2等）を導入することが望
ましい。これらを導入することにより、Si、Ｈ、
ハロゲン原子間でラジカル生成反応が起こり、堆
積膜形成が促進されたり、また、形成される堆積
膜中にハロゲン原子が取り込まれて、構造の欠陥
を減らし、またSiのダングリングボンドと結合す
るターミネータとしても働き、良質なシリコン膜
を形成することが期待される。導入されるハロゲ
ンは予めラジカル化しておいてもよい。また、水
素化ケイ素化合物は、２種類以上併用してもよい
が、この場合、各化合物によつて期待される膜特
性を平均化した程度の特性、ないしは相乗的に改
良された特性が得られる。 When a hydrogen-silicon compound as a raw material gas introduced into the reaction vessel 1 is excited and decomposed to form an a-Si deposited film, gaseous hydrogen and halogen compounds (for example, F 2 gas, Cl 2 gas, gasified Br 2 , I 2 , etc.) is preferably introduced. By introducing these, Si, H,
A radical generation reaction occurs between halogen atoms, promoting the formation of a deposited film, and halogen atoms are incorporated into the formed deposited film, reducing structural defects, and forming a terminator that combines with dangling bonds of Si. It is expected that it will act as a double layer and form a high-quality silicon film. The halogen to be introduced may be radicalized in advance. In addition, two or more types of silicon hydride compounds may be used in combination, but in this case, properties that are equivalent to the average of the film properties expected by each compound, or properties that are synergistically improved can be obtained. .
このようにして支持体３上に所望のａ―Si堆積
膜を形成するが、既述したように、堆積の途中で
光透過窓１９の反応室内壁面にも支持体３の表面
と同様のａ―Si堆積膜が堆積し、これが光透過窓
１９の光１８の透過率を下げ、支持体３上への堆
積膜形成速度を低下させる。そこで、本発明の堆
積膜形成装置に於いては、光エネルギー発生装置
２１と該装置２１から放射される光ビーム２３が
光透過窓１９上、好ましくは該窓１９の反応室内
壁面上で焦点を結ぶように作用する光学系２２
（例えば、レンズ）が配設されている。光エネル
ギー発生装置２１としては、水銀ランプ、キセノ
ランプ、炭酸ガスレーザー、アルゴンイオンレー
ザー、窒素レーザー、エキシマレーザー等が用い
られる。なお、図には示してないが、光学系２２
は、光ビーム２３を光透過窓１９の面に沿つて全
体を走査するように構成されている。この光ビー
ム２３は、光透過窓１９の内壁面に堆積した膜を
光エネルギーによつて分解し、光１８の透過率を
一定に保つ働きをする。光ビーム２３は、光学系
２２により光透過窓１９上で焦点を結ぶようにさ
れているため、支持体３上に堆積されつつあるａ
―Si堆積膜に対しては、殆ど影響を及ぼさない。 In this way, a desired a-Si deposited film is formed on the support 3, but as mentioned above, during the deposition, the same a-Si deposited film as on the surface of the support 3 is also deposited on the wall surface of the reaction chamber of the light transmission window 19. - A Si deposited film is deposited, which reduces the transmittance of the light 18 through the light transmission window 19 and reduces the rate of formation of the deposited film on the support 3. Therefore, in the deposited film forming apparatus of the present invention, the optical energy generating device 21 and the light beam 23 emitted from the device 21 are focused on the light transmitting window 19, preferably on the wall surface of the reaction chamber of the window 19. Optical system 22 that acts to tie
(for example, a lens). As the optical energy generator 21, a mercury lamp, a xeno lamp, a carbon dioxide laser, an argon ion laser, a nitrogen laser, an excimer laser, etc. are used. Although not shown in the figure, the optical system 22
is configured to scan the entire light beam 23 along the surface of the light transmission window 19. This light beam 23 serves to decompose the film deposited on the inner wall surface of the light transmitting window 19 using light energy, thereby keeping the transmittance of the light 18 constant. The light beam 23 is focused by the optical system 22 on the light transmission window 19, so that the a
-Has almost no effect on Si deposited film.
本発明の堆積膜形成装置を用いて支持体３上に
堆積膜を形成するに際しては、光エネルギー発生
装置１７を作動させて支持体３上に堆積膜を形成
させながら、同時に光エネルギー発生装置２１及
びその走査光学系を作動させて、光透過窓１９へ
の膜堆積を防ぐのが一つの方法である。 When forming a deposited film on the support 3 using the deposited film forming apparatus of the present invention, the optical energy generator 17 is operated to form the deposited film on the support 3, and at the same time the optical energy generator 21 is activated. One method is to prevent film deposition on the light transmission window 19 by operating the scanning optical system.
一方、はじめに光エネルギー発生装置１７を作
動させて、支持体３上に堆積膜を形成し、光透過
窓１９への膜堆積が顕著になつてきた時点で、一
旦、支持体３を前室１４に退避させ、光エネルギ
ー発生装置２１およびその走査光学系２２を作動
させて光透過窓１９上の堆積膜を分解し、その後
で再び支持体３を反応容器に移動させ、堆積膜の
形成を行なうこともできる。 On the other hand, first, the optical energy generator 17 is activated to form a deposited film on the support 3, and when the film becomes noticeably deposited on the light transmission window 19, the support 3 is temporarily moved to the front chamber 14. is evacuated to the reactor, the optical energy generating device 21 and its scanning optical system 22 are activated to decompose the deposited film on the light transmission window 19, and then the support 3 is moved to the reaction vessel again to form the deposited film. You can also do that.
なお、ここに示した実施例は本発明の構成を示
した一例にすぎず、例えば支持体３が垂直に立て
らて、横から水平に光１８が照射される態様であ
るとか、光ビーム２３が光透過窓１９に対して垂
直に照射する態様などが、本発明に含まれること
は言うまでもない。 The embodiment shown here is only an example of the configuration of the present invention, and for example, the support 3 is vertically erected and the light 18 is irradiated horizontally from the side, or the light beam 23 is irradiated horizontally from the side. It goes without saying that the present invention includes a mode in which the light is irradiated perpendicularly to the light transmitting window 19.
以下、第１図に示す本発明の装置を用いてａ―
Si膜を堆積する方法を詳細に説明するが、本発明
はこれ等に限定されるものではない。 Hereinafter, using the apparatus of the present invention shown in FIG.
Although the method of depositing a Si film will be described in detail, the present invention is not limited thereto.
まず、第１図に示す装置の反応容器１内にガラ
ス基体を設置し、１×10-6Torrの減圧状態とし
た後、原料ガスとしてSi2H6ガスを、100SCCMの
流量で導入して0.5Torrの圧力状態とし、基体温
度を120℃に保ち、低圧水銀ランプ１７
（15mW／cm2）を用いて照射した。それと同様に
光エネルギー発生装置２１であるKrFエキシマレ
ーザー（平均パワー5W）によるレーザーを光透
過窓１９上で焦点を結ぶように、光学系２２とし
て石英のシリンドリカル凸レンズを用いて集光
し、かつ光透過窓１９の３cm×３cmの領域を３cm
巾のスリツトビームで毎回１分の速度で往復走査
した。３時間の堆積時間後、作成された約１μｍ
の膜を取り出して光学特性を測定した結果、光導
電率は10-5（Ω・cm）-1（AM−１照射下）、暗導
電率は10-10（Ω・cm）-1、ESRによるスピン密
度は1016spin／cm3である良好なａ―Si堆積膜が得
られた。また、光透過窓１９への膜の堆積は全く
なかつた。 First, a glass substrate was placed in the reaction vessel 1 of the apparatus shown in Fig. 1, and the pressure was reduced to 1 × 10 -6 Torr, and then Si 2 H 6 gas was introduced as a raw material gas at a flow rate of 100 SCCM. The pressure was 0.5 Torr, the substrate temperature was kept at 120℃, and a low-pressure mercury lamp 17 was used.
(15 mW/cm 2 ). Similarly, a quartz cylindrical convex lens is used as the optical system 22 to condense the laser generated by the KrF excimer laser (average power 5W), which is the optical energy generator 21, on the light transmission window 19, and The 3cm x 3cm area of the transparent window 19 is 3cm
A wide slit beam was scanned back and forth at a speed of 1 minute each time. After 3 hours of deposition time, approximately 1 μm created
As a result of taking out the film and measuring its optical properties, the photoconductivity was 10 -5 (Ωcm) -1 (under AM-1 irradiation), the dark conductivity was 10 -10 (Ωcm) -1 , and the ESR. A good a-Si deposited film with a spin density of 10 16 spin/cm 3 was obtained. Further, no film was deposited on the light transmission window 19 at all.
一方、光エネルギー発生装置２１と光学系２２
を用いない以外は上述の方法と同様にしてａ―Si
膜を堆積したところ、堆積開始後約10分程度で光
透過窓１９にSi膜が堆積し始めて、約20分程度で
堆積に十分な光が得られなくなり、３時間後でも
約5000Åの膜厚しか得られなかつた。また、その
堆積膜の光導電率も上述のものよりも１ケタ半悪
かつた。 On the other hand, the optical energy generator 21 and the optical system 22
a-Si
When the film was deposited, the Si film started to accumulate on the light transmission window 19 about 10 minutes after the start of deposition, and after about 20 minutes, sufficient light could not be obtained for the deposition, and even after 3 hours, the film thickness was about 5000 Å. All I could get was that. The photoconductivity of the deposited film was also one and a half orders of magnitude worse than that described above.
以上、説明したように、本発明の堆積膜形成装
置は、光エネルギーを用いて、光透過窓上への膜
堆積を防ぐことによつて、支持体上への膜堆積速
度を一に保ちながら高品質のａ―Si堆積膜を作製
することができる。
As explained above, the deposited film forming apparatus of the present invention uses optical energy to prevent film deposition on the light transmission window, thereby maintaining the same film deposition rate on the support. A high quality a-Si deposited film can be produced.
第１図は、本発明の堆積膜形成装置の一例を示
した模式図である。
１…反応容器、２…支持体支持台、３…支持
体、４…ヒーター、５…導線、６〜９…ガス供給
源、１０…ガス導入管、１１…圧力計、１２…ガ
ス排気管、１３…レギユレーターバルブ、１４…
前室、１５…隔壁、１６…バルブ、１７…高エネ
ルギー光発生装置、１８…光、１９…光透過窓、
２０…原料ガスの流れ、２１…光エネルギー発生
装置、２２…光学系、２３…光ビーム。
FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of a deposited film forming apparatus of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Reaction container, 2... Support body support stand, 3... Support body, 4... Heater, 5... Leading wire, 6-9... Gas supply source, 10... Gas introduction pipe, 11... Pressure gauge, 12... Gas exhaust pipe, 13...Regulator valve, 14...
Front chamber, 15... Partition wall, 16... Bulb, 17... High energy light generator, 18... Light, 19... Light transmission window,
20... Flow of source gas, 21... Optical energy generator, 22... Optical system, 23... Light beam.
Claims (1)
するための手段と、該反応容器に配設された光透
過窓を介して原料ガスに高エネルギー光を照射す
るための手段とを備え、光化学反応を利用して該
原料ガスを分解し、該反応容器内に搬入された支
持体上に堆積膜を形成するための堆積膜形成装置
に於いて、光エネルギーの発生装置と、該光エネ
ルギー発生装置から放射される光を前記光透過窓
上に集光するための光学系とが配設されてなるこ
とを特徴とする堆積膜形成装置。 ２ 前記光学系が、光エネルギーの発生装置から
放射され前記光透過窓上に集光した光を該光透過
窓上を走査するよう機能するものである特許請求
の範囲第１項記載の堆積膜形成装置。[Scope of Claims] 1. A reaction vessel, a means for introducing a raw material gas into the reaction vessel, and a means for irradiating the raw material gas with high-energy light through a light transmission window provided in the reaction vessel. In a deposited film forming apparatus for decomposing the raw material gas using a photochemical reaction and forming a deposited film on a support carried into the reaction vessel, the apparatus comprises: a means for generating optical energy; What is claimed is: 1. A deposited film forming apparatus comprising: a deposited film forming apparatus; and an optical system for condensing light emitted from the optical energy generating apparatus onto the light transmitting window. 2. The deposited film according to claim 1, wherein the optical system functions to scan light emitted from a light energy generator and focused on the light transmission window over the light transmission window. Forming device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60009236A JPS61170572A (en) | 1985-01-23 | 1985-01-23 | Deposited film forming device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60009236A JPS61170572A (en) | 1985-01-23 | 1985-01-23 | Deposited film forming device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61170572A JPS61170572A (en) | 1986-08-01 |
| JPS6247945B2 true JPS6247945B2 (en) | 1987-10-12 |
Family
ID=11714763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60009236A Granted JPS61170572A (en) | 1985-01-23 | 1985-01-23 | Deposited film forming device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61170572A (en) |
-
1985
- 1985-01-23 JP JP60009236A patent/JPS61170572A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61170572A (en) | 1986-08-01 |
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