JPS6248882B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6248882B2 JPS6248882B2 JP53129241A JP12924178A JPS6248882B2 JP S6248882 B2 JPS6248882 B2 JP S6248882B2 JP 53129241 A JP53129241 A JP 53129241A JP 12924178 A JP12924178 A JP 12924178A JP S6248882 B2 JPS6248882 B2 JP S6248882B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- excitation coil
- magnetizing
- capacitor
- switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は着磁精度と安定性が要求される永久磁
石を着磁する装置に関する。
石を着磁する装置に関する。
適正強度に着磁された永久磁石は、磁気バブル
チツプや磁気抵抗効果素子のバイアス磁界供給手
段に用いられる。例えば磁気バブルチツプにおい
てはその正常な記憶動作のためには適正なバイア
ス磁界が必要であり、そのバイアス磁界を所定の
値に設定しないと磁気バブルチツプの記憶動作マ
ージン巾が狭くなる。
チツプや磁気抵抗効果素子のバイアス磁界供給手
段に用いられる。例えば磁気バブルチツプにおい
てはその正常な記憶動作のためには適正なバイア
ス磁界が必要であり、そのバイアス磁界を所定の
値に設定しないと磁気バブルチツプの記憶動作マ
ージン巾が狭くなる。
また磁気抵抗効果素子を用いて、磁気記録媒体
に記録されている情報をその極性を識別して読み
出すためには、磁気抵抗効果素子にバイアス磁界
を印加しておく必要がある。バイアス磁界の強さ
は、磁気抵抗効果素子内の磁化の方向がその容易
軸方向から丁度45度傾くような強さに設定される
ことが望ましく、それから外れるに従つて入力信
号に対し対称性の良い出力波形の得られる範囲が
狭くなる。
に記録されている情報をその極性を識別して読み
出すためには、磁気抵抗効果素子にバイアス磁界
を印加しておく必要がある。バイアス磁界の強さ
は、磁気抵抗効果素子内の磁化の方向がその容易
軸方向から丁度45度傾くような強さに設定される
ことが望ましく、それから外れるに従つて入力信
号に対し対称性の良い出力波形の得られる範囲が
狭くなる。
このようにバイアス磁界印加手段として永久磁
石を用いる場合には、その着磁強度の精度ととも
に、外部磁界に対し安定であることも要求され
る。
石を用いる場合には、その着磁強度の精度ととも
に、外部磁界に対し安定であることも要求され
る。
従来のこの種の着磁装置としては、磁気バブル
モジユールの着磁に用いられたもので、磁気シー
ルドケース内に収められた永久磁石を一旦直流電
磁石下で飽和着磁した後、電磁石の供給する電流
の方向を反転して永久磁石を減磁し、モジユール
内のバイアス磁界を規定値に設定し、その後で永
久磁石の磁化の安定化のために交番磁界を加える
ように構成したものが知られている。これは、た
とえば、1976年11月発行のアイ・イー・イー・イ
ートランザクシヨンズ オン マグネテイツクス
（IEEETransactions on Magnetics）第12巻、第
６号、645頁〜647頁に記載されている。
モジユールの着磁に用いられたもので、磁気シー
ルドケース内に収められた永久磁石を一旦直流電
磁石下で飽和着磁した後、電磁石の供給する電流
の方向を反転して永久磁石を減磁し、モジユール
内のバイアス磁界を規定値に設定し、その後で永
久磁石の磁化の安定化のために交番磁界を加える
ように構成したものが知られている。これは、た
とえば、1976年11月発行のアイ・イー・イー・イ
ートランザクシヨンズ オン マグネテイツクス
（IEEETransactions on Magnetics）第12巻、第
６号、645頁〜647頁に記載されている。
ところが、かかる装置による磁気バブルモジユ
ールの着磁では、飽和着磁に必要な磁界がほぼ
10KOe 減磁磁界がほぼ数KOeいるのに対し、交
番磁界が高々数百Ｏeにしかならないため、磁気
バブルモジユールは外部からの妨害磁界に対して
弱いばかりでなく、希望するバイアス磁界値への
減磁磁界による設定値が交番磁界の印加によりず
れてしまうため、設定精度が悪い欠点があつた。
ールの着磁では、飽和着磁に必要な磁界がほぼ
10KOe 減磁磁界がほぼ数KOeいるのに対し、交
番磁界が高々数百Ｏeにしかならないため、磁気
バブルモジユールは外部からの妨害磁界に対して
弱いばかりでなく、希望するバイアス磁界値への
減磁磁界による設定値が交番磁界の印加によりず
れてしまうため、設定精度が悪い欠点があつた。
本発明による着磁装置は、飽和着磁後に交番磁
界を用いる減磁を可能にすることを特徴とし、そ
の第１の目的は、磁気バブルモジユール等のバイ
アス磁界設定にさいし、高い設定精度の得られる
着磁装置を提供することにある。また、第２の目
的はモジユールの外部妨害磁界に対する安定度を
強化するような着磁のできる着磁装置を提供する
ことにある。
界を用いる減磁を可能にすることを特徴とし、そ
の第１の目的は、磁気バブルモジユール等のバイ
アス磁界設定にさいし、高い設定精度の得られる
着磁装置を提供することにある。また、第２の目
的はモジユールの外部妨害磁界に対する安定度を
強化するような着磁のできる着磁装置を提供する
ことにある。
以下図面について本発明を詳細に説明する。
第１図は本発明の着磁装置の一実施例であつて
１０は電圧値可変の直流電源、２０，３０，４０
はスイツチ、３１はダイオード、５０はコンデン
サ、６０は励磁コイル、７０は磁化ヨーク、８０
は磁気バブルモジユールで、スイツチ４０から左
側の回路が励磁器を構成する。これを動作するに
は、先ず、第２図Ａのごとく、スイツチ２０を閉
じ、コンデンサ５０を直流電源１０の電圧値にほ
ぼ等しく充電しておく。次に、スイツチ２０を開
きスイツチ４０を閉じて、励磁コイル６０にコン
デンサ５０の電荷を放電させる。この時励磁コイ
ル６０に流れる電流の波形は、ダイオード３１に
つながつたスイツチ０の開閉によつて２通りに切
換えられる。
１０は電圧値可変の直流電源、２０，３０，４０
はスイツチ、３１はダイオード、５０はコンデン
サ、６０は励磁コイル、７０は磁化ヨーク、８０
は磁気バブルモジユールで、スイツチ４０から左
側の回路が励磁器を構成する。これを動作するに
は、先ず、第２図Ａのごとく、スイツチ２０を閉
じ、コンデンサ５０を直流電源１０の電圧値にほ
ぼ等しく充電しておく。次に、スイツチ２０を開
きスイツチ４０を閉じて、励磁コイル６０にコン
デンサ５０の電荷を放電させる。この時励磁コイ
ル６０に流れる電流の波形は、ダイオード３１に
つながつたスイツチ０の開閉によつて２通りに切
換えられる。
すなわちスイツチ３０を閉じると、第２図Ｂに
示すようにコンデンサ５０に２個の並列回路、す
なわち励磁コイル６０およびダイオード３１とス
イツチ３０との直列回路が接続される。したがつ
て、先ずコンデンサ５０の電荷が放電すると励磁
コイルに矢印９０の方向に電流が流れる。その結
果コンデンサ５０には以前と逆極性の電荷が蓄積
される。この電荷はスイツチ３０とダイオード３
１からなる抵抗性負荷を通して放電され、矢印９
１の方向に電流が流れる。このようにして、励磁
コイル６０には単極性の電流のみが流れ、磁気バ
ブルモジユール８０には飽和着磁用単極性磁界１
００が供給される。
示すようにコンデンサ５０に２個の並列回路、す
なわち励磁コイル６０およびダイオード３１とス
イツチ３０との直列回路が接続される。したがつ
て、先ずコンデンサ５０の電荷が放電すると励磁
コイルに矢印９０の方向に電流が流れる。その結
果コンデンサ５０には以前と逆極性の電荷が蓄積
される。この電荷はスイツチ３０とダイオード３
１からなる抵抗性負荷を通して放電され、矢印９
１の方向に電流が流れる。このようにして、励磁
コイル６０には単極性の電流のみが流れ、磁気バ
ブルモジユール８０には飽和着磁用単極性磁界１
００が供給される。
一方スイツチ３０の開いている時は、第２図Ｃ
に示すようにコンデンサ５０と励磁コイル６０よ
り成るLC並列共振回路が構成され、コンデンサ
５０に充電されていた電荷が共振回路内を往復す
る。この結果励磁コイル６０には減衰性交番電流
が流れ、磁気バブルモジユール８０に磁気ヨーク
７０を介して、減磁用減衰交番磁界１０１を発生
できる。このようにして発生する励磁コイル６０
を流れる電流の振巾は直流電源１０の電圧値を変
化させてコンデンサ５０への充電電圧を変えるこ
とにより任意に選ぶことができる。
に示すようにコンデンサ５０と励磁コイル６０よ
り成るLC並列共振回路が構成され、コンデンサ
５０に充電されていた電荷が共振回路内を往復す
る。この結果励磁コイル６０には減衰性交番電流
が流れ、磁気バブルモジユール８０に磁気ヨーク
７０を介して、減磁用減衰交番磁界１０１を発生
できる。このようにして発生する励磁コイル６０
を流れる電流の振巾は直流電源１０の電圧値を変
化させてコンデンサ５０への充電電圧を変えるこ
とにより任意に選ぶことができる。
第３図は、第２図に示した着磁装置における磁
気バブルモジユールの着磁操作に必要な励磁コイ
ルへの電流パターンである。単極性励磁コイル電
流３００は第２図ＡとＢ図で示される動作で与え
られ、その振巾はＩMAGである。これは磁界に換
算して振巾10KOe以上の磁界を磁気バブルモジユ
ールに与え、モジユール内の永久磁石を完全に一
方向に飽和着磁する。次いで、前述の第２図Ａと
Ｃで示される動作を行なうことにより、減衰性の
交番励磁コイル電流３１０を与えるようにすれ
ば、その第２ピーク値ＩDEMの値に対応して磁気
バブルモジユール内の永久磁石が飽和状態から減
磁される。このＩDEMの値は数KOeの減磁磁界を
磁化ヨークに発生する。励磁コイルへの電流の振
巾ＩMAGとＩDEMは直流電源１０の電圧値を変化さ
せることにより設定できる。
気バブルモジユールの着磁操作に必要な励磁コイ
ルへの電流パターンである。単極性励磁コイル電
流３００は第２図ＡとＢ図で示される動作で与え
られ、その振巾はＩMAGである。これは磁界に換
算して振巾10KOe以上の磁界を磁気バブルモジユ
ールに与え、モジユール内の永久磁石を完全に一
方向に飽和着磁する。次いで、前述の第２図Ａと
Ｃで示される動作を行なうことにより、減衰性の
交番励磁コイル電流３１０を与えるようにすれ
ば、その第２ピーク値ＩDEMの値に対応して磁気
バブルモジユール内の永久磁石が飽和状態から減
磁される。このＩDEMの値は数KOeの減磁磁界を
磁化ヨークに発生する。励磁コイルへの電流の振
巾ＩMAGとＩDEMは直流電源１０の電圧値を変化さ
せることにより設定できる。
第４図はこの減磁動作の特性を示したものであ
る。磁気バブルモジユール内に発生するバイアス
磁界ＨBは、飽和着磁直後は０点に対応する値を
示すが、第２ピーク値ＩDEM1の減衰性交番電流を
与えることによりＨB1に正確に設定できることを
示す。ＨBとＩDEMの関係はほぼリニアであり、
0.5Oe以下のバイアス磁界設立精度が容易に得ら
れる。しかも飽和着磁後の一度の減衰性交番磁界
での減磁によりバイアス磁界を設立できる点は従
来にない利点である。さらにまた、この減磁操作
によれば、ＩDEM1で設定されたバイアス磁界値Ｈ
B1は、ＩDEM1に対応する磁界より小さな外部磁界
の妨害を受けても何ら変動しない点は利点であ
り、磁気バブルモジユールには数KOeという妨害
磁界を許容できるようになつた。
る。磁気バブルモジユール内に発生するバイアス
磁界ＨBは、飽和着磁直後は０点に対応する値を
示すが、第２ピーク値ＩDEM1の減衰性交番電流を
与えることによりＨB1に正確に設定できることを
示す。ＨBとＩDEMの関係はほぼリニアであり、
0.5Oe以下のバイアス磁界設立精度が容易に得ら
れる。しかも飽和着磁後の一度の減衰性交番磁界
での減磁によりバイアス磁界を設立できる点は従
来にない利点である。さらにまた、この減磁操作
によれば、ＩDEM1で設定されたバイアス磁界値Ｈ
B1は、ＩDEM1に対応する磁界より小さな外部磁界
の妨害を受けても何ら変動しない点は利点であ
り、磁気バブルモジユールには数KOeという妨害
磁界を許容できるようになつた。
以上に磁気バブルモジユールを着磁する場合を
例にして具体的に説明したが、被着磁物は他に磁
気抵抗素子用永久磁石でも、その他のものでも全
く同じである。
例にして具体的に説明したが、被着磁物は他に磁
気抵抗素子用永久磁石でも、その他のものでも全
く同じである。
以上説明したように、本発明の着磁装置によれ
ば、従来装置の欠点である着磁設定精度の悪さお
よび妨害磁界に対する弱さ等の問題を容易に解決
した装置を提供できる。
ば、従来装置の欠点である着磁設定精度の悪さお
よび妨害磁界に対する弱さ等の問題を容易に解決
した装置を提供できる。
なお、実施例に示した装置の回路構成は単なる
一例として挙げたにすぎずスイツチとして半導体
を使用してもよく、また電源として複数個使用す
るようにしてもよく、さらにまた、スイツチ４０
を励磁コイル電流の極性により切換えるような変
形をしてもよいし、また、交番励磁コイル電流３
１０を第１ピークを省いた波形に変形してもよ
い。また、第１図の各電流回路には、抵抗などの
回路素子や寄性的な回路素子が挿入されることが
あるが、簡略化されて示されていない。
一例として挙げたにすぎずスイツチとして半導体
を使用してもよく、また電源として複数個使用す
るようにしてもよく、さらにまた、スイツチ４０
を励磁コイル電流の極性により切換えるような変
形をしてもよいし、また、交番励磁コイル電流３
１０を第１ピークを省いた波形に変形してもよ
い。また、第１図の各電流回路には、抵抗などの
回路素子や寄性的な回路素子が挿入されることが
あるが、簡略化されて示されていない。
第１図は本発明の着磁装置の構成を示す回路
図、第２図は本発明の装置の動作を説明する回路
図でＡはコンデンサを充電する状態、Ｂは励磁コ
イルに単極性電流を流す状態、Ｃは励磁コイルに
減衰性交番電流を流す状態を示している。第３図
は本発明の着磁装置の励磁コイル電流波形、第４
図は本発明で使用される減磁曲線を示す図であ
る。なお、図において、１０は直流電源、２０，
３０，４０はスイツチ、３１はダイオード、５０
はコンデンサ、６０は励磁コイル、７０は磁化ヨ
ーク、８０は被着磁物としての磁気バブルモジユ
ール、９０，９１は電流の方向、１００，１０１
は磁化ヨークで発生し磁気バブルモジユールに加
わる磁界、３００，３１０は励磁コイル電流波形
である。
図、第２図は本発明の装置の動作を説明する回路
図でＡはコンデンサを充電する状態、Ｂは励磁コ
イルに単極性電流を流す状態、Ｃは励磁コイルに
減衰性交番電流を流す状態を示している。第３図
は本発明の着磁装置の励磁コイル電流波形、第４
図は本発明で使用される減磁曲線を示す図であ
る。なお、図において、１０は直流電源、２０，
３０，４０はスイツチ、３１はダイオード、５０
はコンデンサ、６０は励磁コイル、７０は磁化ヨ
ーク、８０は被着磁物としての磁気バブルモジユ
ール、９０，９１は電流の方向、１００，１０１
は磁化ヨークで発生し磁気バブルモジユールに加
わる磁界、３００，３１０は励磁コイル電流波形
である。
Claims (1)
- １ 被着磁永久磁石に均一な磁界を供給する励磁
コイルつき磁化ヨークと、前記磁化ヨークの励磁
コイルに並列に、第１のスイツチを介して接続し
たコンデンサと、前記コンデンサに並列に接続し
たダイオードと第２のスイツチから成る回路と、
前記コンデンサに並列に第３のスイツチを介して
接続した直流電源とで構成されたことを特徴とす
る着磁装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12924178A JPS5556606A (en) | 1978-10-20 | 1978-10-20 | Magnetizing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12924178A JPS5556606A (en) | 1978-10-20 | 1978-10-20 | Magnetizing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5556606A JPS5556606A (en) | 1980-04-25 |
| JPS6248882B2 true JPS6248882B2 (ja) | 1987-10-16 |
Family
ID=15004672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12924178A Granted JPS5556606A (en) | 1978-10-20 | 1978-10-20 | Magnetizing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5556606A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3572877A1 (en) | 2018-05-25 | 2019-11-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Onium salt, chemically amplified positive resist composition, and resist pattern forming process |
| KR20190134516A (ko) | 2018-05-25 | 2019-12-04 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭 네거티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4959964A (ja) * | 1972-10-14 | 1974-06-11 |
-
1978
- 1978-10-20 JP JP12924178A patent/JPS5556606A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3572877A1 (en) | 2018-05-25 | 2019-11-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Onium salt, chemically amplified positive resist composition, and resist pattern forming process |
| KR20190134536A (ko) | 2018-05-25 | 2019-12-04 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 오늄염, 화학 증폭 포지티브형 레지스트 조성물, 및 레지스트 패턴 형성 방법 |
| KR20190134516A (ko) | 2018-05-25 | 2019-12-04 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭 네거티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 |
| EP3579050A1 (en) | 2018-05-25 | 2019-12-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Chemically amplified negative resist composition and resist pattern forming process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5556606A (en) | 1980-04-25 |
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