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JPS6249715B2 - - Google Patents
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JPS6249715B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6249715B2
JPS6249715B2 JP57148003A JP14800382A JPS6249715B2 JP S6249715 B2 JPS6249715 B2 JP S6249715B2 JP 57148003 A JP57148003 A JP 57148003A JP 14800382 A JP14800382 A JP 14800382A JP S6249715 B2 JPS6249715 B2 JP S6249715B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
groove
characteristic impedance
depth
tanβl
radio wave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP57148003A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS5937694A (en
Inventor
Shigeru Kusuki
Tomotaka Nobue
Takashi Kashimoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Priority to US07/185,757 priority patent/USRE33657E/en
Priority to EP83902648A priority patent/EP0116648B1/en
Priority to PCT/JP1983/000269 priority patent/WO1984001083A1/en
Priority to DE8383902648T priority patent/DE3380869D1/en
Priority to US06/599,434 priority patent/US4584447A/en
Priority to CA000435220A priority patent/CA1213001A/en
Publication of JPS5937694A publication Critical patent/JPS5937694A/en
Publication of JPS6249715B2 publication Critical patent/JPS6249715B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/64Heating using microwaves
    • H05B6/76Prevention of microwave leakage, e.g. door sealings
    • H05B6/763Microwave radiation seals for doors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

産業上の利用分野 本発明は、高周波加熱器用の電波シールに関す
るものである。特に電子レンジ等の如く、開閉自
在のドアを有する機器に応用すれば、特に効果が
発揮できるのである。 従来例の構成とその問題点 電波シール装置としては数多く提案されてお
り、実用的に利用されているものに“チヨーク方
式”がある。さらにこの“チヨーク方式”のチヨ
ーク溝長手方向への電波伝搬に対策を施こした先
行技術もある。しかしこれらはチヨーク溝を有し
ていること、チヨーク溝開孔部からチヨーク溝終
端部までの実効的な深さが用いる電波の周波数に
対して四分の一波長であることに特徴がある。 即ち、チヨーク溝の特性インピーダンスを
Zo、溝の深さlとし、終端部を短絡したとき
に、チヨーク溝開孔部でのインピーダンスZin
は、Zin=jZo tan(2πl/λo)となる。但しλoは
自 由空間波長、チヨーク方式では溝の深さlをλ
o/4と選ぶことで|Zin|=Zo tan(π/2)=
∞を達成するという原理に基づいている。チヨー
ク溝内を誘電体(比誘電率εr)で充填すると、
電波波長λ′はλ′=λo/√vに圧縮される。
この場合、溝の深さl′はl′≒l/√vと短かくな
る。しかし、l′l′/4とすることに変りはない。 従つてチヨーク方式においては、チヨーク溝の
深さが実質的に四分の一波長よりも小さくでき
ず、小型化の限界がある。第1,2図に従来の構
成例を示す。 発明の目的 本発明では、電波シール用の溝を用いる点では
チヨーク方式と類似点があるが、チヨーク溝と区
別するために小型溝と呼ぶ。本発明は小型溝の深
さを実質的に四分の一波長よりも小さく構成する
ことを目的とする。小型化は、小形溝の深さ方向
に溝の特性インピーダンスを変えることにより達
成できる。 制限条件は、小型溝の開孔部特性インピーダン
スが溝の終端部特性インピーダンスよりも少さい
ことと、溝の幅と深さがともに実質的電波波長の
四分の一よりも小さいことである。 以下第3〜4図を用いて特性インピーダンスに
ついて説明する。第3図は平行線路の斜視図であ
り、線路幅をa、線路間隙をb、誘電媒体の比誘
電率をεvとしている。 この場合の特性インピーダンスZoは周知の如
く、
INDUSTRIAL APPLICATION FIELD The present invention relates to a radio wave seal for a high frequency heater. This is particularly effective when applied to devices such as microwave ovens that have doors that can be opened and closed. Conventional configurations and their problems Many radio wave sealing devices have been proposed, and one that is in practical use is the "chiyoke system." Furthermore, there is a prior art that takes measures against radio wave propagation in the longitudinal direction of the chiyoke groove in this "chiyoke method." However, these devices are characterized in that they have a chiyoke groove, and that the effective depth from the chiyoke groove opening to the chiyoke groove end is a quarter wavelength of the frequency of the radio wave used. In other words, the characteristic impedance of the chiyoke groove is
Zo, groove depth l, and impedance Zin at the chiyoke groove opening when the terminal ends are short-circuited.
becomes Zin=jZo tan(2πl/λo). However, λo is the free space wavelength, and in the Chiyoke method, the depth l of the groove is λ
By choosing o/4, |Zin|=Zo tan(π/2)=
It is based on the principle of achieving ∞. When the inside of the chiyoke groove is filled with dielectric material (relative permittivity ε r ),
The radio wave wavelength λ' is compressed to λ'=λo/ √v .
In this case, the groove depth l' becomes short as l'≒l/ √v . However, there is no difference in setting it to l'l'/4. Therefore, in the Chi-Yoke method, the depth of the Chi-Yoke groove cannot be made substantially smaller than a quarter wavelength, and there is a limit to miniaturization. Figures 1 and 2 show examples of conventional configurations. OBJECTS OF THE INVENTION The present invention is similar to the Chi-Yoke method in that it uses a groove for radio wave sealing, but is called a small groove to distinguish it from the Chi-Yoke groove. The present invention aims at configuring the depth of the miniature grooves to be substantially less than a quarter wavelength. Miniaturization can be achieved by changing the characteristic impedance of the small groove in the depth direction of the groove. The limiting conditions are that the characteristic impedance of the aperture of the small groove is less than the characteristic impedance of the end of the groove, and that both the width and depth of the groove are less than one quarter of the effective radio wavelength. The characteristic impedance will be explained below using FIGS. 3 and 4. FIG. 3 is a perspective view of a parallel line, where the line width is a, the line gap is b, and the dielectric constant of the dielectric medium is ε v . As is well known, the characteristic impedance Zo in this case is

【式】(k:比例定数)となる。 従つて特性インピーダンスZoは、線路幅aを
広くすること、線路間隙bをせまくすること、比
誘電率εvを大きくすることで小さな値にでき
る。第4図にはドアの構成例を示す。この場合ド
ア1に設けたx方向にのびる壁面2,3と幅a、
ピツチpの導線路群4により溝幅bなる溝5を構
成している。この場合は接地面に相当する壁面に
対し、導線路群4が配された電波伝搬系として作
用するが、個々の線路に対して特性インピーダン
スZoは
[Formula] (k: constant of proportionality). Therefore, the characteristic impedance Zo can be reduced to a small value by widening the line width a, narrowing the line gap b, and increasing the dielectric constant ε v . FIG. 4 shows an example of the structure of the door. In this case, the wall surfaces 2 and 3 extending in the x direction provided on the door 1 and the width a,
A groove 5 having a groove width b is formed by a conductive line group 4 having a pitch p. In this case, the conductor line group 4 acts as a radio wave propagation system against the wall surface corresponding to the ground plane, but the characteristic impedance Zo for each line is

【式】(k′:比例定数)となり平 行線の場合と殆んど同様の関係が保たれる。 発明の構成 第5〜8図を用いて本発明の原理説明をする。 第5図は小型溝を2,3、n個のインピーダン
ス変化させた例をa,b,cに示している。特性
インピーダンスZioの区間が長さliあり、インピー
ダンス変化点から溝終端側をみたインピーダンス
がZiで、溝開孔部から溝終端側をみたインピーダ
ンスがZinoとなる。iは添字、具体的には溝を2
分割した(a)の場合、 Z2=jZ20tanβl2≡jx2 以下βはβ=2π/λo Zin2=Z10+jZ10tanβl/Z10+jZ
tanβl 但し(Z10<Z20) (b)の場合 Z3=jZ30tanβl3 Z2=Z20+jZ20tanβl/Z20+jZ
tanβl≡jx3 Zin3=Z10+jZ10tanβl/Z10+jZ
tanβl 但し(Z10<Z20<Z30) (c)の場合 Zn=jZno tanβln Zn−1=Z(n−1)oZn+jZ(n−1)o tanβl(n−1)/Z(n−1)o+jZn
tanβl(n−1)〓〓 但し(Z10<Z20……<Z30) Z2=Z20+jZ20tanβl/Z20+jZ
tanβl≡jxo Zino=Z10+jZ10tanβl/Z10+jZ
tanβl となる。 従つて小型溝開孔からみたインピーダンスはn
個の不連続特性インピーダンスの場合 Zino=Z10+jZ10tanβl/Z10+jZtanβl=jZ10+Z10tanβ
/Z10−xtanβl となる。上式はZ10とxotanβl1が等しくなれば|
Zino|=∞にできることを意味する。即ち、Z10
=xotanβl1が溝開孔部でのインピーダンスを大
きくする要件になることがわかる。 λo=12.4mm(=2450MHz)λo/4=30.8mm の例でa図の1個不連続、b図の3個不連続の場
合について、Z10≒xotanβl1の条件を満たす。
l1、l2、(l3)、l totalの組合せを開孔部特性イ
ンピーダンスZ10と終端部特性インピーダンスZ20
またはZ30の比を1対2として計算すると次の如
くなる。
[Formula] (k': constant of proportionality) holds almost the same relationship as in the case of parallel lines. Structure of the Invention The principle of the present invention will be explained using FIGS. 5 to 8. FIG. 5 shows an example in which impedances of the small grooves are changed by 2, 3, and n at a, b, and c. The section of the characteristic impedance Zio has a length li, the impedance seen from the impedance change point to the groove end side is Zi, and the impedance seen from the groove opening part to the groove end side is Zin o . i is a subscript, specifically the groove is 2
In the case of divided (a), Z 2 = jZ 20 tanβl 2 ≡jx 2 or less β is β = 2π/λo Zin 2 = Z 10 Z 2 +jZ 10 tanβl 1 /Z 10 +jZ
2
tanβl 1 However, in the case of (Z 10 <Z 20 ) (b), Z 3 =jZ 30 tanβl 3 Z 2 =Z 20 Z 3 +jZ 20 tanβl 2 /Z 20 +jZ 3
tanβl 2 ≡jx 3 Zin 3 =Z 10 Z 2 +jZ 10 tanβl 1 /Z 10 +jZ
2
tanβl 1 However, in the case of (Z 10 <Z 20 <Z 30 ) (c), Zn=jZno tanβln Zn−1=Z(n−1)oZn+jZ(n−1)o tanβl(n−1)/Z(n -1) o+jZn
tanβl(n-1)〓〓 However, (Z 10 <Z 20 ...<Z 30 ) Z 2 =Z 20 Z 3 +jZ 20 tanβl 2 /Z 20 +jZ 2
tanβl 2 ≡jx o Zin o =Z 10 Z 2 +jZ 10 tanβl 1 /Z 10 +jZ
2
tanβl 1 . Therefore, the impedance seen from the small groove hole is n
For discontinuous characteristic impedances Zin o =Z 10 Z 2 +jZ 10 tanβl 1 /Z 10 +jZ 2 tanβl 1 =jZ 10 x o +Z 10 tanβ
l 1 /Z 10 −x o tanβl 1 . The above formula is valid if Z 10 and x o tanβl 1 are equal |
Zin o | means that it can be made into ∞. i.e. Z 10
It can be seen that = x o tan βl 1 is a requirement for increasing the impedance at the groove opening. In the example of λo=12.4 mm (=2450 MHz) λo/4=30.8 mm, the condition of Z 10 ≒ x o tanβl 1 is satisfied for the case of one discontinuity in figure a and three discontinuities in figure b.
The combination of l 1 , l 2 , (l 3 ), and l total has the opening characteristic impedance Z 10 and the termination characteristic impedance Z 20
Or, if the ratio of Z 30 is calculated as 1:2, it will be as follows.

【表】【table】

【表】【table】

【表】 この結果は次のことを意味する。 特性インピーダンスをZ10<Z20又はZ10<Z20
<Z30とすることにより溝の深さl(total)が
四分の1波長よりも小さくできる。 溝の深さの寸法圧縮率は開孔部特性インピー
ダンスZ10と終端部特性インピーダンスZnoによ
りほとんど決まり、特性インピーダンスの変化
数nにはほとんど左右されない。 上記説明はZ20/Z10=Z30/Z10=2の場合であ
るが、第6図には、2分割の場合に寸法l1とl2
比を1〜5まで変化させたときの特性インピーダ
ンス比と、チヨーク溝深さに対し小型溝深さが寸
法圧縮された圧縮比の関係を示している。特性イ
ンピーダンスの選定を工夫すればチヨーク溝の十
分の一以下にもできることをこのグラフは示す。 第7図には寸法l1を12mmとしたとき、寸法l2
パラメータに開孔部特性インピーダンス絶対値を
ブロツトしたもので、寸法l2が24mmと25mmのとこ
ろで極大値をとることを示している。 第8図には電波漏洩実測値を示す。この結果も
l2寸法が23.5mmと24.5mmの間で最小値を示してお
り、これは次のことを意味するものである。 小型溝の開孔部インピーダンスの絶対値を大
きくすることが、電波漏洩量を少なくする。 小型溝の開孔部インピーダンスを大きくする
溝の深さ寸法(l1、l2)は計算値と実測値が精度
よく合致すること。 チヨーク溝の深さにくらべて確実に小型化が
できることである。本発明は電波シールの分野
で歴史的に用いられていたλ/4線路ではな
く、λ/4未満線路でインピーダンス反転を実
施するものである。この原理を、理解しやすく
するために解析結果の一部を第9図に示す。第
9図は、A端を励振源としD端を開放した伝送
路の1部に、先端Cが短絡された開孔Bを有す
る溝を設けている。溝は開孔側より短絡側の溝
幅を2倍にしている。A点を同一条件で励振
し、溝の深さlTを変化させたとき、伝送路内
の電界はa,b,cのように変化し、D端に電
波がとどかないのはbの場合、すなわち溝の深
さlTが4分の1波長の約80%のとき(λ/4
未満線路)であり、それよりも長くても短くて
も(a,cの場合)、bにくらべて電波がよく
洩れる。 実際の応用にあたつては、溝カバーのスペー
ス(TOP1)や折り曲げ補強スペース(lX1
を設けることが少なくない。これらは原理説明
をした場合にくらべ電波の乱れが発生し計算寸
法から多少ずれるものである。ずれの内容を以
下に示す。 TOP1の寸法を2mmにした場合とlX1を5〜
6mmにした場合の例を示す。 第10図は915MHzのシール装置検討例で、
TOP1の寸法で溝の深さlTが変化する関係を
示す。TOP1の寸法を1〜3mmにするとlT
1〜6mm深くなる。 第11図は、2450MHzのシール装置の検討例
でTOP1=2mmと固定し補強スペース(lX1
で溝の深さlTが変化する関係を示す。スペー
スlX1を2〜6mmにすることで溝の深さlT
1〜3mm深くなる。 実施例の説明 本発明は小型溝を構成する壁面群のうち少なく
とも1つの壁面が導線幅をピツチよりも小さくし
た線路群からなることと、溝の深さ方向に段階的
に特性インピーダンスを大きくした構成をとる点
に特徴をもつ。第12図において、壁面群6,
7,8により小型溝9は構成され、壁面8が線路
群により構成されている。小形溝9は溝の開孔部
領域と溝の深さ方向にそれに続く領域を有し
ており、領域との境界を10で示している。 領域の特性インピーダンスZ10(長さl1、伝搬
定数β=2π/λ)と領域の特性インピーダンス をZ20とし境界10から溝終端側をみたリアクタ
ンスjXとしたときに Z10<Z20でかつ Z10=Xtanβ1l1 となるように設定した点に特徴を有するものであ
る。 このような構成をとることにより小型溝の深さ
を実質的に使用波長の四分の一より小さくでき
る。 発明の効果 (1) 本質的に小型溝の深さを四分の一波長より小
さくできる。 (2) 小型溝を構成する壁面のうち少なくとも1つ
の壁面は線路群からなるので、x方向の電波伝
搬式分を少なくでき、電波シール性能の向上が
はかれる。 (3) 各領域の特性インピーダンスは導線幅a、溝
の幅b、誘電率をεvとしたとき
[Table] This result means the following. Characteristic impedance Z 10 < Z 20 or Z 10 < Z 20
By setting <Z 30 , the groove depth l (total) can be made smaller than a quarter wavelength. The dimensional compression ratio of the depth of the groove is almost determined by the opening characteristic impedance Z10 and the end characteristic impedance Zno, and is hardly influenced by the number n of changes in the characteristic impedance. The above explanation is for the case where Z 20 /Z 10 = Z 30 /Z 10 = 2, but Fig. 6 shows the case where the ratio of dimensions l 1 and l 2 is changed from 1 to 5 in the case of two divisions. The graph shows the relationship between the characteristic impedance ratio and the compression ratio at which the depth of the small groove is reduced in size relative to the depth of the chiyoke groove. This graph shows that by carefully selecting the characteristic impedance, it is possible to reduce the characteristic impedance to less than one tenth of that of the chiyoke groove. Figure 7 is a blot of the absolute value of the characteristic impedance of the opening using dimension l 2 as a parameter when dimension l 1 is 12 mm, and shows that the maximum value is taken at dimension l 2 of 24 mm and 25 mm. There is. Figure 8 shows the measured values of radio wave leakage. This result also
The l2 dimension shows a minimum value between 23.5 mm and 24.5 mm, which means that: Increasing the absolute value of the aperture impedance of the small groove reduces the amount of radio wave leakage. Regarding the groove depth dimensions (l 1 , l 2 ) that increase the aperture impedance of the small groove, the calculated value and the actual measured value must match accurately. It is possible to reliably reduce the size compared to the depth of the chiyoke groove. The present invention performs impedance inversion using a less than λ/4 line instead of the λ/4 line that has been historically used in the field of radio wave seals. In order to make this principle easier to understand, part of the analysis results are shown in FIG. In FIG. 9, a groove having an opening B whose tip C is short-circuited is provided in a part of a transmission line in which the A end is an excitation source and the D end is open. The width of the groove on the short circuit side is twice that on the open hole side. When point A is excited under the same conditions and the depth of the groove l T is changed, the electric field in the transmission line changes as shown in a, b, and c, and in case b the radio wave does not reach end D. , that is, when the groove depth l T is approximately 80% of a quarter wavelength (λ/4
Even if the line is longer or shorter (cases a and c), radio waves leak more than line b. In actual application, the groove cover space (TOP1) and the bending reinforcement space (L X1 )
is often provided. In these cases, compared to the case where the principle is explained, the radio waves are disturbed and the calculated dimensions are slightly deviated. The details of the deviation are shown below. When the dimension of TOP1 is 2mm and l X1 is 5~
An example is shown when the width is set to 6 mm. Figure 10 is an example of a 915MHz sealing device.
This shows the relationship in which the groove depth l T changes with the dimensions of TOP1. If the dimension of TOP1 is set to 1 to 3 mm, l T becomes deeper by 1 to 6 mm. Figure 11 is an example of a 2450MHz sealing device, with the reinforcement space (l X1 ) fixed at TOP1 = 2mm.
shows the relationship in which the groove depth l T changes. By setting the space l X1 to 2 to 6 mm, the groove depth l T becomes deeper by 1 to 3 mm. DESCRIPTION OF EMBODIMENTS The present invention is characterized in that at least one of the wall groups constituting a small groove is made up of a line group with a conductor width smaller than the pitch, and that the characteristic impedance is increased stepwise in the depth direction of the groove. It is characterized by its composition. In FIG. 12, wall group 6,
A small groove 9 is constituted by 7 and 8, and a wall surface 8 is constituted by a group of lines. The small groove 9 has an aperture region of the groove and a region following it in the depth direction of the groove, and the boundary with the region is indicated by 10. When the characteristic impedance of the region Z 10 (length l 1 , propagation constant β 1 =2π/λ 1 ) and the characteristic impedance of the region are Z 20 and reactance jX when looking from the boundary 10 to the groove end side, Z 10 < Z 20 It is characterized by the fact that it is set so that Z 10 =Xtanβ 1 l 1 . By adopting such a configuration, the depth of the small groove can be made substantially smaller than one quarter of the wavelength used. Effects of the invention (1) The depth of the small groove can essentially be made smaller than a quarter wavelength. (2) Since at least one of the walls constituting the small groove is composed of a group of lines, the amount of radio wave propagation in the x direction can be reduced, and the radio wave sealing performance can be improved. (3) The characteristic impedance of each region is given by the conductor width a, the groove width b, and the dielectric constant ε v .

【式】 に比例するという簡単な計算で漏波量との相関
がとれるので設計が容易である。
Design is easy because the correlation with the amount of leakage can be determined by a simple calculation that it is proportional to [Formula].

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図、第2図はチヨーク溝従来例を示す図、
第3図は平行線路を示す図、第4図は変形平行線
路による溝の構成例を示す斜視図、第5〜8図は
本発明の原理を説明するための図、第9図a,
b,cは本発明における溝部の電界解析図、第1
0図a,b,cは915MHzにおける装置の断面
図、側面図、特性図、第11図a,b,cは
2450MHzにおける装置の断面図、側面図、特性
図、第12図は本発明の装置の斜視図である。 6,7,8……溝壁群、9……小型溝、10…
…境界、a……導線幅、p……ピツチ。
Figures 1 and 2 are diagrams showing conventional examples of chiyoke grooves;
FIG. 3 is a diagram showing a parallel line, FIG. 4 is a perspective view showing an example of the structure of a groove by a modified parallel line, FIGS. 5 to 8 are diagrams for explaining the principle of the present invention, and FIGS.
b, c are electric field analysis diagrams of the groove portion in the present invention, 1st
Figure 0 a, b, and c are cross-sectional views, side views, and characteristic diagrams of the device at 915MHz. Figure 11 a, b, and c are
FIG. 12 is a perspective view of the device of the present invention. 6, 7, 8...Groove wall group, 9...Small groove, 10...
...boundary, a... conductor width, p... pitch.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 開閉自在のドアを有する高周波加熱器のドア
又は本体の少なくとも一方に、溝壁面群でかこま
れた溝開孔部と短絡終端部をもつ1つ以上の小形
溝を有し、壁面群のうち少なくとも1つの壁面は
x方向に導線幅がピツチよりも少なくなるように
した線路群で構成し、かつ小型溝の深さ方向に開
孔部から段階的に特性インピーダンスを大きくす
るようにするとともに、開孔部領域パラメータを
特性インピーダンスZ10、伝搬定数β(=2π/λ
) とし上記開口部領域と次の領域との境界から溝終
端をみたリアクタンスをjXとしたときにZ10=X
tanβ1l1となるよう溝の幅と深さを実質的に使
用波長の四分の一より小さい範囲で設定した電波
シール装置。
[Scope of Claims] 1. At least one of the door or the main body of a high-frequency heater having a door that can be opened and closed has one or more small grooves having a groove opening surrounded by a group of groove walls and a short-circuit end. However, at least one of the wall groups is composed of a line group in which the conductor width in the x direction is smaller than the pitch, and the characteristic impedance is gradually increased from the opening in the depth direction of the small groove. At the same time, the aperture area parameters are set to characteristic impedance Z 10 and propagation constant β 1 (=2π/λ 1
), and when the reactance seen from the boundary between the above opening area and the next area to the end of the groove is jX, Z 10 =X
A radio wave sealing device in which the width and depth of the groove are set within a range that is substantially smaller than a quarter of the wavelength used so that tanβ 1 l 1 .
JP57148003A 1982-08-25 1982-08-25 Radio wave sealing device Granted JPS5937694A (en)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57148003A JPS5937694A (en) 1982-08-25 1982-08-25 Radio wave sealing device
US07/185,757 USRE33657E (en) 1982-08-25 1983-08-18 Electromagnetic wave energy seal arrangement
EP83902648A EP0116648B1 (en) 1982-08-25 1983-08-18 Radio-wave sealing device
PCT/JP1983/000269 WO1984001083A1 (en) 1982-08-25 1983-08-18 Radio-wave sealing device
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