JPS6250057B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6250057B2 JPS6250057B2 JP56163010A JP16301081A JPS6250057B2 JP S6250057 B2 JPS6250057 B2 JP S6250057B2 JP 56163010 A JP56163010 A JP 56163010A JP 16301081 A JP16301081 A JP 16301081A JP S6250057 B2 JPS6250057 B2 JP S6250057B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- semiconductor element
- wax
- vacuum suction
- film carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/077—Connecting of TAB connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の製造に用いるボンデイ
ングプレートに係り、特にフイルムキヤリヤ方式
による同時ボンデイング工程に於て、ボンデイン
グ時に半導体素子を保持しているボンデイングプ
レートに関するものである。
ングプレートに係り、特にフイルムキヤリヤ方式
による同時ボンデイング工程に於て、ボンデイン
グ時に半導体素子を保持しているボンデイングプ
レートに関するものである。
通常、半導体素子を接続するフイルムキヤリヤ
は、例えば35mm幅で数ピツチのパーフオレーシヨ
ン毎に半導体搭載用の穴をあけた帯状の可撓性絶
縁フイルムに銅箔を接着し、写真蝕刻法により箔
状のリードフレームが形成されている。このフイ
ルムキヤリヤに接続される半導体素子はボンデイ
ングの際、半導体素子をウエハ状態での配列を崩
さずに供給する為、ウエハを貼付基板にワツクス
等で貼付けたままダイシングしこの状態でボンデ
イングステージに供給される。
は、例えば35mm幅で数ピツチのパーフオレーシヨ
ン毎に半導体搭載用の穴をあけた帯状の可撓性絶
縁フイルムに銅箔を接着し、写真蝕刻法により箔
状のリードフレームが形成されている。このフイ
ルムキヤリヤに接続される半導体素子はボンデイ
ングの際、半導体素子をウエハ状態での配列を崩
さずに供給する為、ウエハを貼付基板にワツクス
等で貼付けたままダイシングしこの状態でボンデ
イングステージに供給される。
第１図は、このフイルムキヤリヤと半導体素子
のボンデイング方法を説明する為の概略図であ
る。図に於て、１は半導体素子、２は半導体素子
１の貼付基板、３は半導体素子１を固着保持して
いるワツクス、４は半導体素子１の電極パツドに
形成された突起電極（バンプ）、５はフイルムキ
ヤリヤ、６はフイルムキヤリヤに形成されたリー
ドフレーム（インナーリード）、７はボンデイン
グリールである。以上の様な配置に於て、フイル
ムキヤリヤ方式のボンデイングは、先ず、インナ
ーリードボンダーのボンデイングステージ（図示
せず）にダイシングした半導体素子１が保持され
ている貼付基板２を方向を合せて載せる。リール
に巻いたフイルムキヤリヤ５をボンダーにかけ、
ボンデイングステージ部に引き出し、フイルムキ
ヤリヤ５のインナーリード６と半導体素子１のバ
ンプ４とを位置合せしたのち、ボンデイングツー
ル７にパルス電流を流して加熱及び加圧し、熱圧
着またはAu−Sn等の共晶接合によつてボンデイ
ングが行なわれる。この時ボンデイングの熱でワ
ツクス３が融けボンデイングツール７が上昇する
時半導体素子１は、インナーリード６に引き上げ
られて、貼付基板２から分離される。これには、
貼付基板２の熱伝導度、ワツクスの融点とボンデ
イング条件（温度）とが調和していなければなら
ない。熱伝導度が低く、ワツクスの融点が低いと
近接する半導体素子の下のワツクスまで融け、配
列が崩れてしまい、逆の場合は十分ワツクスが融
けず、ボンデイング後半導体素子が貼付基板から
離れにくい。またダイシングのダイヤモンドホイ
ールの寿命の為には貼付基板は比較的軟かく、ホ
イールに対し抵抗を与えない材料が望ましい。更
に同時ボンデイングである為、貼付基板に高い平
行度が要求されるので良い加工性、加工後の安定
性も必要になる。現在、この様な制約の中から最
適の材料を見出すことは、難しく、フイルムキヤ
リヤ方式によるボンデイングに於る大きな問題点
となつている。即ちこの貼付基板方式によるボン
デイングはウエハ形態のままでボンデイング作業
を行なうという位置合わせ時間の短縮化を目的に
するにもかかわらず現状はその材質等によつて位
置合わせ時間の短縮化をさまたげるものである。
更に貼付基板にウエハを貼付けた状態で半導体素
子に分割する為完全切断する必要があり、ダイシ
ングに於てカツテイングスピードが上げられな
い、又ダイヤモンドホイールの寿命が短かい等の
問題もある。更にワツクスによる保持に於る半導
体素子の組立工程は常にワツクス除去の為の有機
洗浄工程等が付随するという工程上の問題点をも
含んでいる。
のボンデイング方法を説明する為の概略図であ
る。図に於て、１は半導体素子、２は半導体素子
１の貼付基板、３は半導体素子１を固着保持して
いるワツクス、４は半導体素子１の電極パツドに
形成された突起電極（バンプ）、５はフイルムキ
ヤリヤ、６はフイルムキヤリヤに形成されたリー
ドフレーム（インナーリード）、７はボンデイン
グリールである。以上の様な配置に於て、フイル
ムキヤリヤ方式のボンデイングは、先ず、インナ
ーリードボンダーのボンデイングステージ（図示
せず）にダイシングした半導体素子１が保持され
ている貼付基板２を方向を合せて載せる。リール
に巻いたフイルムキヤリヤ５をボンダーにかけ、
ボンデイングステージ部に引き出し、フイルムキ
ヤリヤ５のインナーリード６と半導体素子１のバ
ンプ４とを位置合せしたのち、ボンデイングツー
ル７にパルス電流を流して加熱及び加圧し、熱圧
着またはAu−Sn等の共晶接合によつてボンデイ
ングが行なわれる。この時ボンデイングの熱でワ
ツクス３が融けボンデイングツール７が上昇する
時半導体素子１は、インナーリード６に引き上げ
られて、貼付基板２から分離される。これには、
貼付基板２の熱伝導度、ワツクスの融点とボンデ
イング条件（温度）とが調和していなければなら
ない。熱伝導度が低く、ワツクスの融点が低いと
近接する半導体素子の下のワツクスまで融け、配
列が崩れてしまい、逆の場合は十分ワツクスが融
けず、ボンデイング後半導体素子が貼付基板から
離れにくい。またダイシングのダイヤモンドホイ
ールの寿命の為には貼付基板は比較的軟かく、ホ
イールに対し抵抗を与えない材料が望ましい。更
に同時ボンデイングである為、貼付基板に高い平
行度が要求されるので良い加工性、加工後の安定
性も必要になる。現在、この様な制約の中から最
適の材料を見出すことは、難しく、フイルムキヤ
リヤ方式によるボンデイングに於る大きな問題点
となつている。即ちこの貼付基板方式によるボン
デイングはウエハ形態のままでボンデイング作業
を行なうという位置合わせ時間の短縮化を目的に
するにもかかわらず現状はその材質等によつて位
置合わせ時間の短縮化をさまたげるものである。
更に貼付基板にウエハを貼付けた状態で半導体素
子に分割する為完全切断する必要があり、ダイシ
ングに於てカツテイングスピードが上げられな
い、又ダイヤモンドホイールの寿命が短かい等の
問題もある。更にワツクスによる保持に於る半導
体素子の組立工程は常にワツクス除去の為の有機
洗浄工程等が付随するという工程上の問題点をも
含んでいる。
本発明の目的および特徴は、ボンデイングステ
ージに於て半導体素子を保持するボンデイングプ
レートを従来の貼付基板から半導体素子を真空吸
着保持する為の孔を設けることにより、これまで
の問題点を解決する最適なボンデイングプレート
を提供することにある。ここでボンデイングプレ
ートの孔はボンデイングステージの孔よりも小さ
くするから、ボンデイングプレートはボンデイン
グステージに真空吸着できる。又、ボンデイング
ステージの孔よりも小さい半導体素子も本発明の
ボンデイングプレートを介在させることにより確
実に真空吸着をすることができる。
ージに於て半導体素子を保持するボンデイングプ
レートを従来の貼付基板から半導体素子を真空吸
着保持する為の孔を設けることにより、これまで
の問題点を解決する最適なボンデイングプレート
を提供することにある。ここでボンデイングプレ
ートの孔はボンデイングステージの孔よりも小さ
くするから、ボンデイングプレートはボンデイン
グステージに真空吸着できる。又、ボンデイング
ステージの孔よりも小さい半導体素子も本発明の
ボンデイングプレートを介在させることにより確
実に真空吸着をすることができる。
次に図面を用いて本発明の一実施例について詳
述する。第２図は本発明の実施例のボンデイング
プレートによるフイルムキヤリヤ方式のボンデイ
ングを説明する為の説明図である。第２図に於て
８は、真空吸着孔９を持つた本発明のボンデイン
グプレートである。本発明のボンデイングプレー
トによるインナーリードボンデイングは、先ずボ
ンダーのボンデイングステージにボンデイングプ
レート８の真空吸着孔９を真空源の孔１０に合わ
せて載せる。フイルムキヤリヤ５は順次ボンデイ
ング位置に送り込まれる。更に半導体素子１はワ
ーク供給部（図示せず）より、ボンデイングプレ
ート８の真空吸着孔すなわちボンデイング位置に
正確に供給される。このワーク供給は、例えば平
面上に引き延ばされた弾性シートに接着された半
導体素子を弾性体シートを介して突き上げ棒を用
いて半導体素子を突き上げ、移送アーム先端に取
付けられた吸着コレツトにより吸着されアームの
回転動作等により正確にボンデイング位置に置か
れる。この時供給された半導体素子１はボンデイ
ングプレート８に設けられた真空吸着孔より真空
吸着保持される。その後フイルムキヤリヤ５のイ
ンナーリード６と半導体素子１のバンプ４の位置
合わせ完了に於てボンデイングツール７によりイ
ンナーリードボンデイングが行なわれる。
述する。第２図は本発明の実施例のボンデイング
プレートによるフイルムキヤリヤ方式のボンデイ
ングを説明する為の説明図である。第２図に於て
８は、真空吸着孔９を持つた本発明のボンデイン
グプレートである。本発明のボンデイングプレー
トによるインナーリードボンデイングは、先ずボ
ンダーのボンデイングステージにボンデイングプ
レート８の真空吸着孔９を真空源の孔１０に合わ
せて載せる。フイルムキヤリヤ５は順次ボンデイ
ング位置に送り込まれる。更に半導体素子１はワ
ーク供給部（図示せず）より、ボンデイングプレ
ート８の真空吸着孔すなわちボンデイング位置に
正確に供給される。このワーク供給は、例えば平
面上に引き延ばされた弾性シートに接着された半
導体素子を弾性体シートを介して突き上げ棒を用
いて半導体素子を突き上げ、移送アーム先端に取
付けられた吸着コレツトにより吸着されアームの
回転動作等により正確にボンデイング位置に置か
れる。この時供給された半導体素子１はボンデイ
ングプレート８に設けられた真空吸着孔より真空
吸着保持される。その後フイルムキヤリヤ５のイ
ンナーリード６と半導体素子１のバンプ４の位置
合わせ完了に於てボンデイングツール７によりイ
ンナーリードボンデイングが行なわれる。
即ち本発明のボンデイングプレート８によるフ
イルムキヤリヤ方式のボンデイングによると、ボ
ンデイング位置による半導体素子の保持は真空吸
着による保持であることから、従来方法の様な貼
付基板の熱伝導度及びワツクスの融点更にボンデ
イング条件（温度）等の影響による半導体素子の
位置ずれが無くなり最適なボンデイングを提供す
るものである。更に、本発明によるとワツクスを
使用しない為従来の組立工程に常に付随するワツ
クス除去の有機洗浄工程等が省略できるという工
程上大きな効果を生むことは云うまでもない。更
に又本発明によると、半導体ウエハから半導体素
子に分割する各種一連の工程、いわゆるペレツタ
イズ工程及び次工程へのハンドリング方式等がそ
のまま取り入れられること、位置ずれに於てもワ
ツクスによる影響等不確定要素が無いこと等によ
り自動化等が更に容易に実施できる効果も得られ
る。
イルムキヤリヤ方式のボンデイングによると、ボ
ンデイング位置による半導体素子の保持は真空吸
着による保持であることから、従来方法の様な貼
付基板の熱伝導度及びワツクスの融点更にボンデ
イング条件（温度）等の影響による半導体素子の
位置ずれが無くなり最適なボンデイングを提供す
るものである。更に、本発明によるとワツクスを
使用しない為従来の組立工程に常に付随するワツ
クス除去の有機洗浄工程等が省略できるという工
程上大きな効果を生むことは云うまでもない。更
に又本発明によると、半導体ウエハから半導体素
子に分割する各種一連の工程、いわゆるペレツタ
イズ工程及び次工程へのハンドリング方式等がそ
のまま取り入れられること、位置ずれに於てもワ
ツクスによる影響等不確定要素が無いこと等によ
り自動化等が更に容易に実施できる効果も得られ
る。
第１図は、従来のフイルムキヤリヤと半導体素
子のボンデイング方法を説明する概略図、第２図
は本発明のボンデイングプレートによるボンデイ
ングを説明する概略図である。 図に於て、１……半導体素子、２……貼付基
板、３……ワツクス、４……バンプ、５……フイ
ルムキヤリヤ、６……リードフレーム（インナー
リード）、７……ボンデイグツール、８……真空
吸着孔を持つたボンデイングプレート、９……真
空吸着孔、１０……真空源の孔である。
子のボンデイング方法を説明する概略図、第２図
は本発明のボンデイングプレートによるボンデイ
ングを説明する概略図である。 図に於て、１……半導体素子、２……貼付基
板、３……ワツクス、４……バンプ、５……フイ
ルムキヤリヤ、６……リードフレーム（インナー
リード）、７……ボンデイグツール、８……真空
吸着孔を持つたボンデイングプレート、９……真
空吸着孔、１０……真空源の孔である。
Claims (1)
- １ リードフレームの複数個のインナーリードと
半導体素子の複数個の電極とを同時にかつ連続的
に接続する半導体装置の製造に用いるボンデイン
グプレートであつて、第１の真空吸着孔を有する
ボンデイングステージ上に載置され、前記半導体
素子を真空吸着しかつ該第１の真空吸着孔より小
さい第２の真空吸着孔を有することを特徴とする
ボンデイングプレート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56163010A JPS5864038A (ja) | 1981-10-13 | 1981-10-13 | ボンデイングプレ−ト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56163010A JPS5864038A (ja) | 1981-10-13 | 1981-10-13 | ボンデイングプレ−ト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5864038A JPS5864038A (ja) | 1983-04-16 |
| JPS6250057B2 true JPS6250057B2 (ja) | 1987-10-22 |
Family
ID=15765474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56163010A Granted JPS5864038A (ja) | 1981-10-13 | 1981-10-13 | ボンデイングプレ−ト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5864038A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02117879U (ja) * | 1989-03-06 | 1990-09-20 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2754043B2 (ja) * | 1989-06-14 | 1998-05-20 | 東芝メカトロニクス株式会社 | インナーリードボンダ |
| JP6032234B2 (ja) * | 2014-03-19 | 2016-11-24 | 信越半導体株式会社 | ワーク保持装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5776850A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-14 | Nec Corp | Manufacture device for semiconductor device |
| JPS5832426A (ja) * | 1981-08-20 | 1983-02-25 | Seiko Epson Corp | インナ−リ−ドボンダ−の集積回路チツプ受台 |
-
1981
- 1981-10-13 JP JP56163010A patent/JPS5864038A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02117879U (ja) * | 1989-03-06 | 1990-09-20 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5864038A (ja) | 1983-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7563642B2 (en) | Manufacturing method of a semiconductor device | |
| US3724068A (en) | Semiconductor chip packaging apparatus and method | |
| TWI790353B (zh) | 元件的移設方法 | |
| US20220416136A1 (en) | Die bonding method of LED chip and display device | |
| JP4239974B2 (ja) | 半導体素子の製造方法およびリング状補強部材 | |
| JPH11163006A (ja) | ペレットボンディング方法 | |
| JPH10189690A (ja) | 半導体チップのピックアップ方法及びピックアップ装置 | |
| JP2004281659A (ja) | 保持部材及び半導体装置の製造方法 | |
| CN113436988B (zh) | 芯片贴装装置、剥离夹具以及半导体器件的制造方法 | |
| JP3811567B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6250057B2 (ja) | ||
| JP2003059863A (ja) | ウェーハ切断装置 | |
| JP2002368023A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000091403A (ja) | ダイピックアップ方法およびそれを用いた半導体製造装置ならびに半導体装置の製造方法 | |
| JP2000294521A (ja) | 電子素子の製造方法 | |
| JP3267422B2 (ja) | バンプ転写体および半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JP2007059526A (ja) | 基板の切削方法 | |
| JP2003203881A (ja) | 電子部品の剥離方法及びその実装方法 | |
| KR100431282B1 (ko) | 반도체칩의 픽업 방법 및 이를 위한 클램프 | |
| JPS58165335A (ja) | テ−プキヤリア方式による半導体装置の製造方法及びその製造装置 | |
| JP3336999B2 (ja) | バンプシートとこれを用いたバンプ形成装置及びバンプ形成方法 | |
| JPH0974076A (ja) | 発光半導体ウエハの個別分離方法 | |
| JPH0232548A (ja) | フィルムパッケージ形半導体装置のペレットボンディング方法 | |
| JP2004281660A (ja) | 半導体装置の製造方法及び製造装置 | |
| JP2001284407A (ja) | 半導体製造装置 |