JPS62509B2 - - Google Patents
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- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
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Description
本発明は薄膜EL素子の駆動方法に関し、特に
中間調表示をするための輝度変調方法に係る。ま
た本発明は少ない回路素子で駆動することができ
更に本発明は回路素子に要求する耐圧を低減でき
る方法を提供するものである。
薄膜ELマトリツクス素子の構成及び特性は本
件出願人が出願した多くの特許願に説明したが、
もう一度簡単に説明する。
薄膜EL表示装置はガラス基板の上にIn2O3又は
SnO2の透明電極を縞状に配置し、この上に例え
ばY2O3、Si3N4、TiO2、Al2O3等の誘電物質を、
更にこの上に例えばMnをドーブしたZnS(黄橙
発光)等の蛍光層を、その上に更にY2O3、
Si3N4、TiO2、Al2O3等の誘電物質を蒸着法、ス
パツタ法等の薄膜技術により500〜10000Åの厚さ
に被着して2重絶縁型3層構造にして、その上に
上記透明電極と直交する方向にAlよりなる縞状
電極を配置しマトリツクス形電極を構成する。か
かる構造の3層構造薄膜EL表示装置において、
第1の電極群2のうちの一つと第2の電極群のう
ちの一つを選び適当な交流電圧を印加すると、こ
の両電極が交差して挾まれた微少面積部分が発光
する。これが画面の一絵素に相当する。これの組
合せによつて、文字、記号模様等を表示する。
このような構造のELは輝度や寿命、安定性の
点で従来の分散型EL素子に比して優れた特性を
有している。
本発明は上記した3層構造薄膜ELマトリツク
ス素子の駆動方法に関し、本発明は定電流回路を
用い、該定電流回路の動作時間を制御することに
よつて、薄膜EL素子に印加される電圧を制御し
輝度変調するものである。本発明の一実施例の回
路を第1図に示して、以下これを説明する。
10は前記薄膜EL素子であり、ここでは透明
電極11よりなるデータ側(X)電極X1〜Xm
と、アルミニウム電極12よりなる順次走査
(Y)電極Y1〜Ynのみを示す。
20は薄膜EL素子10に走査電極側より書込
み電圧Vs及び誤動作防止電圧(Vs−Vp)を供給
する電源回路である。上記各電圧とラインA間に
は書込み動作時にオンするスイツチS1が挿入され
る。また誤動作防止電圧とラインAはダイオード
D1を介して接続される。
30は走査側選択スイツチ回路で、各走査電極
Y1〜YnとラインA間にスイツチSy1〜Synが接続
され、走査電極を順次選択する。
40は全走査電極とアース間にそれぞれ接続さ
れたダイオード回路を示す。一方のダイオードの
共通ラインBとアース間にスイツチS2が挿入され
書込み電圧の放電回路及びリフレツシユ回路を構
成する。また他方のダイオードの共通ラインCは
ダイオードD2を介してアースされリフレツシユ
電圧の放電回路を構成するとともに、スイツチS3
を介してクランプ電圧Vpに接続され半選択絵素
の誤動作を防止する電圧を印加する。
50はデータ側選択スイツチ回路で、各データ
電極X1〜Xmとアース間に定電流スイツチ回路
Sx1〜Sxmが接続され、表示情報に従い適宜選択
的にオンされる。
60は全データ電極と維持電圧Vsの間にそれ
ぞれ接続されたダイオード回路を示す。ダイオー
ドの共通ラインDとアース間にダイオードD3が
接続され書込電圧の放電回路を構成するとともに
スイツチS4を介してリフレツシユ電圧Vrに接続
される。
次に本発明の上記実施例の回路の動作を説明す
る。
第2図は本発明の回路のタイムチヤートを示し
先ず、第1のタイミングt1で全データスイツチ
Sx1〜Sxm及び書込みを行う選択された走査電極
YjのスイツチSyjをオンにする。即ち、このタイ
ミング期間で選択された走査電極上の全絵素に誤
動作防止電圧(Vs−Vp)を充電する。充電の
際、データスイツチは定電流素子で構成されてい
るため、上記絵素には定電流素子の制限に従いあ
る一定の勾配で電圧(Vs−Vp)まで充電され
る。この電圧は薄膜EL素子が容量性であるため
上記各スイツチがオフ後も保持される。
次のタイミングt2では、書込み絵素M(i、
j)を含むデータ電極XiのスイツチSxi及び走査
電極YjのスイツチSyjのみをオンして、他のデー
タスイツチSxk及び走査スイツチSylをオフにす
る。そしてスイツチS1及びS3をオンにする。
ここで上記データスイツチSxiは変調度に応じ
た時間だけオンされ、書込み絵素M(i、j)に
は、このオン時間に比例した電圧が印加される。
即ち、データスイツチは定電流素子であるから、
この電流をI、オン時間をtiとすると、書込み絵
素M(i、j)に加わる電圧Vijは次式で表わさ
れる。
Vij=(Vs−Vp)+I・ti/n・C
C:1絵素当りの静電容量値
n:走査電極の本数
従つて、オン時間tiを変化することにより書込
み絵素に加わる電圧を変化することができる。
薄膜EL素子の発光輝度は印加電圧に比例する
ので、上記のようにして電圧を制御することによ
り、制御された輝度で発光する。
そして上記データスイツチはオン時間の終了時
が第2タイミングの終了時に一致するようにオン
時間を制御するのが望ましい。これはオン時間の
変化がパルス幅変調として輝度変化を与えるよう
にするためである。この実施例の場合、データス
イツチのオン時間は短いのであまり問題とはなら
ないが、薄膜EL素子は容量性素子であるため、
データスイツチのオフ後も書込み絵素は書込み電
圧を保ち、輝度変調を与えることができないが、
オン時間の終了時を第2タイミングの終了時に一
致させれば、上記電圧を保持する期間は全て同一
になり、パルス幅変調も同時にかけることができ
る。従つて第2図では1つのデータスイツチが選
択された場合を示したが、選択されるデータスイ
ツチが多数ある場合は、データスイツチのオン時
刻が発光輝度に応じて変化し、オフ時刻は同じに
なる訳である。
この書込み駆動のとき、スイツチS2がオンして
データ電極上の半選択絵素にクランプ電圧Vpが
与えられ誤動作を防止する。
第3タイミングt3では上記スイツチS1,S3,
Sxi,Syjはオフされ、スイツチS2がオンされる。
すると、ダイオードD3→ダイオード回路60→
全データ電極→全走査電極→ダイオード回路40
→スイツチS2→アースの回路で、第2タイミング
で書込み絵素に充電された電荷を放電させる。
上記の動作が第1番目の走査電極Y1から第n
番目の走査電極Ynに対して行われ、1フイール
ドの走査が終了した後、リフレツシユ駆動が行わ
れる。
リフレツシユ駆動はスイツチS2,S4をオンにし
てリフレツシユ電圧を全絵素に加える。リフレツ
シユ電圧は書込み電圧Vsと等しく、データ電極
より加えるので、絵素に対しては逆極性に加えら
れることとなり、書込みが行われた絵素に於いて
は、書込みの際の輝度と同じ輝度で発光する。
その後、全データスイツチSx1〜Sxmをオンし
て、ダイオードD2→ダイオード回路40→全走
査電極・全データ電極・全データスイツチ→アー
スの回路で放電が行われる。
上述した書込み駆動及びリフレツシユ駆動が毎
秒フレーム数だけ行われる。
なお、第2図中、Yjは電極Yjに印加される電
圧、Ylは電極Yl(l≠j)に印加される電圧、
Xiは電極Xiに加わる電圧、Xkは電極Xkに加わる
電圧、M(i、j)は絵素M(i、j)に加わる
電圧をそれぞれ示す。
以上のように本発明は定電流素子を用い、輝度
変調度に応じて選択されたデータスイツチのオン
時間を制御して、書込み絵素に(Vs−Vp)+I・ti/
nC
の電圧を印加し、リフレツシユ時にVrの電圧を
印加して両極性パルスを加えるものである。従つ
て薄膜EL素子には振幅の異なるパルスが印加さ
れるが、薄膜EL素子は印加された振幅の平均値
の電圧に相当する輝度で発光する。そのため
The present invention relates to a method for driving a thin film EL element, and more particularly to a method for modulating brightness for displaying halftones. Further, the present invention provides a method that can be driven with a small number of circuit elements, and furthermore, the withstand voltage required of the circuit elements can be reduced. Although the structure and characteristics of thin film EL matrix elements have been explained in many patent applications filed by the applicant,
Let me explain briefly again. Thin film EL display devices are made of In 2 O 3 or In 2 O 3 on a glass substrate.
A transparent electrode of SnO 2 is arranged in a striped pattern, and a dielectric material such as Y 2 O 3 , Si 3 N 4 , TiO 2 , Al 2 O 3 is placed on top of the transparent electrode.
Furthermore, on top of this, for example, a fluorescent layer such as Mn-doped ZnS (yellow-orange luminescent), and on top of that, Y 2 O 3 ,
A dielectric material such as Si 3 N 4 , TiO 2 , Al 2 O 3 is deposited to a thickness of 500 to 10,000 Å using thin film techniques such as vapor deposition or sputtering to form a double-insulated three-layer structure, and then A striped electrode made of Al is arranged in a direction perpendicular to the transparent electrode to form a matrix electrode. In a three-layer thin film EL display device having such a structure,
When one of the first electrode group 2 and one of the second electrode group are selected and an appropriate alternating current voltage is applied, a minute area portion sandwiched between the two electrodes intersects emits light. This corresponds to one picture element on the screen. By combining these, characters, symbol patterns, etc. are displayed. ELs with such a structure have superior characteristics in terms of brightness, lifespan, and stability compared to conventional distributed EL elements. The present invention relates to a method for driving the above three-layer thin film EL matrix element, and the present invention uses a constant current circuit and controls the operating time of the constant current circuit to control the voltage applied to the thin film EL element. It controls and modulates the brightness. A circuit according to an embodiment of the present invention is shown in FIG. 1, and will be described below. Reference numeral 10 denotes the thin film EL element, in which the data side (X) electrodes X 1 to Xm are made of transparent electrodes 11;
, and only progressive scanning (Y) electrodes Y 1 to Yn made of aluminum electrodes 12 are shown. A power supply circuit 20 supplies a write voltage Vs and a malfunction prevention voltage (Vs-Vp) to the thin film EL element 10 from the scanning electrode side. A switch S1 is inserted between each of the above voltages and line A, which is turned on during a write operation. Also, the malfunction prevention voltage and line A are diodes.
Connected via D1 . 30 is a scanning side selection switch circuit, which is connected to each scanning electrode.
Switches Sy 1 -Syn are connected between Y 1 -Yn and line A to sequentially select scanning electrodes. Reference numeral 40 indicates a diode circuit connected between the entire scanning electrode and the ground. A switch S2 is inserted between the common line B of one of the diodes and the ground to constitute a write voltage discharge circuit and a refresh circuit. The common line C of the other diode is grounded via diode D 2 to form a refresh voltage discharge circuit, and the switch S 3
It is connected to the clamp voltage Vp through the voltage Vp to apply a voltage to prevent malfunction of half-selected picture elements. 50 is a data side selection switch circuit, and a constant current switch circuit is connected between each data electrode X1 to Xm and ground.
Sx 1 to Sxm are connected and selectively turned on as appropriate according to the displayed information. Reference numeral 60 indicates a diode circuit connected between all data electrodes and the sustain voltage Vs. A diode D3 is connected between the diode common line D and the ground to constitute a write voltage discharge circuit, and is also connected to the refresh voltage Vr via a switch S4 . Next, the operation of the circuit of the above embodiment of the present invention will be explained. FIG. 2 shows a time chart of the circuit of the present invention. First, all data switches are turned on at the first timing t1 .
Sx 1 ~ Sxm and selected scan electrode for writing
Turn on Yj switch Syj. That is, in this timing period, all picture elements on the selected scan electrode are charged with the malfunction prevention voltage (Vs-Vp). During charging, since the data switch is composed of a constant current element, the picture element is charged to a voltage (Vs-Vp) at a certain constant gradient according to the limitations of the constant current element. Since the thin film EL element is capacitive, this voltage is maintained even after the above switches are turned off. At the next timing t2 , the writing picture element M(i,
Only the switch Sxi of the data electrode Xi and the switch Syj of the scan electrode Yj including data electrode Yj are turned on, and the other data switches Sxk and scan switch Syl are turned off. Then turn on switches S 1 and S 3 . Here, the data switch Sxi is turned on for a time corresponding to the degree of modulation, and a voltage proportional to this on time is applied to the write picture element M(i,j).
In other words, since the data switch is a constant current element,
When this current is I and the on-time is ti, the voltage Vij applied to the write picture element M(i, j) is expressed by the following equation. Vij = (Vs - Vp) + I・ti/n・C C: Capacitance value per picture element n: Number of scanning electrodes Therefore, by changing the on time ti, the voltage applied to the writing picture element can be changed. can do. Since the luminance of light emitted by a thin film EL element is proportional to the applied voltage, by controlling the voltage as described above, light is emitted with controlled luminance. It is desirable that the on-time of the data switch is controlled so that the end of the on-time coincides with the end of the second timing. This is so that the change in on time gives a change in brightness as pulse width modulation. In the case of this example, the on time of the data switch is short, so it is not much of a problem, but since the thin film EL element is a capacitive element,
Even after the data switch is turned off, the writing picture element maintains the writing voltage and cannot give brightness modulation.
If the end of the on-time coincides with the end of the second timing, the periods during which the voltage is held will all be the same, and pulse width modulation can be applied at the same time. Therefore, although Figure 2 shows the case where one data switch is selected, if there are many data switches to be selected, the on time of the data switch will change depending on the luminance, and the off time will remain the same. That is why. During this write drive, switch S2 is turned on and clamp voltage Vp is applied to half-selected picture elements on the data electrode to prevent malfunction. At the third timing t3 , the above switches S1 , S3 ,
Sxi and Syj are turned off and switch S2 is turned on.
Then, diode D 3 → diode circuit 60 →
All data electrodes → all scanning electrodes → diode circuit 40
→Switch S 2 →A grounded circuit discharges the charge stored in the writing picture element at the second timing. The above operation is performed for the first scanning electrode Y1 to the nth scanning electrode Y1 to
This is performed for the th scanning electrode Yn, and after one field of scanning is completed, refresh driving is performed. For refresh drive, switches S 2 and S 4 are turned on to apply a refresh voltage to all picture elements. Since the refresh voltage is equal to the write voltage Vs and is applied from the data electrode, it will be applied to the picture element with the opposite polarity, and the picture element to which writing has been performed will have the same brightness as the brightness at the time of writing. Emits light. Thereafter, all data switches Sx 1 to Sxm are turned on, and discharge is performed in the circuit of diode D 2 → diode circuit 40 → all scan electrodes, all data electrodes, all data switches → ground. The above-described write drive and refresh drive are performed for the number of frames per second. In addition, in FIG. 2, Yj is the voltage applied to the electrode Yj, Yl is the voltage applied to the electrode Yl (l≠j),
Xi represents the voltage applied to the electrode Xi, Xk represents the voltage applied to the electrode Xk, and M(i, j) represents the voltage applied to the picture element M(i, j). As described above, the present invention uses a constant current element to control the on-time of a data switch selected according to the luminance modulation degree, and to apply (Vs-Vp)+I・ti/
A voltage of nC is applied, and a voltage of Vr is applied during refreshing to apply a bipolar pulse. Therefore, although pulses with different amplitudes are applied to the thin film EL element, the thin film EL element emits light with a brightness corresponding to the average voltage of the applied amplitudes. Therefore
【式】
が必要輝度となるようオン時間tiを決めればよ
い。
ここで、上記書込み駆動の際、第1タイミング
t1で電圧(Vs−Vp)を加える理由を述べる。
今、走査電極がn本、データ電極がm本のマト
リツクスパネルにおいて本発明の上記第1タイミ
ングがなく、走査電極Yjを走査するときデータ
電極をk本選択して同じ変調度で表示する場合を
考える。すなわち第1図において、スイツチS1,
S3,Syjがオンされ、スイツチSx1,Sx2,………
…,Sxkが同時にオンされる。このときの等価回
路は各絵素をコンデンサとして表わすと、第3図
の通りになる。第3図において、1絵素当りの静
電容量をCで表わし、電極抵抗を0とし、1デー
タスイツチ当りの定電流値をI(A)とすると、各コ
ンデンサは次の意味を持つ。
C1=kC
C2=(m−k)C
C3=(m−k)(m−1)C
C4=k(n−1)C
但し
m:データ電極数
n:走査電極数
k:一走査電極を駆動するときの選択絵素数
この条件のもとでデータスイツチをオンしてか
らt秒後の選択絵素のコンデンサC1にかかる電
圧Vは次のようになる。
(Vs−Vp)(m−k)<nkVp
Γt≦tpの場合(tpはコンデンサC3とC4の接
続点pが電圧Vpになるまでの時間)
V=It(m+nk−k)/mnC
Γts>t>tpの場合(tsは第3図のg点の電位
が0になる時間)
(ts=C/I{Vs+(n−1)Vp})
V=(Vs−Vp)(n−1)/n+It/nC
Γt≧tsの場合
V=Vs
(Vs−Vp)(m−k)≧nkVp
Γt<tsの場合(tsは第3図のg点の電位が0
になる時間)
(ts=VsmnC/I(m+nk−k))
V=It(m+nk−k)/mnC
Γt≧tsの場合
V=Vs
以上のようにの条件との条件(即ち走査電
極の本数、データ電極の本数、データの数、駆動
電圧の変化)により、V=Vsになる時間に差を
生じる。これは本発明の如く発光輝度の変調を行
わんとするものにあつては非常に都合が悪い。特
に本件出願人が昭和50年5月30日に特願昭50−
66200号「高耐圧電界効果半導体装置」で出願し
た高耐圧MOS ICをデータスイツチに使用する場
合、高耐圧MOS ICは定電流値が小さいので、問
題となる。
これに対して本発明の上記実施例では選択され
た走査電極上の全絵素に第1タイミングで、電圧
(Vs−Vp)を予め充電しておくので、第3図の
等価回路ではコンデンサC1,C2に電圧(Vs−
Vp)が充電されていることとなる。従つて第2
タイミングで書込み電圧Vsを印加したとき、電
圧VsよりコンデンサC2を介して電流が流れない
ため、データスイツチをオンしてからt秒後のコ
ンデンサC1にかかる電圧Vは次のようになる。
Γt<ts(tsは第3図のg点の電位が0になる時
間)
(ts=VpnC/I)
V=(Vs−Vp)+It/nC
Γt≧ts
V=Vs
このように、選択絵素C1にかかる電圧が書込
み電圧Vsになる時間はデータの数によつて変化
せず、常に一定となる。従つて本発明の上記実施
例の駆動方法は高耐圧MOS ICを使用する場合に
好適な方法である。
また選択された走査電極上の全絵素に予め電圧
(Vs−Vp)の電圧を充電しない場合、t≧ts時の
選択された走査電極上の半選択絵素(第3図の
C2,C4)にかかる電圧は次のようになる。
今、Vp=0の場合を考えると、
C2→k(n−1)/nk+m−kVs
C4→(m−k)/nk+m−kVs
このように半選択絵素に加わる電圧はマトリツ
クスパネルの電極の本数やデータ量(k)により変化
することになる。
例えば、m=5n、k=m/2の場合、コンデンサC2
には書込み電圧Vsがかかり半選択絵素は発光す
ることになる。しかし電圧Vpは適当な値にすれ
ば、コンデンサC2にはほぼ電圧(Vs−Vp)が加
わり、コンデンサC4には電圧Vpが加わるため半
選択絵素の発光は防止できる。
ところが、m=5n、k=1の場合にはコンデ
ンサC4にはほぼ電圧5/6Vsがかかり半選択絵素は
発光する。この場合は第3図のp点が電圧Vpよ
り高い電位になり、Vp=0と同様になる。この
半選択絵素の発光を防止するためには、書込み駆
動時に全データ電極へ電圧Vpをダイオード分離
回路を介して加える回路を構成すればよいが、そ
の分だけ回路素子が増加する。
これに対して本発明の上記実施例では、予め電
圧(Vs−Vp)を充電しているから、マトリツク
スパネルの電極数やデータ量に関係なく、半選択
絵素のコンデンサC2,C4にかかる電圧は、コン
デンサC2は(Vs−Vp)、コンデンサC4はVpとな
り電圧Vsを適当に選んで、半選択絵素のコンデ
ンサC2,C4にかかる電圧を薄膜EL素子の発光の
スレツシユホールド電圧以下になるよう設定すれ
ば、半選択絵素は発光しない。また半選択絵素の
発光防止用の回路が不要になる。
なお、上記実施例において、第1タイミングで
電圧(Vs−Vp)を充電しているが、データスイ
ツチのオン電流を充分大きくすることができるな
らば、予め充電する電圧は(Vs−Vp)でなくと
もよい。
また本発明の駆動方法では、書込み時にスイツ
チS1がオンしているときは、必ずスイツチS3がオ
ンしているため、走査スイツチSy1〜Syn及びダ
イオード回路40を構成するダイオードの耐圧は
(Vs−Vp)でよい。またダイオード回路60を
構成するダイオードも電圧Vsの耐圧でよい。The on-time ti can be determined so that [Formula] is the required brightness. Here, during the above write drive, the first timing
The reason for applying the voltage (Vs - Vp) at t 1 will be explained. Now, in a matrix panel with n scan electrodes and m data electrodes, there is no first timing of the present invention, and when scan electrode Yj is scanned, k data electrodes are selected and displayed with the same modulation factor. think of. That is, in FIG. 1, the switches S 1 ,
S 3 , Syj is turned on, switches Sx 1 , Sx 2 , ......
..., Sxk is turned on at the same time. The equivalent circuit at this time is as shown in FIG. 3 when each picture element is represented as a capacitor. In FIG. 3, if the capacitance per picture element is represented by C, the electrode resistance is 0, and the constant current value per data switch is I(A), each capacitor has the following meaning. C 1 = kC C 2 = (m-k) C C 3 = (m-k) (m-1) C C 4 = k(n-1) C where m: number of data electrodes n: number of scanning electrodes k: Number of selected picture elements when driving one scanning electrode Under these conditions, the voltage V applied to the capacitor C1 of the selected picture element t seconds after the data switch is turned on is as follows. (Vs-Vp) (m-k) < nkVp When Γt≦tp (tp is the time until the connection point p of capacitors C3 and C4 reaches voltage Vp) V=It(m+nk-k)/mnC Γts >t>tp (ts is the time when the potential at point g in Figure 3 becomes 0) (ts=C/I{Vs+(n-1)Vp}) V=(Vs-Vp)(n-1 )/n+It/nC When Γt≧ts V=Vs (Vs-Vp) (m-k)≧nkVp When Γt<ts (ts is the potential of point g in Figure 3 is 0)
(ts=VsmnC/I(m+nk-k)) V=It(m+nk-k)/mnC When Γt≧ts V=Vs The conditions as above (i.e., the number of scanning electrodes, The time at which V=Vs occurs varies depending on the number of data electrodes, the number of data, and changes in driving voltage. This is very inconvenient for a device that attempts to modulate the luminance of emitted light as in the present invention. In particular, the applicant filed a patent application on May 30, 1975.
When using the high-voltage MOS IC filed in No. 66200, ``High-voltage field-effect semiconductor device,'' as a data switch, it becomes a problem because the high-voltage MOS IC has a small constant current value. On the other hand, in the above embodiment of the present invention, all picture elements on the selected scanning electrode are charged with voltage (Vs - Vp) in advance at the first timing, so in the equivalent circuit of Fig. 3, the capacitor C 1 , C2 has a voltage (Vs−
Vp) is being charged. Therefore, the second
When the write voltage Vs is applied at the timing, no current flows through the capacitor C2 due to the voltage Vs, so the voltage V applied to the capacitor C1 t seconds after the data switch is turned on is as follows. Γt<ts (ts is the time when the potential at point g in Figure 3 becomes 0) (ts=VpnC/I) V=(Vs-Vp)+It/nC Γt≧ts V=Vs In this way, the selected picture element The time required for the voltage applied to C1 to reach the write voltage Vs does not change depending on the number of data and remains constant. Therefore, the driving method of the above embodiment of the present invention is a suitable method when using a high voltage MOS IC. In addition, if all pixels on the selected scan electrode are not charged with the voltage (Vs - Vp) in advance, the half-selected pixel on the selected scan electrode at t≧ts (as shown in Figure 3).
The voltage applied to C 2 , C 4 ) is as follows. Now, considering the case of Vp = 0, C 2 →k(n-1)/nk+m-kVs C 4 →(m-k)/nk+m-kVs In this way, the voltage applied to the half-selected pixel is the matrix panel It will change depending on the number of electrodes and the amount of data (k). For example, when m=5n and k=m/2, a write voltage Vs is applied to the capacitor C2 , causing the half-selected picture elements to emit light. However, if the voltage Vp is set to an appropriate value, approximately the voltage (Vs-Vp) is applied to the capacitor C2 , and the voltage Vp is applied to the capacitor C4 , so that the half-selected picture elements can be prevented from emitting light. However, when m=5n and k=1, a voltage of approximately 5/6Vs is applied to the capacitor C4 , and the half-selected picture element emits light. In this case, point p in FIG. 3 has a potential higher than voltage Vp, which is the same as Vp=0. In order to prevent this half-selected picture element from emitting light, it is sufficient to configure a circuit that applies voltage Vp to all data electrodes via a diode separation circuit during write drive, but the number of circuit elements increases accordingly. On the other hand, in the above embodiment of the present invention, since the voltage (Vs - Vp) is charged in advance, the capacitors C 2 and C 4 of half-selected picture elements are The voltage applied to the capacitor C 2 is (Vs - Vp), and the voltage applied to the capacitor C 4 is Vp. By selecting the voltage Vs appropriately, the voltage applied to the capacitors C 2 and C 4 of the half-selected picture element is determined by the voltage applied to the light emission of the thin film EL element. If the voltage is set to be below the threshold voltage, half-selected picture elements will not emit light. Further, a circuit for preventing light emission of half-selected picture elements is not required. In the above embodiment, the voltage (Vs - Vp) is charged at the first timing, but if the on-current of the data switch can be made sufficiently large, the voltage to be charged in advance can be (Vs - Vp). It is not necessary. Furthermore, in the driving method of the present invention, when the switch S 1 is on during writing, the switch S 3 is always on, so the breakdown voltage of the scanning switches Sy 1 to Syn and the diodes constituting the diode circuit 40 is ( Vs−Vp) is sufficient. Further, the diode constituting the diode circuit 60 may also have a withstand voltage of voltage Vs.
第1図は本発明の駆動方法を実行する一実施例
の回路図、第2図は第1図の回路のタイムチヤー
ト、第3図は本発明の動作を説明する等価回路図
である。
10:薄膜ELマトリツクス素子、20:電源
回路、30:走査側選択スイツチ回路、40:ダ
イオード回路、50:データ側選択スイツチ回
路、60:ダイオード回路。
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment for carrying out the driving method of the present invention, FIG. 2 is a time chart of the circuit of FIG. 1, and FIG. 3 is an equivalent circuit diagram explaining the operation of the present invention. 10: thin film EL matrix element, 20: power supply circuit, 30: scanning side selection switch circuit, 40: diode circuit, 50: data side selection switch circuit, 60: diode circuit.
Claims (1)
膜EL層を挾持する薄膜誘電体層を介在させてな
る薄膜EL素子の駆動方法において、書込み絵素
に定電流を供給し、該定電流の供給時間を映像信
号に応じて制御することにより、上記書込み絵素
の充電電圧を制御して輝度変調することを特徴と
する薄膜EL素子の駆動方法。1. In a method for driving a thin film EL element in which a thin film dielectric layer sandwiching a thin film EL layer is interposed between mutually orthogonal matrix electrodes, a constant current is supplied to a writing picture element, and the supply time of the constant current is A method for driving a thin film EL element, characterized in that brightness is modulated by controlling the charging voltage of the writing picture element by controlling according to a video signal.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16086877A JPS5492081A (en) | 1977-12-28 | 1977-12-28 | Driving method of thin film el element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16086877A JPS5492081A (en) | 1977-12-28 | 1977-12-28 | Driving method of thin film el element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5492081A JPS5492081A (en) | 1979-07-20 |
| JPS62509B2 true JPS62509B2 (en) | 1987-01-08 |
Family
ID=15724097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16086877A Granted JPS5492081A (en) | 1977-12-28 | 1977-12-28 | Driving method of thin film el element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5492081A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6121943A (en) * | 1995-07-04 | 2000-09-19 | Denso Corporation | Electroluminescent display with constant current control circuits in scan electrode circuit |
| AU2003219397A1 (en) * | 2002-05-16 | 2003-12-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Led capacitance discharge with limited current |
-
1977
- 1977-12-28 JP JP16086877A patent/JPS5492081A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPS5492081A (en) | 1979-07-20 |
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