JPS6252843B2 - - Google Patents
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- JPS6252843B2 JPS6252843B2 JP54154729A JP15472979A JPS6252843B2 JP S6252843 B2 JPS6252843 B2 JP S6252843B2 JP 54154729 A JP54154729 A JP 54154729A JP 15472979 A JP15472979 A JP 15472979A JP S6252843 B2 JPS6252843 B2 JP S6252843B2
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- JP
- Japan
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- image
- layer
- polarization
- polarized
- light
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光導電層の抵抗変化による分配電圧の
差を利用して像を形成する像形成部材に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an image forming member that forms an image using a difference in distributed voltage caused by a change in resistance of a photoconductive layer.
従来、電気的手法による像形成部材として電子
写真感光体が利用されている。最も一般的な電子
写真プロセス、即ち、帯電し画像露光を行なつて
静電像を形成するプロセスに用いられる感光体の
代表的な構成は、支持体上に光導電層が形成され
ているものである。静電像は、一般にコロナ放電
により感光体表面を帯電し、次いで画像露光によ
り露光部の帯電電荷を選択的に消失させて形成さ
れるものである。この静電像は、静電像に対して
反対極性の電荷に帯電されているトナーで現像さ
れ、転写紙に転写される。このような電子写真プ
ロセスにおいては、コロナ帯電を行なうためのワ
イヤーやシールドケース、また、コロナ放電を生
ぜしめるための高電圧を必要とするため、装置の
コンパクト化が困難であることが指摘される。 Conventionally, an electrophotographic photoreceptor has been used as an image forming member using an electrical method. A typical configuration of a photoreceptor used in the most common electrophotographic process, that is, a process in which an electrostatic image is formed by charging and imagewise exposure, is one in which a photoconductive layer is formed on a support. It is. An electrostatic image is generally formed by charging the surface of a photoreceptor by corona discharge, and then selectively dissipating the charges in the exposed areas by imagewise exposure. This electrostatic image is developed with toner charged with a polarity opposite to that of the electrostatic image, and is transferred onto transfer paper. It has been pointed out that this type of electrophotographic process requires wires and shield cases to perform corona charging, as well as high voltage to generate corona discharge, making it difficult to make the equipment more compact. .
一方、従来知られている電子写真感光体として
装置のコンパクト化が容易なものも提案されてい
る。その代表的なものとして、特開昭48−68238
号公報、特開昭51−150342号公報、特開昭53−
1027号公報、特開昭54−61534号公報および特開
昭54−61537号公報などに開示されている感光体
が挙げられる。これらの感光体はコロナ帯電を必
要としないで、荷電トナーによる現像が可能な電
位像を形成できるものである。電極が設けられて
いる光導電層に電圧を印加して画像露光を行なう
ことにより、印加されている電圧について露光部
と未露光部とにおいて、分配電圧の差を生ぜしめ
ることによつて電位像を形成するものである。し
かしながら、この電位像を形成するプロセスにお
いては、光導電層の抵抗変化によつて感光体表面
における電圧変化を生じさせるものであり、これ
によつて現像可能な電位像を形成するものである
から、感光体に対する電圧印加、画像露光および
現像処理を同時に行なう必要があり、プロセス上
または装置化の上での制約が伴なう。 On the other hand, conventionally known electrophotographic photoreceptors that can be easily made compact have also been proposed. As a representative example, JP-A No. 48-68238
Publication No. 150342, Japanese Patent Publication No. 150342, Japanese Patent Publication No. 1983-1503-
Examples include photoreceptors disclosed in JP-A No. 1027, JP-A-54-61534, and JP-A-54-61537. These photoreceptors do not require corona charging and can form potential images that can be developed with charged toner. Image exposure is performed by applying a voltage to the photoconductive layer on which electrodes are provided, and a potential image is created by creating a difference in distributed voltage between the exposed and unexposed areas of the applied voltage. It forms the However, in the process of forming this potential image, a change in the resistance of the photoconductive layer causes a voltage change on the surface of the photoreceptor, thereby forming a developable potential image. It is necessary to apply a voltage to the photoreceptor, expose the image, and develop the image at the same time, which brings about restrictions in terms of process or equipment.
而して本発明は、このような制約のない、即
ち、画像露光による分極像の形成と分極像の可視
像への変換を順次に行なうことができる像形成部
材を提供することを主たる目的とする。 Therefore, the main object of the present invention is to provide an image forming member that does not have such restrictions, that is, it can sequentially form a polarized image by image exposure and convert the polarized image into a visible image. shall be.
本発明による像形成部材は、不連続な多数の透
明孤立導電体、分極層、パターン電極、光導電
層、導電層、パターン電極に対応する位置に形成
されたことによりパターン電極と導電層が接続状
態になるのを防止するためのパターン部材、およ
びパターン電極と導電層の間に電圧を印加するた
めの手段を有し、該透明孤立導電体は該分極層上
に形成されており、該分極層は該パターン電極お
よび該光導電層上に形成されており、該導電層は
該パターン部材および該光導電層下に形成されて
いることを特徴とするものである。 In the image forming member according to the present invention, the pattern electrode and the conductive layer are connected by forming a large number of discontinuous transparent isolated conductors, polarized layers, pattern electrodes, photoconductive layers, conductive layers, and positions corresponding to the pattern electrodes. and a means for applying a voltage between the patterned electrode and the conductive layer, the transparent isolated conductor is formed on the polarized layer, and the transparent isolated conductor is formed on the polarized layer. A layer is formed on the patterned electrode and the photoconductive layer, and the conductive layer is formed below the patterned member and the photoconductive layer.
本発明に用いる像形成部材の代表的な構成は第
1図に示される。第1図の像形成部材は、透明支
持体1上に透明導電層2が積層されており、さら
に、パターン状不透明層3が形成され、3の上に
光導電層4、パターン状絶縁層6およびパターン
電極5があり、さらに3の上に不連続の孤立導電
体8を表面に有する分極層7が形成されているも
のである。透明支持体としては、合成樹脂のフイ
ルム又はシート、又はガラス、セラミツク等から
形成される。また、この透明支持体が必ずしもな
くともよい。透明導電層は例えば、支持体がガラ
スであれば、In2O3、SnO2等でその表面が導電処
理され、或いは支持体がポリイミドフイルム等の
合成樹脂フイルムであれば、Al、Ag、Pb、Zn、
Ni、Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、V、Ti、Pt等
の金属を以つて真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパ
ツタリング等で処理して形成される。 A typical configuration of the imaging member used in the present invention is shown in FIG. The image forming member shown in FIG. 1 has a transparent conductive layer 2 laminated on a transparent support 1, a patterned opaque layer 3, on which a photoconductive layer 4 and a patterned insulating layer 6 are formed. and a patterned electrode 5, and a polarized layer 7 having a discontinuous isolated conductor 8 on its surface is further formed on the patterned electrode 5. The transparent support is formed from a synthetic resin film or sheet, glass, ceramic, or the like. Further, this transparent support may not necessarily be provided. For example, if the support is glass, the surface of the transparent conductive layer is conductively treated with In 2 O 3 or SnO 2 , or if the support is a synthetic resin film such as polyimide film, it can be made of Al, Ag, Pb, etc. ,Zn,
It is formed by processing metals such as Ni, Au, Cr, Mo, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, etc. by vacuum evaporation, electron beam evaporation, sputtering, etc.
パターン状不透明層は、画像露光の際像形成部
材の露光部において、透明導電層とパターン電極
が低抵抗状態になつた光導電層によつて接続状態
になるのを防止するために設けられるものであ
り、パターン電極に対応する位置に形成されるも
のである。パターン状不透明層は、例えば、C、
Cr、Ag、Au、Al、Ni、Fe、あるいはゼラチン
に黒色の顔料をとかしこんだもの、などの材料を
用いて、フオトエツチング法、マスク蒸着法、な
どにより形成される。 The patterned opaque layer is provided to prevent the transparent conductive layer and the patterned electrode from being connected to each other by the photoconductive layer in a low resistance state in the exposed portion of the image forming member during image exposure. and is formed at a position corresponding to the pattern electrode. The patterned opaque layer is made of, for example, C,
It is formed using materials such as Cr, Ag, Au, Al, Ni, Fe, or gelatin mixed with black pigment by photoetching, mask vapor deposition, etc.
光導電層は、S、Se、Si、PbO、及びS、
Se、Te、As、Sb等を有した合金や金属間化合物
等の無機光導電材料を真空蒸着して形成される。
また、スパツタリング法による場合、Si、ZnO、
CdS、CdSe、TiO2等の高融点の光導電物質を支
持体に付着させて光導電層とすることもできる。
また塗布により光導電層を形層する場合、ポリビ
ニルカルバゾール、アントラセン、フタロシアニ
ン等の有機光導電材料、及びこれらの色素増感や
ルイス酸増感をしたもの、さらにこれらの絶縁性
バインダーとの混合物を用い得る。また、ZnO、
CdS、TiO2、PbO等の無機光導電体の絶縁層バ
インダーとの混合物も適する。なお、絶縁性のバ
インダーとしては、各種樹脂が用いられる。 The photoconductive layer includes S, Se, Si, PbO, and S,
It is formed by vacuum deposition of an inorganic photoconductive material such as an alloy or intermetallic compound containing Se, Te, As, Sb, etc.
In addition, when using the sputtering method, Si, ZnO,
A high melting point photoconductive material such as CdS, CdSe, TiO2 , etc. can also be attached to the support to form the photoconductive layer.
In addition, when forming a photoconductive layer by coating, organic photoconductive materials such as polyvinylcarbazole, anthracene, phthalocyanine, dye-sensitized or Lewis acid-sensitized products of these materials, and mixtures of these with insulating binders are used. Can be used. Also, ZnO,
Mixtures of inorganic photoconductors such as CdS, TiO 2 , PbO, etc. with insulating layer binders are also suitable. Note that various resins are used as the insulating binder.
第2図は、第1図の像保持部材から孤立導電体
8および分極層7を除去して見た像保持部材の平
面図であり、パターン電極5の形状を示してい
る。即ち、パターン電極5はストライプ状になつ
ており、また、光導電層4もストライプ状に露出
している。また、パターン状絶縁層6もパターン
電極5を挾んでストライプ状になつている。パタ
ーン電極は、例えば、Cr、Ni、Fe、Al、Au、
Ag、PdおよびCなどにより形成される。絶縁層
は、例えば、エポキシ樹脂、塩化ビニル樹脂、シ
リコーン樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリパラキシリ
レン樹脂、ポリエチレン樹脂、ウレタン樹脂、ア
クリル樹脂などにより形成される。 FIG. 2 is a plan view of the image holding member shown in FIG. 1 with the isolated conductor 8 and polarized layer 7 removed, and shows the shape of the pattern electrode 5. FIG. That is, the pattern electrode 5 has a stripe shape, and the photoconductive layer 4 is also exposed in a stripe shape. Further, the patterned insulating layer 6 also has a striped shape sandwiching the patterned electrode 5. The pattern electrode is made of, for example, Cr, Ni, Fe, Al, Au,
It is formed from Ag, Pd, C, etc. The insulating layer is formed of, for example, epoxy resin, vinyl chloride resin, silicone resin, vinyl acetate resin, polyparaxylylene resin, polyethylene resin, urethane resin, acrylic resin, or the like.
分極層は常態での分極方向は一定の方向になつ
ていないがミクロ的には分極状態にある強誘電材
料から形成されるものである。強誘電材料として
は、分極軸に垂直な2つの軸が分極方向に反転す
るような材料が好適であり、例えば、KH2PO4、
ボラサイト合物Me3B7O13X Me:2価の金属X:
ハロゲン原子、モリブデン酸カドニウムGd2
(M0O4)3などである。 The polarized layer is formed from a ferroelectric material that is not polarized in a fixed direction under normal conditions, but is microscopically polarized. As a ferroelectric material, a material in which the two axes perpendicular to the polarization axis are reversed in the polarization direction is suitable, such as KH 2 PO 4 ,
Borasite compound Me 3 B 7 O 13 X Me: Divalent metal X:
Halogen atom, cadmium molybdate Gd 2
(M 0 O 4 ) 3 , etc.
透明孤立導電体は、不連続な島状透明導電体で
あり、形成する画像の画素となる重要な導電体で
ある。孤立電極の形状は、第3図の平面図に示さ
れるように、孤立された四角形になつている。透
明孤立導電体は種々の方法により形成されるが、
その代表的な製法は、蒸着とホトレジストを用い
た化学エツチングによる方法である。この方法に
よる場合は、分極層の表面にまず透明孤立導電体
を形成する材料、例えば、In2O3、SnO2等の金属
酸化物、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、Au、Cr、Mo、
In、Nb、Ta、U、Ti、Pt等の各種金属を分極層
上に蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタリング蒸着
等によつて層に形成される。次いでホトレジスト
を用いて島状のマスキングパターンを形成し、次
いで酸又はアルカリ等の所定のエツチング液を用
いてIn2O3等の層を選択的にエツチング除去した
後、ホトレジストのマスキングパターンを除去し
て孤立導電体を形成できる。 A transparent isolated conductor is a discontinuous island-shaped transparent conductor, and is an important conductor that becomes a pixel of an image to be formed. The shape of the isolated electrode is an isolated square, as shown in the plan view of FIG. Transparent isolated conductors can be formed by various methods.
The typical manufacturing method is vapor deposition and chemical etching using photoresist. When using this method, first the material that forms the transparent isolated conductor on the surface of the polarized layer, such as metal oxides such as In 2 O 3 and SnO 2 , Al, Ag, Pb, Zn, Ni, Au, Cr, Mo,
A layer of various metals such as In, Nb, Ta, U, Ti, Pt, etc. is formed on the polarization layer by vapor deposition, electron beam vapor deposition, sputtering vapor deposition, or the like. Next, an island-shaped masking pattern is formed using a photoresist, and then a layer such as In 2 O 3 is selectively etched away using a predetermined etching solution such as acid or alkali, and then the masking pattern of the photoresist is removed. can form an isolated conductor.
ホトレジストとしては、従来一般に使用される
物質を任意に使用できる。例えば、市販のものと
して、商品名:KPR(Kodak photo Resist、コ
ダツク製……現像液:メチレンクロライド、トリ
クレン等)、商品名:KMER(KodaK Metal
Etch Resist、コダツク製……現像液:キシレ
ン、トリクレン等)、商品名:TPR(東京応化製
……現像液:キシレン、トリクレン等)、商品
名:シツプレーAZ1300(シツプレー製……現像
液:アルカリ水溶液)、商品名:KTFR(KodaK
Thin Film Resist、コダツク製……現像液:キ
シレン、トリクレン等)、商品名:FNRR(富士
薬品工業……現像液:クロロセン)、商品名:
FPER(Fuji Photo Etching Resist、富士写真
フイルム製……現像液:トリクレン)、商品名:
TESH DOOL(岡本化学工業製……現像液:
水)、および商品名:フジレジスト7(富士薬品
工業製……現像液:水)等がある。マスクの使用
後、マスクの除去はトリクレン、メチレンクロラ
イド、商品名:AZリムーバー(シツプレー製)、
硫酸等が用いられる。 As the photoresist, any conventionally commonly used materials can be used. For example, as commercially available products, product name: KPR (Kodak photo resist, made by Kodatsu... developer: methylene chloride, trichlene, etc.), product name: KMER (Kodak Metal
Etch Resist, made by Kodatsu...Developer: xylene, trichlene, etc.), Product name: TPR (manufactured by Tokyo Ohka...Developer: xylene, trichlene, etc.), Product name: Situpre AZ1300 (made by Situprey...Developer: alkaline aqueous solution) ), Product name: KTFR (KodaK
Thin Film Resist, manufactured by Kodatsuku...developer: xylene, trichlene, etc.), product name: FNRR (Fuji Pharmaceutical Co., Ltd....developer: chlorocene), product name:
FPER (Fuji Photo Etching Resist, manufactured by Fuji Photo Film...Developer: Triclean), Product name:
TESH DOOL (manufactured by Okamoto Chemical Industry...Developer:
water), and product name: Fujiresist 7 (manufactured by Fuji Pharmaceutical Co., Ltd., developer: water). After using the mask, remove the mask using Triclean, Methylene Chloride, Product Name: AZ Remover (manufactured by Shitspray),
Sulfuric acid etc. are used.
透明孤立導電体の形成は、島状の開口部を有す
るマスクを介して透明孤立導電体形成材料を分極
層上に蒸着した後、マスクを除去することによつ
ても形成できる。 The transparent isolated conductor can also be formed by depositing the transparent isolated conductor forming material onto the polarized layer through a mask having island-shaped openings, and then removing the mask.
像形成部材の各構成部の大きさは適宜設定され
るものであるが、一般的には次のようである。光
導電層の厚さは1μ〜100μ、パターン電極のス
トライプ幅は1μ〜50μ、分極層の厚さは5〜
500μ、および孤立導電体の1つの面積は1μ2
〜0.1mm2が適当である。 The size of each component of the image forming member is determined as appropriate, but is generally as follows. The thickness of the photoconductive layer is 1μ to 100μ, the stripe width of the pattern electrode is 1μ to 50μ, and the thickness of the polarization layer is 5 to 100μ.
500μ, and the area of one isolated conductor is 1μ 2
~ 0.1mm2 is suitable.
第1図に示される像形成部材を用いて像を形成
する代表的な方法は、第4図〜第7図および第1
2図に示される。まず、第4図に示されるように
透明導電層2とパターン電極5との間に電圧9を
印加する。この電圧の大きさは、分極層7の分極
に指向性を与えるに十分なものにする。その結果
矢印10および11に示されるように分極状態に
指向性が与えられる。次に、第5図に示されるよ
うに透明導電層2とパターン電極5との間に逆方
向の電圧12を印加する。この電圧の大きさは暗
所、即ち、光導電層が低抵抗化しない状態では、
分極層7の分極状態を変えない程度のものに設定
される。このような電圧状態下で、第6図に示さ
れるように画像露光を行なう。原画像14は暗部
15と明部16を有しており、光照射17を行な
うことにより、明部16を透過した光がパターン
状不透明層3の間13を透過し、この部分の光導
電層4を低抵抗化する。その結果、露光部におい
ては、電圧12が殆んど分極層に印加されること
になり、分極層の抗電場を越え、分極状態は矢印
18および19に示される状態に分極反転が起
り、原画像に対応する分極像が形成される。この
分極像は第7図に示されるように、分極層の抗電
場(分極の向きを変えるに必要な最小の電場)よ
り小さい電圧20を印加することによつて電位像
に変換することができる。即ち、分極層に印加さ
れる電圧をE、分極層にかかる電荷密度をD、分
極層の誘電率をε、分極の大きさをPとすると、
非露光部においては、
D=εE+P
露光部においては、
D=εE−P
となる。従つて、孤立導電体の電荷量は露光部と
非露光部とでは2Pだけ異なる。また、このとき
の分極層の実効的な容量CFは、
CF=∂D/∂V
で表わされる。Vは電圧20の大きさである。D
は非露光部の方が大きいので、分極層の非露光部
の容量CFDと露光部の容量CFLとでは、
CFD>CFL
である。 A typical method of forming an image using the imaging member shown in FIG.
This is shown in Figure 2. First, a voltage 9 is applied between the transparent conductive layer 2 and the patterned electrode 5 as shown in FIG. The magnitude of this voltage is made sufficient to impart directivity to the polarization of the polarized layer 7. As a result, directionality is imparted to the polarization state as shown by arrows 10 and 11. Next, as shown in FIG. 5, a voltage 12 in the opposite direction is applied between the transparent conductive layer 2 and the patterned electrode 5. The magnitude of this voltage is in the dark, that is, in a state where the resistance of the photoconductive layer is not reduced.
It is set to a level that does not change the polarization state of the polarization layer 7. Under such voltage conditions, image exposure is performed as shown in FIG. The original image 14 has a dark area 15 and a bright area 16, and by performing light irradiation 17, the light that has passed through the bright area 16 is transmitted through the gap 13 between the patterned opaque layers 3, and the photoconductive layer in this area is 4 to lower resistance. As a result, in the exposed area, most of the voltage 12 is applied to the polarized layer, exceeding the coercive electric field of the polarized layer, and the polarization state is reversed to the state shown by arrows 18 and 19, and the original A polarization image corresponding to the image is formed. As shown in Figure 7, this polarization image can be converted into a potential image by applying a voltage 20 that is smaller than the coercive electric field of the polarized layer (the minimum electric field required to change the direction of polarization). . That is, if the voltage applied to the polarized layer is E, the charge density applied to the polarized layer is D, the dielectric constant of the polarized layer is ε, and the magnitude of polarization is P, then in the non-exposed area, D=εE+P In the exposed area becomes D=εE−P. Therefore, the amount of charge on the isolated conductor differs by 2P between the exposed area and the non-exposed area. Further, the effective capacitance C F of the polarized layer at this time is expressed as C F =∂D/∂V. V is the magnitude of the voltage 20. D
is larger in the non-exposed part, so the capacitance C FD in the non-exposed part of the polarized layer and the capacitance C FL in the exposed part are C FD >C FL .
また、孤立導電体の電位をV0、光導電層の容
量をCPとすると、V0は、
V0=CF/CF+CPV
で与えられる。ところで、CFD>CFLであるか
ら、孤立導電体の非露光部における電位V0Dと露
光部における電位V0Lは、
V0D>V0L
となつて、原画像に対応する電位像が形成され
る。そこで、第7図に示される状態で通常の電子
写真用現像剤を付与することによつて、現像剤に
荷電されている電荷の極性により、非露光部又は
露光部の孤立導電体に選択的に現像剤が付着して
可視像が形成され、必要に応じてこれは、転写紙
等に転写され定着される。第6図に示されるよう
にして画像露光された後は画像が分極層の分極状
態の変化として記憶されており、第7図に示され
るように電圧を印加して電位像を形成し、これを
現像する処理は、画像露光後、任意の時間の経過
後(例えば24時間後)において実施することがで
きる。第6図に示されるような分極像を色彩像に
変換して読み出す具体的な方法は第11図〜第1
2図に示される。はじめに、本発明による像形成
部材を用いて干渉色による色彩像を形成する機構
を説明するために、モリブデン酸カドニウムGd2
(M0O4)3の単結晶を試料結晶板として用いた場合
を例に挙げ色彩像の形成機構を説明する。 Further, when the potential of the isolated conductor is V 0 and the capacitance of the photoconductive layer is CP , V 0 is given by V 0 =C F /C F +C P V . By the way, since C FD > C FL , the potential V 0D in the non-exposed part of the isolated conductor and the potential V 0L in the exposed part become V 0D >V 0L , and a potential image corresponding to the original image is formed. Ru. Therefore, by applying an ordinary electrophotographic developer in the state shown in FIG. A visible image is formed by adhering the developer to the image, and if necessary, this is transferred and fixed onto a transfer paper or the like. After image exposure as shown in Figure 6, the image is stored as a change in the polarization state of the polarized layer, and as shown in Figure 7, a voltage is applied to form a potential image. The processing for developing can be carried out after an arbitrary period of time has elapsed (for example, 24 hours) after image exposure. The specific method of converting the polarization image shown in Figure 6 into a color image and reading it out is shown in Figures 11 to 1.
This is shown in Figure 2. First, in order to explain the mechanism of forming a color image based on interference colors using the image forming member according to the present invention, cadmium molybdate Gd 2
The formation mechanism of a color image will be explained using an example in which a single crystal of (M 0 O 4 ) 3 is used as a sample crystal plate.
まず、Gd2O3とM0O3の粉末を1:3のモル比
になるように秤量し、1150℃の高周波加熱白金ル
ツボ中に融熔し、その中に種結晶を浸し、約
100rpmの速さで回転しながら、1mm/hrの速度
で引き上げることにより、直径20φの単結晶が作
成できた。これより(001)面の薄片10×10mm
(面積)×20μ(厚さ)の試料結晶板を作成した。
この試料結晶板は室温でmm2の対称をもつてた透明
な強誘電体で分極反転により結晶軸のa軸とb軸
とが入れかわる特性を持つ。この試料結晶板にポ
ラライザーを通して振動面が一方向だけになつた
直線偏光を入射させると試料結晶板内部を進む距
離に比例した位相差RとしてR=△n・dが生じ
る。ここで、△nは試料結晶板の複屈折の大きさ
でdは試料結晶板の厚さであり、△n=na−nb
(na:a軸の屈折率、nb:b軸の屈折率)であ
る。試料結晶板を通過した光をポラライザーと直
交ニコルになるように配置したアナライザーを通
してみると干渉色がみられる。 First, powders of Gd 2 O 3 and M 0 O 3 were weighed at a molar ratio of 1:3, melted in a platinum crucible heated by high frequency heating at 1150°C, and a seed crystal was immersed in it.
By rotating at a speed of 100 rpm and pulling at a speed of 1 mm/hr, a single crystal with a diameter of 20φ was created. From this, a thin piece of (001) plane 10 x 10 mm
A sample crystal plate of (area) x 20μ (thickness) was created.
This sample crystal plate is a transparent ferroelectric material with a symmetry of mm 2 at room temperature, and has the property that the a-axis and b-axis of the crystal axes are swapped due to polarization reversal. When linearly polarized light whose vibration plane is set in only one direction is incident on this sample crystal plate through a polarizer, a phase difference R=Δn·d occurs as a phase difference R proportional to the distance traveled inside the sample crystal plate. Here, △n is the magnitude of birefringence of the sample crystal plate, d is the thickness of the sample crystal plate, and △n=na−nb
(na: refractive index of the a-axis, nb: refractive index of the b-axis). When the light that has passed through the sample crystal plate is passed through an analyzer arranged so that the polarizer and the polarizer are orthogonal Nicols, interference colors can be seen.
しかしながら、この場合、試料結晶板の分極の
極性によつては干渉色の差は生じない。しかし、
もし試料結晶板以外の補助の複屈折体を試料結晶
板とアナライザーの間に挿入し、位相差を重畳さ
せたときは、分極の向きによつて干渉色が異な
る。従つて、試料結晶板の透過光のうち通常光と
異常光との位相差をR、補助複屈折体の透過光の
通常光と異常光との位相差を△Rとし、また試料
結晶板の分極状態が部分によつて分極方向が逆に
なつているとした場合、補助複屈折体の振動方向
と試料結晶板の一方の分極状態の光の振動方向と
は一致してアナライザーを透過してくる通常光と
異常光との位相差はR+△Rとなり、この位相差
に基く干渉色が観察される。また、補助複屈折体
の光の振動方向と試料結晶板の他方の分極状態の
光の振動方向とは直交してアナライザーを透過し
てくる通常光と異常光との位相差はR−△Rとな
り、この位相差に基く干渉色が観察される。この
ようにして試料結晶板に形成されている分極状態
が分極像であれば分極像に対応した干渉色による
色彩像を観察することができるものである。 However, in this case, no difference in interference color occurs depending on the polarity of polarization of the sample crystal plate. but,
If an auxiliary birefringent body other than the sample crystal plate is inserted between the sample crystal plate and the analyzer to superimpose the phase difference, the interference color will differ depending on the direction of polarization. Therefore, the phase difference between normal light and extraordinary light among the light transmitted through the sample crystal plate is R, the phase difference between the normal light and extraordinary light among the light transmitted through the auxiliary birefringent body is △R, and the phase difference between the normal light and extraordinary light among the light transmitted through the sample crystal plate is R. If the polarization direction is reversed depending on the polarization state, the vibration direction of the auxiliary birefringent body and the vibration direction of the light in one polarization state of the sample crystal plate will be the same and will pass through the analyzer. The phase difference between the normal light and the extraordinary light is R+ΔR, and interference colors based on this phase difference are observed. Also, the phase difference between the normal light and the extraordinary light that pass through the analyzer with the vibration direction of the light of the auxiliary birefringent body and the vibration direction of the light of the other polarization state of the sample crystal plate orthogonal to each other is R-△R. Therefore, interference colors based on this phase difference are observed. If the polarization state thus formed on the sample crystal plate is a polarization image, a color image based on interference colors corresponding to the polarization image can be observed.
ここで△Rの大きさは補助複屈折体の素材およ
び形状によつて任意に定めることができ、よつ
て、補助複屈折体の素材および形状を変えること
により、△Rの大きさにもとずくアナライザーを
透過する光の干渉色を任意に定めることができ
る。分極像が形成されている試料結晶板を用いて
色彩像が観察できることを物理関係式で説明する
と次のようになる。第10図に示されるように、
一般にポラライザー23を透過した直線偏光24
が厚さdの複屈折△nの試料結晶板25に入射す
ると位相差Rが生ずる。この位相差の大きさはR
=△n・dである。従つて、2枚の直交した偏光
板であるポラライザー23とアナライザー28の
間に入れられた試料結晶板25を透過光は干渉を
生じ、アナライザーから出る透過光の強度Iは、
I=I0sin2(Rπ/λ)
I0:ポラライザーの透過光の強さ、
λ:光の波長
で表わされる。 Here, the size of △R can be determined arbitrarily depending on the material and shape of the auxiliary birefringent body. Therefore, by changing the material and shape of the auxiliary birefringent body, the size of △R can be adjusted to the original value. The interference color of the light that passes through the Zuku analyzer can be arbitrarily determined. The fact that a color image can be observed using a sample crystal plate on which a polarization image is formed can be explained using the following physical relational expression. As shown in Figure 10,
In general, linearly polarized light 24 transmitted through a polarizer 23
When incident on the sample crystal plate 25 of thickness d and birefringence Δn, a phase difference R occurs. The magnitude of this phase difference is R
=Δn·d. Therefore, the light transmitted through the sample crystal plate 25 placed between the polarizer 23 and the analyzer 28, which are two orthogonal polarizing plates, causes interference, and the intensity I of the transmitted light coming out of the analyzer is: I=I 0 sin 2 (Rπ/λ) I 0 : Intensity of light transmitted through the polarizer, λ : Expressed in wavelength of light.
そこで、Rπ/λ=(2n+1)π/2(nは整
数)のときI=I0となり明るくなる。 Therefore, when Rπ/λ=(2n+1)π/2 (n is an integer), I=I 0 and the light becomes brighter.
また、Rπ/λ=nπのときI=0となり暗く
なる。このようにアナライザーから出てくる光は
試料結晶板の位相差による干渉によつて特有の色
彩光として観察される。 Further, when Rπ/λ=nπ, I=0 and the light becomes dark. In this way, the light emitted from the analyzer is observed as unique colored light due to interference due to the phase difference of the sample crystal plate.
具体例としてGd2(M0O4)3結晶について説明す
るとGd2(M0O4)3の試料結晶板は、光学的に二軸
性であり、電界を印加することによつて分極方向
の反転(分極反転)させるとa軸とb軸が互いに
入れかわる。そこで、偏光顕微鏡によつてコノス
コープ像を観察すると2つのメラトープが90゜回
転する現像が観察され、光軸面は分極反転により
90゜回転することが確められる。Gd2(M0O4)3結
晶はc軸方向(分極軸の方向)に分極方向とは逆
の電界を加えて分極の向きを変えることにより2
つの光学弾性軸が入れ換わる。そこで、電界によ
り分極の方向を変えることにより位相差Rの正
負、即ち、複屈折△nの正負を切り換えることが
できる。しかし、第10図に示されるように1つ
の分極方向26と他の分極方向27を形成した試
料結晶板25に直線偏光24を照射させても、分
極方向26の部分と分極方向27の部分は共にR
=△n・dの位相差Rを呈し、アナライザー28
の透過光29(分極方向26の部分に対応する透
過光)と透過光30(分極方向27の部分に対応
する透過光)の干渉の差は生じないから干渉によ
る両透過光29と30の色彩は同じになつて識別
できない。 To explain Gd 2 (M 0 O 4 ) 3 crystal as a specific example, the Gd 2 (M 0 O 4 ) 3 sample crystal plate is optically biaxial, and the polarization direction can be changed by applying an electric field. When the a-axis and the b-axis are reversed (polarization reversal), the a-axis and the b-axis are swapped with each other. Therefore, when observing the conoscopic image using a polarizing microscope, the development in which the two melatopes are rotated by 90 degrees is observed, and the optical axis plane is changed due to polarization reversal.
Verify that it rotates 90°. Gd 2 (M 0 O 4 ) 3 crystal can be converted into 2 by changing the polarization direction by applying an electric field opposite to the polarization direction in the c-axis direction (polarization axis direction).
The two optical elastic axes are swapped. Therefore, by changing the direction of polarization using an electric field, it is possible to switch the polarity of the phase difference R, that is, the polarity of the birefringence Δn. However, even if the sample crystal plate 25 with one polarization direction 26 and the other polarization direction 27 is irradiated with the linearly polarized light 24 as shown in FIG. Together R
It exhibits a phase difference R of =△n・d, and the analyzer 28
Since there is no difference in interference between transmitted light 29 (transmitted light corresponding to the part in the polarization direction 26) and transmitted light 30 (transmitted light corresponding to the part in the polarization direction 27), the color of both transmitted lights 29 and 30 due to interference does not occur. are the same and cannot be identified.
そこで、第11図に示されるように水晶板等の
他の補助複屈折体34を介在させると、透過光2
9′および30′の干渉色は異なつて観察される。
これは、補助複屈折体の位相差をR1、試料結晶
板の位相差をR2とすると、分極方向26の部分
に対応する透過光29′はR1+R2(又はR1−R2)
の干渉色を、分極方向27の部分に対応する透過
光30′はR1−R2(又はR1+R2)の干渉色を示す
ことによる。よつて、第11図の試料結晶板25
の代りに、第12図に示されるように分極層に分
極方向32と33で分極像が形成されている本発
明による像形成部材を配置することにより、分極
方向32の部分に対応する透過光35と分極方向
33の部分に対応する透過光36とは異なる干渉
色を呈し、分極像は色彩像として観察できるもの
である。 Therefore, if another auxiliary birefringent body 34 such as a crystal plate is interposed as shown in FIG.
The interference colors of 9' and 30' are observed differently.
This means that if the phase difference of the auxiliary birefringent body is R1 and the phase difference of the sample crystal plate is R2 , the transmitted light 29' corresponding to the polarization direction 26 is R1 + R2 (or R1 - R2 )
This is because the transmitted light 30' corresponding to the portion in the polarization direction 27 exhibits an interference color of R 1 -R 2 (or R 1 +R 2 ). Therefore, the sample crystal plate 25 in FIG.
Instead, by arranging an imaging member according to the present invention in which polarization images are formed in the polarization directions 32 and 33 in the polarization layer as shown in FIG. 35 and the transmitted light 36 corresponding to the polarization direction 33 exhibit different interference colors, and the polarization image can be observed as a color image.
本発明による像形成方法の典型的なプロセスは
以上説明した通りであるが、さらに、他の態様を
とり得るものである。例えば、分極像を形成する
ために像保持部材に印加する電圧の極性は任意に
選択することができる。特に第7図に示される現
像時における電圧の極性および大きさは孤立導電
体における電位について露光部と非露光部との間
で必要な差を生ずるように適宜定められてよいも
のである。また、第12図において補助複屈折体
と像形成部材の位置は入れかわつてもよい。 The typical process of the image forming method according to the present invention has been described above, but other embodiments are also possible. For example, the polarity of the voltage applied to the image holding member to form a polarized image can be arbitrarily selected. In particular, the polarity and magnitude of the voltage during development shown in FIG. 7 may be determined as appropriate so as to produce a necessary difference in potential between the exposed and non-exposed areas in the isolated conductor. Further, the positions of the auxiliary birefringent body and the image forming member may be interchanged in FIG. 12.
本発明に用いる像形成部材についても第1図に
示される構成の他、さらに他の構成態様をとり得
るものである。例えば、第1図におけるパターン
状絶縁層6およびパターン状不透明層3はいずれ
も画像露光の際、パターン電極と透明電極とが低
抵抗化した光導電層によつて接続された状態にな
るのを防止するための部材であり、パターン状不
透明層とパターン状絶縁層のいずれか一方は省略
されてもよい。また、このような作用をする部材
であればパターン状絶縁層又はパターン状不透明
層以外の部材が用いられてもよい。第8図は、パ
ターン状絶縁層が省略された像形成部材を示して
いる。また、第9図は、反対にパターン状不透明
層を省略した像形成部材の1態様として、パター
ン状絶縁層21が厚く形成されており、光導電層
22は、ストライプ状に形成されているものであ
る。また、孤立導電体の形成は円形、三角形等任
意に定めることができる。また、パターン電極、
パターン状絶縁層およびパターン状不透明層等に
ついても、ドツト状、網目状、くし型状など、任
意の形状にすることができる。 The image forming member used in the present invention may also have other configurations in addition to the configuration shown in FIG. For example, both the patterned insulating layer 6 and the patterned opaque layer 3 in FIG. The patterned opaque layer or the patterned insulating layer may be omitted. Further, members other than the patterned insulating layer or the patterned opaque layer may be used as long as they have such an effect. FIG. 8 shows an imaging member in which the patterned insulating layer is omitted. In addition, FIG. 9 shows an embodiment of an image forming member in which the patterned opaque layer is omitted, in which the patterned insulating layer 21 is formed thickly and the photoconductive layer 22 is formed in the form of stripes. It is. Moreover, the formation of the isolated conductor can be arbitrarily determined, such as circular or triangular. In addition, pattern electrodes,
The patterned insulating layer, patterned opaque layer, etc. can also be formed into arbitrary shapes such as dots, meshes, and combs.
また、画像露光を孤立導電体側からする場合に
は、透明支持体および透明導電層は透明でなくと
もよい。支持体は必要に応じて省略されてもよ
い。 Furthermore, when image exposure is performed from the side of the isolated conductor, the transparent support and the transparent conductive layer do not need to be transparent. The support may be omitted if necessary.
実施例
Gd2O3とM0O3の粉末を1:3のモル比になる
ように秤量し、1150℃の高周波加熱白金ルツボ中
に融熔し、その中にGd2(M0O4)3の種結晶を浸し
約100rpmの速さで回転しながら1mm/hrの速度
で引き上げることにより、直径20φの単結晶を作
成した。Example Powders of Gd 2 O 3 and M 0 O 3 were weighed to have a molar ratio of 1:3, and melted in a high-frequency heated platinum crucible at 1150°C, in which Gd 2 (M 0 O 4 ) A single crystal with a diameter of 20φ was prepared by dipping the seed crystal of No. 3 and pulling it up at a speed of 1 mm/hr while rotating at a speed of about 100 rpm.
これより、各軸方向をX線回折によりきめ、
(001)面の10×10mm厚さ20μの分極層を作成し
た。 From this, each axis direction was determined by X-ray diffraction,
A polarized layer with a (001) plane of 10 × 10 mm and a thickness of 20 μ was created.
その上にマスクをして約10μの巾で30μの間隔
の第2図に示されるような帯状のパターン電極を
抵抗加熱法によりAlの真空蒸着で500Å厚に形成
する。 Using a mask, band-shaped patterned electrodes as shown in FIG. 2 with a width of about 10 .mu.m and an interval of 30 .mu.m as shown in FIG. 2 are formed thereon to a thickness of 500 .ANG. by vacuum evaporation of Al using a resistance heating method.
その上に紫外線硬化性のウレタン・アクリル樹
脂を約5μの厚さで塗布し、マスク法により上記
パターン電極を中心に巾30μで、間隔10μの帯状
の樹脂層のみを紫外線照射し硬化させ、未露光部
をメチルエチルケトン溶剤でとり除き、パターン
状絶縁層を形成した。 On top of that, UV-curable urethane/acrylic resin is applied to a thickness of approximately 5 μm, and using a mask method, only the strip-shaped resin layer with a width of 30 μm and an interval of 10 μm is irradiated with UV rays around the patterned electrode to cure it. The exposed areas were removed with methyl ethyl ketone solvent to form a patterned insulating layer.
その上に0.1TorrのH2ガス雰囲気中で1MHzの高
周波グロー放電により光導電層として約5μの厚
さの非晶質Si膜を形成した。 Thereon, an amorphous Si film with a thickness of about 5 μm was formed as a photoconductive layer by high frequency glow discharge of 1 MHz in a H 2 gas atmosphere of 0.1 Torr.
その上にマスクをかさねてCrを500Å程度、電
子ビームで蒸着し、30μの巾で、間隔10μの帯状
のパターン状不透明層を第1図に示されるように
パターン状絶縁層に対応する位置に形成した。 Using a mask, Cr was deposited to a thickness of about 500 Å using an electron beam, and a band-shaped opaque layer with a width of 30 μm and an interval of 10 μm was formed at a position corresponding to the patterned insulating layer as shown in Figure 1. Formed.
その上にIn2O3を1000Å程度均一に電子ビーム
蒸着し、その後酸素ガス雰囲気中で熱処理を行な
い、透明な導電層を作成した。また、分極層の表
面にマスクを重ね、In2O3を1000Å程度電子ビー
ム蒸着し、その後酸素ガス雰囲気中で熱処理をし
て、第3図に示されるような面積a×a=30μ×
30μ、間隔b=10μの透明な孤立導電体を形成し
た。このようにして像形成部材を製造した。 On top of this, In 2 O 3 was uniformly electron beam deposited to a thickness of about 1000 Å, and then heat treated in an oxygen gas atmosphere to create a transparent conductive layer. In addition, a mask was placed on the surface of the polarized layer, and In 2 O 3 was electron beam evaporated to a thickness of about 1000 Å, followed by heat treatment in an oxygen gas atmosphere to form an area a x a = 30 μ x as shown in Figure 3.
A transparent isolated conductor of 30 μm and a spacing b = 10 μm was formed. An imaging member was thus produced.
この像形成部材の透明導電層とパターン電極と
の間に約600Vの電圧を印加した。この電界にお
いては暗所においても分極層の分極反転がおこ
り、第4図に示されるように電界の方向に分極が
そろつた。このあと逆方向に約300Vの電圧をか
ける。この場合、第5図に示されるようにこの強
さでは分極は反転しない。これは、暗所中におい
ては光導電層の抵抗が十分に高いため印加した電
圧のうち約半分程度は光導電層にかかつてしまう
ため分極層には反転に必要な電界がかかつていな
いことによる。 A voltage of about 600 V was applied between the transparent conductive layer of this image forming member and the patterned electrode. In this electric field, polarization reversal of the polarized layer occurred even in the dark, and the polarization was aligned in the direction of the electric field as shown in FIG. After this, apply a voltage of about 300V in the opposite direction. In this case, as shown in FIG. 5, the polarization is not reversed at this strength. This is because the resistance of the photoconductive layer is sufficiently high in the dark, so about half of the applied voltage is absorbed by the photoconductive layer, so the electric field necessary for inversion is not generated in the polarization layer. .
ここで第6図のように透明導電層側より画像を
露光すると露光部においては、光導電層の抵抗が
小さくなり、ほとんどの電圧が分極層にかかるた
め分極層の必要とする分極反転電界(すなわち抗
電場)をこえ、分極反転がおこる。一方、非露光
部において変化がないため、分極反転は起らな
い。従つて画像の明、暗部に対応して分極の向き
が反対になる。 If the image is exposed from the transparent conductive layer side as shown in Figure 6, the resistance of the photoconductive layer becomes small in the exposed area, and most of the voltage is applied to the polarized layer, so the polarization inversion electric field required by the polarized layer ( (that is, a coercive electric field), and polarization reversal occurs. On the other hand, since there is no change in the non-exposed area, polarization reversal does not occur. Therefore, the direction of polarization is opposite depending on the bright and dark areas of the image.
この状態は電界を取除いても、画像露光をやめ
ても変化がない。この像保持部材を第12図に示
されるように直交する偏光板の間に配置白色光を
あてたところ、補助複屈折体がない場合には、ア
ナライザーの透過光は全部緑色の干渉光であつ
た。次に、補助複屈折体として水晶板を配置させ
て観察した結果、画像部に対応電位像の部分の干
渉光は黄色、非画像部に対応する電位像の部分の
干渉光は青色になり分極像が色彩像として観察で
きた。また、水晶板の振動方向を逆にした所、画
像部も非画像における干渉光は入れ換わつた。 This state does not change even if the electric field is removed or image exposure is stopped. When this image holding member was placed between orthogonal polarizing plates as shown in FIG. 12 and exposed to white light, all of the light transmitted by the analyzer was green interference light in the absence of the auxiliary birefringent material. Next, as a result of observation with a quartz crystal plate placed as an auxiliary birefringent material, the interference light in the potential image part corresponding to the image area is yellow, and the interference light in the potential image part corresponding to the non-image area is blue, indicating polarization. The image could be observed as a colored image. Furthermore, when the vibration direction of the crystal plate was reversed, the interference light in the image area and the non-image area were swapped.
なお、分極像により、異なつた向きに分極方向
が配列した状態に再び分極反転以下の電界を加え
ると、孤立導電体の上の電位は、分極状態により
異なつてくる。 Note that when an electric field below polarization reversal is applied again to a state where the polarization directions are arranged in different directions according to the polarization image, the potential on the isolated conductor will differ depending on the polarization state.
実際に第7図に示されるように200Vの電圧を
透明導電体とパターン電極の間に加えると、孤立
導電体の上には画像の暗部で約180V、明部で約
50Vの電位像が得られた。この状態で負の電荷を
もつたトナーを液体現像剤を孤立導電体の上にふ
りかけたところ良好な画像が形成された。この状
態から画像を紙上に転写すると紙上に画像が形成
された。 In fact, as shown in Figure 7, when a voltage of 200V is applied between the transparent conductor and the patterned electrode, about 180V appears on the isolated conductor in the dark part of the image, and about 180V in the bright part of the image.
A potential image of 50V was obtained. In this state, when a negatively charged toner and a liquid developer were sprinkled onto the isolated conductor, a good image was formed. When the image was transferred onto paper from this state, an image was formed on the paper.
また、孤立導電体上の残留トナーをとりのぞき
一日そのまま放置した。 Further, residual toner on the isolated conductor was removed and left as it was for one day.
その後、第12図に示されるような方法により
再び色彩像を形成できた。また、200Vの電圧を
印加した場合には同じような電位コントラストが
得られ液体現像剤をふりかけたところ再び良好な
画像が形成された。 Thereafter, a color image could be formed again by the method shown in FIG. Furthermore, when a voltage of 200 V was applied, a similar potential contrast was obtained, and when liquid developer was sprinkled, a good image was again formed.
これを100回以上くりかえしても同じ画像が毎
回得られた。 Even after repeating this process over 100 times, the same image was obtained every time.
第1図は本発明に用いる像形成部材の1態様を
示す。第2図は第1図の像形成部材のパターン電
極面の平面図である。第3図は第1図の像形成部
材の表面の平面図である。第4図〜第6図は本発
明による像形成部材の分極像形成の1態様を示す
ものであり、第4図は分極状態に指向性を与える
工程、第5図は電圧印加工程、および第6図は画
像露光工程を示す。第7図は電位像形成する1態
様を示す。第8図および第9図は本発明に用いる
像形成部材のそれぞれ他の1態様を示す。第10
図は複屈折を示す結晶板による干渉で色彩光を取
り出す方法を示す。第11図は複屈折を示す結晶
板と補助複屈折体とによる干渉で色彩光を取り出
す方法を示す。第12図は本発明による像形成部
材の分極像を色彩像に変換する工程の1態様を示
す。
1…透明支持体、2…透明導電層、3…パター
ン状不透明層、4…光導電層、5…パターン電
極、6…パターン状絶縁層、7…分極層、8…透
明孤立導電体、23…ポラライザー、24…直線
偏向、28…アナライザー、31…像形成部材、
32および33…分極方向、34…補助複屈折
体、35および36…透過光。
FIG. 1 shows one embodiment of the imaging member used in the present invention. 2 is a plan view of the patterned electrode surface of the imaging member of FIG. 1; FIG. 3 is a plan view of the surface of the imaging member of FIG. 1; FIG. 4 to 6 show one aspect of polarized image formation of the image forming member according to the present invention, in which FIG. 4 shows the step of imparting directionality to the polarized state, FIG. 5 shows the voltage application step, and FIG. Figure 6 shows the image exposure process. FIG. 7 shows one mode of forming a potential image. FIGS. 8 and 9 each show another embodiment of the imaging member used in the present invention. 10th
The figure shows a method for extracting colored light by interference using a crystal plate that exhibits birefringence. FIG. 11 shows a method of extracting colored light by interference between a crystal plate exhibiting birefringence and an auxiliary birefringent body. FIG. 12 shows one embodiment of the process of converting a polarized image of an imaging member into a color image according to the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Transparent support, 2... Transparent conductive layer, 3... Patterned opaque layer, 4... Photoconductive layer, 5... Patterned electrode, 6... Patterned insulating layer, 7... Polarized layer, 8... Transparent isolated conductor, 23 ... polarizer, 24 ... linear deflection, 28 ... analyzer, 31 ... image forming member,
32 and 33...Polarization direction, 34...Auxiliary birefringent body, 35 and 36...Transmitted light.
Claims (1)
ターン電極、光導電層、導電層、パターン電極に
対応する位置に形成されたことによりパターン電
極と導電層が接続状態になるのを防止するための
パターン部材、およびパターン電極と導電層の間
に電圧を印加するための手段を有し、該透明孤立
導電体は該分極層上に形成されており、該分極層
は該パターン電極および該光導電層上に形成され
ており、該導電層は該パターン部材および該光導
電層下に形成されていることを特徴とする像形成
部材。1. A large number of discontinuous transparent isolated conductors, polarized layers, patterned electrodes, photoconductive layers, conductive layers, and formed at positions corresponding to the patterned electrodes prevent the patterned electrodes and the conductive layers from becoming connected. and a means for applying a voltage between the patterned electrode and the conductive layer, the transparent isolated conductor is formed on the polarized layer, and the polarized layer is formed on the patterned electrode and the conductive layer. An image forming member formed on a photoconductive layer, the conductive layer being formed under the pattern member and the photoconductive layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15472979A JPS5677819A (en) | 1979-11-29 | 1979-11-29 | Image forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15472979A JPS5677819A (en) | 1979-11-29 | 1979-11-29 | Image forming method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5677819A JPS5677819A (en) | 1981-06-26 |
| JPS6252843B2 true JPS6252843B2 (en) | 1987-11-07 |
Family
ID=15590666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15472979A Granted JPS5677819A (en) | 1979-11-29 | 1979-11-29 | Image forming method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5677819A (en) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4977596A (en) * | 1972-11-28 | 1974-07-26 | ||
| JPS5430304B2 (en) * | 1975-02-13 | 1979-09-29 | ||
| JPS51145336A (en) * | 1975-06-10 | 1976-12-14 | Agency Of Ind Science & Technol | Light pattern processing device |
-
1979
- 1979-11-29 JP JP15472979A patent/JPS5677819A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5677819A (en) | 1981-06-26 |
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