JPS625335B2 - - Google Patents
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- JPS625335B2 JPS625335B2 JP55013729A JP1372980A JPS625335B2 JP S625335 B2 JPS625335 B2 JP S625335B2 JP 55013729 A JP55013729 A JP 55013729A JP 1372980 A JP1372980 A JP 1372980A JP S625335 B2 JPS625335 B2 JP S625335B2
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- Japan
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- pattern
- workpiece
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- laser
- laser beam
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフオトマスクの欠陥等を加工する絞り
投影方式のレーザ加工方法及びその装置に関する
ものである。
投影方式のレーザ加工方法及びその装置に関する
ものである。
従来の絞り投影方式のレーザ加工装置でフオト
マスクの欠陥等を加工した場合、フオトマスクの
上に投影された絞りパターンの寸法と実際に加工
される寸法とは、加工サイズやレーザビームパワ
ーによつて一致しないという欠点があつた。特に
加工寸法が使用波長の数倍前後の１〜10μｍにな
ると、回折等の影響のため加工寸法と設定寸法と
の差が加工寸法に対して大きくなり、サブミクロ
ンの高精度が要求される加工を行なうことが困難
であつた。即ち従来は、レーザビームパワーや絞
りの大きさなどによつて実際得られる加工寸法が
設定寸法より大きくなつたり、小さくなつたりし
て３〜２μｍ巾という高密度なパターン（回路パ
ターン等）に存在する被加工パターン（欠陥等）
を除去加工することが困難であつた。
マスクの欠陥等を加工した場合、フオトマスクの
上に投影された絞りパターンの寸法と実際に加工
される寸法とは、加工サイズやレーザビームパワ
ーによつて一致しないという欠点があつた。特に
加工寸法が使用波長の数倍前後の１〜10μｍにな
ると、回折等の影響のため加工寸法と設定寸法と
の差が加工寸法に対して大きくなり、サブミクロ
ンの高精度が要求される加工を行なうことが困難
であつた。即ち従来は、レーザビームパワーや絞
りの大きさなどによつて実際得られる加工寸法が
設定寸法より大きくなつたり、小さくなつたりし
て３〜２μｍ巾という高密度なパターン（回路パ
ターン等）に存在する被加工パターン（欠陥等）
を除去加工することが困難であつた。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をな
くし、所望のサイズを正確に高精度に加工修正で
きるようにした絞り投影方式のレーザ加工方法及
びその装置を提供するにある。
くし、所望のサイズを正確に高精度に加工修正で
きるようにした絞り投影方式のレーザ加工方法及
びその装置を提供するにある。
上記目的を達成するために、本発明は、加工寸
法Ｌは Ｌ＝ｗ／ｋ（mlog Ｐ＋ｎ）＋（elog Ｐ＋ｆ） （但し、ｋは倍率、ｗは絞りの大きさ（寸法）、Ｐ
はレーザ光のパワー、ｍ、ｎ、ｅ、ｆは各々定
数）なる関係を有することに着目し、対物レンズ
を通して結像される被加工物上の被加工パターン
の像を電子ライン等で囲んで被加工パターンの像
の大きさを測定する測定手段を設け、該測定手段
によつて測定された被加工物上の被加工パターン
の大きさの値Ｌとレーザ発振器から出力されるレ
ーザビームのパワーの値Ｐとにより上記関係式か
ら値ｗを演算する演算手段を設け、上記絞りの大
きさを該演算手段で求められた値ｗになるように
調整する調整手段を設け、被加工パターンを能率
よく、且高精度に加工できるようにしたことを特
徴とするものである。
法Ｌは Ｌ＝ｗ／ｋ（mlog Ｐ＋ｎ）＋（elog Ｐ＋ｆ） （但し、ｋは倍率、ｗは絞りの大きさ（寸法）、Ｐ
はレーザ光のパワー、ｍ、ｎ、ｅ、ｆは各々定
数）なる関係を有することに着目し、対物レンズ
を通して結像される被加工物上の被加工パターン
の像を電子ライン等で囲んで被加工パターンの像
の大きさを測定する測定手段を設け、該測定手段
によつて測定された被加工物上の被加工パターン
の大きさの値Ｌとレーザ発振器から出力されるレ
ーザビームのパワーの値Ｐとにより上記関係式か
ら値ｗを演算する演算手段を設け、上記絞りの大
きさを該演算手段で求められた値ｗになるように
調整する調整手段を設け、被加工パターンを能率
よく、且高精度に加工できるようにしたことを特
徴とするものである。
以下本発明を図に示す実施例にもとづいて説明
する。まず、絞りの投影寸法を0.5〜10μｍまで
可変して100倍の対物レンズを用いて投影加工を
行なつたところ、各レーザビームパワーＰにおい
て第１図に示すレーザビームパワーＰ＝4KWの
場合と同じように次の(1)式関係を有することが確
認できた。
する。まず、絞りの投影寸法を0.5〜10μｍまで
可変して100倍の対物レンズを用いて投影加工を
行なつたところ、各レーザビームパワーＰにおい
て第１図に示すレーザビームパワーＰ＝4KWの
場合と同じように次の(1)式関係を有することが確
認できた。
Ｌ＝aW＋ｂ ……(1)
但しＬは加工された寸法（μｍ）、Ｗは投影さ
れた絞り寸法（μｍ）である。またａ、ｂは各々
係数である。
れた絞り寸法（μｍ）である。またａ、ｂは各々
係数である。
ところでレーザ発振器の出力、即ちレーザビー
ムパワーＰ（KW）を１〜10KWに可変してみる
に、上記係数ａの値は第２図に示すように発振器
の出力Ｐを対数にとると直線となり、次の(2)式の
関係を有することが確認できた。
ムパワーＰ（KW）を１〜10KWに可変してみる
に、上記係数ａの値は第２図に示すように発振器
の出力Ｐを対数にとると直線となり、次の(2)式の
関係を有することが確認できた。
ａ＝0.074 log Ｐ＋0.95 ……(2)
同様に上記係数ｂも第２図に示すように次の(3)
式の関係を有することが確認できた。
式の関係を有することが確認できた。
ｂ＝0.48 log Ｐ＋0.071 ……(3)
これらのことから加工される寸法Ｌは投影され
る絞り寸法Ｗとレーザ発振器の出力（レーザビー
ムパワー）Ｐとの間に次の(4)式の関係を有するこ
とがわかつた。
る絞り寸法Ｗとレーザ発振器の出力（レーザビー
ムパワー）Ｐとの間に次の(4)式の関係を有するこ
とがわかつた。
Ｌ＝（0.074logP＋0.95）Ｗ
＋（0.48logP＋0.071） ……(4)
従つて加工する寸法Ｌが必要な場合には、適当
なレーザビームパワーＰを設定することにより次
の(5)式に示すように絞りの投影される大きさ
（巾）Ｗが求まる。
なレーザビームパワーＰを設定することにより次
の(5)式に示すように絞りの投影される大きさ
（巾）Ｗが求まる。
Ｗ＝Ｌ−（０．４８ｌｏｇＰ＋０．０７１）／０．
０７４ｌｏｇＰ＋０．９５……(5) 対物レンズの倍率ｋが100倍のものを用いた場
合、絞り面で大きさ（巾）ｗは次の(6)式で示すよ
うになる。
０７４ｌｏｇＰ＋０．９５……(5) 対物レンズの倍率ｋが100倍のものを用いた場
合、絞り面で大きさ（巾）ｗは次の(6)式で示すよ
うになる。
ｗ＝100W
＝１００｛Ｌ−（０．４８ｌｏｇＰ＋０．０７１）
｝／０．０７４ｌｏｇＰ＋０．９５……(6) この(6)式を一般式で示せば次の(7)式のようにな
る。
｝／０．０７４ｌｏｇＰ＋０．９５……(6) この(6)式を一般式で示せば次の(7)式のようにな
る。
ｗ＝KW＝ｋ｛Ｌ−（ｅｌｏｇＰ＋ｆ）｝／ｍｌｏｇＰ＋
ｎ……(7) そこで加工すべき寸法Ｌを正確に測定すると、
(6)または(7)式を用いて加工条件に適応させて補正
をした絞りの大きさ（巾）ｗに設定することがで
き、高精度な加工結果を得ることができる。
ｎ……(7) そこで加工すべき寸法Ｌを正確に測定すると、
(6)または(7)式を用いて加工条件に適応させて補正
をした絞りの大きさ（巾）ｗに設定することがで
き、高精度な加工結果を得ることができる。
上記結果は窒素レーザ励起色素レーザの緑色光
を用いた場合である。この場合、パルスの半値巾
は約6nsである。他のレーザを用いた場合、波長
やパルス巾により、ａ、ｂの値は変わつてくる
が、高精度な加工を行うにはスリツト投影方式が
不可欠であることにはかわりがない。次に上記原
理にもとづいて例えばフオトマスクの欠陥修正を
行なうレーザ加工装置について第３図に従つて説
明する。レーザ発振器１から出たレーザ光２はス
リツト駆動部３により位置と巾が独立に可変の２
組のスリツトよりなる矩形開口を形成する絞り４
に導かれ、絞り４を通つたレーザ光が倍率100倍
の対物レンズ５に入り、XYテーブル１６に載置
された被加工物であるフオトマスク６の被加工パ
ターンである欠陥パターン７に照射される。絞り
４とフオトマスク６とは対物レンズ５に関して、
共役像位置に置かれており、フオトマスク６上に
投影された絞りの像は1/100に縮小されている。
高倍率の対物レンズを用いているため投影像の位
置決め精度は0.5μｍ以内にできるが、これを確
保するために常に焦点合せ精度±0.3μｍ以内に
ピント合せをする必要があり、オペレータの個人
差が出るのを防ぐため、エアマイクロメーター方
式の自動焦点合せ機構１７を用いている。このエ
アマイクロメーター方式の自動焦点合せ機構１７
は、対物レンズ５を支持する鏡筒５ａの下端にエ
アマイクロメータ１７ａを取付け、フオトマスク
６上に形成されたクロム膜の上面の位置を測定
し、合焦点位置からずれている場合には鏡筒５ａ
を矢印方向に微動させて焦点合せをするように構
成している。
を用いた場合である。この場合、パルスの半値巾
は約6nsである。他のレーザを用いた場合、波長
やパルス巾により、ａ、ｂの値は変わつてくる
が、高精度な加工を行うにはスリツト投影方式が
不可欠であることにはかわりがない。次に上記原
理にもとづいて例えばフオトマスクの欠陥修正を
行なうレーザ加工装置について第３図に従つて説
明する。レーザ発振器１から出たレーザ光２はス
リツト駆動部３により位置と巾が独立に可変の２
組のスリツトよりなる矩形開口を形成する絞り４
に導かれ、絞り４を通つたレーザ光が倍率100倍
の対物レンズ５に入り、XYテーブル１６に載置
された被加工物であるフオトマスク６の被加工パ
ターンである欠陥パターン７に照射される。絞り
４とフオトマスク６とは対物レンズ５に関して、
共役像位置に置かれており、フオトマスク６上に
投影された絞りの像は1/100に縮小されている。
高倍率の対物レンズを用いているため投影像の位
置決め精度は0.5μｍ以内にできるが、これを確
保するために常に焦点合せ精度±0.3μｍ以内に
ピント合せをする必要があり、オペレータの個人
差が出るのを防ぐため、エアマイクロメーター方
式の自動焦点合せ機構１７を用いている。このエ
アマイクロメーター方式の自動焦点合せ機構１７
は、対物レンズ５を支持する鏡筒５ａの下端にエ
アマイクロメータ１７ａを取付け、フオトマスク
６上に形成されたクロム膜の上面の位置を測定
し、合焦点位置からずれている場合には鏡筒５ａ
を矢印方向に微動させて焦点合せをするように構
成している。
対物レンズ５は観察光学系の対物レンズも兼ね
ており、リレーレンズ８との組合わせでマスク欠
陥像を撮像手段である撮像器９の撮像面上に拡大
投影する。撮像器９は制御部１０を通して表示装
置１１に結合されており、約4000倍に拡大された
欠陥像を観察することができる。また、接眼光学
系１２から欠陥像を直接観察することもできる。
ており、リレーレンズ８との組合わせでマスク欠
陥像を撮像手段である撮像器９の撮像面上に拡大
投影する。撮像器９は制御部１０を通して表示装
置１１に結合されており、約4000倍に拡大された
欠陥像を観察することができる。また、接眼光学
系１２から欠陥像を直接観察することもできる。
被加工パターンの像である欠陥像１４の位置と
縦横の寸法の測定を行う測定手段は表示装置１１
と画像制御部１０とによつて構成されている。画
像制御部１０には電子ライン測定機能が含まれて
おり、表示装置の画面中に独立に調整可動な２組
の電子ラインペアを出すことができる。ペアの各
ラインは独立に左右または上下に可動で、被加工
パターンの像である欠陥像１４をこれら４本の電
子ラインで囲むと電子ラインの位置の信号間隔と
像の倍率とから自動的にその位置と縦横の寸法の
測定が行なわれる。この画像制御部１０からの被
加工パターンの位置情報にもとづいて演算制御部
１８が作動して制御手段である操作制御部１９を
介してＸ−Ｙテーブル１６を微動させて被加工パ
ターンである欠陥の中心を光軸に一致させて最終
的に位置決めする。更にこの画像制御部１０から
の寸法測定結果Ｌと予め設定されたレーザビーム
パワーＰとの情報から演算手段である演算制御部
１８が ｗ＝ｋ｛Ｌ−（ｅｌｏｇＰ＋ｆ）｝／ｍｌｏｇＰ＋
ｎ にもとづいて設定すべき絞り４の大きさ（巾）ｗ
を計算し、この信号は制御手段である操作制御部
１９に入り、絞り駆動部３に送られて絞り４を最
適な大きさ（巾）に調整する。
縦横の寸法の測定を行う測定手段は表示装置１１
と画像制御部１０とによつて構成されている。画
像制御部１０には電子ライン測定機能が含まれて
おり、表示装置の画面中に独立に調整可動な２組
の電子ラインペアを出すことができる。ペアの各
ラインは独立に左右または上下に可動で、被加工
パターンの像である欠陥像１４をこれら４本の電
子ラインで囲むと電子ラインの位置の信号間隔と
像の倍率とから自動的にその位置と縦横の寸法の
測定が行なわれる。この画像制御部１０からの被
加工パターンの位置情報にもとづいて演算制御部
１８が作動して制御手段である操作制御部１９を
介してＸ−Ｙテーブル１６を微動させて被加工パ
ターンである欠陥の中心を光軸に一致させて最終
的に位置決めする。更にこの画像制御部１０から
の寸法測定結果Ｌと予め設定されたレーザビーム
パワーＰとの情報から演算手段である演算制御部
１８が ｗ＝ｋ｛Ｌ−（ｅｌｏｇＰ＋ｆ）｝／ｍｌｏｇＰ＋
ｎ にもとづいて設定すべき絞り４の大きさ（巾）ｗ
を計算し、この信号は制御手段である操作制御部
１９に入り、絞り駆動部３に送られて絞り４を最
適な大きさ（巾）に調整する。
従つてオペレータに必要なことは表示装置１１
上の欠陥像１４を縦、横両方向の電子ラインペア
１３で囲み、レーザ照射ボタンを押すだけであ
り、照射後欠陥像１４が消滅したことを確認して
操作制御部１９の次の欠陥位置に移動するボタン
をおすと、同制御部１９にセツトされた欠陥番地
を記録したカセツトテープ１５から情報が取り出
されXYテーブル１６が働いて、次の欠陥を表示
装置１１の視野内にもつてくる。そしてまたこれ
を電子ラインで囲みレーザ照射ボタンを押すとい
う操作を繰返す。この間、マスク面のウネリなど
によるピント外れは自動焦点機構１７によつて自
動的に調整され、オペレータは調整する必要はな
い。
上の欠陥像１４を縦、横両方向の電子ラインペア
１３で囲み、レーザ照射ボタンを押すだけであ
り、照射後欠陥像１４が消滅したことを確認して
操作制御部１９の次の欠陥位置に移動するボタン
をおすと、同制御部１９にセツトされた欠陥番地
を記録したカセツトテープ１５から情報が取り出
されXYテーブル１６が働いて、次の欠陥を表示
装置１１の視野内にもつてくる。そしてまたこれ
を電子ラインで囲みレーザ照射ボタンを押すとい
う操作を繰返す。この間、マスク面のウネリなど
によるピント外れは自動焦点機構１７によつて自
動的に調整され、オペレータは調整する必要はな
い。
このように被加工パターンの大きさを測定する
測定手段と、絞りの大きさを自動調整する調整手
段とを設けたことにより例えば３μｍ、２μｍ巾
という高密度のパターンを有するフオトマスク等
において存在する欠陥を正確に除去修正すること
ができる。
測定手段と、絞りの大きさを自動調整する調整手
段とを設けたことにより例えば３μｍ、２μｍ巾
という高密度のパターンを有するフオトマスク等
において存在する欠陥を正確に除去修正すること
ができる。
以上説明したように本発明は、被加工パターン
の大きさＬを測定する測定手段と、該測定手段に
よつて得られた被加工パターンの大きさＬとレー
ザビームパワーＰとによつて定まる値ｗに絞りの
大きさを調整する調整手段とを備え付けたレーザ
加工方法及びその装置であるから、被加工パター
ンの大きさに合せて正確にレーザ加工することが
でき、その被加工パターンの附近に存在する回路
パターン等に影響を与えるのを防止することがで
きる。また本発明は、自動焦点出し手段と自動欠
陥位置出し手段を備え付けたので、被加工パター
ンの加工中まつたくピント出し調整を行なう必要
がなくなり、作業時間を2/3に短縮できただけで
なく、眼の個人差によるピントずれのための修正
誤差が出なくなり、所望の寸法精度を確実に得ら
れる。
の大きさＬを測定する測定手段と、該測定手段に
よつて得られた被加工パターンの大きさＬとレー
ザビームパワーＰとによつて定まる値ｗに絞りの
大きさを調整する調整手段とを備え付けたレーザ
加工方法及びその装置であるから、被加工パター
ンの大きさに合せて正確にレーザ加工することが
でき、その被加工パターンの附近に存在する回路
パターン等に影響を与えるのを防止することがで
きる。また本発明は、自動焦点出し手段と自動欠
陥位置出し手段を備え付けたので、被加工パター
ンの加工中まつたくピント出し調整を行なう必要
がなくなり、作業時間を2/3に短縮できただけで
なく、眼の個人差によるピントずれのための修正
誤差が出なくなり、所望の寸法精度を確実に得ら
れる。
また、自動欠陥位置出しにより、自動的に欠陥
が視野内に入つてくるため、欠陥修正作業が大巾
に短縮できた。
が視野内に入つてくるため、欠陥修正作業が大巾
に短縮できた。
第１図はレーザパワー4KWでの投影された絞
りの寸法と実際に得られた加工寸法との関係を示
した図、第２図はレーザビームパワーＰを変えた
場合の第１図に示す関係から表わされる関係式の
係数ａ、ｂの変化を示す図、第３図は本発明の絞
り投影方式のレーザ加工装置の一実施例を示す概
略構成図である。 符号の説明、１……レーザ発振器、３……絞り
駆動部、４……絞り、５……対物レンズ、６……
フオトマスク、７……欠陥パターン、９……撮像
器、１０……画像制御部、１１……表示装置、１
３……電子ラインペア、１４……欠陥像、１６…
…XYテーブル、１７……自動焦点機構、１８…
…演算制御部。
りの寸法と実際に得られた加工寸法との関係を示
した図、第２図はレーザビームパワーＰを変えた
場合の第１図に示す関係から表わされる関係式の
係数ａ、ｂの変化を示す図、第３図は本発明の絞
り投影方式のレーザ加工装置の一実施例を示す概
略構成図である。 符号の説明、１……レーザ発振器、３……絞り
駆動部、４……絞り、５……対物レンズ、６……
フオトマスク、７……欠陥パターン、９……撮像
器、１０……画像制御部、１１……表示装置、１
３……電子ラインペア、１４……欠陥像、１６…
…XYテーブル、１７……自動焦点機構、１８…
…演算制御部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被加工物上の被加工パターンの大きさを測定
手段により測定し、測定された被加工物上の被加
工パターンの大きさＬと設定されたレーザ発振器
から出力されるレーザビームのパワーＰとに基い
て ｗ＝ｋ｛Ｌ−（ｅｌｏｇ Ｐ＋ｆ）｝／ｍｌｏｇ
Ｐ＋ｎ （但し、ｋは倍率、ｅ、ｆ、ｍ、ｎは各々定数）
なる関係式よりｗを演算し、大きさを可変できる
ように形成された絞りの大きさを該ｗ値になるよ
うに調整し、レーザ発振器から発振されたレーザ
光を大きさが調整された絞りを通して所定のパタ
ーンに形成し、該パターンを対物レンズにより被
加工物上に投影すると共に上記被加工パターンに
位置決めして被加工パターンをレーザ加工するこ
とを特徴とする絞り投影方式のレーザ加工方法。 ２ レーザ発振器と、該レーザ発振器から発振さ
れるレーザ光を所定のパターンに形成するように
大きさを可変できるように形成した絞りと、該絞
りの大きさを可変する駆動手段と、上記絞りを通
して得られるパターンを被加工物上に投影する対
物レンズと、該対物レンズを通して結像される被
加工物上の被加工パターンの像を撮像手段により
撮像してその被加工パターンの像の位置とその大
きさを測定する測定手段と、該測定手段によつて
測定された被加工物上の被加工パターンの大きさ
の値Ｌと設定されたレーザ発振器から出力される
レーザビームのパワーの値Ｐとが入力され、これ
ら値Ｌ、Ｐとに基いて ｗ＝ｋ｛Ｌ−（ｅｌｏｇ Ｐ＋ｆ）｝／ｍｌｏｇ
Ｐ＋ｎ （但し、ｋは倍率、ｅ、ｆ、ｍ、ｎは各々定数）
なる関係から値ｗを演算する演算手段と上記駆動
手段を駆動して上記絞りの大きさを、該演算手段
で求められた値ｗになるように調整すると共に、
上記測定手段によつて測定された被加工物の被加
工パターンの位置に基いて上記対物レンズによつ
て投影されるレーザパターンを被加工物の被加工
パターンに位置決めする制御手段とを備え付けた
ことを特徴とする絞り投影方式のレーザ加工装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1372980A JPS56111227A (en) | 1980-02-08 | 1980-02-08 | Laser working device with projection method using iris diaphragm |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1372980A JPS56111227A (en) | 1980-02-08 | 1980-02-08 | Laser working device with projection method using iris diaphragm |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56111227A JPS56111227A (en) | 1981-09-02 |
| JPS625335B2 true JPS625335B2 (ja) | 1987-02-04 |
Family
ID=11841321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1372980A Granted JPS56111227A (en) | 1980-02-08 | 1980-02-08 | Laser working device with projection method using iris diaphragm |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56111227A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04251687A (ja) * | 1991-01-23 | 1992-09-08 | Fanuc Ltd | レーザビーム制御装置 |
| JP3399590B2 (ja) * | 1993-08-04 | 2003-04-21 | 富士通株式会社 | 配線の切断装置 |
| JP3479833B2 (ja) | 2000-08-22 | 2003-12-15 | 日本電気株式会社 | レーザ修正方法および装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5456370A (en) * | 1977-10-14 | 1979-05-07 | Hitachi Ltd | Mask pattern correcting method and mask pattern correcting device used for said method |
| JPS54105968A (en) * | 1978-02-08 | 1979-08-20 | Toshiba Corp | Defect corrector for pattern |
-
1980
- 1980-02-08 JP JP1372980A patent/JPS56111227A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56111227A (en) | 1981-09-02 |
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