JPS625355B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS625355B2 JPS625355B2 JP12029879A JP12029879A JPS625355B2 JP S625355 B2 JPS625355 B2 JP S625355B2 JP 12029879 A JP12029879 A JP 12029879A JP 12029879 A JP12029879 A JP 12029879A JP S625355 B2 JPS625355 B2 JP S625355B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light
- active layer
- light guide
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 28
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 12
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は発振モードの制御に有効な構造を有す
る半導体レーザに関するものである。
る半導体レーザに関するものである。
半導体レーザの基本モード化は光フアイバー通
信に於ける広帯域、長距離伝送や低歪アナログ変
調等を実用化するために必要なことである。
信に於ける広帯域、長距離伝送や低歪アナログ変
調等を実用化するために必要なことである。
最初、発振モードの制御は、光の損失と、むだ
な再結合を最小にする特定領域に光エネルギー及
び注入電流を閉じ込める構造のいわゆる電極スト
ライプレーザで実現された。その後、各種のスト
ライプレーザが開発され現在に至つているが、い
ずれも、それぞれの欠点を有し、特性上に不満足
なものであつた。
な再結合を最小にする特定領域に光エネルギー及
び注入電流を閉じ込める構造のいわゆる電極スト
ライプレーザで実現された。その後、各種のスト
ライプレーザが開発され現在に至つているが、い
ずれも、それぞれの欠点を有し、特性上に不満足
なものであつた。
たとえば、電極ストライプレーザ等、単に電流
分布のみ横方向に閉じ込めた場合には、レーザ光
は主として利得分布によりストライプ方向に導か
れるが、この利得による導波路作用は不安定であ
り、電流を増していくと、容易に高次横モード発
振を起し、更には電流−光出力特性が歪む場合も
多い。これは、電極ストライプレーザが活性層の
横方向に対して、キヤリア及び光を閉じ込める構
造となつていないためである。
分布のみ横方向に閉じ込めた場合には、レーザ光
は主として利得分布によりストライプ方向に導か
れるが、この利得による導波路作用は不安定であ
り、電流を増していくと、容易に高次横モード発
振を起し、更には電流−光出力特性が歪む場合も
多い。これは、電極ストライプレーザが活性層の
横方向に対して、キヤリア及び光を閉じ込める構
造となつていないためである。
そこで、上記の欠点を補うために、導波路機構
を構造的に半導体レーザの内部に作り込んだいわ
ゆる、リブガイド、ストライプレーザが提案され
た。この構造は発光領域に光ガイド、リブ構造の
導波路を形成して、安定な基本モード発振を得よ
うとするものである。
を構造的に半導体レーザの内部に作り込んだいわ
ゆる、リブガイド、ストライプレーザが提案され
た。この構造は発光領域に光ガイド、リブ構造の
導波路を形成して、安定な基本モード発振を得よ
うとするものである。
本発明に先行する従来技術としては、このリブ
ガイドストライプレーザを挙げるべきであり、ま
ずこの型式のGaAs−AlGaAs系半導体レーザに
ついて、その構造、機構等を簡単に説明する。第
１図はその概略的斜視図である。１は帯状の凹溝
１０を形成したｎ型GaAs基体で、この上に以下
の層が積層されている。ｎ型Al0.3Ga0.7Asの光を
閉じ込める層２、ｎ型Al0.3Ga0.9Asで、中央部が
厚くなつている光ガイド及びキヤリアを閉じ込め
る層３（以下光ガイド層と略記する）、GaAsの活
性層４、ｐ型Al0.3Ga0.7As層の光及びキヤリアを
閉じ込める層５であり、光を閉じ込める層２の中
央部は、半導体基板１内に形成された溝１０のた
めくぼんだわん状となつている。電極７，９が半
導体基体１及び、電極容易化層のｐ型GaAs６の
上に付けたSiO2膜８を介してそれぞれ接触され
ている。この様な構造を有すると、活性層４で発
生した光は一部分が、光ガイド層３にしみ出す。
光ガイド層３は活性層４で発生した光に対して十
分に透明なため、この層内で発振光が損失するこ
とはない。そこで光はガイド層３と活性層４の間
に拡がつて伝播する。更にこれらの半導体層３，
４は屈折率の低い各々光を閉じ込める層２と光及
びキヤリアを閉じ込める層５に挾まれることで縦
方向に光はこの低い屈折率の層２，５にガイドさ
れ層３，４領域に閉じ込められる。又、横方向
は、光ガイド層３が溝９領域に於いて、その中央
部で層厚を最大として、溝１０の外側になるにし
たがつて厚さを薄くすることで、実効的屈折率の
高くなつた光ガイド層３の中央部に閉じ込められ
る。故に、この構造は、発光領域の横方向に屈折
率分布による光導波路機構を設けたと等価となる
ため、高光出力でも安定した基本モード発振を得
る特徴がある。しかしこのリブガイドストライプ
レーザは横方向のキヤリアの閉じ込めが不十分な
ことによる、下記の様な欠点を有する。
ガイドストライプレーザを挙げるべきであり、ま
ずこの型式のGaAs−AlGaAs系半導体レーザに
ついて、その構造、機構等を簡単に説明する。第
１図はその概略的斜視図である。１は帯状の凹溝
１０を形成したｎ型GaAs基体で、この上に以下
の層が積層されている。ｎ型Al0.3Ga0.7Asの光を
閉じ込める層２、ｎ型Al0.3Ga0.9Asで、中央部が
厚くなつている光ガイド及びキヤリアを閉じ込め
る層３（以下光ガイド層と略記する）、GaAsの活
性層４、ｐ型Al0.3Ga0.7As層の光及びキヤリアを
閉じ込める層５であり、光を閉じ込める層２の中
央部は、半導体基板１内に形成された溝１０のた
めくぼんだわん状となつている。電極７，９が半
導体基体１及び、電極容易化層のｐ型GaAs６の
上に付けたSiO2膜８を介してそれぞれ接触され
ている。この様な構造を有すると、活性層４で発
生した光は一部分が、光ガイド層３にしみ出す。
光ガイド層３は活性層４で発生した光に対して十
分に透明なため、この層内で発振光が損失するこ
とはない。そこで光はガイド層３と活性層４の間
に拡がつて伝播する。更にこれらの半導体層３，
４は屈折率の低い各々光を閉じ込める層２と光及
びキヤリアを閉じ込める層５に挾まれることで縦
方向に光はこの低い屈折率の層２，５にガイドさ
れ層３，４領域に閉じ込められる。又、横方向
は、光ガイド層３が溝９領域に於いて、その中央
部で層厚を最大として、溝１０の外側になるにし
たがつて厚さを薄くすることで、実効的屈折率の
高くなつた光ガイド層３の中央部に閉じ込められ
る。故に、この構造は、発光領域の横方向に屈折
率分布による光導波路機構を設けたと等価となる
ため、高光出力でも安定した基本モード発振を得
る特徴がある。しかしこのリブガイドストライプ
レーザは横方向のキヤリアの閉じ込めが不十分な
ことによる、下記の様な欠点を有する。
すなわち、活性層４に注入されたキヤリアは拡
散効果により、活性層４の横方向に拡がり、実効
的発光領域は、実際の電極幅に比較して、相当に
広くなる。たとえば４μｍ電極幅のストライプレ
ーザに於いて、活性層の発光領域は電極の真下か
ら、横方向に指数函数的にその強度を減衰しなが
ら、片側約20〜30μ幅に広がつている。電極の真
下以外のキヤリアは直接発振に寄与しないため、
この横方向の電流成分が動作電流を高める原因と
なる横方向広がり電流成分は電極幅が10μｍ以下
と狭ストライプレーザになるにしたがい実効発振
電流成分に比較して数倍も占めるため設計上、こ
のキヤリアの横方向閉じ込めが重要な課題とな
る。動作電流を高める他に活性層の温度上昇が大
きくなり、微分量子効率が低下し、高出力動作を
不可能とする。
散効果により、活性層４の横方向に拡がり、実効
的発光領域は、実際の電極幅に比較して、相当に
広くなる。たとえば４μｍ電極幅のストライプレ
ーザに於いて、活性層の発光領域は電極の真下か
ら、横方向に指数函数的にその強度を減衰しなが
ら、片側約20〜30μ幅に広がつている。電極の真
下以外のキヤリアは直接発振に寄与しないため、
この横方向の電流成分が動作電流を高める原因と
なる横方向広がり電流成分は電極幅が10μｍ以下
と狭ストライプレーザになるにしたがい実効発振
電流成分に比較して数倍も占めるため設計上、こ
のキヤリアの横方向閉じ込めが重要な課題とな
る。動作電流を高める他に活性層の温度上昇が大
きくなり、微分量子効率が低下し、高出力動作を
不可能とする。
更に光出力がある出力以上になると、光によつ
て半導体レーザの出力端面が破損し、発振が止ま
る現象がある。この端面破損する程度は、活性層
結晶の材質や、活性層が、発振光に対して、どれ
ほどの吸収量を持つかでも異なる。上記構造の光
ガイド層付半導体レーザは普通の光ガイド層の無
い半導体レーザと比較すれば、端面破損は生じに
くい。しかし、活性層端面が存在する限りやはり
高出力下では、動作が困難となる。
て半導体レーザの出力端面が破損し、発振が止ま
る現象がある。この端面破損する程度は、活性層
結晶の材質や、活性層が、発振光に対して、どれ
ほどの吸収量を持つかでも異なる。上記構造の光
ガイド層付半導体レーザは普通の光ガイド層の無
い半導体レーザと比較すれば、端面破損は生じに
くい。しかし、活性層端面が存在する限りやはり
高出力下では、動作が困難となる。
この発明の目的は従来の半導体レーザが有して
いる欠点を除去し、基本モード発振が容易で、発
振閾値電流が低く、微分量子効率も高く、高出力
化も可能な半導体レーザの構造を提供することで
ある。
いる欠点を除去し、基本モード発振が容易で、発
振閾値電流が低く、微分量子効率も高く、高出力
化も可能な半導体レーザの構造を提供することで
ある。
本発明は以下に述べるような半導体レーザの構
造によつて解決される。
造によつて解決される。
本発明の半導体レーザの構造の骨子は次の通り
である。
である。
半導体基体上に光閉じ込め層、光ガイド及びキ
ヤリア閉じ込め層、（以下光ガイド層と略記す
る）、活性層、光及びキヤリア閉じ込め層が普通
のエピタキシアル成長法によつて連続的に成長
し、形成されている。光及びキヤリア閉じ込め層
は片面の中央部分がストライプ状にくぼんだわん
状で、光ガイド層で完全に埋め込まれるように形
成することで、光ガイド層にわん状ガイド領域を
備える。
ヤリア閉じ込め層、（以下光ガイド層と略記す
る）、活性層、光及びキヤリア閉じ込め層が普通
のエピタキシアル成長法によつて連続的に成長
し、形成されている。光及びキヤリア閉じ込め層
は片面の中央部分がストライプ状にくぼんだわん
状で、光ガイド層で完全に埋め込まれるように形
成することで、光ガイド層にわん状ガイド領域を
備える。
更にわん状ガイド領域に相当する活性層を少な
くとも、光出力端面近傍領域を除いて、ストライ
プ状に導電型を変換されたものである。第２図、
第３図を参照しながら本発明の基本原理を説明す
る、第２図は本発明をGaAs−AlGaAs半導体に
実施した場合の半導体レーザの代表例で、その概
略的斜視図、第３図は主要な部分の概略断面を示
すものであり、第３図Ａは−′部（第２図に
示した）の断面、第３図Ｂは−′部の断面第
３図Ｃは−′部の断面を示す。半導体基体１
１はｎ型GaAs、光閉じ込め層１２はｎ型
Al0.3Ga0.7As層、光ガイド層１３もｎ型
Al0.1Ga0.9As層で、GaAs活性層１４、
Al0.3Ga0.7Asの光及びキヤリア閉じ込め層１５は
最初ｎ型導電型である。
くとも、光出力端面近傍領域を除いて、ストライ
プ状に導電型を変換されたものである。第２図、
第３図を参照しながら本発明の基本原理を説明す
る、第２図は本発明をGaAs−AlGaAs半導体に
実施した場合の半導体レーザの代表例で、その概
略的斜視図、第３図は主要な部分の概略断面を示
すものであり、第３図Ａは−′部（第２図に
示した）の断面、第３図Ｂは−′部の断面第
３図Ｃは−′部の断面を示す。半導体基体１
１はｎ型GaAs、光閉じ込め層１２はｎ型
Al0.3Ga0.7As層、光ガイド層１３もｎ型
Al0.1Ga0.9As層で、GaAs活性層１４、
Al0.3Ga0.7Asの光及びキヤリア閉じ込め層１５は
最初ｎ型導電型である。
半導体基体１１に設けた溝１８部分の光ガイド
層１３は半導体基体１１の方に内方に弓形にされ
た光閉じ込め層１２に接し、その中央部が凸で表
面が平坦な、すなわち平凸形状の断面を有する。
更に活性層１４と光及びキヤリア閉じ込め層１５
の平凸状ガイド領域に相対する部分がそれぞれ端
面近傍を除いて、ストライプ状にｐ型領域１９，
２０に変換されている。電極１６，１７のｎ型電
極１６は半導体基体に又ｐ型電極はｐ型領域のｐ
型Al0.3Ga0.7As層２０の表面にそれぞれ接触する
様に設ける。典型的な各層厚は溝１８の中央部で
それぞれ、層１２が0.8μｍ層１３が0.4μｍ、層
１４が0.1μｍ、層１５が1.5μｍである。
層１３は半導体基体１１の方に内方に弓形にされ
た光閉じ込め層１２に接し、その中央部が凸で表
面が平坦な、すなわち平凸形状の断面を有する。
更に活性層１４と光及びキヤリア閉じ込め層１５
の平凸状ガイド領域に相対する部分がそれぞれ端
面近傍を除いて、ストライプ状にｐ型領域１９，
２０に変換されている。電極１６，１７のｎ型電
極１６は半導体基体に又ｐ型電極はｐ型領域のｐ
型Al0.3Ga0.7As層２０の表面にそれぞれ接触する
様に設ける。典型的な各層厚は溝１８の中央部で
それぞれ、層１２が0.8μｍ層１３が0.4μｍ、層
１４が0.1μｍ、層１５が1.5μｍである。
動作は電極１７に正、電極１６に負を印加する
ことにより、整流接合２１は順方向バイアスされ
る。整流接合２１は、Al0.3Ga0.7Asホモ接合、
GaAsホモ接合、GaAs−Al0.1Ga0.9Asヘテロ接合
による並列結合から成る。故に注入電流の大部分
は拡散電位の低い接合から流れだす。活性層１４
の禁止帯幅が最も狭いため、電流はGaAsホモ接
合と、GaAs−Al0.1Ga0.9Asヘテロ接合の両方に
流れる。従つてレーザ発振は活性層１４のｐ型領
域１９で起る。ｐ型領域活性層１９に注入された
キヤリアは縦方向に対して、隣接する各半導体１
３，１５と横方向にはGaAsホモ接合により、拡
散することなく、このｐ型領域１９内に完全に閉
じ込められる。十分な注入キヤリアによつて、利
得が損失にうち勝つたとき、ｐ型領域１９からレ
ーザ発振が生じる。このレーザ光は光ガイド層１
３にしみ出し、屈折率の低い光閉じ込め層１２と
光及びキヤリア閉じ込め層１５によつて導かれ
る。光ガイド層１３の中央部の厚さは、その外側
とで異なる、従つて、光ガイド層１３の横方向屈
折率分布は中央部が外側に比らべて、大きくな
る。すなわち、光導波機構を発光領域に作り込ん
だことになり、光の横方向閉じ込め作用により、
安定した基本モード発振する。
ことにより、整流接合２１は順方向バイアスされ
る。整流接合２１は、Al0.3Ga0.7Asホモ接合、
GaAsホモ接合、GaAs−Al0.1Ga0.9Asヘテロ接合
による並列結合から成る。故に注入電流の大部分
は拡散電位の低い接合から流れだす。活性層１４
の禁止帯幅が最も狭いため、電流はGaAsホモ接
合と、GaAs−Al0.1Ga0.9Asヘテロ接合の両方に
流れる。従つてレーザ発振は活性層１４のｐ型領
域１９で起る。ｐ型領域活性層１９に注入された
キヤリアは縦方向に対して、隣接する各半導体１
３，１５と横方向にはGaAsホモ接合により、拡
散することなく、このｐ型領域１９内に完全に閉
じ込められる。十分な注入キヤリアによつて、利
得が損失にうち勝つたとき、ｐ型領域１９からレ
ーザ発振が生じる。このレーザ光は光ガイド層１
３にしみ出し、屈折率の低い光閉じ込め層１２と
光及びキヤリア閉じ込め層１５によつて導かれ
る。光ガイド層１３の中央部の厚さは、その外側
とで異なる、従つて、光ガイド層１３の横方向屈
折率分布は中央部が外側に比らべて、大きくな
る。すなわち、光導波機構を発光領域に作り込ん
だことになり、光の横方向閉じ込め作用により、
安定した基本モード発振する。
端面近傍の非励起活性層部も、縦、横方向とも
屈折率変化の光導波機構を有するため、レーザ光
は、その基本モードを変形することなく伝播が可
能である。
屈折率変化の光導波機構を有するため、レーザ光
は、その基本モードを変形することなく伝播が可
能である。
活性領域へのキヤリア注入が、整流接合の拡散
電位の違を利用した閉じ込め効果のよりなされる
ため、電流注入効率が高まり、発光効率も大きく
なる利点がある。
電位の違を利用した閉じ込め効果のよりなされる
ため、電流注入効率が高まり、発光効率も大きく
なる利点がある。
これは、余分の電流を流す必要がないことか
ら、動作電流が少なくてすむ利点がある。
ら、動作電流が少なくてすむ利点がある。
更に別な特徴は、活性層１４にｐ−ｎ接合を形
成する際、外側のｎ領域のキヤリア濃度ｎ〓３×
1018cm-3、ｐ領域のキヤリア濃度ｐ〓５×1018cm
-3の範囲で制御すると、その濃度差により、端面
近傍のｎ型領域がレーザ光に対し透明にする事が
出来る。活性層の励起領域端面が露出してなく、
レーザ光に対して透明である結晶で包囲されてい
る事は、端面破損が起り難く、高出力に耐える。
成する際、外側のｎ領域のキヤリア濃度ｎ〓３×
1018cm-3、ｐ領域のキヤリア濃度ｐ〓５×1018cm
-3の範囲で制御すると、その濃度差により、端面
近傍のｎ型領域がレーザ光に対し透明にする事が
出来る。活性層の励起領域端面が露出してなく、
レーザ光に対して透明である結晶で包囲されてい
る事は、端面破損が起り難く、高出力に耐える。
ストライプ状ｐ型領域１９，２０を形成する場
合、ｐ型領域が活性層を貫通し、ｎ型光ガイド層
１３内にｐ−ｎ接合を設けた構造としても、スト
ライプ状ｐ型領域の幅がキヤリアの拡散長程度な
らば、得られる効果作用は同じであるがｐ型領域
を形成する製作上の困難さが除去される利点を有
する。
合、ｐ型領域が活性層を貫通し、ｎ型光ガイド層
１３内にｐ−ｎ接合を設けた構造としても、スト
ライプ状ｐ型領域の幅がキヤリアの拡散長程度な
らば、得られる効果作用は同じであるがｐ型領域
を形成する製作上の困難さが除去される利点を有
する。
以上詳述したように本発明による半導体レーザ
は、基本モード制御が容易になされ、更に高出力
動作で長寿命にたえる等の利点がある。
は、基本モード制御が容易になされ、更に高出力
動作で長寿命にたえる等の利点がある。
第１図は従来の半導体レーザの概略的斜視図、
第２図は本発明の一実施例における半導体レーザ
の概略的斜視図、第３図はその主要部分の概略的
断面図をそれぞれ示す。 図面において、１，１１……半導体基体、２，
１２……光閉じ込め層、３，１３……光ガイド
層、４，１４……活性層、５，１５……光及びキ
ヤリア閉じ込め層、６……電極容易化層、８……
SiO2膜、７，１６……ｎ型電極、９，１７……
ｐ型電極、１０，１８……溝、１９，２０……ｐ
型変換領域、２１……整流接合、をそれぞれ示
す。
第２図は本発明の一実施例における半導体レーザ
の概略的斜視図、第３図はその主要部分の概略的
断面図をそれぞれ示す。 図面において、１，１１……半導体基体、２，
１２……光閉じ込め層、３，１３……光ガイド
層、４，１４……活性層、５，１５……光及びキ
ヤリア閉じ込め層、６……電極容易化層、８……
SiO2膜、７，１６……ｎ型電極、９，１７……
ｐ型電極、１０，１８……溝、１９，２０……ｐ
型変換領域、２１……整流接合、をそれぞれ示
す。
Claims (1)
- １ 第１導電型の活性層に隣接して、該活性層よ
りも屈折率が小さく禁止帯幅の広い第１導電型の
光ガイド及びキヤリア閉じ込め層を形成した２層
構造を前記活性層よりも屈折率の小さい第１導電
型の光閉じ込め層及び第１導電型の光及びキヤリ
ア閉じ込め層で挾み込んだ層構造を有し、前記光
ガイド及びキヤリア閉じ込め層の層厚は中心部で
ストライプ状に厚くなつており、さらに前記光ガ
イド及びキヤリア閉じ込め層の層厚の厚い部分に
相当する位置の前記活性層と前記光及びキヤリア
閉じ込め層との一部が少なくとも、光出力端面及
び光出力端面近傍領域を除いてストライプ状に第
２導電型を有する半導体領域に変換されているこ
とを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12029879A JPS5643793A (en) | 1979-09-18 | 1979-09-18 | Semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12029879A JPS5643793A (en) | 1979-09-18 | 1979-09-18 | Semiconductor laser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5643793A JPS5643793A (en) | 1981-04-22 |
| JPS625355B2 true JPS625355B2 (ja) | 1987-02-04 |
Family
ID=14782764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12029879A Granted JPS5643793A (en) | 1979-09-18 | 1979-09-18 | Semiconductor laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5643793A (ja) |
-
1979
- 1979-09-18 JP JP12029879A patent/JPS5643793A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5643793A (en) | 1981-04-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2008135786A (ja) | 高出力半導体レーザダイオード | |
| JPS6343908B2 (ja) | ||
| US4759025A (en) | Window structure semiconductor laser | |
| JP2522021B2 (ja) | 半導体レ―ザ | |
| JPH0518473B2 (ja) | ||
| JPS621277B2 (ja) | ||
| JPH10242577A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH0426558B2 (ja) | ||
| JPS625355B2 (ja) | ||
| JPH0474876B2 (ja) | ||
| JPH0671121B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2703619B2 (ja) | 波長可変半導体レーザ | |
| US4745611A (en) | Buried twin ridge substrate laser | |
| JPS6218782A (ja) | 埋込み構造半導体レ−ザ | |
| JPS5832794B2 (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6154279B2 (ja) | ||
| JPH06112588A (ja) | 光半導体素子 | |
| JPS6018988A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6136720B2 (ja) | ||
| JPS6237833B2 (ja) | ||
| JP2001024211A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPS6342871B2 (ja) | ||
| JP2740165B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS6054796B2 (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS59184585A (ja) | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ |