JPS6255140B2 - - Google Patents
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
本発明は、光導電性要素の製造方法及びかかる
光導電性要素を用いた電子写真感光材料の製造方
法に関する。
電子写真法は、光導電性物質の層の上に静電気
を均一に帯電させ、これに画像性の露光を与えて
露光部分の帯電電荷を放電させ、次に残留電荷の
画像(静電潜像)を、その反対の極性の荷電を有
する着色粒子(トナー)で現像して可視画像を記
録する方法であり、よく知られている。従来、電
子写真感光材料に用いる光導電性物質としては、
無定形セレン、化合物半導体等の無機物質、ポリ
ビニルカルバゾール等の有機ポリマー、有機色素
や顔料およびこれらを増感剤として用い、種々の
有機化合物と併用した材料、等が知られている。
これらの内無定形セレンが最も多用されている。
無定形セレンを用いる電子写真感光材料は、も
つぱら、導電性支持体の上にセレンを蒸着して製
造されている。しかし、この方法では連続的な製
造が困難であり、また製造コストも高い。また蒸
着無定形セレン層は、製造中又は、使用中に結晶
化しやすく、このため感光材料としての特性が劣
化しやすいという欠点も有している。
これらの欠点をとりのぞくため、塗布法によつ
てセレン粒子の分散された層を導電性支持体上に
設ける方法が提案されている。即ち、英国特許
1506929号明細書には、セレン元素の結晶を機械
的に粉砕し、これを電荷担体輸送能力のあるポリ
マーに分散した光導電体が記載され、また米国特
許3787208号明細書には無定形セレン固体を液体
窒素中で機械的に粉砕し、これをポリマー中に分
散した光導電体が記載されている。しかしこのよ
うな機械的な粉砕によつては微小なセレン粒子が
均一に分散された光導電層を製造することは困難
である。
一方、光照射を利用して微細なセレン元素粒子
の分散層を製造する方法も提案されている。即
ち、米国特許3994791号明細書に記載されている
ように、有機セレン化合物を、電荷担体輸送能力
のある絶縁性ポリマー(例えばポリ−N−ビニル
カルバゾール)の中に分散した層を導電性支持体
上に塗布法により設け、これを均一に光照射し、
有機セレン化合物を分解し、セレン元素をポリマ
ー中に分散させた層を製造する方法である。しか
しながら、この方法は、有機セレン化合物は一般
に不安定でかつ高価であり、また有機セレン化合
物又はその分解物或いは合成途上の複生物等に有
毒或いは悪臭をともなうものが多い、等の欠点が
あり、さらに有機セレン化合物をポリマー中で光
分解すると、光の吸収が不均一であるため層の表
面に近いほど多く分解され、その結果、層中に均
一にセレン元素が分散された光導電体層を製造す
ることが困難である。またポリマーが電荷担体輸
送能力のある絶縁性ポリマーに限られることも大
きな制約となる。
また、米国特許4115115号明細書には、有機セ
レン化合物と過酸化ジベンゾイルとをポリマー中
で反応させて、セレン元素をポリマー中に分散さ
せた層を製造する方法が記載されている。しかし
ながら、この方法は上述の方法と同様に、有機セ
レン化合物を用いることによる欠点があり、さら
に過酸化ジベンゾイルは爆発性があり取扱いに細
心の注意を払う必要がある。
本発明の目的は、従つて、蒸着法や光分解法に
よらず化学的な方法で、しかも上記の有機セレン
化合物を用いる方法にみられる諸欠点をとりのぞ
いた方法によつて、コロイド状セレン元素粒子が
ポリマー中に分散された光導電性要素を製造する
手段を提供することである。本発明の別の目的は
それによつて得られる光導電性要素を用い、蒸着
無定形セレンを用いるものより少量のセレンを用
いてより高い光感度を有する電子写真感光材料を
製造する方法を提供することである。本発明のそ
の他の目的は以下の記載から明らかになるであろ
う。
本発明のかかる目的は、基本的には、無機セレ
ン化合物を絶縁性ポリマーの存在下に化学的に還
元することにより、セレン元素がポリマー中に微
細に分散されてなる光導電性要素を得ることによ
り達成された。
即ち、本発明によれば、無機セレン化合物を絶
縁性バインダーポリマーを含む液相又は固相中に
於いて、化学的手段によつて還元させてセレン元
素を遊離させることにより、微細なコロイド状の
セレン粒子がポリマー中に分散された光導電性要
素が得られる。ここでセレン粒子は、光照射によ
つて電荷担体を発生する機能を有する。かくして
得られた光導電性要素は光電池、電子写真感光材
料、等の光導変換要素として用いられる。
本発明の1つの態様によれば、光導電性要素
は、(a)無機セレン化合物および(b)絶縁性ポリマー
を、少くとも(b)を溶解することのできる溶媒に溶
解乃至分散し、還元により(a)から遊離したセレン
元素を(b)中に微細に析出・分散させることによつ
て製造される。
以下に本発明による光導電性要素を製造方法に
ついて詳細に説明する。
本発明に於る光導電性要素の製造方法において
用いられる無機セレン化合物は、環元によりセレ
ン元素を遊離させることができるものであればよ
い。このような無機セレン化合物の内、室温にお
いて固体で、比較的安定であり、かつ溶媒、特に
有機溶媒に可溶なものが有用である。かかる特性
を有する無機セレン化合物としては、二酸化セレ
ン、亜セレン酸、オキシ臭化セレン()、四塩
化セレンおよび四臭化セレン、等があげられる。
これらの化合物の内でも、二酸化セレンおよび亜
セレン酸が、加水分解をうけにくく、かつ悪臭も
なくて取りあつかいやすいという点で優つてお
り、本発明には特に好適に用いられる。
本発明に於る光導電性要素の製造方法に用いら
れる絶縁性ポリマーは、無機セレン化合物から還
元によつて遊離したセレン元素を微細に分散させ
るための保護コロイドあるいはバインダーとして
作用する。絶縁性バインダーポリマーとしては、
多くの合成、半合成および天然の高分子誘電体物
質で、フイルムが形成されるに十分な分子量(約
1万以上)を有するものが適当であり、更に約
250℃程度迄の温度で約10分程度加熱しても顕著
な分解をしないものが有用である。電気的な活
性、即ち電荷担体の輸送能力はあつてもよく、又
ないものでもよい。一般に電子写真感光材料にお
いて絶縁性バインダーとして使用されるポリマー
が用いられる。適当な絶縁性バインダーポリマー
の具体例をあげると、ポリカーボネート、ポリ塩
化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、
塩化ビニリデン−塩化ビニルコポリマー、塩化ビ
ニリデン−アクリロニトリルコポリマー、ポリス
チレン、ポリ−α−メチルスチレン、ポリメチル
メタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリ
ブチルアクリレート、ポリビニルブチラール、ポ
リビニルホルマール、ポリビニルピロリドン、ポ
リビニルアルコール、ポリアクリルアミド、ポリ
アクリロニトリル、ジアセチルセルローズ、トリ
アセチルセルローズ、セルローズアセテートフタ
レート、セルロースアセテートブチレート、エチ
ルセルローズ、シアノエチルセルローズ、ポリ−
N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポ
リエステル、ポリアミド、スチレン−ブタジエン
コポリマー、スチレン−メチルメタクリレートコ
ポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポリマ
ー、塩化ビニリデン−酢酸ビニルコポリマー、塩
素化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレン、フエ
ノールーホルムアルデヒド樹脂などである。なお
コポリマーの場合のモノマー含有比は特に限定さ
れない。これらの絶縁性バインダーポリマーの
内、その電荷担体発生効率が高いという意味にお
いて特に好適なものは、ポリメチルメタクリレー
ト、アクリロニトリル−スチレンコポリマー、ア
クリロニトリル−ブタジエン−スチレンコポリマ
ー及びポリカーボネート、等である。
無機セレン化合物及び絶縁性ポリマーは、少く
とも絶縁性ポリマーを溶解することの出来る溶媒
中に溶解乃至分散される。ここで用いられる溶媒
は、少くとも使用されるバインダーポリマーを溶
解し得るものであればよく、多種多様の溶媒の内
から選択できる。調製される光導電性要素用溶液
乃至分散液の取りあつかいや溶媒の除去を考慮す
ると、沸点が約30〜約200℃程度の溶媒が好まし
い。適当な溶媒としては、例えば、メタノール、
エタノール、イソプロパノール等のアルコール、
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン等の脂肪族ケトン、N,N−ジメチルホルムア
ミド、N,N−ジメチルアセトアミド、等のアミ
ド、ジメチルスルホキサイド、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチル
エーテル等のエーテル、酢酸メチル、酢酸エチル
等のエステル、クロロホルム、塩化メチレン、二
塩化エチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレン
等のハロゲン化炭化水素、ベンゼン、トルエン、
キシレン、リグロイン等の炭化水素、水などがあ
げられる。これらの溶媒は単独でも二種以上を混
合して使用してもよい。これらの内無機セレン化
合物をも同時に溶解する溶媒は特に好ましい。
本発明による光導電性要素用溶媒乃至分散液に
おける各成分の比率は格別の制限はない。一般に
は、しかしながら、無機セレン化合物は、絶縁性
ポリマー1g当り、約10-4〜約10-2モル、特に5
×10-4〜5×10-3モル用いるのが好ましく、また
絶縁性ポリマーは、溶媒1ml当り、約0.005〜約
0.5g、特に0.01〜0.1g用いるのが好ましい。
無機セレン化合物、絶縁性ポリマー及び溶媒な
どの各成分を適当に混合して調製された光導電性
要素用溶液乃至分散液は、目的・用途に応じて任
意の形状に成型して光導電性要素とすることがで
きる。例えば、適当な支持体上に塗布し、溶媒を
除去(乾燥)することにより層状の光導電性要素
が形成される。乾燥は任意の温度で行うことがで
き、一般には室温(約10乃至30℃)から約250℃
迄の温度領域が適当である。無機セレン化合物の
還元によるセレン元素の析出は、溶液乃至分散液
の状態であるいは成型后の乾燥中に進行する。そ
れで、セレン元素の析出を促進させようとする場
合には、乾燥を約50℃以上の加熱条件下で行うの
がよい。また約80℃以上の温度で処理した場合、
結晶状セレンの生成に因ると推定される特性変化
が認められた。即ち、この様な加熱処理を施した
光導電性要素を有する電子写真感光材料では、光
感度が著しく向上することが分つた。それ故、乾
燥を約50〜約200℃の温度領域で実施するとしば
しば好結果が得られる。適当な温度は使用するバ
インダーポリマーや溶媒の種類を考慮して選択で
きる。なお、乾燥を比較的低温で行い、その后あ
らためてより高温で加熱してセレン元素の析出を
促進ないし完結させることもできる。乾燥時間は
乾燥温度によつて大巾に変動するが、普通は約5
分〜約5時間が適当である。
本発明によれば、セレン元素の析出はことさら
還元剤を加えなくてもある程度おこり、かなりの
電荷担体発生効率を有する光導電性要素が得られ
ることもある。これは無機セレン化合物単独では
安定であつても、絶縁性バインダーポリマー及
び/又は溶媒との相互作用によつて、特に加熱乾
燥中に無機セレン化合物の還元がおこることに因
るものと考えられる。特に、使用する絶縁性ポリ
マー又は溶媒自体が還元性であるとかあるいはそ
れら自体は還元性でなくても光導電性要素の製造
過程において何らかの還元性物質が生成されると
か、更には使用する絶縁性ポリマー又は溶媒中に
不純物として還元性物質が混在するとかの場合に
は無機セレン化合物の還元が進行する。例えば、
アセトンの如きケトン系溶媒にはしばしばアルデ
ヒド系の還元性物質が混在している。
しかしながら、セレン元素の析出を効率よくし
かも充分に行うには、還元剤を意図的に使用する
のがよい。従つて本発明の1つの好ましい態様に
よれば、光導電性要素は、(a)無機セレン化合物、
(b)絶縁性ポリマー及び(c)還元剤を、少くとも(b)を
溶解することのできる溶媒に溶解乃至分散し、還
元により(a)から遊離したセレン元素を(b)中に微細
に析出・分散させることによつて製造される。
ここで用いられる無機セレン化合物、絶縁性ポ
リマー、溶媒及び製造条件等は先に述べたものと
基本的に変りはない。さて、本発明で用いられる
環元剤は無機セレン化合物を還元してセレン元素
を遊離させることができる物質であればよく、広
範囲の有機又は無機の環元性物質が有効である。
還元剤は、単一化合物を用いてもよいが、また二
つ以上の化合物を適当な量比で混合して用いても
よい。一般に、二種以上の化合物全体としての還
元力は、それぞれを単独で用いる場合の還元力の
単純な和になるとは限らず、しばしばそれ以上の
還元力を示すことがあり、これは超加成性
(superadditivity)として知られている。従つ
て、単独では充分な還元力を有さない化合物であ
つても、混合系においては充分使用に耐える場合
がある。本発明に用いられる有用な還元剤(単一
化合物又は二種以上の化合物の混合物)は次に示
す方法により容易に選択することができる。
還元剤の選択試験方法:
二酸化セレン10mgと、その2倍モル量の被検還
元剤(還元剤が二種以上の化合物の混合物として
試験される場合は、それらの合計モル数を、二酸
化セレン10mgの2倍モル量とする)を、エタノー
ル、N,N−ジメチルホルムアミド或いはテトラ
ヒドロフランから選ばれた二酸化セレン及び還元
剤の可溶な一種類の溶媒の1mlづつにそれぞれ別
個に溶解し、次にこの二種の溶液を試験管中で均
一に混合し、密封してから、100℃±5℃の温浴
中に静置する。その後30分以内にセレン元素の析
出による橙色乃至赤色の着色が、溶液中又は器壁
面上に認められる場合には、当該還元剤(又は還
元剤の混合物)は本発明に有用な還元剤である。
上記の選択試験方法は還元剤の能力の下限を定
める1つの方法であつて、還元剤の還元力がこの
試験の下限を下まわると、セレン元素の析出量が
少なくなり、従つてかかる光導電性要素を用いた
電子写真感光材料では、その光感度はこの下限よ
り上の還元剤を用いた場合にくらべて低下する。
従つて、この下限は厳格なものではなく、この限
度を少し下まわる還元剤を用いた場合、それによ
り製造された電子写真感光材料が全く光感度を示
さない、ということはなく、連続的に光感度が低
下するだけである。それ故、上記の限界は望まし
い十分な光感度の電子写真用感光材料を与える場
合の一つの目安にすぎず、使用目的によつては、
上記の限界外であつても使用することは可能であ
る。
有用な還元剤は、上記の試験方法により選択出
来るので、特定の化合物の種類を指定する必要は
必ずしもないが、一般には、例えば、ハロゲン化
銀写真感光材料の現像薬として用いられる還元性
化合物が適当である。このような還元性化合物の
例は、例えばC.E.K.Mees and T.H.James著,
“The Theory of the Photographic Process”
(3rd edition,1966年,Macmillan Company)
の第13章に記載されている。また、本発明におい
て還元剤として用いられる化合物群のいくつかの
例をあげるならば、少くとも1つ以上の水酸基又
は/及びアミノ基或いは置換アミノ基で置換され
たベンゼン、ナフタレン、アントラセン等の芳香
族炭化水素(例えば、ハイドロキノン誘導体、ア
ミノフエノール誘導体、アニリン誘導体、P−フ
エニレンジアミン誘導体等)、ヒドラジン誘導
体、アスコルビン酸誘導体、ピラゾロンおよびピ
ラゾリドン誘導体、尿素誘導体、シユウ酸塩、ア
ルデヒド類等の有機化合物および低原子価状態に
ある金属の塩酸(例えば、鉄()、スズ()、
チタン()、クロム()等の塩類)などがあ
る。
上記還元剤の選択試験の結果下限を上まわる特
性を有し、従つて本発明に好適に用いられる還元
剤の具体例をいくつかあげると、トリメチルハイ
ドロキノン、テトラメチルハイドロキノン、2,
5−ジ−tert−ブチルハイドロキノン、メトキシ
ハイドロキノン、(1,1−ジメチル−3,3−
ジメチルブチル)ハイドロキノン、2−(α,α
−ジメチルベンジル)−5−tert−ブチルハイド
ロキノン、2−(α,α−ジメチルベンジル)−5
−(1,1−ジメチル−3,3−ジメチルブチ
ル)ハイドロキノン、2,5−ジ(1,1−ジメ
チルブチル)ハイドロキノン、2,5−ジメチル
ハイドロキノン、P−N−ベンジルアミノフエノ
ール、P−N−メチルアミノフエノール、2−フ
エニルハイドロキノン、N−エチル−N−ヒドロ
キシエチル−2−メチル−パラフエニレンジアミ
ン、N,N−ジメチルパラフエニレンジアミン、
N,N,N′,N′−テトラメチルパラフエニレン
ジアミン、アセトヒドラジン、O−アミノベンゾ
イルヒドラジン、アセチルフエニルヒドラジン、
サリシロイルヒドラジン、1−メチル−1−フエ
ニルヒドラジン、L−アスコルビン酸、L−アス
コルビルモノパルミテート、L−アスコルビルモ
ノステアレート,3−ピラゾリドン、1−フエニ
ル−3−ピラゾリドン、1−フエニル−4−メチ
ル−3−ピラゾリドン、1−P−トリル−4−ヒ
ドロキシメチル−4−メチル−3−ピラゾリド
ン、チオ尿素、ジメチロ−ルチオ尿素、テトラメ
チルチオ尿素、チオウラシル、4−メトキシ−1
−ナフトール、4−エトキシ−1−ナフトール、
4−アミノジフエニルアミン、N,N,N′,
N′−テトラメチル−P,P′−ジアミノジフエニル
アミン、シユウ酸鉄()、塩化スズ()、など
である。
参考迄に、上に例示した還元剤の内、代表的な
若干の化合物につき、その選択試験の具体例を次
に示す。
参考例
二酸化セレン10mgを外径約15mmの試験管にと
り、N,N−ジメチルホルムアミド1mlを加えて
振盪し二酸化セレンを完全に溶解した。次に下記
の第1表に記載の還元剤の、それぞれ二酸化セレ
ン10mgの2倍モル量を別の同様の試験管にとり、
N,N−ジメチルホルムアミド1mlを加えて還元
剤を溶解した。二種の溶液を試験管中で混合し、
よく振盪し、密封してからこれを沸騰湯浴中に浸
漬して30分間静置した。第1表に記載の如く、い
ずれも試験管の内壁又は/及び溶液中に赤乃至黒
色のセレン元素の析出がみられた。
The present invention relates to a method of manufacturing a photoconductive element and a method of manufacturing an electrophotographic light-sensitive material using such a photoconductive element. Electrophotography involves uniformly charging an electrostatic charge onto a layer of photoconductive material, applying an imagewise exposure to discharge the electrostatic charge in the exposed areas, and then producing an image of the residual charge (an electrostatic latent image). ) is developed with colored particles (toner) having the opposite polarity to record a visible image, and is a well-known method. Conventionally, photoconductive substances used in electrophotographic materials include:
Known materials include inorganic substances such as amorphous selenium and compound semiconductors, organic polymers such as polyvinyl carbazole, organic dyes and pigments, and materials using these as sensitizers in combination with various organic compounds.
Of these, amorphous selenium is most frequently used. Electrophotographic materials using amorphous selenium are typically produced by vapor depositing selenium onto a conductive support. However, with this method, continuous production is difficult and production costs are high. Further, the vapor-deposited amorphous selenium layer has the disadvantage that it tends to crystallize during manufacture or use, and therefore its properties as a photosensitive material tend to deteriorate. In order to eliminate these drawbacks, a method has been proposed in which a layer in which selenium particles are dispersed is provided on a conductive support by a coating method. i.e. UK patent
No. 1,506,929 describes a photoconductor in which selenium element crystals are mechanically crushed and dispersed in a polymer capable of transporting charge carriers, and U.S. Pat. No. 3,787,208 describes an amorphous selenium solid. A photoconductor is described in which a photoconductor is mechanically pulverized in liquid nitrogen and dispersed in a polymer. However, it is difficult to produce a photoconductive layer in which fine selenium particles are uniformly dispersed by such mechanical pulverization. On the other hand, a method of manufacturing a dispersed layer of fine selenium element particles using light irradiation has also been proposed. That is, as described in U.S. Pat. No. 3,994,791, a layer of an organic selenium compound dispersed in an insulating polymer (e.g., poly-N-vinylcarbazole) capable of transporting charge carriers is formed on a conductive support. It is applied on top using a coating method, and is uniformly irradiated with light.
This is a method of decomposing an organic selenium compound to produce a layer in which elemental selenium is dispersed in a polymer. However, this method has disadvantages, such as that organic selenium compounds are generally unstable and expensive, and that organic selenium compounds, their decomposition products, or synthetic compounds in the process of synthesis are often toxic or have a bad odor. Furthermore, when an organic selenium compound is photodecomposed in a polymer, the absorption of light is nonuniform, so the closer it is to the surface of the layer, the more it is decomposed.As a result, a photoconductor layer with selenium elements uniformly dispersed throughout the layer is formed. Difficult to manufacture. Another major limitation is that the polymer is limited to insulating polymers with charge carrier transport ability. Further, US Pat. No. 4,115,115 describes a method for producing a layer in which selenium element is dispersed in a polymer by reacting an organic selenium compound and dibenzoyl peroxide in a polymer. However, like the above-mentioned method, this method has the disadvantage of using an organic selenium compound, and furthermore, dibenzoyl peroxide is explosive and must be handled with great care. Therefore, the object of the present invention is to produce colloidal selenium by a chemical method rather than a vapor deposition method or a photodecomposition method, and by a method that eliminates the various drawbacks of the method using the above-mentioned organic selenium compounds. It is an object of the present invention to provide a means for making photoconductive elements in which elemental particles are dispersed in a polymer. Another object of the present invention is to provide a method for producing electrophotographic materials using the photoconductive elements obtained thereby and having higher photosensitivity using less selenium than those using vapor-deposited amorphous selenium. That's true. Other objects of the invention will become apparent from the description below. Basically, the object of the present invention is to obtain a photoconductive element in which elemental selenium is finely dispersed in a polymer by chemically reducing an inorganic selenium compound in the presence of an insulating polymer. achieved by. That is, according to the present invention, by reducing an inorganic selenium compound by chemical means in a liquid phase or solid phase containing an insulating binder polymer to liberate selenium element, fine colloidal A photoconductive element is obtained in which selenium particles are dispersed in a polymer. Here, the selenium particles have the function of generating charge carriers upon irradiation with light. The photoconductive element thus obtained is used as a light guiding conversion element for photovoltaic cells, electrophotographic photosensitive materials, and the like. According to one embodiment of the present invention, the photoconductive element comprises (a) an inorganic selenium compound and (b) an insulating polymer dissolved or dispersed in a solvent capable of dissolving at least (b) and reduced. It is produced by finely precipitating and dispersing the selenium element liberated from (a) into (b). The method for manufacturing the photoconductive element according to the invention will now be described in detail. The inorganic selenium compound used in the method for producing a photoconductive element according to the present invention may be any inorganic selenium compound as long as it can liberate elemental selenium through a ring atom. Among these inorganic selenium compounds, those that are solid at room temperature, relatively stable, and soluble in solvents, particularly organic solvents, are useful. Examples of inorganic selenium compounds having such characteristics include selenium dioxide, selenite, selenium oxybromide (), selenium tetrachloride, and selenium tetrabromide.
Among these compounds, selenium dioxide and selenite are superior in that they are resistant to hydrolysis, have no bad odor, and are easy to handle, and are particularly preferably used in the present invention. The insulating polymer used in the method for producing a photoconductive element according to the present invention acts as a protective colloid or binder for finely dispersing the selenium element liberated from the inorganic selenium compound by reduction. As an insulating binder polymer,
Many synthetic, semi-synthetic and natural polymeric dielectric materials having sufficient molecular weight to form a film (approximately 10,000 or greater) are suitable;
Those that do not significantly decompose even when heated for about 10 minutes at temperatures up to about 250°C are useful. It may or may not have electrical activity, ie the ability to transport charge carriers. Polymers that are generally used as insulating binders in electrophotographic light-sensitive materials are used. Specific examples of suitable insulating binder polymers include polycarbonate, polyvinyl chloride, vinyl chloride-vinyl acetate copolymers,
Vinylidene chloride-vinyl chloride copolymer, vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer, polystyrene, poly-α-methylstyrene, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, polybutyl acrylate, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polyvinyl pyrrolidone, polyvinyl alcohol, polyacrylamide, poly Acrylonitrile, diacetyl cellulose, triacetyl cellulose, cellulose acetate phthalate, cellulose acetate butyrate, ethyl cellulose, cyanoethyl cellulose, poly-
N-vinylcarbazole, polyvinylpyrene, polyester, polyamide, styrene-butadiene copolymer, styrene-methyl methacrylate copolymer, styrene-acrylonitrile copolymer, vinylidene chloride-vinyl acetate copolymer, chlorinated polyethylene, chlorinated polypropylene, phenol-formaldehyde resin, etc. be. Note that in the case of a copolymer, the monomer content ratio is not particularly limited. Among these insulating binder polymers, particularly preferred in terms of their high charge carrier generation efficiency are polymethyl methacrylate, acrylonitrile-styrene copolymer, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer, polycarbonate, and the like. The inorganic selenium compound and the insulating polymer are dissolved or dispersed in a solvent that can dissolve at least the insulating polymer. The solvent used here can be selected from a wide variety of solvents as long as it can dissolve at least the binder polymer used. Considering the handling of the photoconductive element solution or dispersion prepared and the removal of the solvent, a solvent having a boiling point of about 30 to about 200°C is preferred. Suitable solvents include, for example, methanol,
Alcohols such as ethanol and isopropanol,
Aliphatic ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, and cyclohexanone, amides such as N,N-dimethylformamide and N,N-dimethylacetamide, ethers such as dimethyl sulfoxide, tetrahydrofuran, dioxane, and ethylene glycol monomethyl ether, methyl acetate, and acetic acid. Esters such as ethyl, chloroform, methylene chloride, ethylene dichloride, carbon tetrachloride, halogenated hydrocarbons such as trichlorethylene, benzene, toluene,
Examples include hydrocarbons such as xylene and ligroin, and water. These solvents may be used alone or in combination of two or more. Among these, solvents that also dissolve the inorganic selenium compound are particularly preferred. There are no particular limitations on the proportions of each component in the solvent or dispersion for photoconductive elements according to the present invention. Generally, however, the inorganic selenium compound is present in an amount of from about 10 -4 to about 10 -2 moles, especially 5 moles per gram of insulating polymer.
It is preferable to use the insulating polymer in an amount of about 0.005 to about
It is preferred to use 0.5 g, especially 0.01 to 0.1 g. A photoconductive element solution or dispersion prepared by appropriately mixing each component such as an inorganic selenium compound, an insulating polymer, and a solvent can be molded into any shape depending on the purpose and use to form a photoconductive element. It can be done. For example, a layered photoconductive element is formed by coating on a suitable support and removing the solvent (drying). Drying can be carried out at any temperature, generally from room temperature (approximately 10 to 30 degrees Celsius) to approximately 250 degrees Celsius.
The temperature range up to The precipitation of elemental selenium by reduction of the inorganic selenium compound proceeds in the state of a solution or dispersion or during drying after molding. Therefore, if it is desired to promote the precipitation of selenium element, it is preferable to perform drying under heating conditions of about 50° C. or higher. In addition, when processed at a temperature of approximately 80℃ or higher,
Changes in properties presumed to be due to the formation of crystalline selenium were observed. That is, it has been found that the photosensitivity of an electrophotographic material having a photoconductive element subjected to such heat treatment is significantly improved. Therefore, good results are often obtained when drying is carried out in the temperature range of about 50 to about 200°C. An appropriate temperature can be selected by considering the type of binder polymer and solvent used. Note that it is also possible to perform drying at a relatively low temperature and then heat it again at a higher temperature to promote or complete the precipitation of the selenium element. The drying time varies widely depending on the drying temperature, but is usually about 5
minutes to about 5 hours is appropriate. According to the present invention, precipitation of elemental selenium occurs to some extent even without the addition of a particular reducing agent, and photoconductive elements may be obtained with considerable charge carrier generation efficiency. This is thought to be due to the fact that even though the inorganic selenium compound alone is stable, reduction of the inorganic selenium compound occurs due to interaction with the insulating binder polymer and/or solvent, especially during heat drying. In particular, if the insulating polymers or solvents used are themselves reducing, or even if they are not themselves reducing, some reducing substance is generated during the manufacturing process of the photoconductive element, and even if the insulating polymers or solvents used are When a reducing substance is present as an impurity in the polymer or solvent, the reduction of the inorganic selenium compound proceeds. for example,
Ketone solvents such as acetone often contain reducing substances such as aldehydes. However, in order to efficiently and sufficiently precipitate the selenium element, it is preferable to use a reducing agent intentionally. Thus, according to one preferred embodiment of the invention, the photoconductive element comprises (a) an inorganic selenium compound;
(b) An insulating polymer and (c) a reducing agent are dissolved or dispersed in a solvent that can dissolve at least (b), and the selenium element liberated from (a) by reduction is finely dispersed into (b). Manufactured by precipitation and dispersion. The inorganic selenium compound, insulating polymer, solvent, manufacturing conditions, etc. used here are basically the same as those described above. Now, the ring-forming agent used in the present invention may be any substance that can reduce the inorganic selenium compound to liberate the selenium element, and a wide range of organic or inorganic ring-forming substances are effective.
As the reducing agent, a single compound may be used, or two or more compounds may be used as a mixture in an appropriate quantitative ratio. In general, the reducing power of two or more compounds as a whole is not necessarily the simple sum of the reducing powers when each is used alone, and often shows a greater reducing power, and this is due to superaddition. This is also known as superadditivity. Therefore, even if a compound does not have sufficient reducing power alone, it may be sufficiently usable in a mixed system. A useful reducing agent (a single compound or a mixture of two or more compounds) used in the present invention can be easily selected by the following method. Selection of reducing agent Test method: 10 mg of selenium dioxide and twice the molar amount of the reducing agent to be tested (if the reducing agent is tested as a mixture of two or more compounds, the total number of moles of them is mixed with 10 mg of selenium dioxide) (2 times the molar amount of 20%) were separately dissolved in 1ml each of a solvent selected from ethanol, N,N-dimethylformamide, or tetrahydrofuran in which selenium dioxide and a reducing agent are soluble, and then this The two solutions are mixed uniformly in a test tube, sealed, and placed in a hot bath at 100°C ± 5°C. If orange to red coloring due to precipitation of elemental selenium is observed in the solution or on the vessel wall within 30 minutes thereafter, the reducing agent (or mixture of reducing agents) is a reducing agent useful in the present invention. . The above selection test method is one way to determine the lower limit of the reducing agent's ability; if the reducing power of the reducing agent is below the lower limit of this test, the amount of selenium element precipitated will decrease, and therefore the photoconductivity will decrease. In an electrophotographic light-sensitive material using a reactive element, its photosensitivity is lower than when a reducing agent above this lower limit is used.
Therefore, this lower limit is not strict, and if a reducing agent slightly below this limit is used, the electrophotographic material produced using it will not show no photosensitivity at all, but will continue to Only the light sensitivity is reduced. Therefore, the above limits are only a guideline for providing electrophotographic materials with desirable and sufficient photosensitivity, and depending on the purpose of use,
It is possible to use it outside the above limits. Useful reducing agents can be selected by the above test method, so it is not necessary to specify a specific type of compound, but in general, reducing compounds used as developing agents for silver halide photographic light-sensitive materials, for example, Appropriate. Examples of such reducing compounds are, for example, CEK Mees and TH James,
“The Theory of the Photographic Process”
(3rd edition, 1966, Macmillan Company)
Described in Chapter 13 of Some examples of compounds used as reducing agents in the present invention include aromatic compounds such as benzene, naphthalene, and anthracene substituted with at least one hydroxyl group and/or amino group or substituted amino group. Organic compounds such as group hydrocarbons (e.g., hydroquinone derivatives, aminophenol derivatives, aniline derivatives, P-phenylenediamine derivatives, etc.), hydrazine derivatives, ascorbic acid derivatives, pyrazolone and pyrazolidone derivatives, urea derivatives, oxalates, aldehydes, etc. and hydrochloric acids of metals in low valence states (e.g. iron (), tin (),
Salts such as titanium (), chromium (), etc. Some specific examples of reducing agents that have characteristics exceeding the lower limit as a result of the above-mentioned reducing agent selection test and are therefore suitably used in the present invention include trimethylhydroquinone, tetramethylhydroquinone, 2,
5-di-tert-butylhydroquinone, methoxyhydroquinone, (1,1-dimethyl-3,3-
dimethylbutyl)hydroquinone, 2-(α,α
-dimethylbenzyl)-5-tert-butylhydroquinone, 2-(α,α-dimethylbenzyl)-5
-(1,1-dimethyl-3,3-dimethylbutyl)hydroquinone, 2,5-di(1,1-dimethylbutyl)hydroquinone, 2,5-dimethylhydroquinone, P-N-benzylaminophenol, P-N -Methylaminophenol, 2-phenylhydroquinone, N-ethyl-N-hydroxyethyl-2-methyl-paraphenylenediamine, N,N-dimethylparaphenylenediamine,
N,N,N',N'-tetramethylparaphenylenediamine, acetohydrazine, O-aminobenzoylhydrazine, acetylphenylhydrazine,
Salicilloylhydrazine, 1-methyl-1-phenylhydrazine, L-ascorbic acid, L-ascorbyl monopalmitate, L-ascorbyl monostearate, 3-pyrazolidone, 1-phenyl-3-pyrazolidone, 1-phenyl- 4-Methyl-3-pyrazolidone, 1-P-tolyl-4-hydroxymethyl-4-methyl-3-pyrazolidone, thiourea, dimethylolthiourea, tetramethylthiourea, thiouracil, 4-methoxy-1
-naphthol, 4-ethoxy-1-naphthol,
4-aminodiphenylamine, N, N, N',
N'-tetramethyl-P,P'-diaminodiphenylamine, iron oxalate (), tin chloride (), and the like. For reference, specific examples of selection tests for some representative compounds among the reducing agents exemplified above are shown below. Reference Example 10 mg of selenium dioxide was placed in a test tube with an outer diameter of approximately 15 mm, and 1 ml of N,N-dimethylformamide was added and shaken to completely dissolve the selenium dioxide. Next, take twice the molar amount of 10 mg of selenium dioxide of each of the reducing agents listed in Table 1 below into another similar test tube,
1 ml of N,N-dimethylformamide was added to dissolve the reducing agent. Mix the two solutions in a test tube,
After shaking well and sealing, it was immersed in a boiling water bath and allowed to stand for 30 minutes. As shown in Table 1, red to black precipitation of elemental selenium was observed on the inner wall of the test tube and/or in the solution in all cases.
【表】
使用する還元剤の量(混合物の場合はその合
計)は、その還元能力の強さ等により変動する
が、一般には無機セレン化合物1モル当り、約
0.1〜約10モル、特に1〜5モル用いるのが好ま
しい。
還元剤を意図的に用いる光導電性要素の製造方
法においても、その他の因子である無機セレン化
合物、絶縁性ポリマー、溶媒及び製造条件等は、
前述の還元剤を意図的に用いない系と基本的には
変らない。しかしながら、以下に述べる如き若干
のモデイフイケーシヨンはしばしば好ましい結果
を与える。
即ち、使用する溶媒は前述の溶媒の中から適当
に選択できる。その内でも、特に絶縁性バインダ
ーポリマーのみでなく、無機セレン化合物および
還元剤の少くとも一つ、とりわけその両方を同時
に溶解するものが好ましい。このような溶媒は、
無機セレン化合物、還元剤およびバインダーポリ
マーの種類に応じて適宜溶解試験を行つて前記の
溶媒の中から選ぶことが出来る。一例をあげる
と、エタノール、アセトン、メチルエチルケト
ン、N,N−ジメチルホルムアミド、テトラヒド
ロフラン、等が共通溶媒として最も有用である。
還元剤を使用する系でも、還元剤の還元力が比
較的小さいと、溶液乃至分散液中ではセレン元素
の析出が充分起らない場合がある。この様な場合
には乾燥時の温度を約50℃以上で行いセレン元素
の析出を促進し完結させるのがよい。他方、還元
力の比較的大きい還元剤を用いると、溶液乃至分
散液中で大部分の無機セレン化合物が還元されて
セレン元素が析出する場合もある。従つて使用す
る成分の種類によつて乾燥条件はかなり変動し得
る。いずれにしても、乾燥は少くとも無機セレン
化合物の還元が完結する様な温度と時間条件下に
実施すべきである。
なお、溶液乃至分散液中ですでにセレン元素の
析出がおこる場合においても、本発明において
は、バインダーポリマーが共存しているため、セ
レン元素は急激に凝集又は沈澱することはなく、
微細なコロイド状粒子として分散された光導電性
要素が製造される。
本発明の光導電性要素の製造方法によれば、前
記の米国特許3994791号明細書記載の有機セレン
化合物の分散層を光分解してセレン元素を遊離さ
せる方法に比して、バインダーポリマー中に均一
にセレンが分散された層を得ることが出来、また
有機セレン化合物より安定,安全かつ安価な無機
セレン化合物を用いて製造することが出来るとい
う利点がある。さらにバインダーポリマーとし
て、電荷担体輸送能力のあるポリマーに限らず、
電気的に不活性な絶縁性ポリマーを用いることが
出来る点も大きな利点である。
本発明による光導電性要素は電子写真感光材料
の光導電層として有用である。即ち、先に述べた
(a)無機セレン化合物及び(b)絶縁性ポリマー、更に
必要により(c)還元剤を、少くとも(b)を溶解するこ
とのできる溶媒に溶解乃至分散させた光導電性要
素用溶液乃至分散液を塗布、乾燥して得られたセ
レン元素分散層は、電子写真感光材料に於ける、
光照射により電荷担体を発生する層(Carrier
Generation Layer,以下CGLと略称する)とし
て用いられる。かかるセレン元素分散層
(CGL)単独では述分な電子写真特性が得られな
い場合には、光照射によりCGL中で発生した電
荷担体を効率よく注入かつ輸送して導電性支持体
あるいは光導電層の表面へ放電することの出来る
層、即ち電荷担体輸送層(Carrier Transport
Layer,以下CTLと略称する)を本発明によるセ
レン元素分散層と組合せて使用するのがよい。こ
の場合、CGLとCTLを隣接して設け、二つの層
の積層(又は重層)構成からなる光導電層とする
のが好ましい。導電性支持体上のCGLとCTLの
積層順序はいずれでもよい。これに対しCGL成
分とCTL成分とを混合し単一の光導電層とした
場合には、その感度は積層構成の光導電層にくら
べて著しく劣る。
本発明による光導電性要素であるセレン元素分
散層からなるCGLを設けるには、先に述べた光
導電性要素用溶液乃至分散液を導電性支持体又は
導電性支持体上に設けられたCTLの上に塗布、
乾燥すればよい。塗布は当業者に公知の方法、例
えば、ロツド塗布機、ローラー塗布機、カーテン
塗布機、デイツプ塗布機、スピンナー塗布機、ホ
ワイラー塗布機、等を用いて行うことが出来る。
塗布温度は通常約0〜約80℃が適当であり、より
好ましくは20〜50℃である。乾燥は、先に光導電
性要素に関して記載した条件が適用できる。乾燥
のみを目的とする場合、通常は室温から約200
℃、特に50〜100℃の温度領域で約5分〜約5時
間、特に10分〜2時間が好ましい。
塗布量は、乾燥後のCGLの膜厚が約0.1〜約10
μm、より好ましくは0.5〜5μmの範囲になる
よう調整するのがよい。
本発明によるCGLを設ける場合、CGL用塗布
液として、先に述べた光導電性要素用溶液乃至分
散液のうち意図的に還元剤を含有させたものを用
いると、セレン元素の充分な析出量が達成され、
優れた光感度の電子写真感光材料が得られる。
本発明に用いられる導電性支持体は、一般に電
子写真感光材料に用いられるものでよく、例え
ば、種々の金属板又は箔;アルミニウム、ニツケ
ル、クロム、銀、金、銅、パラジウム等の金属或
いは酸化インジウム、二酸化スズ、等の半導体を
真空蒸着したプラスチツクフイルム;沃化第一
銅、カーボンブラツク等の導電性物質をバインダ
ーポリマー中に分散した層をプラスチツクフイル
ム上に設けたものなどが適当である。
次に、本発明による電子写真感光材料における
CTLについて説明する。本発明においては、一
般に、公知のCTLを用いることができる。例え
ば、光導電性ポリマー、例えば、ポリ−N−ビニ
ルカルバゾール(US3037861)、ポリビニルピレ
ン(Brit1506929)、及びそれらとトリニトロフル
オレノンの電荷移動錯体(特公昭50−10496号)、
等の層であつてもよく、また低分子の有機電荷担
体輸送物質(有機光導電性物質或いは有機電気的
活性物質と呼ばれることもある)を絶縁性ポリマ
ー中に分散したものでもよい。後者の場合に用い
られる電荷担体輸送物質としては多くの化合物が
公知であり、本発明に好適に用いられる。例え
ば、トリアリールメタン類(US3542547)、トリ
アリールアルカン類およびテトラアリールメタン
類(US3542544)、ジアリールアルカン類
(US3615402)、N,N−ジベンジルアニリン誘導
体(US3767393)、アニリン誘導体
(Brit1316994)、ジスチリル含有芳香族化合物
(US3873311)、ポリアリール炭化水素
(US4045220)、トリトリルアミン
(US3732554)、アリールアミン類(US3240597、
同3180730、同3567450、同3658520、同
3615414)、テトラフエニルジアミノビフエニル類
(US4047948、同4047949)、4−ジアリールアミ
ノ置換カルコン類(US3615414)、トリニトロフ
ルオレノン類(US3615414)、ピラゾリン類
(US3837851、同3180729)、オキサジアゾール類
(US3189447)、チアジアゾール類
(Brit1004929)、5−アミノチアジアゾール類
(US3161505)、トリアゾール類(US3112197、同
3122435、Brit951106、同952906)、イミダゾロン
類(US3097095)、オキサゾール類
(Brit874634)、チアゾール類(Brit1008631)、イ
ミダゾール類(Brit938434)、ビスイミダゾリジ
ン類(US3127266)、ピラジン類
(Brit1004461)、1,2,4−トリアジン類
(US3130046)、アリリデンオキサゾロン類
(US3072479)、ベンゾチアゾール、ベンズイミダ
ゾール、ベンズオキサゾール類(Brit895001、同
1008632)、キナゾリン類(US3139339)、ベンゾ
フラン類(US3140946)、アクリジン及びフエナ
ジン類(US3224516)、カルバゾール類
(US3206306)、エチレン誘導体(US3246983)、
ベンジリデンアニリン類(Brit836151)、ポリエ
ン類(Brit964874)、アミノスチルベン類
(US3158475)、アリールケトン類
(Brit1008633)などがあり、これらの少くとも一
つが用いられる。なお、ここでUSは米国特許
を、Britは英国特許を表わす。
これらのCTLに用いうる物質の内、特に本発
明の電子写真感光材料に有用なものの例をいくつ
かあげる。
1,3,5−トリフエニルピラゾリン、1−フ
エニル−3−(P−ジメチルアミノスチリル)−5
−(P−ジメチルアミノフエニル)−ピラゾリン、
1−フエニル−3−(P−メトキシスチリル)−5
−(P−メトキシフエニル)−ピラゾリン、1−フ
エニル−3−スチリル−5−フエニルピラゾリ
ン、1−フエニル−3−フエニル−5−(P−ジ
メチルアミノフエニル)−ピラゾリン等のピラゾ
リン類;ロイコマラカイトグリーン、ロイコクリ
スタルバイオレツト、テトラスベース等のトリア
リール又はジアリールメタン類;4,4′−ベンジ
リデンビス(N,N−ジエチル−m−トルイジ
ン)、2′,2″−ジメチル−4,4′,4″−トリス
(ジメチルアミノ)トリフエニルメタン、等の米
国特許3542547号に記載のトリアリールメタン化
合物;2,2−ビス(4−N,N−ジメチルアミ
ノフエニル)プロパン、1,1−ビス(4−N,
N−ジメチルアミノフエニル)シクロヘキサン等
の米国特許3615402号に記載のジアリールアルカ
ン化合物;ビス(4−ジメチルアミノ)−1,
1,1−トリフエニルエタン、4−ジメチルアミ
ノテトラフエニルメタン等の米国特許3542544号
に記載のテトラアリールメタン又はトリアリール
アルカン化合物;4−N,N−ジメチルアミノフ
エニル−4′−N,N−ジメチルアミノスチリルケ
トン、1−(P−N,N−ジメチルアミノベンゾ
イル)−4−(P−N,N−ジメチルアミノフエニ
ル)−ブタジエン−1,3、ジ(P−N,N−ジ
メチルアミノスチリル)ケトン、ジ(P−N,N
−ジエチルアミノフエニル)ケトン等のカルコン
およびジアリールケトン類;P−N,N−ジメチ
ルアミノスチルベン、P−P′−N,N,N′,
N′−テトラメチルジアミノスチルベン等のアミ
ノ化炭化水素;トリニトロフルオレノン;などの
低分子量の光導電性(電荷担体輸送)物質、およ
びポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリ−N−ビ
ニルカルバゾールとトリニトロフルオレノンの電
荷移動錯体(カルバゾール環とトリニトロフルオ
レノンのモル比5/1〜1/2)等の高分子光導
電性物質などである。
CTLとして高分子光導電性物質を用いる場合
は、それを溶媒に溶解して、導電性支持体又は
CGLの上に塗布、乾燥する。高分子光導電性物
質の溶媒に対する割合は、溶媒1ml当り約0.5〜
約0.005g、特に0.1〜0.02gが好ましい。また
CTLに低分子量の電荷担体輸送物質を用いる場
合は、絶縁性ポリマーと共に、共通溶媒にとか
し、導電性支持体或いはCGLの上に塗布、乾燥
する。その場合、電荷担体輸送物質(混合物の場
合はその合計)の絶縁性ポリマーに対する割合
は、ポリマー1g当り約10-4〜約5×10-3モル、
特に3×10-4〜3×10-3モルが好ましく、絶縁性
ポリマーの溶媒に対する割合は、溶媒1ml当り、
約0.5〜約0.005g、特に0.1〜0.01gが好ましい。
絶縁性ポリマーとしては、前述の、光導電性要素
の製造に用いられる絶縁性ポリマーが好適に用い
られる。これらの絶縁性ポリマーの内、本発明の
CTLに用いた場合、その電荷担体輸送効率が高
くまた機械的強度が大きい、等の点において、特
に好適なものは、ポリカーボネート、ポリメチル
メタクリレート、ポリビニルブチラール、等であ
る。また溶媒としては、前述の光導電性要表用溶
液乃至分散液に用いた溶媒の中から、適宜選択し
て用いられる。
塗布量は、乾燥後のCTLの膜厚が約1〜約100
μm、より好ましくは、5〜30μmの範囲になる
よう調整するのがよい。塗布および乾燥は、前記
CGLの場合と同様に行うことが出来る。
CTLに用いる電荷担体輸送物質は、それ自
体、一般に光導電性物質であるが、大部分はもつ
ぱら紫外線に対して感光性であり可視光域に吸収
をもたないか或いは可視光域の内比較的短波長域
に吸収を示す程度である。従つてCGLの上に
CTLを設けても、CGL内に電荷担体を発生させ
るに要する活性光線即ち可視光はCTLをほとん
ど通過するので問題はない。CTL及びCGLの支
持体上の積層順序がいずれであつても、可視光線
は主としてCGLに吸収され、電荷担体ももつぱ
らCGL内で発生する。CGLを用いず、単に導電
性支持体上にCTLだけを設けたものは、可視光
に対してほとんど或いは全く光感度を示さない。
かくして導電性支持体上にCGLとCTLの積層
からなる光導電層を設けた電子写真感光材料が製
造される。ところで、かかる電子写真感光材料を
約80℃以上の温度で加熱処理すると、電子写真感
光材料の光感度は飛躍的に、即ち、約10倍以上向
上させることができるということを発見した。こ
の光感度の向上は、以下にのべる観察の結果、主
として、CGLの中に、その乾燥終了時までに形
成されている、コロイド状セレン元素(主として
無定形と考えられる)が、加熱処理によつて再配
列、集合又は結晶化、とりわけ結晶化することに
もとづくものと推定される。即ち、加熱処理前
は、一般に、光導電層は黄色乃至橙色を呈する
が、加熱処理においての色は次第に消失し、灰色
乃至暗赤色に変化する。なおこれらの光感度の向
上に関する考察は単なる推論であり、本発明を限
定するものではない。なお付記するならば、この
加熱処理による光感度の向上は、CGLの塗布以
降における乾燥工程の温度が十分高い場合には、
一定程度起りうる。また、加熱処理の工程中、
CGLの乾燥終了時までに、還元が完結せず、未
反応でのこつている無機セレン化合物がさらに還
元されて光感度の向上に一定程度寄与することは
あり得る。
加熱処理の温度は約80〜約250℃が適当で、好
ましくは100〜200℃であり、加熱処理時間は約10
秒〜約1時間、より好ましくは30秒〜10分間であ
る。加熱処理温度が低いと、光感度の向上が少な
く、一方加熱処理温度が高すぎると、セレン元素
が集合しすぎ、光感度の上昇倍は高くならない。
加熱処理は、均一に加熱された熱板上に密着す
る、赤外線等の熱に富んだ放射線を照射する、或
いは加熱した不活性(即ち、光導電層を溶解させ
たり又はそれと反応したりしない)液状媒体(例
えば、シリコンオイル等)に浸漬する、等の方法
により行うことが出来る。
なお、本発明の電子写真感光材料の製造方法に
おいては、加熱処理はもつぱら、CGL及びCTL
からなる積層物を導電性支持体上に設けてのち行
う態様が推奨される。これに対して、導電性支持
体上にCGLを設けた段階で加熱処理を行い、然
る後CTLを積層した場合にも、全く加熱処理を
行なわない場合に比べるとかなりの光感度は上昇
するものの、前記の積層物を設けたのちに加熱処
理する場合の方が、最終的に得られる電子写真感
光材料の光感度ははるかに高いことが分つた。こ
れは、先述したごとく加熱処理による感度向上が
主としてセレン元素の結晶化にもとづくと推定さ
れ、かつ結晶化は、空気の遮断された状態で効率
よく進行するためであろうと考えられる。即ち、
CGLの上にCTLを積層する場合はCTLが空気を
遮断し、一方、CTLの上にCGLを積層する場合
には、CGLの表面近くでは空気は浸透するが、
CTLとの界面近くでは空気は遮断され十分セレ
ンの結晶化が進行する。もし導電性支持体上に
CGLを設けた段階で加熱すると、支持体に近い
部分では結晶化は進行するであろうが、表層部で
は結晶化は空気によつて阻害される。即ちCTL
とCGLとの界面に十分な量の結晶性セレン粒子
が形成されることが、高い光感度が実現されれる
ために必要であると推察される。しかし、これは
単なる推論であり、本発明を制約するものではな
い。
かくして製造された本発明の電子写真感光材料
は、通常の複写、即ち、トナー画像転写法或いは
静電潜像転写法のような感光材料の再生使用の可
能な複写法および再生使用を行なわず、感光材料
の上に永久的なトナー画像を定着する使用法のに
ずれにも使用することが出来る。
即ち、本発明による電子写真感光材料は、その
導電性支持体の導電層を電気的に接地した状態
で、光導電層表面に約200〜約1000Vの表面電位
まで、暗所でコロトロン又はスコロトロンの如き
帯電装置を用いて均一に帯電される。次に表面方
向から(導電性支持体が活性光に対して透明の場
合は表面方向或いは背面方向から支持体を通し
て)画像状に露光される。露光部位において表面
静電荷は放電され、静電潜像が形成される。次に
トナーで現像し、これを受像シートに転写して定
着するか、或いはそのまま感光材料上に定着して
永久画像としてもよく、または、上記静電潜像を
受像シートに転写してからトナー現像および定着
を行つてもよい。これらの画像形成法について
は、例えばJohn 型W.Weigl,Angew.Chem.
(International Edition),16 374(1977)に記
載されている。
静電潜像の形成の機構は次のように考えられ
る。露光によりCGL内の、おそらくコロイド状
セレン元素の内部又は表面において、電荷担体、
即ち電子と空孔の対が形成される。この電荷担体
が、表面に帯電された電荷と、支持体の間にかけ
られている電位勾配にもとづいて、それぞれ導電
性支持体又は光導電層の表面に輸送されて放電
し、かくて静電荷が中和されるわけであるが、こ
の光放電過程は、光導電層の構成および表面に帯
電された静電荷の極性により異る。即ちCGLが
導電性支持体に隣接し、CTLの表面に静電荷が
帯電される場合、静電荷がマイナスであれば、
CGL内に発生した電荷担体の内、電子は導電性
支持体へ輸送されて放電し、一方正孔はCTLへ
注入され、かつCTL内を輸送されて表面に達
し、表面静電荷と中和する。逆に、静電荷がプラ
スである場合には、正孔は導電性支持体へ輸送さ
れて放電し、一方電子はCTLへ注入されかつ
CTL内を輸送されて表面で中和する。従つて
CTL内の電荷担体輸送物質は、前者の場合には
P型、後者の場合にはn型である方が光放電速
度、従つて光感度が高く、望ましい。また光導電
層の構成が逆、即ちCTLが導電性支持体に隣接
し、CGLの表面に静電荷が帯電される場合は、
上記とは逆になる。即ち、マイナス帯電の場合、
CTL内の電荷担体輸送物質は、n型、プラス帯
電の場合はP型のものを用いるのが好ましい。
前述した電荷担体輸送物質の内、トリニトロフ
ルオノレノンおよびそれとポリ−N−ビニルカル
バゾールの電荷移動錯体はn型で電子の輸送に適
し、他のほとんどはP型、即ち正孔の輸送に有効
なものである。特に輸送効率(移動度)又は
CGLからCTLへの電荷担体の注入効率の良好な
ものはP型の場合に多い。P型の電荷担体輸送物
質を用いてCTLを形成する場合において、本発
明の電子写真感光材料の最も好ましい形態は、表
面帯電をプラスで行う場合には、CTLを導電性
支持体に隣接させたものを用い、またマイナスに
帯電させる場合には、CGLを導電性支持体に隣
接させた構造にすることであり、静電荷の極性に
かかわらずほゞ同等の光感度が得られる。なおn
型の電荷担体輸送物質を用いてCTLを形成する
場合には、上記とは帯電電荷の極性を逆にした場
合に高い光感度が得られる。
本発明によつて得られる主な効果は次の通りで
ある。
第一に、ごく少量のセレンを用いて高い光感度
を有する電子写真感光材料が得られる。例えば、
セレン蒸着の場合の数分の一のセレン量ではほゞ
同等の光感度が得られる。
第二に、感光層の透過光学濃度がかなり低く、
導電性支持体に透明なものを用いると、透明に近
い電子写真感光材料が得られる。
第三に、蒸着工程を用いることなく、すべて塗
布工程だけによつて電子写真感光材料が製造さ
れ、従つて、連続的に大量に製造することが出
来、また製造コストも低くすることが期待でき
る。
第四に、本発明によつて得られる電子写真感光
材料の光放電特性は次の点で極めて優れている。
即ち、CTLの種類やCGLの厚さを適当に選ぶな
らば光放電による感光材料の疲労(fatigue)が
極めて少なく、従つて短時間にくりかえして多数
回使用することが出来る。さらに残留電位が小さ
く、十分な露光量を与えるとほとんど完全に放電
させることが出来るため、カブリの小さい複写物
が得られる。
本発明は以下の如き態様をも包含する。
1 (a)無機セレン化合物および(b)絶縁性ポリマー
を、少くとも(b)を溶解することができる溶媒に
溶解乃至分散し、還元により(a)から遊離したセ
レン元素を(b)中に分散させることからなる特許
請求の範囲第1項又は第2項に記載の方法。
2 (a)無機セレン化合物、(b)絶縁性ポリマーおよ
びc還元剤を、少くとも(b)を溶解することがで
きる溶媒に溶解乃至分散し、還元により(a)から
遊離したセレン元素を(b)中に分散させることか
らなる特許請求の範囲第1項又は第2項に記載
の方法。
3 還元剤が本文中に記載した選択試験方法に規
定された還元力を有するものである態様2に記
載の方法。
4 (a)無機セレン化合物および(b)絶縁性ポリマー
を、少くとも(b)を溶解することができる溶媒に
溶解乃至分散してなる液状物を基体上に適用
し、溶媒を除去することからなる態様1に記載
の方法。
5 (a)無機セレン化合物、b絶縁性ポリマーおよ
びc還元剤を、少くともbを溶解することがで
きる溶媒に溶解乃至分散してなる液状物を基体
上に適用し、溶媒を除去することからなる態様
2に記載の方法。
6 室温から約250℃迄の温度で溶媒を除去する
ことからなる態様4又は5に記載の方法。
7 (a)無機セレン化合物および(b)絶縁性ポリマー
を、少くとも(b)を溶解することができる溶媒に
溶解乃至分散してなる液状物を導電性支持体上
に適用し、溶媒を除去することからなる特許請
求の範囲第2項に記載の方法。
8 (a)無機セレン化合物、(b)絶縁性ポリマーおよ
び(c)還元剤を、少くともbを溶解することがで
きる溶媒に溶解乃至分散してなる液状物を導電
性支持体上に適用し、溶媒を除去することから
なる特許請求の範囲第2項に記載の方法。
9 室温から約250℃迄の温度で溶媒を除去する
態様7又は8に記載の方法。
10 導電性支持体上に電荷担体発生層と電荷担体
輸送層を有する電子写真感光材料の製造方法に
おいて、無機セレン化合物を絶縁性ポリマーの
存在下で還元してセレン元素が該ポリマー中に
分散されてなる電荷担体発生層を形成する工程
を含むことを特徴とする方法。
11 電荷担体発生層と電荷担体輸送層がこの順序
で導電性支持体上に積層されていることからな
る態様10に記載の方法。
12 電荷担体輸送層と電荷担体発生層がこの順序
で導電性支持体上に積層されていることからな
る態様10に記載の方法。
13 (a)無機セレン化合物および(b)絶縁性ポリマー
を、少くとも(b)を溶解することができる溶媒に
溶解乃至分散し、還元により(a)から遊離したセ
レン元素を(b)中に分散させることからなる態様
10乃至12に記載の方法。
14 (a)無機セレン化合物、(b)絶縁性ポリマーおよ
び(c)還元剤を、少くとも(b)を溶解することがで
きる溶媒に溶解乃至分散し、還元により(a)から
遊離したセレン元素を(b)中に分散させることか
らなる態様10乃至12に記載の方法。
15 還元剤が本文中に記載した選択試験方法に規
定された還元力を有するものである態様14に記
載の方法。
16 (a)無機セレン化合物および(b)絶縁性ポリマー
を、少くとも(b)を溶解することができる溶媒に
溶解乃至分散してなる液状物を導電性支持体又
は電荷担体輸送層上に適用し、溶媒を除去する
ことからなる態様13に記載の方法。
17 (a)無機セレン化合物、(b)絶縁性ポリマーおよ
び(c)還元剤を、少くとも(b)を溶解することがで
きる溶媒に溶解乃至分散してなる液状物を導電
性支持体又は電荷担体輸送層上に適用し、溶媒
を除去することからなる態様14に記載の方法。
18 室温から約250℃迄の温度で溶媒を除去する
ことからなる態様16又は17に記載の方法。
19 約50℃以上の温度で行う態様18に記載の方
法。
20 約80℃以上の温度で行う態様19に記載の方
法。
21 50〜100℃の温度で溶媒を除去し、更に約80
℃以上の温度で加熱処理する工程を含む態様18
に記載の方法。
22 100〜200℃の温度で加熱処理を行う態様21に
記載の方法。
23 特許請求の範囲第1項、第2項、態様1乃至
22に記載の方法で製造された光導電性要素又は
電子写真感光材料。
以下に実施例により本発明をさらに詳細に説明
する。本発明は、しかしながら、かかる実施例に
よつて何ら限定されるものではない。
なお、以下の実施例において、電子写真感光材
料の光導電特性は川口電機製の静電気帯電試験装
置Model SP−428を用いて測定した。即ち、感光
材料の導電性支持体を接地し、光導電層表面をコ
ロナ放電により帯電させ、タングステンランプ
(色温度2856〓)からの光を、しぼりおよびNDフ
イルターで減衰して光導電層の上面より露光し、
光による表面電位の減衰、即ち光放電の速度を測
定した。この結果から初期光放電速度、即ち
(dV/dt)O/I・d(但し、Vは表面電位(単位
V)、tは時間(単位秒)、Iは照度(単位lux)、
dは光導電層の厚さ(単位μm))、E〓、即ち表
面電位が初期電位VOの1/2まで放電するに要する
露光エネルギー(単位lux・sec)及びVR、即ち
露光による電位の低下がほゞ一定値に落着く、い
わゆる残留電位(単位V)、を求めた。なお照度
は0.1luxであつた。
実施例 1
二酸化セレン45mgとポリメチルメタクリレート
(平均分子量約50000)200mgをN,N−ジメチル
ホルムアミド5gに加え、5時間撹拌して完全に
溶解して無色の溶液を作成した。この溶液を、塗
布棒に用いて、アルミ蒸着ポリエステルフイルム
(商品名「メタルミー」,東レ製)上に塗布し、60
℃の熱風送風下で1時間乾燥してCGLを形成し
た。CGLの乾燥膜厚は約1.5μmで、その色は淡
黄色であつた。
次に、1−フエニル−3−(P−メトキシスチ
リル)−5−(P−メトキシフエニル)ピラゾリン
(電荷担体輸送物質)35mgとポリカーボネート樹
脂(商品名「ユーピロンC−2000」、平均分子
量:約24000、三菱ガス化学製)55mgをクロロホ
ルム1gに溶解し、塗布棒を用いて上記CGLの
上に塗布し、60℃の熱風送風下で1時間乾燥して
CTLを設け、かくして導電性支持体上に二層か
ら成る光導電層を設けた。二層全体の乾燥膜厚は
約10μmであつた。
こうして得られた電子写真感光材料を、その支
持体側を150℃の熱板上に5分間密着させて加熱
処理を行つたところ、光導電層の色は淡黄灰色に
変つた。初期光放電速度は0.3であつた。
(VO=−500V)。
なお、CGLを設けない以外は全く同様に実施
した場合には、光放電はほとんど認められず(初
期光放電速度は0.05以下、VO=−500V)、また
二酸化セレンを加えない以外は全く同様に実施し
た場合には、光放電は全くみられなかつた。
(VO=−500V)。以上のことから、本発明に
よるセレン元素含有光導電性要素が、電子写真感
光材料の光導電層として機能していることが分
る。
実施例 2〜9
実施例1と同様にして二酸化セレンとポリメチ
ルメタクリレートをN,N−ジメチルホルムアミ
ドに溶解した溶液を調整し、この溶液に下記第2
表に記載の還元剤を、それぞれ8×10-4モル(二
酸化セレン45mgの2倍モル量)添加、撹拌し、均
一に混合し、直ちに塗布棒を用いてアルミ蒸着ポ
リエステルフイルム(実施例1で用いたものと同
じ)上に塗布し、60℃の熱風送風下で1時間乾燥
してCGLを形成した。塗布液の色は、還元剤の
種類によつて異り、赤乃至淡黄色であり、乾燥後
のCGLの色は赤乃至黄色であつた。CGLの乾燥
膜厚は約1.5μmであつた。
以后、実施例1と同様にしてCTLを設け、加
熱処理を施した。加熱処理後の光導電層の色は灰
色乃至暗赤色であつた。得られた電子写真感光材
料の光導電特性を第2表に示す。[Table] The amount of reducing agent used (in the case of a mixture, the total amount) varies depending on the strength of its reducing ability, etc., but in general, it is approximately
It is preferred to use from 0.1 to about 10 mol, especially from 1 to 5 mol. Even in the method of manufacturing a photoconductive element that intentionally uses a reducing agent, other factors such as the inorganic selenium compound, insulating polymer, solvent, and manufacturing conditions are
This system is basically the same as the system described above in which no reducing agent is intentionally used. However, some modifications, such as those described below, often yield favorable results. That is, the solvent used can be appropriately selected from the above-mentioned solvents. Among these, those that dissolve not only the insulating binder polymer but also at least one of an inorganic selenium compound and a reducing agent, especially both at the same time, are preferred. Such solvents are
Depending on the type of inorganic selenium compound, reducing agent, and binder polymer, a solvent can be selected from the above-mentioned solvents by suitably conducting a dissolution test. By way of example, ethanol, acetone, methyl ethyl ketone, N,N-dimethylformamide, tetrahydrofuran, etc. are most useful as common solvents. Even in a system using a reducing agent, if the reducing power of the reducing agent is relatively small, sufficient precipitation of selenium element may not occur in the solution or dispersion. In such a case, it is preferable to carry out the drying at a temperature of about 50° C. or higher to promote and complete the precipitation of the selenium element. On the other hand, if a reducing agent with relatively high reducing power is used, most of the inorganic selenium compound in the solution or dispersion may be reduced and elemental selenium may be precipitated. Drying conditions can therefore vary considerably depending on the type of ingredients used. In any case, drying should be carried out at a temperature and time such that at least the reduction of the inorganic selenium compound is completed. In addition, even if precipitation of selenium element has already occurred in the solution or dispersion, in the present invention, since the binder polymer coexists, the selenium element will not rapidly aggregate or precipitate.
A photoconductive element is produced that is dispersed as fine colloidal particles. According to the method for producing a photoconductive element of the present invention, elemental selenium is released into a binder polymer, compared to the method described in the above-mentioned US Pat. It has the advantage that it is possible to obtain a layer in which selenium is uniformly dispersed, and that it can be manufactured using an inorganic selenium compound which is more stable, safer and cheaper than an organic selenium compound. Furthermore, binder polymers are not limited to polymers with charge carrier transport ability.
Another great advantage is that electrically inactive insulating polymers can be used. Photoconductive elements according to the invention are useful as photoconductive layers in electrophotographic materials. That is, as mentioned earlier
A solution or dispersion for photoconductive elements in which (a) an inorganic selenium compound, (b) an insulating polymer, and optionally (c) a reducing agent are dissolved or dispersed in a solvent that can dissolve at least (b). The selenium element dispersed layer obtained by coating and drying the liquid is used in electrophotographic photosensitive materials.
A layer that generates charge carriers by light irradiation (Carrier
Generation Layer (hereinafter abbreviated as CGL). If satisfactory electrophotographic properties cannot be obtained with such a selenium element dispersed layer (CGL) alone, charge carriers generated in the CGL by light irradiation may be efficiently injected and transported to form a conductive support or photoconductive layer. layer capable of discharging to the surface of the carrier, i.e. the carrier transport layer.
(hereinafter abbreviated as CTL) in combination with the selenium element dispersed layer according to the present invention. In this case, it is preferable to provide the CGL and CTL adjacent to each other to form a photoconductive layer having a laminated (or multilayer) structure of two layers. The CGL and CTL may be stacked in any order on the conductive support. On the other hand, when a single photoconductive layer is formed by mixing a CGL component and a CTL component, its sensitivity is significantly inferior to that of a photoconductive layer having a laminated structure. To provide a CGL comprising a selenium element dispersed layer, which is a photoconductive element according to the present invention, the photoconductive element solution or dispersion described above is applied to a conductive support or a CGL provided on a conductive support. Apply on top of
Just dry it. Coating can be carried out using methods known to those skilled in the art, such as rod coaters, roller coaters, curtain coaters, dip coaters, spinner coaters, whirler coaters, and the like.
The appropriate coating temperature is usually about 0 to about 80°C, more preferably 20 to 50°C. For drying, the conditions described above for the photoconductive element can be applied. For drying purposes only, the temperature is usually about 200℃ from room temperature.
C., particularly in the temperature range of 50 to 100.degree. C. for about 5 minutes to about 5 hours, particularly preferably 10 minutes to 2 hours. The coating amount should be determined so that the CGL film thickness after drying is approximately 0.1 to approximately 10
It is preferable to adjust the thickness to be in the range of .mu.m, more preferably in the range of 0.5 to 5 .mu.m. When providing the CGL according to the present invention, if the above-mentioned photoconductive element solution or dispersion intentionally containing a reducing agent is used as the coating liquid for the CGL, a sufficient amount of selenium element can be deposited. has been achieved,
An electrophotographic material with excellent photosensitivity can be obtained. The conductive support used in the present invention may be one that is generally used in electrophotographic light-sensitive materials, such as various metal plates or foils; metals such as aluminum, nickel, chromium, silver, gold, copper, palladium, or oxidized materials. Suitable examples include a plastic film on which a semiconductor such as indium or tin dioxide is vacuum-deposited; or a layer in which a conductive substance such as cuprous iodide or carbon black is dispersed in a binder polymer is provided on the plastic film. Next, in the electrophotographic light-sensitive material according to the present invention,
Explain CTL. In the present invention, generally known CTLs can be used. For example, photoconductive polymers such as poly-N-vinylcarbazole (US3037861), polyvinylpyrene (Brit1506929), and charge transfer complexes of these and trinitrofluorenone (Japanese Patent Publication No. 50-10496),
It may also be a layer in which a low-molecular organic charge carrier transport material (sometimes referred to as an organic photoconductive material or an organic electroactive material) is dispersed in an insulating polymer. Many compounds are known as charge carrier transport substances used in the latter case, and are suitably used in the present invention. For example, triarylmethanes (US3542547), triarylalkanes and tetraarylmethanes (US3542544), diarylalkanes (US3615402), N,N-dibenzylaniline derivatives (US3767393), aniline derivatives (Brit1316994), distyryl-containing Aromatic compounds (US3873311), polyaryl hydrocarbons (US4045220), tritolylamine (US3732554), arylamines (US3240597,
Same 3180730, Same 3567450, Same 3658520, Same
3615414), tetraphenyldiaminobiphenyls (US4047948, 4047949), 4-diarylamino substituted chalcones (US3615414), trinitrofluorenones (US3615414), pyrazolines (US3837851, 3180729), oxadiazoles ( US3189447), thiadiazoles (Brit1004929), 5-aminothiadiazoles (US3161505), triazoles (US3112197,
3122435, Brit951106, Brit952906), imidazolones (US3097095), oxazoles (Brit874634), thiazoles (Brit1008631), imidazoles (Brit938434), bisimidazolidines (US3127266), pyrazines (Brit1004461) ,1,2, 4-triazines (US3130046), arylideneoxazolones (US3072479), benzothiazoles, benzimidazoles, benzoxazoles (Brit895001,
1008632), quinazolines (US3139339), benzofurans (US3140946), acridine and phenazines (US3224516), carbazoles (US3206306), ethylene derivatives (US3246983),
Examples include benzylideneanilines (Brit836151), polyenes (Brit964874), aminostilbenes (US3158475), and arylketones (Brit1008633), and at least one of these is used. Note that here, US stands for US patent and Brit stands for British patent. Among these substances that can be used for CTL, some examples of substances that are particularly useful for the electrophotographic light-sensitive material of the present invention are listed below. 1,3,5-triphenylpyrazoline, 1-phenyl-3-(P-dimethylaminostyryl)-5
-(P-dimethylaminophenyl)-pyrazoline,
1-phenyl-3-(P-methoxystyryl)-5
Pyrazolines such as -(P-methoxyphenyl)-pyrazoline, 1-phenyl-3-styryl-5-phenylpyrazoline, 1-phenyl-3-phenyl-5-(P-dimethylaminophenyl)-pyrazoline ; Triaryl or diarylmethanes such as leucomalachite green, leuco crystal violet, tetrabase; 4,4'-benzylidenebis(N,N-diethyl-m-toluidine), 2',2''-dimethyl-4 , 4′,4″-tris(dimethylamino)triphenylmethane, etc.; 2,2-bis(4-N,N-dimethylaminophenyl)propane, 1 ,1-bis(4-N,
Diarylalkane compounds described in US Pat. No. 3,615,402 such as N-dimethylaminophenyl) cyclohexane; bis(4-dimethylamino)-1,
Tetraarylmethane or triarylalkane compounds described in US Pat. No. 3,542,544 such as 1,1-triphenylethane, 4-dimethylaminotetraphenylmethane; 4-N,N-dimethylaminophenyl-4'-N, N-dimethylaminostyryl ketone, 1-(P-N,N-dimethylaminobenzoyl)-4-(P-N,N-dimethylaminophenyl)-butadiene-1,3, di(P-N,N- dimethylaminostyryl)ketone, di(P-N,N
Chalcone and diaryl ketones such as -diethylaminophenyl)ketone; P-N,N-dimethylaminostilbene, P-P'-N,N,N',
Aminated hydrocarbons such as N'-tetramethyldiaminostilbene; low molecular weight photoconductive (charge carrier transport) materials such as trinitrofluorenone; and poly-N-vinylcarbazole, poly-N-vinylcarbazole and trinitrofluorenone; These include polymeric photoconductive substances such as charge transfer complexes of fluorenone (molar ratio of carbazole ring to trinitrofluorenone of 5/1 to 1/2). When using a polymeric photoconductive substance as a CTL, it is dissolved in a solvent and used as a conductive support or
Apply on top of CGL and let dry. The ratio of polymeric photoconductive material to solvent is approximately 0.5 to 1 ml of solvent.
Approximately 0.005 g, particularly 0.1-0.02 g is preferred. Also
When using a low molecular weight charge carrier transport material for CTL, it is dissolved in a common solvent together with an insulating polymer, coated on a conductive support or CGL, and dried. In that case, the proportion of charge carrier transport material (or total in the case of a mixture) to insulating polymer is from about 10 -4 to about 5 x 10 -3 mol per gram of polymer;
In particular, 3×10 -4 to 3×10 -3 mol is preferable, and the ratio of the insulating polymer to the solvent is as follows:
About 0.5 to about 0.005 g, especially 0.1 to 0.01 g is preferred.
As the insulating polymer, the above-mentioned insulating polymers used for manufacturing photoconductive elements are preferably used. Among these insulating polymers, the present invention
When used in CTLs, polycarbonate, polymethyl methacrylate, polyvinyl butyral, and the like are particularly preferred in terms of their high charge carrier transport efficiency and high mechanical strength. Further, the solvent is appropriately selected from among the solvents used in the photoconductive surface solution or dispersion described above. The coating amount is approximately 1 to 100 mm thick after drying.
It is preferable to adjust the thickness to be in the range of μm, more preferably in the range of 5 to 30 μm. Apply and dry as described above.
This can be done in the same way as for CGL. The charge carrier transport materials used in CTLs are themselves generally photoconductive materials, but most are only photosensitive to ultraviolet light and either have no absorption in the visible light region or have no absorption in the visible light region. It only shows absorption in a relatively short wavelength range. So on top of CGL
Even if a CTL is provided, there is no problem because most of the actinic light, that is, visible light required to generate charge carriers in the CGL passes through the CTL. Regardless of the stacking order of CTLs and CGLs on the support, visible light is primarily absorbed by the CGLs, and charge carriers are also generated exclusively within the CGLs. A structure in which CTL is simply provided on a conductive support without using CGL exhibits little or no photosensitivity to visible light. In this way, an electrophotographic light-sensitive material is produced in which a photoconductive layer consisting of a laminated layer of CGL and CTL is provided on a conductive support. By the way, we have discovered that when such an electrophotographic light-sensitive material is heat-treated at a temperature of about 80° C. or higher, the photosensitivity of the electrophotographic light-sensitive material can be dramatically improved, that is, about 10 times or more. This improvement in photosensitivity is mainly due to the fact that the colloidal selenium element (mainly considered to be amorphous) formed in CGL by the end of drying is caused by heat treatment. It is presumed that this is based on rearrangement, aggregation, or crystallization, especially crystallization. That is, before heat treatment, the photoconductive layer generally exhibits a yellow to orange color, but upon heat treatment, the color gradually disappears and changes to gray to dark red. Note that these considerations regarding the improvement of photosensitivity are mere speculations and do not limit the present invention. It should be noted that the improvement in photosensitivity due to this heat treatment will only occur if the temperature of the drying process after application of CGL is high enough.
It can happen to a certain extent. In addition, during the heat treatment process,
It is possible that the reduction is not completed by the time the drying of the CGL is completed, and the remaining unreacted inorganic selenium compound is further reduced and contributes to a certain degree of improvement in photosensitivity. The appropriate temperature for the heat treatment is about 80 to about 250℃, preferably 100 to 200℃, and the heat treatment time is about 10 to 250℃.
The time period is from seconds to about 1 hour, more preferably from 30 seconds to 10 minutes. If the heat treatment temperature is low, the improvement in photosensitivity will be small; on the other hand, if the heat treatment temperature is too high, the selenium element will aggregate too much, and the increase in photosensitivity will not be as high.
Heat treatment can be accomplished by applying heat-rich radiation, such as infrared radiation, to a uniformly heated hot plate, or by applying heat to a heated inert (i.e., does not dissolve or react with the photoconductive layer) This can be carried out by a method such as immersion in a liquid medium (for example, silicone oil, etc.). In addition, in the method for producing an electrophotographic light-sensitive material of the present invention, the heat treatment is performed mainly on CGL and CTL.
It is recommended that the process be carried out after a laminate consisting of the above is provided on a conductive support. On the other hand, even if heat treatment is performed at the stage where CGL is provided on the conductive support and then CTL is laminated, the photosensitivity increases considerably compared to the case where no heat treatment is performed at all. However, it has been found that the photosensitivity of the final electrophotographic light-sensitive material is much higher when the laminate is heat-treated after being formed. This is thought to be because, as mentioned above, the sensitivity improvement due to heat treatment is mainly based on the crystallization of the selenium element, and the crystallization proceeds efficiently in a state where air is blocked. That is,
When CTL is stacked on top of CGL, CTL blocks air; on the other hand, when CGL is stacked on top of CTL, air can penetrate near the surface of CGL, but
Air is blocked near the interface with CTL, and selenium crystallization progresses sufficiently. If on a conductive support
If heating is performed at the stage where the CGL is provided, crystallization will proceed in areas close to the support, but crystallization in the surface layer will be inhibited by air. i.e. CTL
It is inferred that formation of a sufficient amount of crystalline selenium particles at the interface between CGL and CGL is necessary in order to achieve high photosensitivity. However, this is just speculation and does not limit the invention. The electrophotographic light-sensitive material of the present invention produced in this manner does not undergo ordinary copying, that is, a copying method that allows reuse of light-sensitive materials such as a toner image transfer method or an electrostatic latent image transfer method, and does not undergo reuse. It can also be used in conjunction with the method of fixing permanent toner images onto photosensitive materials. That is, in the electrophotographic photosensitive material of the present invention, with the conductive layer of the conductive support electrically grounded, the surface of the photoconductive layer is exposed to a corotron or scorotron in the dark to a surface potential of about 200 to about 1000 V. It is uniformly charged using a charging device such as the above. Next, it is exposed imagewise from the surface direction (if the conductive support is transparent to actinic light, through the support from the surface direction or from the rear direction). The surface electrostatic charge is discharged at the exposed area and an electrostatic latent image is formed. Next, the electrostatic latent image may be developed with toner, transferred to an image-receiving sheet and fixed, or fixed directly onto a photosensitive material to form a permanent image, or the electrostatic latent image is transferred to an image-receiving sheet and then applied with toner. Development and fixing may be performed. These image forming methods are described, for example, by John W.Weigl, Angew.Chem.
(International Edition), 16 374 (1977). The mechanism of formation of an electrostatic latent image is thought to be as follows. Charge carriers, possibly within or on the surface of the colloidal selenium element within the CGL upon exposure to light,
That is, pairs of electrons and holes are formed. These charge carriers are transported and discharged to the surface of the conductive support or photoconductive layer, respectively, based on the charges on the surface and the potential gradient applied between the supports, thus eliminating the static charge. However, this photodischarge process differs depending on the structure of the photoconductive layer and the polarity of the electrostatic charge on the surface. That is, when CGL is adjacent to a conductive support and an electrostatic charge is charged on the surface of CTL, if the electrostatic charge is negative,
Among the charge carriers generated in the CGL, electrons are transported to the conductive support and discharged, while holes are injected into the CTL and transported within the CTL to reach the surface and neutralize the surface static charge. . Conversely, if the electrostatic charge is positive, holes are transported to the conductive support and discharged, while electrons are injected into the CTL and discharged.
Transported within CTL and neutralized on the surface. accordingly
It is desirable that the charge carrier transport substance in the CTL be P-type in the former case and n-type in the latter case because the photodischarge rate and therefore the photosensitivity are higher. In addition, if the configuration of the photoconductive layer is reversed, that is, the CTL is adjacent to the conductive support and the surface of the CGL is charged with an electrostatic charge,
This is the opposite of the above. That is, in the case of negative charge,
It is preferable to use an n-type charge carrier transport substance in the CTL, or a p-type substance in the case of a positive charge. Among the charge carrier transport substances mentioned above, trinitrofluoronolenone and its charge transfer complex with poly-N-vinylcarbazole are n-type and suitable for transporting electrons, and most of the others are p-type, that is, effective for transporting holes. It is something. Especially transport efficiency (mobility) or
P-type cells often have good injection efficiency of charge carriers from CGL to CTL. When a CTL is formed using a P-type charge carrier transporting substance, the most preferred form of the electrophotographic material of the present invention is that when the surface is positively charged, the CTL is placed adjacent to a conductive support. When a CGL is used and is negatively charged, the structure is such that the CGL is placed adjacent to a conductive support, and almost the same photosensitivity can be obtained regardless of the polarity of the electrostatic charge. Furthermore, n
When forming a CTL using a type of charge carrier transport material, high photosensitivity can be obtained when the polarity of the charged charge is reversed. The main effects obtained by the present invention are as follows. First, an electrophotographic material with high photosensitivity can be obtained using only a small amount of selenium. for example,
Approximately the same photosensitivity can be obtained with a fraction of the amount of selenium used in the case of selenium vapor deposition. Second, the transmitted optical density of the photosensitive layer is quite low;
When a transparent conductive support is used, an electrophotographic light-sensitive material that is nearly transparent can be obtained. Thirdly, the electrophotographic photosensitive material is manufactured entirely through the coating process without using a vapor deposition process, and therefore can be manufactured continuously in large quantities and is expected to reduce manufacturing costs. . Fourthly, the photodischarge characteristics of the electrophotographic light-sensitive material obtained by the present invention are extremely excellent in the following points.
That is, if the type of CTL and the thickness of CGL are appropriately selected, fatigue of the photosensitive material due to photodischarge is extremely small, and therefore it can be used repeatedly in a short period of time. Further, since the residual potential is small and a sufficient amount of exposure can be applied, almost complete discharge can be achieved, so that copies with less fog can be obtained. The present invention also includes the following embodiments. 1. (a) An inorganic selenium compound and (b) an insulating polymer are dissolved or dispersed in a solvent that can dissolve at least (b), and the selenium element liberated from (a) by reduction is added to (b). 3. A method according to claim 1 or 2, comprising dispersing. 2. Dissolve or disperse (a) an inorganic selenium compound, (b) an insulating polymer, and c-reducing agent in a solvent that can dissolve at least (b), and remove the selenium element liberated from (a) by reduction. b) A method as claimed in claim 1 or 2, comprising dispersing in. 3. The method according to aspect 2, wherein the reducing agent has a reducing power specified in the selection test method described in the text. 4. Applying a liquid material obtained by dissolving or dispersing (a) an inorganic selenium compound and (b) an insulating polymer in a solvent that can dissolve at least (b) onto a substrate, and removing the solvent. The method according to aspect 1. 5 (a) Applying a liquid material obtained by dissolving or dispersing an inorganic selenium compound, b an insulating polymer, and c a reducing agent in a solvent that can dissolve at least b onto a substrate, and removing the solvent. The method according to aspect 2. 6. A method according to embodiment 4 or 5, comprising removing the solvent at a temperature from room temperature to about 250°C. 7 Applying a liquid material obtained by dissolving or dispersing (a) an inorganic selenium compound and (b) an insulating polymer in a solvent that can dissolve at least (b) onto a conductive support, and removing the solvent. A method according to claim 2, comprising: 8 A liquid material obtained by dissolving or dispersing (a) an inorganic selenium compound, (b) an insulating polymer, and (c) a reducing agent in a solvent that can dissolve at least b is applied onto a conductive support. 3. A method according to claim 2, which comprises removing the solvent. 9. The method of embodiment 7 or 8, wherein the solvent is removed at a temperature from room temperature to about 250°C. 10 In a method for producing an electrophotographic light-sensitive material having a charge carrier generation layer and a charge carrier transport layer on a conductive support, an inorganic selenium compound is reduced in the presence of an insulating polymer so that elemental selenium is dispersed in the polymer. A method comprising the step of forming a charge carrier generation layer comprising: 11. The method according to embodiment 10, wherein the charge carrier generation layer and the charge carrier transport layer are laminated in this order on the conductive support. 12. The method according to embodiment 10, wherein the charge carrier transport layer and the charge carrier generation layer are laminated in this order on the conductive support. 13 (a) An inorganic selenium compound and (b) an insulating polymer are dissolved or dispersed in a solvent that can dissolve at least (b), and the selenium element liberated from (a) by reduction is added to (b). Mode consisting of dispersing
10 to 12. 14 (a) Inorganic selenium compound, (b) insulating polymer, and (c) reducing agent are dissolved or dispersed in a solvent that can dissolve at least (b), and selenium element liberated from (a) by reduction. 13. A method according to embodiments 10 to 12, comprising dispersing in (b). 15. The method according to aspect 14, wherein the reducing agent has a reducing power specified in the selection test method described in the text. 16 Applying a liquid material obtained by dissolving or dispersing (a) an inorganic selenium compound and (b) an insulating polymer in a solvent that can dissolve at least (b) onto a conductive support or charge carrier transport layer. and removing the solvent. 17 A liquid material obtained by dissolving or dispersing (a) an inorganic selenium compound, (b) an insulating polymer, and (c) a reducing agent in a solvent that can dissolve at least (b) is used as a conductive support or a 15. The method according to embodiment 14, comprising applying onto the carrier transport layer and removing the solvent. 18. A method according to embodiment 16 or 17, comprising removing the solvent at a temperature from room temperature to about 250°C. 19. The method of embodiment 18, wherein the method is carried out at a temperature of about 50°C or higher. 20. The method of embodiment 19, which is carried out at a temperature of about 80°C or higher. 21 Remove the solvent at a temperature of 50 to 100 °C and further
Embodiment 18 including a step of heat treatment at a temperature of ℃ or higher
The method described in. 22 The method according to aspect 21, wherein the heat treatment is performed at a temperature of 100 to 200°C. 23 Claims 1 and 2, aspects 1 to 23
23. A photoconductive element or electrophotographic material produced by the method described in 22. The present invention will be explained in more detail below using Examples. However, the present invention is in no way limited to these examples. In the following examples, the photoconductive properties of the electrophotographic photosensitive materials were measured using an electrostatic charging tester Model SP-428 manufactured by Kawaguchi Electric. That is, the conductive support of the photosensitive material is grounded, the surface of the photoconductive layer is charged by corona discharge, and the light from the tungsten lamp (color temperature 2856〓) is attenuated by a diaphragm and an ND filter, and the upper surface of the photoconductive layer is more exposed,
The attenuation of the surface potential due to light, ie, the rate of photodischarge, was measured. From this result, the initial photodischarge rate, i.e. (dV/dt) O /I・d (where, V is the surface potential (unit: V), t: time (unit: second), I: illuminance (unit: lux),
d is the thickness of the photoconductive layer (unit: μm), E〓 is the exposure energy required to discharge the surface potential to 1/2 of the initial potential V O (unit: lux・sec), and V R is the potential due to exposure. The so-called residual potential (unit: V), at which the decrease in voltage settles down to a substantially constant value, was determined. The illuminance was 0.1lux. Example 1 45 mg of selenium dioxide and 200 mg of polymethyl methacrylate (average molecular weight approximately 50,000) were added to 5 g of N,N-dimethylformamide and stirred for 5 hours to completely dissolve and form a colorless solution. Apply this solution to an aluminum vapor-deposited polyester film (trade name "Metal Me", manufactured by Toray) using a coating stick, and apply it for 60 minutes.
CGL was formed by drying for 1 hour under hot air blowing at ℃. The dry film thickness of CGL was approximately 1.5 μm, and its color was pale yellow. Next, 35 mg of 1-phenyl-3-(P-methoxystyryl)-5-(P-methoxyphenyl)pyrazoline (charge carrier transport material) and polycarbonate resin (trade name "Iupilon C-2000", average molecular weight: approx. 24000 (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical) was dissolved in 1 g of chloroform, applied onto the above CGL using a coating stick, and dried for 1 hour under hot air blowing at 60°C.
A CTL was provided, thus providing a two-layer photoconductive layer on a conductive support. The dry film thickness of the entire two layers was approximately 10 μm. When the thus obtained electrophotographic light-sensitive material was heat-treated by closely contacting the support side on a hot plate at 150° C. for 5 minutes, the color of the photoconductive layer changed to pale yellow-gray. The initial photodischarge rate was 0.3. (V O =-500V). In addition, when the same procedure was carried out except that CGL was not provided, almost no photodischarge was observed (initial photodischarge rate was 0.05 or less, V O = -500V), and the same procedure was carried out except that selenium dioxide was not added. No photodischarge was observed when the test was carried out. (V O =-500V). From the above, it can be seen that the selenium element-containing photoconductive element according to the present invention functions as a photoconductive layer of an electrophotographic photosensitive material. Examples 2 to 9 A solution of selenium dioxide and polymethyl methacrylate dissolved in N,N-dimethylformamide was prepared in the same manner as in Example 1, and the following second solution was added to this solution.
Add 8 x 10 -4 mol (twice the molar amount of 45 mg of selenium dioxide) of each of the reducing agents listed in the table, stir, mix uniformly, and immediately coat the aluminum-deposited polyester film (as in Example 1) with a coating rod. (same as used) and dried for 1 hour under hot air blowing at 60°C to form CGL. The color of the coating solution varied depending on the type of reducing agent, ranging from red to pale yellow, and the color of the CGL after drying was red to yellow. The dry film thickness of CGL was approximately 1.5 μm. Thereafter, a CTL was provided in the same manner as in Example 1, and heat treatment was performed. The color of the photoconductive layer after heat treatment was gray to dark red. The photoconductive properties of the obtained electrophotographic photosensitive material are shown in Table 2.
【表】
なお帯電及び露光を連続して10回くりかえし行
つた場合、常に初期光放電速度及びE〓の値が得
られた。即ち電気的疲労はみられなかつた。
また、実施例6で製造された電子写真感光材料
をコロトロンによつて表面電位を−500Vに帯電
させたのち、透明ポジ原稿を通し、タングステン
ランプを用いて(原稿面の照度は約5lux)3秒間
露光し、直ちにプラスに帯電したトナーを用いて
カスケード現像を行つたところ、鮮明な陽画像が
得られた。
実施例 10
実施例6において、二酸化セレン45mgの代りに
亜セレン酸52mgを用いる他は全く同様に実施し
た。初期光放電速度は3、E〓は9、VRは100
(VO=−500V)であつた。
実施例 11〜17
実施例6において、CGL用バインダーポリマ
ーとしてポリメチルメタクリレート200mgの代り
に、下記第3表のポリマーを各200mg用い、また
電荷担体輸送物質として、1−フエニル−3−
(P−メトキシスチリル)−5−(P−メトキシフ
エニル)ピラゾリン35mgの代りに、4,4′−ベン
ジリデンビス(N,N−ジエチル−m−トルイジ
ン)37mgを用いる他は全く同様に実施した。得ら
れた結果を第3表に示す(VO=−500V)。[Table] When charging and exposure were repeated 10 times in succession, initial photodischarge rate and E〓 values were always obtained. That is, no electrical fatigue was observed. Further, the electrophotographic photosensitive material produced in Example 6 was charged to a surface potential of -500V using a corotron, and then passed through a transparent positive original using a tungsten lamp (illuminance on the original surface was about 5 lux). When exposed for a second and immediately subjected to cascade development using positively charged toner, a clear positive image was obtained. Example 10 The same procedure as in Example 6 was carried out except that 52 mg of selenite was used instead of 45 mg of selenium dioxide. The initial photodischarge rate is 3, E = 9, and V R is 100.
(V O =-500V). Examples 11 to 17 In Example 6, instead of 200 mg of polymethyl methacrylate as the binder polymer for CGL, 200 mg each of the polymers shown in Table 3 below were used, and as the charge carrier transport material, 1-phenyl-3-
The same procedure was carried out except that 37 mg of 4,4'-benzylidenebis(N,N-diethyl-m-toluidine) was used instead of 35 mg of (P-methoxystyryl)-5-(P-methoxyphenyl)pyrazoline. . The results obtained are shown in Table 3 (V O =-500V).
【表】
実施例 18〜26
実施例6において、電荷担体輸送物質として1
−フエニル−3−(P−メトキシスチリル)−5−
(P−メトキシフエニル)ピラゾリンの代りに、
下記第4表の化合物をそれぞれポリカーボネート
樹脂1g当り1.6×10-3モルを用いる他は全く同
様に実施した。得られた結果を第4表に示す。[Table] Examples 18 to 26 In Example 6, 1 was used as the charge carrier transport substance.
-Phenyl-3-(P-methoxystyryl)-5-
Instead of (P-methoxyphenyl)pyrazoline,
The same procedure was followed except that each of the compounds shown in Table 4 below was used in an amount of 1.6 x 10 -3 mol per gram of polycarbonate resin. The results obtained are shown in Table 4.
【表】
実施例 27〜28
実施例6において、CTL用塗布液として下記
第5表の溶液を塗布する以外は全く同様に実施し
た。得られた結果を第5表に示す。[Table] Examples 27 to 28 The same procedure as in Example 6 was carried out except that the solution shown in Table 5 below was applied as the CTL coating liquid. The results obtained are shown in Table 5.
【表】
実施例 29〜30
実施例6において、導電性支持体として、アル
ミ蒸着ポリエステルフイルムの代りに、下記第6
表のフイルム(いずれもほぼ透明)を用いる以外
は全く同様に実施した。第6表に示す結果を得た
(VO=−500V)。[Table] Examples 29 to 30 In Example 6, the following 6th film was used instead of the aluminum vapor-deposited polyester film as the conductive support.
The test was carried out in exactly the same manner except that the films shown on the front (both were almost transparent) were used. The results shown in Table 6 were obtained (V O =-500V).
【表】
実施例 31〜34
実施例6において、二酸化セレンの量を、下記
第7表に示す様に変更する以外は全く同様に実施
した(但し実施例33は実施例6と同じである)。
得られた結課を第7表に示す(VO=−500V)。[Table] Examples 31 to 34 Example 6 was carried out in exactly the same manner except that the amount of selenium dioxide was changed as shown in Table 7 below (Example 33 is the same as Example 6) .
The results obtained are shown in Table 7 (V O =-500V).
【表】
実施例 35〜38
実施例6において、トリメチルハイドロキノン
の量を、下記第8表に示す様に変更する以外は全
く同様に実施した(但し実施例37は実施例6と同
じである。)。得られた結果を第8表に示す(VO
=−500V)。[Table] Examples 35 to 38 Example 6 was carried out in exactly the same manner except that the amount of trimethylhydroquinone was changed as shown in Table 8 below (However, Example 37 is the same as Example 6. ). The results obtained are shown in Table 8 (V O
= -500V).
【表】
実施例 39〜42
実施例6において、CGLの塗布膜厚を下記第
9表に示す値に変更する以外全く同様に実施した
(但し実施例40は実施例6と同じである)。得られ
た結果を第9表に示す(VO=−500V)。[Table] Examples 39 to 42 The same procedure as in Example 6 was carried out except that the CGL coating thickness was changed to the value shown in Table 9 below (Example 40 was the same as Example 6). The results obtained are shown in Table 9 (V O =-500V).
【表】
実施例 43
実施例6において、CGLとCTLの塗布順序を
逆転する以外全く同様に実施した。初期電位(V
O)を+500Vとしたところ、初期光放電速度は
15、E〓は1.4、VRは50であつた。
実施例 44
二酸化セレン45mg、ポリカーボネート樹脂(実
施例1のCTLに用いたものと同じ)0.4gおよび
4,4′−ベンジリデンビス(N,N−ジエチル−
m−トルイジン)280mgをN,N−ジメチルホル
ムアミド5gに溶解し、次にトリメチルハイドロ
キノン145mgを加えて溶解し、直ちに塗布棒を用
いてアルミ蒸着ポリエステルフイルム(実施例1
で用いたものと同じ)上に塗布し、60℃の熱風送
風下で1時間乾燥して光導電層を設けた。光導電
層は濃赤色であり、膜厚は8μmであつた。これ
を実施例1と同様にして加熱処理を施した。初期
光放電速度は0.7であつた(VO=−350V(飽和
電位))。
実施例 45
実施例6において、CGLおよびCTLを積層し
た電子写真感光材料に対して加熱処理を施さない
以外全く同様に実施した。光導電層の色は黄橙色
であつた。初期光放電速度は0.8、E〓は15、VR
は50であつた(VO=−500V)。
実施例 46
実施例6において、CGL及びCTLを積層して
のち加熱処理する代りに、CGLを塗布、乾燥
し、そのあと150℃の熱板上に、その支持体側を
5分間密着させて加熱処理し、次に実施例6と同
様にCTLを塗布、乾燥する以外全く同様に実施
した。CGLの加熱処理によつてCGLの色(黄橙
色)はほとんど変化しなかつた。初期光放電速度
は3、E〓は7、VRは50であつた(VO=−
500V)。
実施例 47
ポリメチルメタクリレート(平均分子量:約
50000)200mgをアセトン5gに溶した後二酸化セ
レン45mgを溶かして、橙色の溶液を作つた。これ
を、還元剤を加えることなく塗布棒を用いてアル
ミ蒸着ポリエステルフイルム(実施例1で用いた
ものと同じ)上に塗布し、60℃の熱風送風下で1
時間乾燥してCGLを設けた。CGLの色は橙色で
膜厚は約1.3μmであつた。次に1−フエニル−
3−(P−メトキシスチリル)−5−(P−メトキ
シフエニル)ピラゾリン(電荷担体輸送物質)35
mgと、ポリカーボネート樹脂(実施例1で用いた
ものと同じ)45mgをクロロホルム1gに溶解し、
塗布棒を用いて上記CGLの上に塗布し、60℃の
熱風送風下で1時間乾燥してCTLを設け、かく
して導電性支持体上に二層からなる光導電層を設
けた。二層全体の乾燥膜厚は約10μmであつた。
こうして得られた電子写真感光材料の初期光放電
速度は0.4であつた(VO=−500V)。
実施例 48
実施例47で得られた電子写真感光材料を、その
支持体側を150℃の熱板上に5分間密着させて加
熱処理を行つた。処理後の光導電層の色は黄灰色
であつた。初期光放電速度は7、E〓は3、VR
は30であつた(VO=−500V)。[Table] Example 43 Example 6 was carried out in exactly the same manner except that the order of application of CGL and CTL was reversed. Initial potential (V
O ) is set to +500V, the initial photodischarge rate is
15, E〓 was 1.4, and V R was 50. Example 44 45 mg of selenium dioxide, 0.4 g of polycarbonate resin (same as used for CTL in Example 1) and 4,4'-benzylidene bis(N,N-diethyl-
280 mg of m-toluidine) was dissolved in 5 g of N,N-dimethylformamide, then 145 mg of trimethylhydroquinone was added and dissolved, and immediately an aluminum-deposited polyester film (Example 1
(same as that used in )) and dried for 1 hour under hot air blowing at 60°C to form a photoconductive layer. The photoconductive layer was deep red in color and had a film thickness of 8 μm. This was heat treated in the same manner as in Example 1. The initial photodischarge rate was 0.7 (V O =-350V (saturation potential)). Example 45 The same procedure as in Example 6 was carried out except that the electrophotographic material in which CGL and CTL were laminated was not subjected to heat treatment. The color of the photoconductive layer was yellow-orange. Initial photodischarge rate is 0.8, E〓 is 15, V R
was 50 (V O =-500V). Example 46 In Example 6, instead of laminating CGL and CTL and then heat-treating, CGL was applied and dried, and then the support side was placed in close contact with a hot plate at 150°C for 5 minutes and heat-treated. Then, the same procedure as in Example 6 was carried out except that CTL was applied and dried. The color (yellow-orange) of CGL hardly changed due to the heat treatment of CGL. The initial photodischarge rate was 3, E〓 was 7, and V R was 50 (V O =-
500V). Example 47 Polymethyl methacrylate (average molecular weight: approx.
50000) was dissolved in 5 g of acetone and then 45 mg of selenium dioxide was dissolved to make an orange solution. This was applied onto an aluminum vapor-deposited polyester film (same as that used in Example 1) using a coating rod without adding a reducing agent, and heated under hot air blowing at 60°C.
After drying for a while, a CGL was applied. The CGL color was orange and the film thickness was about 1.3 μm. Then 1-phenyl-
3-(P-methoxystyryl)-5-(P-methoxyphenyl)pyrazoline (charge carrier transport substance) 35
mg and 45 mg of polycarbonate resin (same as that used in Example 1) were dissolved in 1 g of chloroform,
It was coated onto the above CGL using a coating rod and dried for 1 hour under hot air blowing at 60°C to form a CTL, thus providing a two-layered photoconductive layer on the conductive support. The dry film thickness of the entire two layers was approximately 10 μm.
The initial photodischarge rate of the electrophotographic light-sensitive material thus obtained was 0.4 (V O =-500V). Example 48 The electrophotographic light-sensitive material obtained in Example 47 was heat-treated by bringing its support side into close contact with a hot plate at 150° C. for 5 minutes. The color of the photoconductive layer after treatment was yellow-gray. Initial photodischarge rate is 7, E〓 is 3, V R
was 30 (V O =-500V).
Claims (1)
で還元することを特徴とするセレン元素が該ポリ
マー中に分散されてなる光導電性要素の製造方
法。 2 導電性支持体上に光導電層を有する電子写真
感光材料の製造方法において、無機セレン化合物
を絶縁性ポリマーの存在下で還元してセノン元素
が該ポリマー中に分散されてなる光導電層を形成
する工程を含むことを特徴とする方法。[Scope of Claims] 1. A method for producing a photoconductive element in which elemental selenium is dispersed in an insulating polymer, the method comprising reducing an inorganic selenium compound in the presence of an insulating polymer. 2. In a method for producing an electrophotographic photosensitive material having a photoconductive layer on a conductive support, an inorganic selenium compound is reduced in the presence of an insulating polymer to form a photoconductive layer in which senone elements are dispersed in the polymer. A method comprising the step of forming.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15526778A JPS5581350A (en) | 1978-12-13 | 1978-12-13 | Production of photoconductive element and electrophotographic photosensitive material |
| US06/255,391 US4421838A (en) | 1978-12-13 | 1981-04-20 | Processes for preparing photoconductive elements and electrophotosensitive materials |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15526778A JPS5581350A (en) | 1978-12-13 | 1978-12-13 | Production of photoconductive element and electrophotographic photosensitive material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5581350A JPS5581350A (en) | 1980-06-19 |
| JPS6255140B2 true JPS6255140B2 (en) | 1987-11-18 |
Family
ID=15602166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15526778A Granted JPS5581350A (en) | 1978-12-13 | 1978-12-13 | Production of photoconductive element and electrophotographic photosensitive material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5581350A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02150537U (en) * | 1989-05-24 | 1990-12-26 | ||
| JPH02150536U (en) * | 1989-05-24 | 1990-12-26 |
-
1978
- 1978-12-13 JP JP15526778A patent/JPS5581350A/en active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02150537U (en) * | 1989-05-24 | 1990-12-26 | ||
| JPH02150536U (en) * | 1989-05-24 | 1990-12-26 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5581350A (en) | 1980-06-19 |
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