JPS6255717B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は基板上にチツプ状の各種の部品をマウ
ントするようにした混成集積回路の製造方法に関
するものである。

回路の製造を合理化するために、部品の種類に
係わらずその形状をほぼ統一し、これらの部品を
回路基板上にマウントする方法が提案されてい
る。このような方法において、回路部品はリード
を有することなく、ほぼチツプ状に構成され、例
えば一対のキヤツプ状の電極を備えるようにして
いる。そしてこれらのチツプ状部品は、例えば本
願出願人が特願昭54−58888号（特開昭55−
151394号）に示す方法によつてマウントされる。
すなわちチツプ状部品をテンプレート上の所定の
位置に配置するとともに、予め所定の位置に接着
用樹脂が塗布されている回路基板を上記テンプレ
ートの上に重ね合せ、これらの回路基板とテンプ
レートとを重ね合せたままで上下を反転させてチ
ツプ状部品を回路基板側に移し、接着用樹脂を硬
化させてチツプ状部品を回路基板に仮止めし、さ
らに半田によつてチツプ状部品の電極を回路基板
の導電性パターンと電気的に接続するようにして
マウントしている。

このような方法において用いられる回路基板
は、例えばフエノール樹脂を基材とするものであ
つて、その少なくとも一方の面に銅はくを形成
し、エツチングによつて導電性の配線パターンを
形成するものである。このようなフエノール樹脂
から成る回路基板は比較的コストが安くなり、こ
のために得られる回路も安価になる。また熱放散
係数が小さいために、半田ごてによつて修理する
ことができる。また加工性が良く、従つて基板の
生産性が高いという特徴を有している。

しかしこのようなフエノール基板上に発熱する
回路を形成するようにした場合には、熱放散係数
が低いことから、別にヒートシンクを設けなくて
はならない。またこの基板の材料は所定の誘電率
を有し、VHF，UHF，SHF，ENF等の超高周波
回路においては無視し得ない影響を及ばす。すな
わちフエノール基板上に形成された回路において
処理される信号は、その周波数に限界を生ずる。
また高Ｓ／Ｎ比の回路あるいは高インピーダンス
回路のような高性能回路をフエノール基板上に形
成すると、基板の絶縁性や表面のリーケジが問題
となる。そこで基板の材料をガラスエポキシその
他の特殊材料とし、さらにソルダマスクのための
インクとして高性能のものを塗布する必要があ
る。また基板上における部品の配置密度の偏在を
防止するためには、少なくとも一部を両面パター
ンとし、この回路基板の両面に部品をマウントす
ることが必要となる。

回路基板の熱放散を良くするためには、基板を
アルミニウムあるいはアルミナセラミツクにする
ことが考えられる。しかしこれらの材料で基板を
つくると、コストが高くなる上に、熱放散係数が
大きいために、半田ごてで修理できなくなるとい
う問題が生ずる。超高周波回路に用いるために
は、基板をアルミナセラミツクやガラスエポキシ
等の材料によつて構成することも考えられるが、
加工性が悪く、またコストの上昇も著しい。また
高性能回路を形成するために、フエノール樹脂の
代りにガラスエポキシや他の特殊材料を用いる
と、材料のコストが上昇する上に、加工工数が多
くなり、これに伴つて加工コストも上昇する。さ
らに回路基板の一部分における部品のマウントの
高密度化を防止するために、基板の全面を両面パ
ターンとしなければならず、加工コストと材料コ
ストが高くなる上に、信頼性が低下するという欠
点がある。

以上のように、回路基板に要求されるニーズは
複雑多岐であつて、しかもこれらをすべて満足す
るような単一の基板は存在しない。

そこで互に材質あるいは構造の異る主基板と副
基板とを複合して回路基板を構成することが考察
されるが、このようにすると両者を複合した上
で、さらに確実に固定することが必要になる。も
し確実に固定されていないと、材質が異ることに
伴つて熱膨張率に差が生じ、これによつて嵌め合
せて複合された副基板が主基板から脱落する等の
欠陥を有する。しかもこの複合された主基板と副
基板とを固定するために、特別な工程を追加する
ようにすると、これによつてコストが上昇し、材
料費の節減の効果が相殺されてしまうことにな
る。

本発明はこのような問題点に鑑みてなされたも
のであつて、予め所定の導電性パターンがそれぞ
れ形成され、しかも互に材質または構造の異る主
基板と副基板とを用意し、前記主基板に前記副基
板と同一形状の開口を形成し、前記副基板をこの
開口によつて前記主基板に嵌め込んで複合し、チ
ツプ状部品を仮止めするための接着用樹脂を複合
された回路基板に塗布するとともに、前記主基板
と前記副基板との接合部にもこの接着用樹脂を同
時に塗布し、これによつて前記主基板と前記副基
板との接合部を結合し、前記接着用樹脂によつて
仮止めされたチツプ状部品の電極を複合された回
路基板の導電性パターンと電気的に接続するよう
にしたことを特徴とする混成集積回路の製造方法
に係るものである。従つて主基板と副基板との接
合部を固定するために、新たな工程を設けること
なく、チツプ状部品を仮止めするための接着用樹
脂によつて両者を確実に固定することができる。

以下本発明を実施例につき、図面を参照して説
明する。なおこの実施例は本発明をオーデイオ用
の混成集積回路に適用した一実施例を示すもので
あつて、第１図はこの混成集積回路の製造工程を
示すブロツク図であり、第２図および第３図はこ
の製造工程の流れ図である。なお第２図は特に複
合基板作成の工程を示し、第３図はこの複合基板
にチツプ状部品をマウントする工程を示してい
る。

以下これらの図に示す工程を順を追つて説明す
ると、第１図において主基板を得るための主基板
材料１は安価でかつ、作業性のよいフエノール樹
脂であつてよい。第２図に示すようにこの材料１
の表面に銅はく２を接着し、化学エツチングを施
す。すると導電性の配線パターン３が形成され
る。さらにこれを外形加工および抜穴加工する。
これは例えばプレスの方法によつて行なわれ、材
料１の外形を所定の形状に仕上げ、この材料１に
スルーホールを形成し、あるいは第５図に示すよ
うに、副基板を嵌め込んで複合するための矩形の
開口４，５，６，７を形成する。なおこれらの加
工は同時に行なわれる。そしてこれによつて主基
板８が得られる。

次にこの主基板８の上記開口４，５，６，７に
それぞれ嵌め込まれて複合される副基板９，１
０，１１，１２について述べる。まず副基板９は
その上にオーデイオ用のプリアンプまたはヘツド
アンプのような超高性能回路を形成するためのも
のであつて、その基板材料１３はガラスエポキシ
樹脂から成つている。そしてこの材料１３の表面
に銅はく１４を接着し、化学エツチングによつて
配線パターン１５を形成し、上記開口４と対応す
る形状になるような外形加工および抜穴加工を施
して副基板９が得られる。

次に副基板１０はその上にチユーナのような超
高周波回路を形成するためのものであつて、その
基板材料１６は例えばアルミナセラミツクから構
成されている。なおこの基板材料１６はすでに上
記開口１０と対応するような形状に機械加工され
ている。この材料１６の表面には、まず銀電極１
７が印刷され、約800℃〜900℃の温度で焼成によ
つて固化される。次いで必要があれば抵抗１８が
印刷され、同様に焼成によつて固化される。この
ようにして副基板１０が得られる。

次に副基板１１はその上にパワーアンプのよう
な発熱する部品を有する回路を形成するものであ
つて、その基板材料１９は熱放散性に優れたアル
ミニウム板が用いられる。アルミニウム製の基板
材料１９は導電性であるために、まず絶縁性の高
分子フイルムから成る絶縁層２０を接着材料２１
（第４図参照）を介してその表面に形成し、この
絶縁層２０の表面にさらに接着材層２２（第４図
参照）を介して銅はく２３を接着する。そしてこ
の銅はく２３を化学エツチングして導電性の配線
パターン２４を形成する。これを外形加工および
抜穴加工して副基板１１が得られる。なお第４図
はアルミ基板１１のエツチング前の断面を示して
いる。

最後に副基板１２について述べると、この基板
１２は回路基板上の一部に極端に部品のマウント
密度が高くなるような場合に、これを防止するた
めに用いられるものであつて、その基板材料２５
は、例えば主基板８の材料と同じくフエノール樹
脂であつてよい。そしてこの材料２５の上面およ
び下面にはそれぞれ銅はく２６，２７が接着さ
れ、これらの銅はく２６，２７は同時に化学エツ
チングされる。これによつて基板材料２５の両面
に配線パターン２８，２９が形成される。これを
外形および抜穴加工して、両面パターン２８，２
９を有する副基板１２が得られる。なお上記４つ
の副基板９，１０，１１，１２はすべて主基板８
とほぼ同じ厚さになつている。

以上のようにして主基板８および副基板９，１
０，１１，１２が得られるが、この実施例におい
ては、４つの互に材質の異る副基板９，１０，１
１，１２をそれぞれ１枚ずつ用い、これらを主基
板８と複合するようにしているが、必要に応じて
これらの副基板９，１０，１１，１２の少なくと
も１種の副基板について、２枚以上用いてもよ
く、あるいはこれらの副基板９，１０，１１，１
２の内の何れか１つあるいは２つ以上の副基板を
省略してもよい。あるいはまた別の材質あるいは
構造の副基板を主基板８と複合するようにしても
よい。すなわちこのような副基板の種類および枚
数は最終的に得られる混成集積回路の性質に応じ
て任意に選択され得るものである。

次に以上のようにして得られた副基板９，１
０，１１，１２を主基板８に嵌め込んで複合し、
複合基板３０を得る工程について述べると、第５
図に示すように上記副基板９，１０，１１，１２
は上述の如く、主基板８の矩形の開口４，５，
６，７とほぼ同一形状にそれぞれ構成されてい
る。またこれらの副基板９，１０，１１，１２は
それぞれ主基板８とほぼ同一の、例えば1.6mmの
厚さに構成されている。従つて副基板９，１０，
１１，１２を上記開口４，５，６，７に嵌め込む
ことによつて、これらの副基板９，１０，１１，
１２が主基板８の平面に含まれるように複合さ
れ、平坦な、例えば1.6mmの均一な板厚の複合基
板３０が得られる。なお副基板９，１０，１１，
１２が嵌め込まれた複合基板３０が平坦でかつ均
一な厚さに形成されることは重要な意義を有す
る。すなわち複合された基板３０にはこれ以降の
工程において、後述するように、半田レジストの
ための保護コート樹脂と、絶縁のための樹脂と、
そしてチツプ状部品を仮止めするための接着用樹
脂とがそれぞれ印刷によつて塗布されるが、これ
らの工程において、複合された基板３０が平坦で
あつて凹凸がないことから、印刷が精度よくしか
も均一な塗布が達成される。またこの複合基板３
０をテンプレートに重ねて、上記接着用樹脂によ
つてチツプ状部品を一度にこの複合基板３０に移
すことも可能になる。

この複合工程は、例えば第６図に示す装置によ
つて行なわれる。この装置は同図に示すように、
上型３１と下型３２と、そして雄型３３とを具備
している。そして下型３２には雄型３３を受入れ
る凹部３４が形成されている。そこでまず雄型３
３を下型３２に対して、少なくとも副基板９，１
０，１１，１２の厚みに相当する距離だけ下方に
移動させ、これによつて下型３２の凹部３４内で
あつて雄型３３の上部に上記副基板９，１０，１
１，１２をそれぞれ受入れるための窪部３５を形
成する。これらの窪部３５内に上記副基板９，１
０，１１，１２をそれぞれ収納する。次に下型３
２の上面に主基板８を載置するとともに、この下
型３２に植設されている位置決めピン３６によつ
て下型３２に対して主基板８を位置決めする。次
に上型３１をピン３６によつて案内しながら下型
３２に圧着する。次に雄型３３を上方に移動させ
て副基板９，１０，１１，１２を上型３１の下面
に圧着させる。これによつて副基板９，１０，１
１，１２はそれぞれ主基板８の開口４，５，６，
７に嵌め込まれることになる。しかも副基板９，
１０，１１，１２の外形の寸法と開口４，５，
６，７とのはめ合い公差は小さくなつているため
に、ここで副基板９，１０，１１，１２は嵌合部
の摩擦等によつて一応主基板８に固定されること
になる。

このようにして得られた複合基板３０には、次
いで第２図に示すように保護コート樹脂の印刷が
施される。ここで用いられる樹脂としては、例え
ばエポキシ樹脂やアクリレート樹脂であつてよ
い。この樹脂の印刷はシルクスクリーン印刷等の
手法によつて行なわれる。そしてこの後に熱を加
えて樹脂を硬化あるいは焼成する。これによつて
保護コート樹脂層３７が複合基板３０の表面に形
成される。この樹脂コートの目的は第１に半田レ
ジストを施こすことにあり、この樹脂コートされ
た部分には、後述の半田デイツプの際に半田がつ
かなくなる。またこの樹脂コートの第２の目的は
絶縁コートにある。すなわち複合基板３０の配線
パターンの内で、最終的に露出される部分につい
ては、この樹脂層３７によつてその表面が覆われ
て予じめ絶縁されることになる。

ところでこの実施例では、主基板８および副基
板９，１０，１１，１２に上述のごとくそれぞれ
樹脂３７の印刷を予め施すことなく、外形加工お
よび抜穴加工したところで両者を複合し、複合后
に樹脂３７を塗布するようにしている。したがつ
て主基板８および副基板９，１０，１１，１２に
樹脂をコートする工程は一度で済ますようにする
ことができる。

次にこの複合基板３０上は、第２図に示すよう
に絶縁樹脂印刷を行う。この樹脂印刷は例えばエ
ポキシ系樹脂によつて行うものである。そしてこ
の樹脂もまたシルクスクリーン等の方法によつて
印刷され、このあとに熱を加えて硬化または焼成
され、これによつて複合基板３０上には絶縁樹脂
層３８が形成される。この絶縁樹脂層３８を形成
する第１の目的は、複合基板３０上の配線パター
ンの内でチツプ状部品と交錯するクロスパターン
の部分を絶縁することにある。第２の目的は、こ
の樹脂には顔料が混入されて着色されており、シ
ンボルマークの捺印印刷を施こすことにある。

かくして第２図の工程を終えた複合基板３に
は、第３図に示す工程によつてチツプ状の部品が
マウントされる。以下にこの工程を順次説明する
と、まずこの複合基板３０は、第９図に示すよう
にその表面すなわちパターン面のチツプ状部品マ
ウント位置に、スクリーン印刷の手法によつて接
着用樹脂４０が塗布される。この接着用樹脂４０
は複合基板３０上にチツプ状部品を仮止めするた
めのものである。

第１０Ａ図〜第１０Ｈ図によつて、この接着用
樹脂の印刷の操作を順次説明すると、まず第１０
Ａ図に示すように、フレーム４１をピン４２を中
心として時計方向に回動させて、フレーム４１に
張設されているスクリーン４３を載置板４４上の
複合基板３０から離間した状態に保持しておく。
この状態でスクレーパ４５を下降させ、スクレー
パ４５をスクリーン４３と接触させる。そして図
外の駆動手段によつてスクレーパ４５をフレーム
４１に沿つて第１０Ｂ図において左方に移動させ
る。するとスクレーパ４５は半流動状態の接着剤
４０をスクリーン４３の表面にこすりつけながら
スクリーン４３の長さ方向に移動して、スクリー
ン４３の透過部分に接着剤を充填する。そしてス
クレーパ４５は所定の位置まで移動すると上昇
し、スクリーン４３から離間する。

次いでフレーム駆動用の油圧シリンダが作動
し、図外のクランクアームによつてフレーム４１
がピン４２を中心として第１０Ｃ図に示すように
反時計方向に回動する。このときにスクリーン４
３は第１０Ｃ図において鎖線で示すように、複合
基板３０と平行であつてしかも複合基板３０と所
定の間隙を隔てて静止することに注意しなくては
ならない。すなわちフレーム４１が作動位置に回
動して移動して水平になつたときに、スクリーン
４３は複合基板３０とは接触しないようになつて
いる。

この状態でスキージ４６が下降する。スキージ
４６はスクリーン４３をその張力に抗して下方に
変位させ、これによつてスクリーン４３は第１０
Ｃ図において実線で示すように複合基板３０と接
触する。この状態で図外の駆動手段が作動し、ス
キージ４６はスクリーン４３を変位させながら第
１０Ｄ図に示すように右方に移動し、スクリーン
４３の透過部分に保持されている接着剤４０を複
合基板３０側に移す。これによつてスクリーン４
３の透過部分と対応する複合基板３０の所定位置
には接着剤４０が塗布されることになる。スキー
ジ４６が所定の位置まで移動すると、そこでスキ
ージ４６はその水平移動を停止するとともに上昇
してスクリーン４３から離れる。

本実施例の装置の動作と対比させてこの装置の
優位性をより明確に理解するために、ここで従来
より広く利用されているスクリーン印刷装置の動
作を述べると、従来は第１０Ｅ図に示すように、
この後に直ちにフレーム４１をピン４２を中心と
して時計方向に回動させていた。従つてスクリー
ン４３の透過部分に付着している接着剤４０が糸
を引いて接着剤の糸４７を形成していた。スクリ
ーン４３は基板３０から離れるときにピン４２を
中心とする回動運動をするものであるために、接
着剤の糸４７はフレーム４１の回動中心に近い部
分になる程傾斜することになり、この接着剤の糸
４７が倒れて、基板３０の所望の位置以外の位置
に付着していた。これによつて基板３０上の導電
性パターンが接着剤で覆われてしまうと、回路部
品を半田デイツプする際に、この部品が正しく電
気的に接続されなくなるという問題があつた。

そこで本実施例においては第１０Ｆ図に示すよ
うにスクイーズ動作を完了した後に、スクリーン
４３からスキージ４６を離して、しかもフレーム
４１を回動させないで水平に保持し、一定の時間
静止させるようにしている。スキージ４６とスク
レーパ４５とがともにスクリーン４３から離れて
いるときには、上述の如く、スクリーン４３は複
合基板３０と平行でしかも所定の間隙を隔てて保
持されることになる。このために、スキージ４６
の上昇に伴つてスクリーン４３が複合基板３０か
ら離れるときに生ずる接着剤４０の糸４７はほぼ
垂直方向上方に延びることになる。この接着剤４
０の糸４７は、スクリーン４３を複合基板３０と
ほぼ平行に２〜６秒間保持しておくことにより第
１０Ｇ図に示すように、スクリーン４３から離
れ、接着剤４０の有する流動性によつてつぶれて
ほぼ平らな状態となつて消滅する。すなわち複合
基板３０の所定位置に接着剤４０が塗布されると
ともに、所定の位置から接着剤４０がはみ出し
て、複合基板３０の導電性パターンを覆うことが
なく、部品の接続不良の原因となることもない。
なおこの装置による糸ひきの防止は、特に塗布さ
れる樹脂が厚い場合に効果がある。

この後に第１０Ｈ図に示すように油圧シリンダ
の作動によつてフレーム４１がピン４２を中心と
して同図において時計方向に回動し、複合基板３
０がこの塗布装置から取出される。さらにフレー
ム４１が時計方向に所定の位置まで回動するとス
クレーパ４５が下降してスクリーン４３と接着
し、次のサイクルの動作に備える。次のサイクル
もまた上記動作と同じ動作が繰返されることは言
うまでもない。

なお上記フレーム４１に周縁部を保持されて所
定の張力で張設されているスクリーン４３はテト
ロン（登録商標）製のメツシユから成り、このメ
ツシユの両面に樹脂をコーテイングしたものであ
る。樹脂コーテイングされたスクリーン４３の厚
さは、複合基板３０に塗布される接着用樹脂４０
の厚さとほぼ等しく構成されており、この実施例
においてはかなり厚く、例えば400μｍ〜500μｍ
となつている。このスクリーン４３には部分的に
樹脂がコーテイングされていない部分があり、こ
の部分が透過部分を形成している。そしてこの透
過部分に予め保持されている接着用樹脂４０が上
述のスキージによつて複合基板３０に塗布され
る。

ところで上記接着用樹脂４０は、第９図に示す
ように互いに複合された主基板８と副基板９，１
０，１１，１２とを嵌め合せる接合部にも同時に
塗布される。

またそのあと接着用樹脂４０は、後述の光硬化
炉および熱硬化炉にて硬化され固化されるから、
主基板８と副基板９，１０，１１，１２との間の
接合部強度は改善される。

しかもこの接合部への接着用樹脂４０の塗布
は、上記スクリーン４３の接合部と対応する位置
に透過部分を形成するだけでよく、このことによ
つて新たに工程が増加することなく接合部にも樹
脂を塗布することができる。さらにこの樹脂４０
の塗布は約400μｍ〜500μｍの厚みの接着層を形
成するようにしてなされるものであることから、
副基板９，１０，１１，１２を主基板８に保持す
る保持力が大きく接合部が十分に補強されること
になる。第１１図はこのようにして複合基板３０
の接合部に形成された樹脂層４０を示している。

次に接着用樹脂層４０が塗布によつて形成され
た複合基板３０にチツプ状をなす回路部品をマウ
ントする工程を主として第３図につき説明する
と、一定の大きさの円柱状の形状に統一されたチ
ツプ状をなす各種の部品５１、例えばコンデン
サ、抵抗、ジヤンパ用クロスコンダクタ、ダイオ
ード等のチツプ状部品５１はそれぞればらばらな
状態でホツパの容器５２内に収納されている。こ
れらの部品５１はシヤツタ装置５３の作用によつ
て間欠的に供給され、部品移送パイプ５４を通つ
て配置用マガジン５５に導かれる。この配置用マ
ガジン５５は各種の部品５１をそれぞれ所定位置
に導くためのものである。そしてこのマガジン５
５によつて所定位置に導かれたチツプ状部品５１
はさらに配置板５６に導かれ、この配置板５６に
設けられた横転機構によつて円柱状をなし垂直な
姿勢で送られて来たチツプ状部品５１が横転され
る。そしてこの配置板５６の下部に配されたシヤ
ツタが開放されると、チツプ状部品５１は配置板
５６の下部に配されたテンプレート５７の部品収
納用凹部５８内にそれぞれ落下して収納される。

一方第１０Ａ図〜第１０Ｈ図に示す工程によつ
て上述の如く接着用樹脂４０が塗布された複合基
板３０は、この樹脂４０の塗布された面をテンプ
レート５７に対向させて、チツプ状部品５１をそ
の凹部５８に収納しているテンプレート５７の上
に重ね合されるとともに軽く加圧される。次いで
テンプレート５７と複合基板３０とを重ね合せた
ままで両者は反転され、上下が逆になされる。こ
れによつてテンプレート５７が複合基板３０の上
面に位置するようになる。次いでテンプレート５
７と複合基板３０とが加圧手段によつて互に圧着
され、テンプレート５７の凹部５８に保持されて
いるチツプ状部品５１の両端のキヤツプ状の電極
は複合基板３０の導電性パターンに圧着されると
ともに、このチツプ状部品５１はその長さ方向の
ほぼ中央の胴の部分が接着用樹脂４０と確実に接
触することになる。

この後に複合基板３０上に載置されているテン
プレート５７が静かに取除かれて、チツプ状部品
５１は複合基板３０上に完全に移されることにな
る。しかしこの段階ではまだ接着用樹脂４０は硬
化していない。そこでこの複合基板３０をベルト
コンベア６１によつてまず光硬化炉６２に導く。
すると接着用樹脂４０の表面の部分が紫外線によ
つてまず硬化する。さらに複合基板３０はコンベ
ア６１によつて移動されて熱硬化炉６３に導か
れ、ここで接着用樹脂４０が内部まで完全に硬化
する。このように接着用樹脂４０を光硬化炉６２
と熱硬化炉６３とによつて硬化させるようにした
ために、接着用樹脂４０の硬化に要する時間が短
縮される。またいきなり熱硬化炉６３に入れて加
熱すると、樹脂４０の粘性の低下によつて樹脂４
０の流動が起つて部品５１の接着不良を起した
り、あるいは流動した樹脂４０が複合基板３０の
導電性パターンを覆つて接触不良の原因をなす。
しかし光硬化炉６２で紫外線により樹脂の外表面
を予じめ硬化させているために、樹脂４０の流動
は効果的に防止される。

このようにして硬化された樹脂４０によつて、
チツプ状部品５１は複合基板３０に完全に仮止め
されることになる。しかもこの樹脂４０は、主基
板８と副基板９，１０，１１，１２との接合部に
も既述のように塗布されている。このため上記樹
脂４０の硬化によつて主基板８と副基板９，１
０，１１，１２間の接合部強度は必要、充分な値
に達する。

次いでこの複合基板３０の裏面、すなわちチツ
プ状部品５１がマウントされ、しかも導電性パタ
ーンが形成されているパターン面とは反対側の面
には、必要なら、一般のリードのある部品６５が
マウントされる。このように一般の部品６５とチ
ツプ状部品５１とを複合された基板３０の両面に
マウントするようにしているために、この回路は
部品の実装密度が高く、回路の小型化が可能とな
る。次にこの複合基板３０のパターン面を下側に
向けて半田デイツプ槽６４に導いて上記部品５
１，６５を複合基板３０の導電性パターンと電気
的に接続する。すなわちチツプ状部品５１はその
両端のキヤツプ状のリードの部分が半田によつて
複合基板３０の導電性パターンと接続され、また
リードのある一般の部品６５はこのリードの部分
が導電性パターンと半田によつて接続されること
になる。これによつて混成集積回路が得られるこ
とになる。なおリードのある通常の部品６５は必
ずしもマウントする必要がなく、チツプ状部品５
１のみによつても混成集積回路を得ることは可能
である。

さらにこの工程においては、チツプ状部品５１
内の一部を第１２図および第１３図に示すよう
に、主基板８と副基板９，１０，１１，１２との
接合部にマウントして、接合部をブリツジングし
ている。接合部にマウントされたチツプ状部品５
１の両端の一対のキヤツプ状電極の内の一方の電
極は主基板８側の配線パターン３に、また他方の
電極は例えば副基板９の配線パターン１５に、そ
れぞれ上記半田デイツプによつて半田６６で結合
されるとともに電気的に接続されることになる。
従つてこのチツプ状部品５１を介して主基板８と
副基板９，１０，１１，１２とがさらに強固に連
結されることになる。またこの接合部にマウント
するチツプ状部品５１の接着用樹脂４０を、第１
３図に示すように主基板８と副基板９，１０，１
１，１２との接合部に塗布するようにすると、こ
の樹脂４０が部品５１を仮止めして上述の如く硬
化されたときに、この接合部の部品５１と接着用
樹脂４０とによつても主基板８と副基板９，１
０，１１，１２の接合部が強固に結合されること
になる。従つて新たな工程を追加することなく、
チツプ状部品５１をマウントする際に、これらの
チツプ状部品５１のマウント位置を変更するだけ
で、このチツプ状部品５１を利用してより確実に
副基板９，１０，１１，１２を主基板８に固定す
ることが可能となる。さらにこのように構成する
ことによつて、主基板８の配線パターン３と副基
板９の配線パターン１５とが上記部品５１を介し
て電気的に接続されるために、少なくともこの部
分において両者の配線パターン３，１５の電気的
な接続を行う必要がなくなる。

さらにこの実施例の工程の特徴は、第３図に示
す半田デイツプの際に、主基板８の導電性配線パ
ターン３と副基板９，１０，１１，１２の導電性
配線パターン１５，１７，２４，２８，２９とを
電気的に接続するようにしていることである。す
なわち第１４図に示すように、主基板８の導電性
パターン３の副基板９，１０，１１，１２との接
合部側の先端には、予じめ半田レジスト３７を形
成することなく露出させておく。同様に副基板
９，１０，１１，１２の導電性パターン１５，１
７，２４，２８，２９の主基板８との接合部側の
先端にも、予じめ半田レジスト３７を形成するこ
となく露出させておく。この状態で上記半田デイ
ツプ槽６４において半田デイツプを行うことによ
り、主基板８側の導電性パターン３と副基板９，
１０，１１，１２側の導電性パターン１５，１
７，２４，２８，２９とは半田６６によつて電気
的に接続されることになる。このように上記半田
デイツプの際に主基板８の配線パターン３と副基
板９，１０，１１，１２の配線パターン１５，１
７，２４，２８，２９とを電気的に接続するよう
にしたことにより、新たな工程を設けたり、ある
いは接続のための部材を用意したりする必要がな
く、このために、複合基板３０上に形成される混
成集積回路を安価に提供することが可能となる。

なおこの半田６６による接合部の両パターン３
および１５，１７，２４，２８，２９の電気的接
続は、上述の部品５１を介して行う電気的接続と
相互に補完する関係にあるものであるから、何れ
か一方の手段が必要に応じて認意に選択されるも
のである。

上記複合基板３０を構成する副基板９，１０，
１１，１２は上述の如く、それぞれガラスエポキ
シ樹脂、アルミナセラミツク、アルミニウム、両
面パターンを有するフエノール樹脂板からそれぞ
れ構成され、これらの基板９，１０，１１，１２
の材質あるいは構造と対応するような回路がそれ
らの上に形成されるようになつている。これらの
副基板９，１０，１１，１２の内、アルミニウム
製の副基板１１はそれ自身がヒートシンクを兼ね
るものであつて、第１５図および第１６図に示す
パワートランジスタ６７、抵抗６８等の発熱する
部品がマウントされ、例えばパワーアンプがその
上に形成される。このパワートランジスタ６７や
抵抗６８によつて発生した熱は直ちにアルミニウ
ム製の副基板１１に伝達され、そして空気中に放
散される。従つてこの副基板１１は比較的高い温
度例えば80℃〜120℃まで加熱されることにな
る。そこでこのアンプを構成する回路部品の内
で、熱に弱い部品、例えばケミカルコンデンサ６
９については、このアルミニウム基板１１にマウ
ントすることなく、フエノール樹脂から成る主基
板８にマウントするようにしている。なおこのケ
ミカルコンデンサ６９は上述の如く主基板８の配
線パターン３および副基板１１の配線パターン２
４を介して副基板１１上の回路に接続されてい
る。このようにケミカルコンデンサ６９のような
熱に弱い部品をフエノール基板８側にマウントす
れば、このフエノール基板８は熱伝達が悪いため
に、加熱されることなく熱から保護されることに
なる。

なおアルミニウム製の基板１１はそれ自身が導
電性を有するために、スルーホールを形成して
も、この内周面を絶縁しなくてはならない。また
スルーホールを形成する加工も比較的困難である
ことから、本実施例においてはこの副基板１１に
はスルーホールを形成することなく、リードのあ
る部品６５については第１６図に示すように、主
基板８側にマウントして、配線パターン３，２４
を介して副基板１１上の部品と接続するようにし
ている。また上記パワートランジスタ６７のリー
ドもＬ字状に屈曲させて主基板８のスルーホール
を貫通させ、この主基板８のパターン３と接続す
るようにしている。なおこのトランジスタ６７は
その放熱面が副基板１１の裏面に接触するように
して取付けられており、このために熱の放散が効
果的に行なわれるようになつている。

第１７図は第１５図に示す回路をさらに変形さ
せたものであつて、主基板８に３つのアルミニウ
ム製の副基板１１を嵌め込んで複合したものであ
る。第１のアルミ基板１１上にはＲチヤンネルの
低周波増巾回路７１が形成され、第２のアルミ基
板１１にはＬチヤンネルの低周波増巾回路７２が
形成され、そして第３のアルミ基板１１にはパワ
ーアンプ回路７３が形成されている。このように
構成すると、各回路７１，７２，７３がそれぞれ
ユニツト化され、回路設計およびサービスの点で
有利なものとなる。またアルミニウム基板１１は
ヒートシンクを構成するために、半田ごてによつ
てこの基板１１上の部品を交換することはできな
いが、以上のように構成しておけば副基板１１の
み交換すればよく、複合基板３０の全体を交換す
る必要はなくなる。

上記複合基板３０を構成する副基板９，１０，
１１，１２の内の、副基板１２は両面パターンを
有するフエノール基板から構成されており、この
副基板１２には第１８図に示すように、その表面
のみならず裏面にもチツプ状部品５１がマウント
されており、これによつて複合基板３０の表面の
内の一部のみに部品が極端に高密度にマウントさ
れることを防止している。なお副基板１２の裏面
に部品５１をマウントするには、第３図に示すチ
ツプ状部品のマウント工程をもう一度繰返せばよ
い。このように両面パターンの副基板１２を主基
板８に複合することによつて、主基板８の全面を
両面パターンにする必要がなく、トータルとして
大きなコストダウンを図ることができる。

ところで上記実施例では、主基板８と副基板
９，１０，１１，１２間の結合は、チツプ状回路
部品５１を取付ける接着用樹脂４０のみにて行な
い、またこれによつて必要、充分な結合強度が得
られたが、既述の保護コート樹脂３７の印刷に際
し、第７図および第８図に示すごとく主基板８と
と副基板９，１０，１１，１２との間の結合部に
この保護コート樹脂３７を塗布し、上記接着用樹
脂４０による結合強度の補強をさせても差支えな
い。

また同様に、既述の絶縁樹脂３８の印刷に際し
て上記結合部にこの絶縁樹脂３８を塗布し、上記
接着用樹脂４０による結合強度の補強をさせても
よい。

何故なら上記結合部の強度がたとえ過大となつ
ても特に弊害は考えられず、また接着用樹脂４０
は、保護コート用樹脂３７や絶縁用樹脂３８の上
にたとえ塗布されても何ら支障を生じることがな
いからである。

この発明は上述のような構成であるから、それ
ぞれの回路部分の性能に応じた材質あるいは構造
を有する副基板を主基板に複合させることが可能
となり、このために回路の性能が回路基板によつ
て制限されることがなく、優れた混成集積回路を
提供することができる。

また本発明によると、複合された回路基板の大
部分は、安価でしかも加工性の良い材料、例えば
フエノール樹脂から成る主基板によつて構成で
き、このために高価な材料の使用量が少なくなつ
て、材料費が安くなる。

また本発明によると、副基板は主基板に形成さ
れた副基板と同一の形状の開口に嵌め込まれるよ
うになつているために、複合された回路基板は凹
凸を有することなく平坦に構成でき、このために
チツプ状部品をこの複合された基板上に自動的に
マウントすることができ、この混成集積回路の生
産性を大きく向上させることができる。

また本発明によると、主基板と副基板との接合
部には、チツプ状部品を回路基板に仮止めするた
めの接着用樹脂を塗布する際に、この接着用樹脂
が同時に塗布され、これによつて主基板に副基板
が固定されるようになつている。従つて接合部の
固定のために新たな工程を追加する必要がなく、
回路基板の製造コストも上昇しない。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明をオーデイオ用の混成集積回路に
適用した一実施例を示すものであつて、第１図は
この混成集積回路の製造工程を示すブロツク図、
第２図はこの工程の前半部分を示すフローチヤー
ト、第３図はこの工程の後半部分を示すフローチ
ヤート、第４図はアルミニウム製の副基板の断面
図、第５図は複合基板の分解斜視図、第６図は主
基板に副基板を複合するための装置の要部縦断面
図、第７図は保護コート樹脂を塗布した複合基板
の斜視図、第８図は同断面図、第９図はチツプ状
部品を接着するための樹脂を印刷によつて塗布し
た複合基板の斜視図、第１０Ａ図〜第１０Ｈ図は
接着用樹脂の印刷の動作を順次示す印刷装置の要
部側面図、第１１図は接着用樹脂が印刷された複
合基板の断面図、第１２図はチツプ状部品がマウ
ントされた複合基板の斜視図、第１３図は同断面
図、第１４図は半田デイツプによつて接合部のパ
ターンが接続された状態を示す複合基板の要部断
面図、第１５図は完成した混成集積回路の斜視
図、第１６図は同要部断面図、第１７図は第１５
図に示す混成集積回路の変形例を示す斜視図、第
１８図は第１５図に示す回路基板の別の部分の断
面図である。 なお図面に用いた符号において、３……配線パ
ターン、４，５，６，７……矩形の開口、８……
主基板、９，１０，１１，１２……副基板、１５
……配線パターン、１７……銀電極、２４……配
線パターン、２８，２９……配線パターン、３０
…複合基板、４０……接着用樹脂、５１……チツ
プ状の部品、６４……半田デイツプ槽、である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 予め所定の導電性パターンがそれぞれ形成さ
   れ、しかも互に材質または構造の異る主基板と副
   基板とを用意し、前記主基板に前記副基板と同一
   形状の開口を形成し、前記副基板をこの開口によ
   つて前記主基板に嵌め込んで複合し、チツプ状部
   品を仮止めするための接着用樹脂を複合された回
   路基板に塗布するとともに、前記主基板と前記副
   基板との接合部にもこの接着用樹脂を同時に塗布
   し、これによつて前記主基板と前記副基板との接
   合部を結合し、前記接着用樹脂によつて仮止めさ
   れたチツプ状部品の電極を複合された回路基板の
   導電性パターンと電気的に接続するようにしたこ
   とを特徴とする混成集積回路の製造方法。