JPS6256156B2 - - Google Patents
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- JPS6256156B2 JPS6256156B2 JP54043120A JP4312079A JPS6256156B2 JP S6256156 B2 JPS6256156 B2 JP S6256156B2 JP 54043120 A JP54043120 A JP 54043120A JP 4312079 A JP4312079 A JP 4312079A JP S6256156 B2 JPS6256156 B2 JP S6256156B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
- C07F7/121—Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20
- C07F7/122—Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20 by reactions involving the formation of Si-C linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
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- C07F7/12—Organo silicon halides
- C07F7/14—Preparation thereof from optionally substituted halogenated silanes and hydrocarbons hydrosilylation reactions
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、出発物質として水素シラン及び塩化
ビニルを使用するエチルシランの製造法に関す
る。
ビニルを使用するエチルシランの製造法に関す
る。
エチルクロルシランの製造は、これまで種々の
方法で行なわれた。例えばエチルクロルシラン
は、エチレンとトリクロルシランとを、化学量論
的量でもしくは1方又は他方の成分の非化学量論
的量で、加圧下に高めた温度で連続的にもしくは
非連続的に互いに反応させることにより製造する
ことができる。この方法の場合、常に主成分エチ
ルトリクロルシランと共になお程度に差こそあれ
大量の副生成物、例えばブチル−、ヘキシル−及
びオクチルトリクロルシランが生成する。これら
の副生成物の生成は、反応条件下に行なわれるエ
チレンの二量重合及び三量重合に基づく。更に、
この方法の場合、化学量論的過剰量のエチレンを
使用する場合でも、これらの成分の100%の変換
を達成することは困難である。
方法で行なわれた。例えばエチルクロルシラン
は、エチレンとトリクロルシランとを、化学量論
的量でもしくは1方又は他方の成分の非化学量論
的量で、加圧下に高めた温度で連続的にもしくは
非連続的に互いに反応させることにより製造する
ことができる。この方法の場合、常に主成分エチ
ルトリクロルシランと共になお程度に差こそあれ
大量の副生成物、例えばブチル−、ヘキシル−及
びオクチルトリクロルシランが生成する。これら
の副生成物の生成は、反応条件下に行なわれるエ
チレンの二量重合及び三量重合に基づく。更に、
この方法の場合、化学量論的過剰量のエチレンを
使用する場合でも、これらの成分の100%の変換
を達成することは困難である。
更に、白金−又はロジウム触媒の存在下にエチ
レンと水素シランとの触媒反応によりエチルシラ
ンを製造することが公知である。付加反応として
公知のこの反応においては、例えばエチルトリク
ロルシランを製造する場合、活性炭上のヘキサク
ロル白金酸又は白金の存在下にエチレンをトリク
ロルシラン又はトリクロルシランと高沸点不活性
成分、例えばヘキサクロルジシロキサンに通す。
この方法の場合でも、上述の加圧重合の場合と同
じ副生成物の問題が生じる。この方法では、エチ
レンが完全に反応せず、未反応のエチレンを循環
させ、再使用に供給するために装置に付加的な費
用を要することも不利である。更に触媒活性が低
下した際にこれを再生することが困難である。
レンと水素シランとの触媒反応によりエチルシラ
ンを製造することが公知である。付加反応として
公知のこの反応においては、例えばエチルトリク
ロルシランを製造する場合、活性炭上のヘキサク
ロル白金酸又は白金の存在下にエチレンをトリク
ロルシラン又はトリクロルシランと高沸点不活性
成分、例えばヘキサクロルジシロキサンに通す。
この方法の場合でも、上述の加圧重合の場合と同
じ副生成物の問題が生じる。この方法では、エチ
レンが完全に反応せず、未反応のエチレンを循環
させ、再使用に供給するために装置に付加的な費
用を要することも不利である。更に触媒活性が低
下した際にこれを再生することが困難である。
付加反応の際の上述の欠点を回避するために、
エチルトリクロルシランを次のようにして製造す
ることも既に提案されている:受器中でトリクロ
ルシランを沸騰状態に保持し;上昇するSiHCl3
蒸気を白金−活性炭を含有する触媒層を迂回し
て、凝縮器に供給し、ここで該蒸気を凝縮させ
る。得られる凝縮液を、それに対して平行に導入
されるエチレンと一緒に触媒層に通しゲート弁を
経て、沸騰しているトリクロルシラン混合物中へ
返送する。この方法で得られる収率は既に90%台
の下方範囲内にあるが、この方法には依然として
テロメリゼーシヨン生成物(ブチルトリクロルシ
ラン、ヘキシルトリクロルシラン)の蒸留分離の
問題がある。
エチルトリクロルシランを次のようにして製造す
ることも既に提案されている:受器中でトリクロ
ルシランを沸騰状態に保持し;上昇するSiHCl3
蒸気を白金−活性炭を含有する触媒層を迂回し
て、凝縮器に供給し、ここで該蒸気を凝縮させ
る。得られる凝縮液を、それに対して平行に導入
されるエチレンと一緒に触媒層に通しゲート弁を
経て、沸騰しているトリクロルシラン混合物中へ
返送する。この方法で得られる収率は既に90%台
の下方範囲内にあるが、この方法には依然として
テロメリゼーシヨン生成物(ブチルトリクロルシ
ラン、ヘキシルトリクロルシラン)の蒸留分離の
問題がある。
従つて、高級アルキルシランが生成せず、使用
した出発物質ができるだけ定量的に反応するよう
にしてエチルシランを製造するという課題が生じ
た。
した出発物質ができるだけ定量的に反応するよう
にしてエチルシランを製造するという課題が生じ
た。
ところで、この課題を満足させるに際し、塩化
ビニルと一般式: HSiRpX3-p [式中Rは炭素原子数1〜4を有するアルキル基
を表わし、Xはハロゲン原子又は炭素原子数1〜
4を有するアルコキシ基を表わし、pは0〜2の
値をとりうる]により示される水素シランとを白
金−又はパラジウム触媒の存在下に少なくとも5
バールの圧力で反応させることを特徴とするエチ
ルシランの製造法を見出した。
ビニルと一般式: HSiRpX3-p [式中Rは炭素原子数1〜4を有するアルキル基
を表わし、Xはハロゲン原子又は炭素原子数1〜
4を有するアルコキシ基を表わし、pは0〜2の
値をとりうる]により示される水素シランとを白
金−又はパラジウム触媒の存在下に少なくとも5
バールの圧力で反応させることを特徴とするエチ
ルシランの製造法を見出した。
有利な実施形は、触媒を反応混合物中に懸濁さ
せないで、反応混合物の上方で、反応混合物と冷
却装置との間にあるように配置することにある。
該冷却装置中で沸騰状態に保持された反応混合物
の蒸気は凝縮し、次いで凝縮液は触媒を通つて再
び沸騰している反応混合物に流入する。この方法
の適当な実施形は、西ドイツ国特許第2012229号
明細書に記載されている。
せないで、反応混合物の上方で、反応混合物と冷
却装置との間にあるように配置することにある。
該冷却装置中で沸騰状態に保持された反応混合物
の蒸気は凝縮し、次いで凝縮液は触媒を通つて再
び沸騰している反応混合物に流入する。この方法
の適当な実施形は、西ドイツ国特許第2012229号
明細書に記載されている。
この方法の特に適当な実施形は、上昇する反応
成分混合物の蒸気は触媒を迂回して冷却装置に入
り、ここで該蒸気は凝縮し、次いで上方から適当
な供給装置、例えば分配底を経て触媒上へ流れ、
更に適当なゲート弁を経て沸騰状態に保持された
反応混合物中へ流入することを要旨とする。
成分混合物の蒸気は触媒を迂回して冷却装置に入
り、ここで該蒸気は凝縮し、次いで上方から適当
な供給装置、例えば分配底を経て触媒上へ流れ、
更に適当なゲート弁を経て沸騰状態に保持された
反応混合物中へ流入することを要旨とする。
西ドイツ国特許第2012229号明細書には、ここ
に記載された方法においてはオレフイン出発成分
として塩化ビニルも使用できることも記載されて
いる。しかし、ここに記載された方法は、オレフ
イン成分を置換基の分解もしくは離脱なしに水素
シランに付加させる自体公知の付加反応に関する
ものである(西ドイツ国特許第1069148号明細書
参照)。この場合でも、トリクロルシランと塩化
アリルからのγ−クロルプロピルトリクロルシラ
ンの形成と同様に、トリクロルシランと塩化ビニ
ルとの反応で塩化ビニルがトリクロルシランに相
応して付加して1−クロルエチルトリクロルシラ
ンないしは2−クロルエチルトリクロルシランも
しくはその双方が形成することが期待される。両
化合物は安定な化合物として公知であり、他の方
法で製造することができる。それだけに、加圧下
に作業する場合、殊にすぐれた作業法において装
入した塩化ビニルがほとんど全部エチルトリクロ
ルシランに変換することは驚異的である。
に記載された方法においてはオレフイン出発成分
として塩化ビニルも使用できることも記載されて
いる。しかし、ここに記載された方法は、オレフ
イン成分を置換基の分解もしくは離脱なしに水素
シランに付加させる自体公知の付加反応に関する
ものである(西ドイツ国特許第1069148号明細書
参照)。この場合でも、トリクロルシランと塩化
アリルからのγ−クロルプロピルトリクロルシラ
ンの形成と同様に、トリクロルシランと塩化ビニ
ルとの反応で塩化ビニルがトリクロルシランに相
応して付加して1−クロルエチルトリクロルシラ
ンないしは2−クロルエチルトリクロルシランも
しくはその双方が形成することが期待される。両
化合物は安定な化合物として公知であり、他の方
法で製造することができる。それだけに、加圧下
に作業する場合、殊にすぐれた作業法において装
入した塩化ビニルがほとんど全部エチルトリクロ
ルシランに変換することは驚異的である。
本発明によれば超過圧下に作業するので、過圧
は有利に系の温度を適当に高めることにより達成
される。この場合、凝縮位置の温度が所定の圧力
において装置の沸点よりもあまり著しく低くなら
ないように注意すべきである。さもないと所望の
系圧が低下するからである。
は有利に系の温度を適当に高めることにより達成
される。この場合、凝縮位置の温度が所定の圧力
において装置の沸点よりもあまり著しく低くなら
ないように注意すべきである。さもないと所望の
系圧が低下するからである。
反応成分混合物の蒸気が触媒を迂回して冷却帯
に入るすぐれた作業法では、適当な装置的手段に
より蒸気が触媒を通つて上昇するのを阻止すべき
である。当業者にはこのようなガスゲート弁は公
知である。可能な実施形は、例えばサイホンであ
る;しかし受器と触媒との間に配置される他のガ
ス遮断弁も使用できる。
に入るすぐれた作業法では、適当な装置的手段に
より蒸気が触媒を通つて上昇するのを阻止すべき
である。当業者にはこのようなガスゲート弁は公
知である。可能な実施形は、例えばサイホンであ
る;しかし受器と触媒との間に配置される他のガ
ス遮断弁も使用できる。
触媒は、殊に反応成分混合物上方に配置されて
いる場合、有利には適当な担体物質上に存在す
る。担体物質としては、例えば活性炭又はAl2O3
が適当である。触媒は金属の形でも化合物(例え
ばH2PtCl6)でも使用できる。例えば西ドイツ国
特許公報第1271712号又は西ドイツ国特許第
1937904号明細書に記載されているこれらの金属
の錯化合物も特別な効力を示す。
いる場合、有利には適当な担体物質上に存在す
る。担体物質としては、例えば活性炭又はAl2O3
が適当である。触媒は金属の形でも化合物(例え
ばH2PtCl6)でも使用できる。例えば西ドイツ国
特許公報第1271712号又は西ドイツ国特許第
1937904号明細書に記載されているこれらの金属
の錯化合物も特別な効力を示す。
一般に、水素シランも塩化ビニルも受器中に装
入し、次に加熱沸騰させる。しかし、まず水素シ
ランを装入し、これを所望の圧力下に沸騰させ、
その際にはじめて塩化ビニルを配置することもで
きる。
入し、次に加熱沸騰させる。しかし、まず水素シ
ランを装入し、これを所望の圧力下に沸騰させ、
その際にはじめて塩化ビニルを配置することもで
きる。
圧力は本発明によれば少なくとも5バールであ
るべきである。上限は化学工学的理由から約25バ
ールである;しかし原則的には本発明による反応
をより高い圧力で実施することも可能である。す
ぐれた圧力範囲は8〜25バールの間である。
るべきである。上限は化学工学的理由から約25バ
ールである;しかし原則的には本発明による反応
をより高い圧力で実施することも可能である。す
ぐれた圧力範囲は8〜25バールの間である。
反応の終了は反応成分混合物が一定の温度で沸
騰すること、更には触媒が凝縮液の流下する際に
もはや発熱しないことで認識できる。
騰すること、更には触媒が凝縮液の流下する際に
もはや発熱しないことで認識できる。
水素シランとしては有利にはトリクロルシラン
が使用される。しかし反応はアルキル水素ハロゲ
ンシラン(上記一般式中p≠0)を用いて実施す
ることもできる。水素シランは、有利には過剰で
存在すべきである。有利には、塩化ビニル1モル
につき水素シラン2〜2.5モルが使用される。
が使用される。しかし反応はアルキル水素ハロゲ
ンシラン(上記一般式中p≠0)を用いて実施す
ることもできる。水素シランは、有利には過剰で
存在すべきである。有利には、塩化ビニル1モル
につき水素シラン2〜2.5モルが使用される。
本発明により使用できる水素シランの他の例は
ジクロルシラン、メチル水素ジクロルシラン、ジ
メチル水素クロルシラン、エチル水素ジクロルシ
ラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン
及びジエトキシ水素シランである。
ジクロルシラン、メチル水素ジクロルシラン、ジ
メチル水素クロルシラン、エチル水素ジクロルシ
ラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン
及びジエトキシ水素シランである。
例 1(比較例)
10の鋼製オートクレーブ中にトリクロルシラ
ン20モル(2.7Kg)を装入する。オートクレーブ
の閉鎖後に、エチレン充填鋼製ガスボンベからエ
チレン18モル(504g)を圧入する。
ン20モル(2.7Kg)を装入する。オートクレーブ
の閉鎖後に、エチレン充填鋼製ガスボンベからエ
チレン18モル(504g)を圧入する。
このように充填したオートクレーブを2時間に
325℃に加熱し、約1.5時間この温度に保持し、引
続き冷却する。粗生成物はまずガスクロマトグラ
フイーで調べ、引続き蒸留により後処理する。ほ
ぼ2の面積百分率のエチレンの残量と共にエチレ
ントリクロルシラン対ブチルトリクロルシラン対
ヘキシルトリクロルシランの面積の比85:12:3
が確認される。
325℃に加熱し、約1.5時間この温度に保持し、引
続き冷却する。粗生成物はまずガスクロマトグラ
フイーで調べ、引続き蒸留により後処理する。ほ
ぼ2の面積百分率のエチレンの残量と共にエチレ
ントリクロルシラン対ブチルトリクロルシラン対
ヘキシルトリクロルシランの面積の比85:12:3
が確認される。
粗生成物の蒸留による後処理でエチルトリクロ
ルシラン1875gが得られ、これは使用したエチレ
ンに対して63.7%の収率に相当する。
ルシラン1875gが得られ、これは使用したエチレ
ンに対して63.7%の収率に相当する。
例 2(比較例)
2の三つ口フラスコを加熱フード中に挿入す
る。外部の1方の口に強力冷却器を装着し、他方
の口に、フラスコの底まで達し、その末端がガス
分配のためのフリツト底に接続するガス供給管を
挿入する。中央の口を栓で閉鎖する。フラスコ中
に、トリクロルシラン10モル(1000g)を塩化白
金酸1.5gと一緒に装入し;強力撹拌機を−38℃
の冷却液ネツトに接続した後、フラスコ内容物を
沸騰させる。エチレンボンベから精密調節弁を経
てエチレンの添加を開始する。37時間後に、エチ
レン約10モル(280g)が白金含有反応液を通し
泡で上昇した。
る。外部の1方の口に強力冷却器を装着し、他方
の口に、フラスコの底まで達し、その末端がガス
分配のためのフリツト底に接続するガス供給管を
挿入する。中央の口を栓で閉鎖する。フラスコ中
に、トリクロルシラン10モル(1000g)を塩化白
金酸1.5gと一緒に装入し;強力撹拌機を−38℃
の冷却液ネツトに接続した後、フラスコ内容物を
沸騰させる。エチレンボンベから精密調節弁を経
てエチレンの添加を開始する。37時間後に、エチ
レン約10モル(280g)が白金含有反応液を通し
泡で上昇した。
反応はこの時点で中断し、反応生成物にガスク
ロマトグラフイー試験を行なう。エチレンの残量
は確認することができなかつた;エチレントリク
ロルシラン対ブチルトリクロルシラン対ヘキシル
トリクロルシランの面積の比は85:35:1であつ
た。
ロマトグラフイー試験を行なう。エチレンの残量
は確認することができなかつた;エチレントリク
ロルシラン対ブチルトリクロルシラン対ヘキシル
トリクロルシランの面積の比は85:35:1であつ
た。
粗生成物の蒸留による後処理で、エチルトリク
ロルシラン277g及びおもにブチルトリクロルシ
ランのみからなる。塔底流出液(約126g)が得
られた。
ロルシラン277g及びおもにブチルトリクロルシ
ランのみからなる。塔底流出液(約126g)が得
られた。
これから、配量したエチレンの約32%しか反応
せず、残りはガス状で逃出したことが明らかであ
る。
せず、残りはガス状で逃出したことが明らかであ
る。
エチレン使用量に対するエチルトリクロルシラ
ンの収率は17%であつた。
ンの収率は17%であつた。
例 3(比較例)
鋼製の次の構造の装置を組立てる:
鋼製蒸留器(内容約10、差込加熱器により蒸
気で加熱可能)から鋼導管が、蒸留器の上方にあ
る1本の管型冷却器(表面積約0.6m2)の下部に
通じる。冷却器の下部から導管が下向きに鋼管
(φ=80mm)に通じていて、この中に白金・活性
炭触媒1000ml(φ=2.3mm長さ=5mm)が存在す
る。白金含量=1%、嵩密度=0.45g/cm3。
気で加熱可能)から鋼導管が、蒸留器の上方にあ
る1本の管型冷却器(表面積約0.6m2)の下部に
通じる。冷却器の下部から導管が下向きに鋼管
(φ=80mm)に通じていて、この中に白金・活性
炭触媒1000ml(φ=2.3mm長さ=5mm)が存在す
る。白金含量=1%、嵩密度=0.45g/cm3。
触媒を含有する管の底からは、サイホンに向つ
て湾曲した管(φ=12mm)が再び蒸留器の蓋に通
じている。蒸留器自体は圧力計及び温度指持器を
備えている。温度測定装置は同様に触媒堆積層の
中央部に存在する。冷却器は冷却媒体としての水
で操作され、該冷却媒体の供給は実験の開始時は
まだ中止されている。
て湾曲した管(φ=12mm)が再び蒸留器の蓋に通
じている。蒸留器自体は圧力計及び温度指持器を
備えている。温度測定装置は同様に触媒堆積層の
中央部に存在する。冷却器は冷却媒体としての水
で操作され、該冷却媒体の供給は実験の開始時は
まだ中止されている。
蒸留器中にトリクロルシラン40モル(5410g)
を装入する。差込加熱器の蛇管に蒸気を供給する
ことにより、装置を10〜12の圧力にもたらす。こ
の圧力での蒸留器温度は約110〜120℃である。蒸
留器の上方にある管型冷却器への水の供給管を慎
重に開くことにより、トリクロルシラン蒸気が凝
縮し、それと共に活性炭触媒層を流下するように
配慮する。1時間に、エチレン20モル(560g)
を装置に導入する。
を装入する。差込加熱器の蛇管に蒸気を供給する
ことにより、装置を10〜12の圧力にもたらす。こ
の圧力での蒸留器温度は約110〜120℃である。蒸
留器の上方にある管型冷却器への水の供給管を慎
重に開くことにより、トリクロルシラン蒸気が凝
縮し、それと共に活性炭触媒層を流下するように
配慮する。1時間に、エチレン20モル(560g)
を装置に導入する。
反応の開始は触媒層中に挿入された測定装置で
の温度上昇により指示される。反応の終了は相応
する温度低下により指示される。触媒層中の温度
を低下させた後、反応生成物を排出する。
の温度上昇により指示される。反応の終了は相応
する温度低下により指示される。触媒層中の温度
を低下させた後、反応生成物を排出する。
ガスクロマトグラフイー試験で、エチルトリク
ロルシラン対ブチルトリクロルシランの面積の比
は92:4であることが判明した。
ロルシラン対ブチルトリクロルシランの面積の比
は92:4であることが判明した。
粗生成物の蒸留による後処理で、エチルトリク
ロルシラン量3008g(18.4モル)が得られ、これ
はエチレン使用量に対し約92%の収率に相当す
る。使用したエチレンの8%は、ブチルトリクロ
ルシランの形成に消費された。
ロルシラン量3008g(18.4モル)が得られ、これ
はエチレン使用量に対し約92%の収率に相当す
る。使用したエチレンの8%は、ブチルトリクロ
ルシランの形成に消費された。
例 4
例3に記載した装置に、トリクロルシラン40モ
ル(5410g)を装入する。該装置を前述のように
して操作する(操作業圧:約10〜12バール、作業
温度110〜120℃)。1/2時間の経過中に、塩化ビニ
ル19.8モル(1237g)を装置に供給する。反応開
始及び反応終了は、触媒層温度の相応する温度上
昇及び再低下により認められる。
ル(5410g)を装入する。該装置を前述のように
して操作する(操作業圧:約10〜12バール、作業
温度110〜120℃)。1/2時間の経過中に、塩化ビニ
ル19.8モル(1237g)を装置に供給する。反応開
始及び反応終了は、触媒層温度の相応する温度上
昇及び再低下により認められる。
触媒層中の温度が完全に低下した後、反応生成
物を排出する。ガスクロマトグラフイー実験で、
粗生成物中に塩化ビニル残分がもはや検出できな
いことが判明した。エチルトリクロルシラン以外
に、他のアルキルシラン副生成物は確認されな
い。
物を排出する。ガスクロマトグラフイー実験で、
粗生成物中に塩化ビニル残分がもはや検出できな
いことが判明した。エチルトリクロルシラン以外
に、他のアルキルシラン副生成物は確認されな
い。
粗生成物の蒸留による後処理でエチルトリクロ
ルシラン3205g(19.6モル)が得られる。収率は
使用した塩化ビニルに対して99%である。
ルシラン3205g(19.6モル)が得られる。収率は
使用した塩化ビニルに対して99%である。
例 5
例3に記載した装置に、メチル水素ジクロルシ
ラン40モル(4600g)を装入する。該装置は例3
に記載したように操作する(作業圧:9〜11バー
ル、作業温度110〜120℃)。
ラン40モル(4600g)を装入する。該装置は例3
に記載したように操作する(作業圧:9〜11バー
ル、作業温度110〜120℃)。
1時間の経過中に、塩化ビニル19.8モル(1237
g)を装置に供給する。
g)を装置に供給する。
反応開始及び反応終了は、同じく触媒層温度の
相応する上昇ないしは再低下により確認される。
相応する上昇ないしは再低下により確認される。
触媒層中の温度が完全に低下した後、反応生成
物を排出する。ガスクロマトグラフイー試験で、
粗生成物中で塩化ビニル残分は検出できないこと
が判明した。エチルメチルジクロルシラン以外
に、他のエチルシラン副生成物は確認されない。
物を排出する。ガスクロマトグラフイー試験で、
粗生成物中で塩化ビニル残分は検出できないこと
が判明した。エチルメチルジクロルシラン以外
に、他のエチルシラン副生成物は確認されない。
粗生成物の蒸留による後処理で、メチルエチル
ジクロルシラン2789g(19.5モル)が得られ、従
つて使用した塩化ビニルに対し98.5%の収禀が得
られる。
ジクロルシラン2789g(19.5モル)が得られ、従
つて使用した塩化ビニルに対し98.5%の収禀が得
られる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 塩化ビニルと一般式: HSiRpX3-p [式中Rは炭素原子数1〜4を有するアルキル基
を表わし、Xはハロゲン原子又は炭素原子数1〜
4を有するアルコキシ基を表わし、pは0〜2の
値をとりうる]により示される水素シランとを、
白金−又はパラジウム触媒の存在下に少なくとも
5バールの圧力で反応させることを特徴とするエ
チルシランの製造法。 2 反応を8〜25バールの間の圧力で実施する、
特許請求の範囲第1項記載の方法。 3 触媒を担体に担持させて沸騰状態に保持され
た反応混合物の上方で該反応混合物と冷却装置の
間に配置し、冷却装置からの反応混合物の凝縮液
が下流するようにする、特許請求の範囲第1項又
は第2項記載の方法。 4 反応混合物を沸騰状態に保持し、該反応混合
物から上昇する蒸気を触媒層を迂回して冷却装置
に導入する、特許請求の範囲第1項から第3項ま
でのいずれか1項記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2815978A DE2815978C2 (de) | 1978-04-13 | 1978-04-13 | Verfahren zur Herstellung von Athylsilanen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54138521A JPS54138521A (en) | 1979-10-27 |
| JPS6256156B2 true JPS6256156B2 (ja) | 1987-11-24 |
Family
ID=6036868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4312079A Granted JPS54138521A (en) | 1978-04-13 | 1979-04-11 | Manufacture of ethylsilane |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4196139A (ja) |
| JP (1) | JPS54138521A (ja) |
| BE (1) | BE875581A (ja) |
| CA (1) | CA1140938A (ja) |
| DD (1) | DD142886A5 (ja) |
| DE (1) | DE2815978C2 (ja) |
| FR (1) | FR2422671B1 (ja) |
| GB (1) | GB2018801B (ja) |
| NL (1) | NL189261C (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4730055A (en) * | 1984-09-04 | 1988-03-08 | General Electric Company | Method for silylating aromatic imides and silylimides made therefrom |
| US4985580A (en) * | 1990-03-12 | 1991-01-15 | Dow Corning Corporation | Alkylation of silanes |
| JP3161354B2 (ja) * | 1997-02-07 | 2001-04-25 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2016099689A1 (en) * | 2014-12-18 | 2016-06-23 | Dow Corning Corporation | Process for production of halosilanes from silicon-containing ternary intermetallic compounds |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE553159A (ja) * | 1955-12-05 | |||
| DE2210189A1 (de) * | 1972-03-03 | 1973-09-06 | Union Carbide Corp | Verfahren zur herstellung von vinylchlorsilanen |
| US4055584A (en) * | 1976-09-10 | 1977-10-25 | Ciba-Geigy Corporation | Process for the production of beta-chloroethyltrichlorosilane |
| DE2815316C2 (de) * | 1978-04-08 | 1980-03-27 | Dynamit Nobel Ag, 5210 Troisdorf | Verfahren zur Herstellung von Alkylsilanen |
-
1978
- 1978-04-13 DE DE2815978A patent/DE2815978C2/de not_active Expired
-
1979
- 1979-04-06 GB GB7912277A patent/GB2018801B/en not_active Expired
- 1979-04-09 US US06/028,427 patent/US4196139A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-04-11 DD DD79212164A patent/DD142886A5/de not_active IP Right Cessation
- 1979-04-11 JP JP4312079A patent/JPS54138521A/ja active Granted
- 1979-04-12 NL NLAANVRAGE7902941,A patent/NL189261C/xx not_active IP Right Cessation
- 1979-04-12 CA CA000325491A patent/CA1140938A/en not_active Expired
- 1979-04-12 FR FR7909380A patent/FR2422671B1/fr not_active Expired
- 1979-04-13 BE BE0/194606A patent/BE875581A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL189261C (nl) | 1993-02-16 |
| NL7902941A (nl) | 1979-10-16 |
| GB2018801B (en) | 1982-10-13 |
| DD142886A5 (de) | 1980-07-16 |
| FR2422671B1 (fr) | 1985-06-28 |
| DE2815978C2 (de) | 1980-05-22 |
| NL189261B (nl) | 1992-09-16 |
| BE875581A (fr) | 1979-07-31 |
| GB2018801A (en) | 1979-10-24 |
| US4196139A (en) | 1980-04-01 |
| DE2815978B1 (de) | 1979-09-13 |
| JPS54138521A (en) | 1979-10-27 |
| FR2422671A1 (fr) | 1979-11-09 |
| CA1140938A (en) | 1983-02-08 |
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