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JPS6256156B2 - - Google Patents
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JPS6256156B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6256156B2
JPS6256156B2 JP54043120A JP4312079A JPS6256156B2 JP S6256156 B2 JPS6256156 B2 JP S6256156B2 JP 54043120 A JP54043120 A JP 54043120A JP 4312079 A JP4312079 A JP 4312079A JP S6256156 B2 JPS6256156 B2 JP S6256156B2
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JP
Japan
Prior art keywords
reaction
catalyst
reaction mixture
ethylene
trichlorosilane
Prior art date
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Expired
Application number
JP54043120A
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English (en)
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JPS54138521A (en
Inventor
Deiitoritsuhi Zairaa Kurausu
Yoahimu Fuaarenjiiku Hansu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dynamit Nobel AG
Original Assignee
Dynamit Nobel AG
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Publication date
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Publication of JPS54138521A publication Critical patent/JPS54138521A/ja
Publication of JPS6256156B2 publication Critical patent/JPS6256156B2/ja
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/08Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/12Organo silicon halides
    • C07F7/121Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20
    • C07F7/122Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20 by reactions involving the formation of Si-C linkages
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/08Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/12Organo silicon halides
    • C07F7/14Preparation thereof from optionally substituted halogenated silanes and hydrocarbons hydrosilylation reactions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、出発物質として水素シラン及び塩化
ビニルを使用するエチルシランの製造法に関す
る。
エチルクロルシランの製造は、これまで種々の
方法で行なわれた。例えばエチルクロルシラン
は、エチレンとトリクロルシランとを、化学量論
的量でもしくは1方又は他方の成分の非化学量論
的量で、加圧下に高めた温度で連続的にもしくは
非連続的に互いに反応させることにより製造する
ことができる。この方法の場合、常に主成分エチ
ルトリクロルシランと共になお程度に差こそあれ
大量の副生成物、例えばブチル−、ヘキシル−及
びオクチルトリクロルシランが生成する。これら
の副生成物の生成は、反応条件下に行なわれるエ
チレンの二量重合及び三量重合に基づく。更に、
この方法の場合、化学量論的過剰量のエチレンを
使用する場合でも、これらの成分の100%の変換
を達成することは困難である。
更に、白金−又はロジウム触媒の存在下にエチ
レンと水素シランとの触媒反応によりエチルシラ
ンを製造することが公知である。付加反応として
公知のこの反応においては、例えばエチルトリク
ロルシランを製造する場合、活性炭上のヘキサク
ロル白金酸又は白金の存在下にエチレンをトリク
ロルシラン又はトリクロルシランと高沸点不活性
成分、例えばヘキサクロルジシロキサンに通す。
この方法の場合でも、上述の加圧重合の場合と同
じ副生成物の問題が生じる。この方法では、エチ
レンが完全に反応せず、未反応のエチレンを循環
させ、再使用に供給するために装置に付加的な費
用を要することも不利である。更に触媒活性が低
下した際にこれを再生することが困難である。
付加反応の際の上述の欠点を回避するために、
エチルトリクロルシランを次のようにして製造す
ることも既に提案されている:受器中でトリクロ
ルシランを沸騰状態に保持し;上昇するSiHCl3
蒸気を白金−活性炭を含有する触媒層を迂回し
て、凝縮器に供給し、ここで該蒸気を凝縮させ
る。得られる凝縮液を、それに対して平行に導入
されるエチレンと一緒に触媒層に通しゲート弁を
経て、沸騰しているトリクロルシラン混合物中へ
返送する。この方法で得られる収率は既に90%台
の下方範囲内にあるが、この方法には依然として
テロメリゼーシヨン生成物(ブチルトリクロルシ
ラン、ヘキシルトリクロルシラン)の蒸留分離の
問題がある。
従つて、高級アルキルシランが生成せず、使用
した出発物質ができるだけ定量的に反応するよう
にしてエチルシランを製造するという課題が生じ
た。
ところで、この課題を満足させるに際し、塩化
ビニルと一般式: HSiRpX3-p [式中Rは炭素原子数1〜4を有するアルキル基
を表わし、Xはハロゲン原子又は炭素原子数1〜
4を有するアルコキシ基を表わし、pは0〜2の
値をとりうる]により示される水素シランとを白
金−又はパラジウム触媒の存在下に少なくとも5
バールの圧力で反応させることを特徴とするエチ
ルシランの製造法を見出した。
有利な実施形は、触媒を反応混合物中に懸濁さ
せないで、反応混合物の上方で、反応混合物と冷
却装置との間にあるように配置することにある。
該冷却装置中で沸騰状態に保持された反応混合物
の蒸気は凝縮し、次いで凝縮液は触媒を通つて再
び沸騰している反応混合物に流入する。この方法
の適当な実施形は、西ドイツ国特許第2012229号
明細書に記載されている。
この方法の特に適当な実施形は、上昇する反応
成分混合物の蒸気は触媒を迂回して冷却装置に入
り、ここで該蒸気は凝縮し、次いで上方から適当
な供給装置、例えば分配底を経て触媒上へ流れ、
更に適当なゲート弁を経て沸騰状態に保持された
反応混合物中へ流入することを要旨とする。
西ドイツ国特許第2012229号明細書には、ここ
に記載された方法においてはオレフイン出発成分
として塩化ビニルも使用できることも記載されて
いる。しかし、ここに記載された方法は、オレフ
イン成分を置換基の分解もしくは離脱なしに水素
シランに付加させる自体公知の付加反応に関する
ものである(西ドイツ国特許第1069148号明細書
参照)。この場合でも、トリクロルシランと塩化
アリルからのγ−クロルプロピルトリクロルシラ
ンの形成と同様に、トリクロルシランと塩化ビニ
ルとの反応で塩化ビニルがトリクロルシランに相
応して付加して1−クロルエチルトリクロルシラ
ンないしは2−クロルエチルトリクロルシランも
しくはその双方が形成することが期待される。両
化合物は安定な化合物として公知であり、他の方
法で製造することができる。それだけに、加圧下
に作業する場合、殊にすぐれた作業法において装
入した塩化ビニルがほとんど全部エチルトリクロ
ルシランに変換することは驚異的である。
本発明によれば超過圧下に作業するので、過圧
は有利に系の温度を適当に高めることにより達成
される。この場合、凝縮位置の温度が所定の圧力
において装置の沸点よりもあまり著しく低くなら
ないように注意すべきである。さもないと所望の
系圧が低下するからである。
反応成分混合物の蒸気が触媒を迂回して冷却帯
に入るすぐれた作業法では、適当な装置的手段に
より蒸気が触媒を通つて上昇するのを阻止すべき
である。当業者にはこのようなガスゲート弁は公
知である。可能な実施形は、例えばサイホンであ
る;しかし受器と触媒との間に配置される他のガ
ス遮断弁も使用できる。
触媒は、殊に反応成分混合物上方に配置されて
いる場合、有利には適当な担体物質上に存在す
る。担体物質としては、例えば活性炭又はAl2O3
が適当である。触媒は金属の形でも化合物(例え
ばH2PtCl6)でも使用できる。例えば西ドイツ国
特許公報第1271712号又は西ドイツ国特許第
1937904号明細書に記載されているこれらの金属
の錯化合物も特別な効力を示す。
一般に、水素シランも塩化ビニルも受器中に装
入し、次に加熱沸騰させる。しかし、まず水素シ
ランを装入し、これを所望の圧力下に沸騰させ、
その際にはじめて塩化ビニルを配置することもで
きる。
圧力は本発明によれば少なくとも5バールであ
るべきである。上限は化学工学的理由から約25バ
ールである;しかし原則的には本発明による反応
をより高い圧力で実施することも可能である。す
ぐれた圧力範囲は8〜25バールの間である。
反応の終了は反応成分混合物が一定の温度で沸
騰すること、更には触媒が凝縮液の流下する際に
もはや発熱しないことで認識できる。
水素シランとしては有利にはトリクロルシラン
が使用される。しかし反応はアルキル水素ハロゲ
ンシラン(上記一般式中p≠0)を用いて実施す
ることもできる。水素シランは、有利には過剰で
存在すべきである。有利には、塩化ビニル1モル
につき水素シラン2〜2.5モルが使用される。
本発明により使用できる水素シランの他の例は
ジクロルシラン、メチル水素ジクロルシラン、ジ
メチル水素クロルシラン、エチル水素ジクロルシ
ラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン
及びジエトキシ水素シランである。
例 1(比較例) 10の鋼製オートクレーブ中にトリクロルシラ
ン20モル(2.7Kg)を装入する。オートクレーブ
の閉鎖後に、エチレン充填鋼製ガスボンベからエ
チレン18モル(504g)を圧入する。
このように充填したオートクレーブを2時間に
325℃に加熱し、約1.5時間この温度に保持し、引
続き冷却する。粗生成物はまずガスクロマトグラ
フイーで調べ、引続き蒸留により後処理する。ほ
ぼ2の面積百分率のエチレンの残量と共にエチレ
ントリクロルシラン対ブチルトリクロルシラン対
ヘキシルトリクロルシランの面積の比85:12:3
が確認される。
粗生成物の蒸留による後処理でエチルトリクロ
ルシラン1875gが得られ、これは使用したエチレ
ンに対して63.7%の収率に相当する。
例 2(比較例) 2の三つ口フラスコを加熱フード中に挿入す
る。外部の1方の口に強力冷却器を装着し、他方
の口に、フラスコの底まで達し、その末端がガス
分配のためのフリツト底に接続するガス供給管を
挿入する。中央の口を栓で閉鎖する。フラスコ中
に、トリクロルシラン10モル(1000g)を塩化白
金酸1.5gと一緒に装入し;強力撹拌機を−38℃
の冷却液ネツトに接続した後、フラスコ内容物を
沸騰させる。エチレンボンベから精密調節弁を経
てエチレンの添加を開始する。37時間後に、エチ
レン約10モル(280g)が白金含有反応液を通し
泡で上昇した。
反応はこの時点で中断し、反応生成物にガスク
ロマトグラフイー試験を行なう。エチレンの残量
は確認することができなかつた;エチレントリク
ロルシラン対ブチルトリクロルシラン対ヘキシル
トリクロルシランの面積の比は85:35:1であつ
た。
粗生成物の蒸留による後処理で、エチルトリク
ロルシラン277g及びおもにブチルトリクロルシ
ランのみからなる。塔底流出液(約126g)が得
られた。
これから、配量したエチレンの約32%しか反応
せず、残りはガス状で逃出したことが明らかであ
る。
エチレン使用量に対するエチルトリクロルシラ
ンの収率は17%であつた。
例 3(比較例) 鋼製の次の構造の装置を組立てる: 鋼製蒸留器(内容約10、差込加熱器により蒸
気で加熱可能)から鋼導管が、蒸留器の上方にあ
る1本の管型冷却器(表面積約0.6m2)の下部に
通じる。冷却器の下部から導管が下向きに鋼管
(φ=80mm)に通じていて、この中に白金・活性
炭触媒1000ml(φ=2.3mm長さ=5mm)が存在す
る。白金含量=1%、嵩密度=0.45g/cm3
触媒を含有する管の底からは、サイホンに向つ
て湾曲した管(φ=12mm)が再び蒸留器の蓋に通
じている。蒸留器自体は圧力計及び温度指持器を
備えている。温度測定装置は同様に触媒堆積層の
中央部に存在する。冷却器は冷却媒体としての水
で操作され、該冷却媒体の供給は実験の開始時は
まだ中止されている。
蒸留器中にトリクロルシラン40モル(5410g)
を装入する。差込加熱器の蛇管に蒸気を供給する
ことにより、装置を10〜12の圧力にもたらす。こ
の圧力での蒸留器温度は約110〜120℃である。蒸
留器の上方にある管型冷却器への水の供給管を慎
重に開くことにより、トリクロルシラン蒸気が凝
縮し、それと共に活性炭触媒層を流下するように
配慮する。1時間に、エチレン20モル(560g)
を装置に導入する。
反応の開始は触媒層中に挿入された測定装置で
の温度上昇により指示される。反応の終了は相応
する温度低下により指示される。触媒層中の温度
を低下させた後、反応生成物を排出する。
ガスクロマトグラフイー試験で、エチルトリク
ロルシラン対ブチルトリクロルシランの面積の比
は92:4であることが判明した。
粗生成物の蒸留による後処理で、エチルトリク
ロルシラン量3008g(18.4モル)が得られ、これ
はエチレン使用量に対し約92%の収率に相当す
る。使用したエチレンの8%は、ブチルトリクロ
ルシランの形成に消費された。
例 4 例3に記載した装置に、トリクロルシラン40モ
ル(5410g)を装入する。該装置を前述のように
して操作する(操作業圧:約10〜12バール、作業
温度110〜120℃)。1/2時間の経過中に、塩化ビニ
ル19.8モル(1237g)を装置に供給する。反応開
始及び反応終了は、触媒層温度の相応する温度上
昇及び再低下により認められる。
触媒層中の温度が完全に低下した後、反応生成
物を排出する。ガスクロマトグラフイー実験で、
粗生成物中に塩化ビニル残分がもはや検出できな
いことが判明した。エチルトリクロルシラン以外
に、他のアルキルシラン副生成物は確認されな
い。
粗生成物の蒸留による後処理でエチルトリクロ
ルシラン3205g(19.6モル)が得られる。収率は
使用した塩化ビニルに対して99%である。
例 5 例3に記載した装置に、メチル水素ジクロルシ
ラン40モル(4600g)を装入する。該装置は例3
に記載したように操作する(作業圧:9〜11バー
ル、作業温度110〜120℃)。
1時間の経過中に、塩化ビニル19.8モル(1237
g)を装置に供給する。
反応開始及び反応終了は、同じく触媒層温度の
相応する上昇ないしは再低下により確認される。
触媒層中の温度が完全に低下した後、反応生成
物を排出する。ガスクロマトグラフイー試験で、
粗生成物中で塩化ビニル残分は検出できないこと
が判明した。エチルメチルジクロルシラン以外
に、他のエチルシラン副生成物は確認されない。
粗生成物の蒸留による後処理で、メチルエチル
ジクロルシラン2789g(19.5モル)が得られ、従
つて使用した塩化ビニルに対し98.5%の収禀が得
られる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 塩化ビニルと一般式: HSiRpX3-p [式中Rは炭素原子数1〜4を有するアルキル基
    を表わし、Xはハロゲン原子又は炭素原子数1〜
    4を有するアルコキシ基を表わし、pは0〜2の
    値をとりうる]により示される水素シランとを、
    白金−又はパラジウム触媒の存在下に少なくとも
    5バールの圧力で反応させることを特徴とするエ
    チルシランの製造法。 2 反応を8〜25バールの間の圧力で実施する、
    特許請求の範囲第1項記載の方法。 3 触媒を担体に担持させて沸騰状態に保持され
    た反応混合物の上方で該反応混合物と冷却装置の
    間に配置し、冷却装置からの反応混合物の凝縮液
    が下流するようにする、特許請求の範囲第1項又
    は第2項記載の方法。 4 反応混合物を沸騰状態に保持し、該反応混合
    物から上昇する蒸気を触媒層を迂回して冷却装置
    に導入する、特許請求の範囲第1項から第3項ま
    でのいずれか1項記載の方法。
JP4312079A 1978-04-13 1979-04-11 Manufacture of ethylsilane Granted JPS54138521A (en)

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JP (1) JPS54138521A (ja)
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CA (1) CA1140938A (ja)
DD (1) DD142886A5 (ja)
DE (1) DE2815978C2 (ja)
FR (1) FR2422671B1 (ja)
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NL189261C (nl) 1993-02-16
NL7902941A (nl) 1979-10-16
GB2018801B (en) 1982-10-13
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FR2422671B1 (fr) 1985-06-28
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NL189261B (nl) 1992-09-16
BE875581A (fr) 1979-07-31
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