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JPS6259394B2 - - Google Patents
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JPS6259394B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6259394B2
JPS6259394B2 JP59102534A JP10253484A JPS6259394B2 JP S6259394 B2 JPS6259394 B2 JP S6259394B2 JP 59102534 A JP59102534 A JP 59102534A JP 10253484 A JP10253484 A JP 10253484A JP S6259394 B2 JPS6259394 B2 JP S6259394B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
major
loop
minor loop
configuration
minor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP59102534A
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Japanese (ja)
Other versions
JPS60688A (en
Inventor
Naoki Kodama
Hitoshi Ikeda
Junshi Asano
Ken Sugita
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS60688A publication Critical patent/JPS60688A/en
Publication of JPS6259394B2 publication Critical patent/JPS6259394B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/14Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、高密度磁気バブル素子に好適なコン
テイギユアス・デイスク方式における磁気バブル
素子構成の改良に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an improvement in the configuration of a magnetic bubble element in a continuous disk type suitable for a high-density magnetic bubble element.

第1図はコンテイギユアス・デイスク方式にお
ける磁気バブルの転送の原理を示したものであ
る。非磁性基板6上に形成された、一軸異方性を
有し、磁気バブル4を保持し得る磁性膜7上に、
ホトレジスト、あるいは金やアルミニウム一銅合
金からなるデイスク状のマスク5を形成して、露
出された部分に水素イオンやヘリウムイオンなど
を打込み、イオン打込み膜1を形成する。そうす
ると、膜1の磁化は膜面内方向を向くようにな
る。この膜1の内面に平行な磁化2を、膜1の面
に平行に印加されている回転磁界3によつてその
方向を変化させる。それに従つて、磁気バブル4
はデイスク5の縁になる部分に沿つて転送される
ことになる。このように、コンテイギユアス・デ
イスク方式では磁気バブル4の転送に連続したデ
イスク5を使用するため、従来のメモリ方式にお
ける転送パターンのようなギヤツプがない。その
ために、転送パターンがつくりやすく、高密度化
をはかれるという特徴がある。
FIG. 1 shows the principle of magnetic bubble transfer in the continuous disk system. On a magnetic film 7 formed on a non-magnetic substrate 6, which has uniaxial anisotropy and can hold magnetic bubbles 4,
A disk-shaped mask 5 made of photoresist, gold or aluminum-copper alloy is formed, and hydrogen ions, helium ions, etc. are implanted into the exposed portions to form the ion-implanted film 1. Then, the magnetization of the film 1 will be oriented in the in-plane direction of the film. The direction of the magnetization 2 parallel to the inner surface of the film 1 is changed by a rotating magnetic field 3 applied parallel to the surface of the film 1. Accordingly, magnetic bubble 4
will be transferred along the edge of the disk 5. In this way, in the continuous disk system, since consecutive disks 5 are used for transferring the magnetic bubbles 4, there is no gap unlike the transfer pattern in the conventional memory system. Therefore, the transfer pattern is easy to create and high density can be achieved.

このようなコンテイギユアス・デイスク方式で
は第2図に示したようにメジヤーラインまたはメ
ジヤーループ8とマイナーループ9との間のバブ
ル転送が必要になる。この転送はメジヤーライン
またはメジヤーループ8とマイナーループ9との
間に設けたコンダクタに電流を流すことによつて
行なう。ところで、磁性膜7の結晶異方性のため
にこの転送特徴はメジヤーラインまたはメジヤー
ループ8とマイナーループ9とのなす角度θに依
存している。このために、マイナーループ9全体
をメジヤーラインまたはメジヤーループ8に対し
θ=60度の角度を持たせて配置した構成が知られ
ている(たとえば文献、Y.S.Lin et,al.IEEE
TRANSACTION ON MAGNETICS.MAG−15
(1979)1642)。第2図に示したメジヤーループ
8、マイナーループ9の各ループを直線で略記し
てメジヤーループ8とマイナーループ9とを示し
た膜式的構成が第3図である。しかし、この構成
では第3図から明らかなようにチツプ上に無効領
域10が増加して高密度化が達成しにくいという
欠点がある。
Such a continuous disk system requires bubble transfer between the major line or major loop 8 and the minor loop 9, as shown in FIG. This transfer is performed by passing current through a conductor provided between the major line or the major loop 8 and the minor loop 9. By the way, due to the crystal anisotropy of the magnetic film 7, this transfer characteristic depends on the angle θ between the major line or major loop 8 and the minor loop 9. For this purpose, a configuration is known in which the entire minor loop 9 is arranged at an angle of θ = 60 degrees with respect to the major line or major loop 8 (for example, see literature, YSLin et al. IEEE
TRANSACTION ON MAGNETICS.MAG−15
(1979) 1642). FIG. 3 shows a membrane structure in which the major loop 8 and the minor loop 9 shown in FIG. 2 are abbreviated with straight lines to show the major loop 8 and the minor loop 9. However, as is clear from FIG. 3, this configuration has the disadvantage that the ineffective area 10 increases on the chip, making it difficult to achieve high density.

従つて、本発明の目的はコンテイギユアス・デ
イスク方式におけるメジヤーループ・マイナール
ープ構成又はメジヤーライン・マイナールーブ構
成の上述した欠点を解消して高密度化が可能な磁
気バブル素子を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a magnetic bubble element capable of achieving high density by eliminating the above-mentioned drawbacks of the major loop/minor loop configuration or the major line/minor loop configuration in the continuous disk system.

上記目的を達成するために本発明においては、
マイナーループをメジヤーラインまたはメジヤー
ループに対して直交配置し、かつ、上記マイナー
ループが上記メジヤーラインまたはメジヤールー
プに近接する部分のみを上記メジヤーラインまた
はメジヤーループに対して傾斜させた配置として
磁気バブル素子を構成したことを特徴としてい
る。
In order to achieve the above object, in the present invention,
The magnetic bubble element is characterized in that the minor loop is arranged perpendicularly to the major line or the major loop, and the minor loop is arranged so that only the portion adjacent to the major line or the major loop is inclined with respect to the major line or major loop. It is said that

かかる本発明の特徴は構成により、従来構成の
無効領域をほとんど無くすことが可能となり、そ
の結果、高密度化が達成される。
The feature of the present invention is that, due to the configuration, it is possible to almost eliminate the ineffective area of the conventional configuration, and as a result, high density is achieved.

つまり、本発明は最も転送特性が求められる部
分、すなわち、メジヤーラインまたはメジヤール
ープに最も近接するマイナーループの一部分のみ
を磁性膜の結晶異方性にあわせて傾斜させ、転送
特性がそれほど要求されない残りの部分をメジヤ
ーラインまたはメジヤーループに対して直交配置
することによつて無効領域を最小限にし、チツプ
当りの実装密度の向上を図つたものである。
In other words, in the present invention, only the part where the transfer characteristic is most required, that is, the part of the major line or the minor loop closest to the major loop, is tilted according to the crystal anisotropy of the magnetic film, and the remaining part where the transfer characteristic is not so required. By arranging them perpendicularly to the major line or major loop, the ineffective area is minimized and the packaging density per chip is improved.

以下、本発明を図面を用いて詳述する。 Hereinafter, the present invention will be explained in detail using the drawings.

第4図は本発明による磁気バブル素子のメジヤ
ーライン・マイナーループ構成またはメジヤール
ープ・マイナーループ構成の部分構成を示したも
のである。同図において、11はメジヤーループ
であり、12はマイナーループである。そして、
マイナーループ12は部分13と部分14との2
つの部分からなつている。すなわち、マイナール
ープ12のメジヤーループ11に近接した部分1
3の1ビツト分をθ=60度の角度を持たせ、マイ
ナーループ12のその他の部分14はメジヤール
ープ11と直角(θ=90度)となるようにした配
置構成である。第5図は、第4図のメジヤールー
プ11とマイナーループ12とを直線で略記して
示したメジヤー・マイナーループ構成である。同
図から明らかなように、第3図に示した従来構成
と比べて無効領域が小さくなり、そのため約30%
の高密度化が達成できることを示している。
FIG. 4 shows a partial configuration of a major line/minor loop configuration or a major loop/minor loop configuration of a magnetic bubble element according to the present invention. In the figure, 11 is a major loop, and 12 is a minor loop. and,
Minor loop 12 consists of parts 13 and 14.
It consists of two parts. That is, the portion 1 of the minor loop 12 close to the major loop 11
The configuration is such that one bit of 3 has an angle of θ=60 degrees, and the other portion 14 of the minor loop 12 is at right angles to the major loop 11 (θ=90 degrees). FIG. 5 shows a major/minor loop configuration in which the major loop 11 and minor loop 12 of FIG. 4 are abbreviated with straight lines. As is clear from the figure, the ineffective area is smaller compared to the conventional configuration shown in Figure 3, and therefore approximately 30%
This shows that high density can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はコンテイギユアス・デイスク方式にお
ける磁気バブルの転送原理を説明するための断面
図、第2図は従来のコンテイギユアス・デイスク
方式におけるメジヤー・マイナーループ構成図、
第3図は第2図に示したメジヤー・マイナールー
プを略記して示した全体構成図、第4図は本発明
によるコンテイギユアス・デイスク方式における
メジヤー・マイナーループ構成図、第5図は第4
図にて示したメジヤー・マイナーループを略記し
て示した全体構成図である。 1…イオン打込み膜、2…磁化、3…回転磁
界、4…磁気バブル、5…デイスク、6…非磁性
基板、7…磁性膜、8,11…メジヤーラインま
たはメジヤーループ、9,12…マイナールー
プ。
Figure 1 is a cross-sectional view to explain the principle of magnetic bubble transfer in the contiguous disk system, and Figure 2 is a major/minor loop configuration diagram in the conventional contiguous disk system.
FIG. 3 is an overall configuration diagram abbreviated the major/minor loop shown in FIG. 2, FIG. 4 is a configuration diagram of the major/minor loop in the continuous disk system according to the present invention, and FIG.
FIG. 2 is an overall configuration diagram in which the major/minor loop shown in the figure is abbreviated. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Ion implantation film, 2... Magnetization, 3... Rotating magnetic field, 4... Magnetic bubble, 5... Disk, 6... Non-magnetic substrate, 7... Magnetic film, 8, 11... Major line or major loop, 9, 12... Minor loop.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 コンテイギユアス・デイスク方式におけるメ
ジヤーループ・マイナーループ構成またはメジヤ
ーライン・マイナーループ構成において、マイナ
ーループを前記メジヤーラインまたはメジヤール
ープに対して直交配置し、かつ、上記マイナール
ープが上記メジヤーラインまたはメジヤーループ
に近接する部分のみを上記メジヤーラインまたは
メジヤーループに対して傾斜させて配置構成した
ことを特徴とする磁気バブル素子。
1. In the major loop/minor loop configuration or the major line/minor loop configuration in the continuous disc system, the minor loop is arranged perpendicular to the major line or major loop, and only the portion where the minor loop is close to the major line or major loop is A magnetic bubble element characterized in that it is arranged at an angle with respect to a major line or a major loop.
JP59102534A 1984-05-23 1984-05-23 magnetic bubble element Granted JPS60688A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59102534A JPS60688A (en) 1984-05-23 1984-05-23 magnetic bubble element

Applications Claiming Priority (1)

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JP59102534A JPS60688A (en) 1984-05-23 1984-05-23 magnetic bubble element

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60688A JPS60688A (en) 1985-01-05
JPS6259394B2 true JPS6259394B2 (en) 1987-12-10

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ID=14329951

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59102534A Granted JPS60688A (en) 1984-05-23 1984-05-23 magnetic bubble element

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JP (1) JPS60688A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0722198U (en) * 1993-09-27 1995-04-21 株式会社スイケンテクノロジー Anticorrosion ring for pipes

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0722198U (en) * 1993-09-27 1995-04-21 株式会社スイケンテクノロジー Anticorrosion ring for pipes

Also Published As

Publication number Publication date
JPS60688A (en) 1985-01-05

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