JPS6259487B2 - - Google Patents
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- JPS6259487B2 JPS6259487B2 JP57128701A JP12870182A JPS6259487B2 JP S6259487 B2 JPS6259487 B2 JP S6259487B2 JP 57128701 A JP57128701 A JP 57128701A JP 12870182 A JP12870182 A JP 12870182A JP S6259487 B2 JPS6259487 B2 JP S6259487B2
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は演算増幅器の入力部もしくは後段増
幅器として使用されるベース電流補正回路に関す
るものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a base current correction circuit used as an input section of an operational amplifier or a post-stage amplifier.
周知のように、演算増幅器においては、入力イ
ンピーダンスが有限値であり、このため入力バイ
アス電流を可及的に小さくさせることが要求され
る。 As is well known, the input impedance of an operational amplifier is a finite value, and therefore the input bias current is required to be as small as possible.
第1図は入力バイアス電流を小さくさせるため
のベース電流補正回路を組み込んだ従来の演算増
幅器の構成を示すものである。 FIG. 1 shows the configuration of a conventional operational amplifier incorporating a base current correction circuit for reducing the input bias current.
同図において、1,2は互にエミツタ同志を接
続した第1および第2のNPNトランジスタ、3
は1対の入力端子T1,T2の一方T1にベースが接
続された第3のNPNトランジスタで、エミツタ
が上記第1のトランジスタ1のベースに接続され
ている。4は他方の入力端子T2にベースが接続
された第4のNPNトランジスタであり、そのエ
ミツタが上記第2のトランジスタ2のベースに接
続されている。5,6は互にベース同志が接続さ
れて、ミラー回路を構成する1対のPNPトランジ
スタで、一方のトランジスタ5はそのベース・コ
レクタ間が短絡されてダイオードとして構成され
ている。 In the figure, 1 and 2 are first and second NPN transistors whose emitters are connected to each other, and 3
is a third NPN transistor whose base is connected to one of the pair of input terminals T 1 and T 2 , and whose emitter is connected to the base of the first transistor 1 . 4 is a fourth NPN transistor whose base is connected to the other input terminal T2 , and whose emitter is connected to the base of the second transistor 2. Reference numerals 5 and 6 are a pair of PNP transistors whose bases are connected to each other to form a mirror circuit, and one transistor 5 is configured as a diode with its base and collector short-circuited.
8は上記第1のトランジスタ1のエミツタに接
続された定電流源である。9はNPN出力トラン
ジスタ、10は出力トランジスタ9のエミツタに
接続された抵抗体で、この抵抗体10と上記トラ
ンジスタ9との直列回路は電源11の両端に並列
に接続されており、抵抗体10とトランジスタ9
との接続点を出力端子T0に接続してある。 Reference numeral 8 denotes a constant current source connected to the emitter of the first transistor 1. 9 is an NPN output transistor; 10 is a resistor connected to the emitter of the output transistor 9; a series circuit of this resistor 10 and the transistor 9 is connected in parallel to both ends of a power supply 11; transistor 9
The connection point with is connected to the output terminal T 0 .
この回路において、トランジスタ3,4のエミ
ツタ電流は各トランジスタ1,2の1/hFEとな
り、入力端子T1,T2の入力バイアス電流はそれ
ぞれトランジスタ3,4の各エミツタ電流の1/
hFEと小さくなる。しかし、この従来のものはト
ランジスタ3,4の各エミツタ電流が小さくなる
ため、全体の周波数特性を悪くさせる欠点があ
る。 In this circuit, the emitter currents of transistors 3 and 4 are 1/h FE of each transistor 1 and 2, and the input bias currents of input terminals T 1 and T 2 are 1/h FE of each emitter current of transistors 3 and 4, respectively.
h FE becomes smaller. However, this conventional device has the disadvantage that the emitter currents of the transistors 3 and 4 are small, which deteriorates the overall frequency characteristics.
この発明は上記従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、エミツタを定電流源に接続
した多分割コレクタ形のラテラルPNPトランジス
タの各コレクタを第1および第2のNPNトラン
ジスタの各ベースにそれぞれ接続することによ
り、周波数特性の悪化を招くことなく、入力バイ
アス電流を抑制できるベース電流補正回路を提供
することを目的としている。 This invention was made in order to eliminate the drawbacks of the above-mentioned conventional ones, and it connects each collector of a multi-divided collector type lateral PNP transistor whose emitter is connected to a constant current source to each base of the first and second NPN transistors. It is an object of the present invention to provide a base current correction circuit that can suppress input bias current without causing deterioration of frequency characteristics by connecting them to each other.
以下、この発明の一実施例を図面にしたがつて
説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第2図はこの発明に係るベース電流補正回路の
一例を示すものである。 FIG. 2 shows an example of a base current correction circuit according to the present invention.
同図において、21はベースが入力端子T1に
接続された第1のNPNトランジスタ、22は第
1のNPNトランジスタ21のコレクタ電流Iと
等しい電流Iを発生する定電流源、23は上記定
電流源22にコレクタが接続された第2のNPN
トランジスタである。24は多分割コレクタ形の
ラテラルPNPトランジスタであり、エミツタが上
記定電流源22と第2のNPNトランジスタ23
のコレクタとの接続点に接続されている。上記
PNPトランジスタ24の第1のコレクタ24aが
第1のNPNトランジスタ21のベースに、第2
のコレクタ24bが第2のNPNトランジスタ2
3のベースにそれぞれ接続されている。また、ベ
ースは、図示していない回路により能動領域とな
る電位にバイアスされている。 In the figure, 21 is a first NPN transistor whose base is connected to the input terminal T1 , 22 is a constant current source that generates a current I equal to the collector current I of the first NPN transistor 21, and 23 is the constant current a second NPN with a collector connected to source 22;
It is a transistor. 24 is a multi-divided collector type lateral PNP transistor, the emitter of which is connected to the constant current source 22 and the second NPN transistor 23.
is connected to the connection point with the collector. the above
The first collector 24a of the PNP transistor 24 is connected to the base of the first NPN transistor 21, and the second
The collector 24b of the second NPN transistor 2
Each is connected to the base of 3. Further, the base is biased to a potential that becomes an active region by a circuit not shown.
上記構成において、第1および第2のNPNト
ランジスタ21,23が集積回路構造で作られて
いる場合、それぞれのエミツタ接地電流増幅率h
FEの揃いは非常に良い。このため、両トランジス
タ21,23の電流増幅率hFEが一致していると
して説明を行なう。 In the above configuration, if the first and second NPN transistors 21 and 23 are made of an integrated circuit structure, each emitter ground current amplification factor h
The alignment of FE is very good. Therefore, the explanation will be given assuming that the current amplification factors h FE of both transistors 21 and 23 are the same.
上記第1のNPNトランジスタ21のコレクタ
電流をIとすれば、そのベース電流はI/hFEで
ある。上記第1のNPNトランジスタ21のコレ
クタ電流と同じ電流値に設定されている定電流源
22の電流Iは、第1および第2のNPNトラン
ジスタ21,23の各電流増幅率hFEが十分大き
ければ、ほぼ、第2のNPNトランジスタ23の
コレクタ電流となる。したがつて、第2のNPN
トランジスタ23のベース電流は、I/hFEとな
り、これは多分割コレクタ形のラテラルPNPトラ
ンジスタ24の1つのコレクタ24bのコレクタ
電流となる。上記ラテラルPNPトランジスタ24
の各コレクタ24a,24bの大きさが等しいな
らば、第1のNPNトランジスタ21のベースに
接続されている上記ラテラルPNPトランジスタ2
4のコレクタ24aを流れるコレクタ電流もI/
hFEとなり、上記第1のNPNトランジスタ21
のベース電流と等しくなるため、入力端子T1に
電流は流れないことになる。 If the collector current of the first NPN transistor 21 is I, its base current is I/h FE . The current I of the constant current source 22, which is set to the same current value as the collector current of the first NPN transistor 21, is , almost becomes the collector current of the second NPN transistor 23. Therefore, the second NPN
The base current of the transistor 23 becomes I/h FE , which becomes the collector current of one collector 24b of the multi-divided collector type lateral PNP transistor 24. Above lateral PNP transistor 24
If the size of each collector 24a, 24b is equal, the lateral PNP transistor 2 connected to the base of the first NPN transistor 21
The collector current flowing through the collector 24a of No. 4 is also I/
h FE , and the first NPN transistor 21
Therefore, no current flows to the input terminal T1 .
第3図は第2図の回路を入力部に使用した演算
増幅器を示すものである。 FIG. 3 shows an operational amplifier using the circuit shown in FIG. 2 as an input section.
同図において、25は第1のNPNトランジス
タ21のエミツタにコレクタが接続された第3の
NPNトランジスタ、26はラテラルPNPトラン
ジスタ24を能動域に保つベース電位を与えるた
めの第4のトランジスタ、27は第1のNPNト
ランジスタ21にエミツタが接続された第5の
NPNトランジスタで、そのベースが入力端子T2
に接続されるとともに、ラテラルPNPトランジス
タ24の第1のコレクタ24a1に接続されてい
る。上記ラテラルPNPトランジスタ24における
第1のコレクタ電流24a1,24a2と、第2のコ
レクタ24bとの面積比は1:3に設定されてい
る。また第2のNPNトランジスタ23と第3の
NPNトランジスタ25の各エミツタ面積比は
1:2に設定されている。 In the figure, 25 is a third NPN transistor whose collector is connected to the emitter of the first NPN transistor 21.
NPN transistor 26 is a fourth transistor for providing a base potential to keep the lateral PNP transistor 24 in the active region; 27 is a fifth transistor whose emitter is connected to the first NPN transistor 21;
NPN transistor whose base is the input terminal T 2
It is connected to the first collector 24 a1 of the lateral PNP transistor 24. The area ratio between the first collector currents 24 a1 and 24 a2 and the second collector 24b in the lateral PNP transistor 24 is set to 1:3. Also, the second NPN transistor 23 and the third
The area ratio of each emitter of the NPN transistor 25 is set to 1:2.
28,29はミラー回路を構成するPNPトラン
ジスタ、30はNPN出力トランジスタ、31は
抵抗体、32は電源である。 28 and 29 are PNP transistors forming a mirror circuit, 30 is an NPN output transistor, 31 is a resistor, and 32 is a power supply.
上記構成の演算増幅器では、トランジスタ2
3,25のエミツタ面積比が1:2であるため、
トランジスタ23のコレクタ電流Iに対し、トラ
ンジスタ25のコレクタ電流は2Iであり、トラン
ジスタ23のベース電流とトランジスタ25のベ
ース電流の和は3I/hFEとなつている。一方、ラ
テラルPNPトランジスタ24の第1のコレクタ2
4a1,24a2と第2のコレクタ24bの面積比が
1:3であるため、トランジスタ21,27の各
ベースに接続されているコレクタ24a1,24a2
に流れる電流はI/hFEである。 In the operational amplifier with the above configuration, transistor 2
Since the emitter area ratio of 3 and 25 is 1:2,
With respect to the collector current I of the transistor 23, the collector current of the transistor 25 is 2I, and the sum of the base current of the transistor 23 and the base current of the transistor 25 is 3I/h FE . On the other hand, the first collector 2 of the lateral PNP transistor 24
Since the area ratio of 4 a1 , 24 a2 and the second collector 24 b is 1:3, the collectors 24 a1 , 24 a2 connected to the respective bases of the transistors 21 and 27
The current flowing through is I/h FE .
演算増幅器の通常の動作条件では、入力端子
T1とT2が同電位に設定されるため、上記トラン
ジスタ21,27の各エミツタ電流は等しくIと
なるため、そのベース電流はI/hFEとなり、ラ
テラルPNPトランジスタ24のコレクタ電流と等
しくなるため、入力端子T1,T2には入力電流が
流れない。 Under normal operating conditions of an operational amplifier, the input terminals
Since T 1 and T 2 are set to the same potential, the emitter currents of the transistors 21 and 27 are equal to I, so their base current is I/h FE , which is equal to the collector current of the lateral PNP transistor 24. Therefore, no input current flows through the input terminals T 1 and T 2 .
第4図は、PチヤンネルMOS形トランジスタ
入力の演算増幅器の後段増幅器にこの発明を適用
した応用例である。 FIG. 4 shows an example in which the present invention is applied to a downstream amplifier of a P-channel MOS type transistor input operational amplifier.
同図において、41は第1のNPNトランジス
タ、42は定電流源、43は第2のPNPトランジ
スタ、44は多分割コレクタ形のラテラルPNPト
ランジスタであり、このトランジスタ44のエミ
ツタが上記定電流源42に接続され、第1のコレ
クタ44aが第1のNPNトランジスタ41のベ
ースに、第2のコレクタ44bが第2のNPNト
ランジスタ43のベースにそれぞれ接続されてい
る。 In the figure, 41 is a first NPN transistor, 42 is a constant current source, 43 is a second PNP transistor, and 44 is a multi-divided collector type lateral PNP transistor. The first collector 44a is connected to the base of the first NPN transistor 41, and the second collector 44b is connected to the base of the second NPN transistor 43.
45はゲートが一方の入力端子T1に接続され
たMOS形NPNトランジスタ、46はゲートが他
方の入力端子T2に接続されたMOS形トランジス
タ、47は上記MOS形トランジスタ45,46
の定電流源である。48,49はミラー回路を構
成するNPNトランジスタ、50はラテラルPNP
トランジスタ44のベースに接続され、ベース電
位を能動域にバイアスするダイオード、51は第
1のNPNトランジスタ41のコレクタが接続さ
れた定電流源で、両者51,41の接続点を出力
端子T0に接続してある。52は電源である。 45 is a MOS type NPN transistor whose gate is connected to one input terminal T1 , 46 is a MOS type transistor whose gate is connected to the other input terminal T2 , and 47 is the MOS type transistor 45, 46.
It is a constant current source. 48, 49 are NPN transistors forming a mirror circuit, 50 is a lateral PNP
A diode is connected to the base of the transistor 44 and biases the base potential to the active region. 51 is a constant current source connected to the collector of the first NPN transistor 41, and the connection point between both 51 and 41 is connected to the output terminal T0. It's connected. 52 is a power source.
この回路において、初段のバイアス電流I1は、
MOS形トランジスタ45,46のゲート・ソー
ス間電圧を比較的小さい値にして使用しようとす
れば、出力電流I2ほど多く流すことはできない。 In this circuit, the first stage bias current I 1 is
If the MOS transistors 45 and 46 are to be used with a relatively small voltage between their gates and sources, it is not possible to flow as much as the output current I 2 .
この回路では、NPNトランジスタ48,49
のベース電流も補正するために、第2のNPNト
ランジスタ43に流す電流Iは、I=I2−I1に設
定するのが最も適している。 In this circuit, NPN transistors 48, 49
In order to also correct the base current of , it is most suitable to set the current I flowing through the second NPN transistor 43 to I=I 2 −I 1 .
以上のように、この発明は多分割コレクタ形の
ラテラルPNPトランジスタの上記コレクタによつ
て第1および第2のNPNトランジスタに電流を
流すようにしたから、周波数特性の良い状態で入
力バイアス電流を小さくし得るベース電流補正回
路を提供することができる。 As described above, this invention allows current to flow through the first and second NPN transistors through the collector of the multi-divided collector type lateral PNP transistor, thereby reducing the input bias current while maintaining good frequency characteristics. A base current correction circuit that can be used can be provided.
第1図は従来のベース電流補正回路を組み込ん
だ演算増幅器を示す電気回路図、第2図はこの発
明に係るベース電流補正回路の一例を示す電気回
路図、第3図および第4図はそれぞれこの発明の
具体的な異なる応用例を示す電気回路図である。
21,41……第1のNPNトランジスタ、2
2,42……定電流源、23,43……第2の
NPNトランジスタ、24,44……多分割コレ
クタ形ラテラルPNPトランジスタ、24a,24
a1,24a2,44a……第1のコレクタ、24
b,44b……第2のコレクタ。なお、図中同一
符号は同一もしくは相当部分を示す。
FIG. 1 is an electric circuit diagram showing an operational amplifier incorporating a conventional base current correction circuit, FIG. 2 is an electric circuit diagram showing an example of the base current correction circuit according to the present invention, and FIGS. 3 and 4 are respectively FIG. 3 is an electrical circuit diagram showing a specific different application example of the present invention. 21, 41...first NPN transistor, 2
2, 42... constant current source, 23, 43... second
NPN transistor, 24, 44...Multi-divided collector type lateral PNP transistor, 24a, 24
a1 , 24 a2 , 44a...first collector, 24
b, 44b... second collector. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or corresponding parts.
Claims (1)
トランジスタと、この第1のNPNトランジスタ
のコレクタ電流とほぼ等しい電流を発生する定電
流電源がコレクタに接続されている第2のNPN
トランジスタと、エミツタが上記第2のNPNト
ランジスタのコレクタに、また第1のコレクタが
上記第1のNPNトランジスタのベースに、さら
に第2のコレクタが上記第2のNPNトランジス
タのベースにそれぞれ接続されベースが能動域と
なる電位にバイアスされている多分割コレクタ形
のラテラルPNPトランジスタとを備えてなるベー
ス電流補正回路。1 The first NPN to which the input signal is applied to the base
a second NPN whose collector is connected to a constant current power supply that generates a current approximately equal to the collector current of the first NPN transistor;
The transistor has an emitter connected to the collector of the second NPN transistor, a first collector connected to the base of the first NPN transistor, and a second collector connected to the base of the second NPN transistor. A base current correction circuit comprising a multi-divided collector type lateral PNP transistor biased to a potential in the active range.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57128701A JPS5917712A (en) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | Base current correcting circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57128701A JPS5917712A (en) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | Base current correcting circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5917712A JPS5917712A (en) | 1984-01-30 |
| JPS6259487B2 true JPS6259487B2 (en) | 1987-12-11 |
Family
ID=14991283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57128701A Granted JPS5917712A (en) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | Base current correcting circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917712A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5471174A (en) * | 1994-12-05 | 1995-11-28 | Motorola, Inc. | Amplifier having an output stage with bias current cancellation |
| US6965267B2 (en) * | 2004-02-27 | 2005-11-15 | Analog Devices, Inc. | Bipolar differential input stage with input bias current cancellation circuit |
-
1982
- 1982-07-21 JP JP57128701A patent/JPS5917712A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5917712A (en) | 1984-01-30 |
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