JPS625995B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS625995B2 JPS625995B2 JP56113621A JP11362181A JPS625995B2 JP S625995 B2 JPS625995 B2 JP S625995B2 JP 56113621 A JP56113621 A JP 56113621A JP 11362181 A JP11362181 A JP 11362181A JP S625995 B2 JPS625995 B2 JP S625995B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- reaction
- induction heating
- heating coil
- substrate wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、気相成長装置の改良に関するもので
ある。
ある。
従来の気相成長装置は、反応ベルジヤー内で回
転するサセプタ上に基板ウエーハを載置し、前記
反応ベルジヤー内に反応ガスを供給し、該反応ベ
ルジヤー内に設けた加熱ヒータで基板ウエーハを
加熱しつつ該基板ウエーハを気相成長させてい
た。
転するサセプタ上に基板ウエーハを載置し、前記
反応ベルジヤー内に反応ガスを供給し、該反応ベ
ルジヤー内に設けた加熱ヒータで基板ウエーハを
加熱しつつ該基板ウエーハを気相成長させてい
た。
しかしながら、このような構成では加熱ヒータ
からの不純物が基板ウエーハに付着し、良好な半
導体を得ることができない欠点があつた。
からの不純物が基板ウエーハに付着し、良好な半
導体を得ることができない欠点があつた。
これを改善するためには、加熱ヒータを隔離手
段で反応ベルジヤー内の雰囲気から隔離すれば良
いが、このようにすると、隔離手段の介在により
加熱ヒータの加熱効率が低下してしまう欠点があ
る。
段で反応ベルジヤー内の雰囲気から隔離すれば良
いが、このようにすると、隔離手段の介在により
加熱ヒータの加熱効率が低下してしまう欠点があ
る。
そこで、隔離手段を介して加熱しても加熱効率
が低下しないヒータとして、誘導加熱コイルを用
いた気相成長装置が提案されている。この成長装
置は、第１図に示すように、反応ベルジヤー１内
のサセプタ２上に基板ウエーハ３を載置し、この
サセプタ２を回転軸４に支持させて回転させつ
つ、石英等の隔離手段１１で反応ベルジヤー１内
雰囲気から隔離して該サセプタ２の下に配置した
誘導加熱コイル５に高周波発振器６より高周波電
流を流し、サセプタ２を誘導加熱することにより
その熱を基板ウエーハ３に伝えて基板ウエーハ３
を加熱し、且つ回転軸４内のガス通路７より反応
ベルジヤー１内に反応ガス（例えば、H2とSiCl4
の混合ガス）を送り込んで基板ウエーハ３の表面
に気相成長を生じさせている。
が低下しないヒータとして、誘導加熱コイルを用
いた気相成長装置が提案されている。この成長装
置は、第１図に示すように、反応ベルジヤー１内
のサセプタ２上に基板ウエーハ３を載置し、この
サセプタ２を回転軸４に支持させて回転させつ
つ、石英等の隔離手段１１で反応ベルジヤー１内
雰囲気から隔離して該サセプタ２の下に配置した
誘導加熱コイル５に高周波発振器６より高周波電
流を流し、サセプタ２を誘導加熱することにより
その熱を基板ウエーハ３に伝えて基板ウエーハ３
を加熱し、且つ回転軸４内のガス通路７より反応
ベルジヤー１内に反応ガス（例えば、H2とSiCl4
の混合ガス）を送り込んで基板ウエーハ３の表面
に気相成長を生じさせている。
このように誘導加熱コイル５を用いると、隔離
手段１１を用いても誘導加熱ゆえサセプタ２を効
率よく加熱できる。また、隔離手段１１の存在に
より、誘導加熱コイル５からの不純物が反応ベル
ジヤー１内に出なくなり、基板ウエーハ３に不純
物が付着しなくなり、良好な半導体を得ることが
できる。
手段１１を用いても誘導加熱ゆえサセプタ２を効
率よく加熱できる。また、隔離手段１１の存在に
より、誘導加熱コイル５からの不純物が反応ベル
ジヤー１内に出なくなり、基板ウエーハ３に不純
物が付着しなくなり、良好な半導体を得ることが
できる。
しかしながら、このような従来の誘導加熱コイ
ルを用いた気相成長装置では、サセプタ２と基板
ウエーハ３の温度差が出て、基板ウエーハ３上に
スリツプバンド等の結晶欠陥が発生する原因にな
つていた。また高周波発振器６の周波数を下げて
行くと、例えば周波数が30KHzになると、サセ
プタ２が誘導加熱コイル５に流れる高周波電流の
力により浮上する欠点があつた。
ルを用いた気相成長装置では、サセプタ２と基板
ウエーハ３の温度差が出て、基板ウエーハ３上に
スリツプバンド等の結晶欠陥が発生する原因にな
つていた。また高周波発振器６の周波数を下げて
行くと、例えば周波数が30KHzになると、サセ
プタ２が誘導加熱コイル５に流れる高周波電流の
力により浮上する欠点があつた。
本発明の目的は、誘導加熱コイルを用いている
にも拘らずスリツプバンド等の結晶欠陥の発生を
防止でき、且つサセプタの浮上を抑制できる気相
成長装置を提供するにある。
にも拘らずスリツプバンド等の結晶欠陥の発生を
防止でき、且つサセプタの浮上を抑制できる気相
成長装置を提供するにある。
本発明の気相成長装置は、反応ベルジヤー内の
雰囲気から隔離手段で隔離した構造の誘導加熱コ
イルを、サセプタの上方に配設し、基板ウエーハ
側よりサセプタを誘導加熱することにより、基板
ウエーハにこの基板ウエーハをサセプタの側に押
しつける電磁力を作用させるようにしたものであ
る。
雰囲気から隔離手段で隔離した構造の誘導加熱コ
イルを、サセプタの上方に配設し、基板ウエーハ
側よりサセプタを誘導加熱することにより、基板
ウエーハにこの基板ウエーハをサセプタの側に押
しつける電磁力を作用させるようにしたものであ
る。
以下本発明の実施例を図面を参照して詳細に説
明する。第２図は本発明の第１実施例を示したも
のである。本実施例の気相成長装置においては、
反応ベルジヤー１内にサセプタ２が水平に配設さ
れ、このサセプタ２上に基板ウエーハ３が載置さ
れて加熱を受けるようになつている。サセプタ２
は反応ベルジヤー１の底板１Ａを貫通する回転軸
４に支持されている。反応ベルジヤー１の上部に
は反応ガス供給管８が貫通して取付けられ、その
先端の供給ヘツド８Ａから反応ベルジヤー１内に
反応ガスの供給が行われるようになつている。反
応ベルジヤー１の底板１Ａには反応ガス排出口９
が設けれている。基板ウエーハ３の上面に対向し
て反応ベルジヤー１の外部上方に誘導加熱コイル
５が配設されて支持体１０に支持されている。こ
の場合、反応ベルジヤー１が、該反応ベルジヤー
１内の雰囲気から誘導加熱コイル５を隔離する隔
離手段１１を兼ねている。支持体１０は本実施例
では反応ベルジヤー１の底板１Ａに取付けられて
いる。誘導加熱コイル５には高周波発振器６が接
続されている。
明する。第２図は本発明の第１実施例を示したも
のである。本実施例の気相成長装置においては、
反応ベルジヤー１内にサセプタ２が水平に配設さ
れ、このサセプタ２上に基板ウエーハ３が載置さ
れて加熱を受けるようになつている。サセプタ２
は反応ベルジヤー１の底板１Ａを貫通する回転軸
４に支持されている。反応ベルジヤー１の上部に
は反応ガス供給管８が貫通して取付けられ、その
先端の供給ヘツド８Ａから反応ベルジヤー１内に
反応ガスの供給が行われるようになつている。反
応ベルジヤー１の底板１Ａには反応ガス排出口９
が設けれている。基板ウエーハ３の上面に対向し
て反応ベルジヤー１の外部上方に誘導加熱コイル
５が配設されて支持体１０に支持されている。こ
の場合、反応ベルジヤー１が、該反応ベルジヤー
１内の雰囲気から誘導加熱コイル５を隔離する隔
離手段１１を兼ねている。支持体１０は本実施例
では反応ベルジヤー１の底板１Ａに取付けられて
いる。誘導加熱コイル５には高周波発振器６が接
続されている。
このような気相成長装置においては、誘導加熱
コイル５に高周波電流を流すと、基板ウエーハ３
をサセプタ２の方向に押し付ける電磁力が働き、
基板ウエーハ３とサセプタ２との密着性が良くな
る。かかる状態で、サセプタ２が誘導加熱されて
温度上昇すると、その上の各基板ウエーハ３は熱
伝導により均一に温度上昇し、スリツプバンド等
の結晶欠陥のない気相成長ができる。また、サセ
プタ２の上方に誘導加熱コイル５が存在するの
で、サセプタ２に対して下向きの電磁力が作用
し、サセプタ２は浮上することはない。
コイル５に高周波電流を流すと、基板ウエーハ３
をサセプタ２の方向に押し付ける電磁力が働き、
基板ウエーハ３とサセプタ２との密着性が良くな
る。かかる状態で、サセプタ２が誘導加熱されて
温度上昇すると、その上の各基板ウエーハ３は熱
伝導により均一に温度上昇し、スリツプバンド等
の結晶欠陥のない気相成長ができる。また、サセ
プタ２の上方に誘導加熱コイル５が存在するの
で、サセプタ２に対して下向きの電磁力が作用
し、サセプタ２は浮上することはない。
第３図は本発明の第２実施例を示したものであ
る。本実施例の気相成長装置においては、誘導加
熱コイル５をサセプタ２の上方に配設した点は第
１実施例と同様であるが、本実施例ではこの誘導
加熱コイル５を反応ベルジヤー１の中に入れた点
で相違している。この場合には、石英等よりなる
隔離手段１１も反応ベルジヤー１内に設置されて
いる。このようにすると、誘導加熱コイル５から
の不純物が反応ベルジヤー１内の雰囲気中に出る
のを防止できると共に、誘導加熱コイル５が反応
ガスで腐蝕されるのも防止できる。
る。本実施例の気相成長装置においては、誘導加
熱コイル５をサセプタ２の上方に配設した点は第
１実施例と同様であるが、本実施例ではこの誘導
加熱コイル５を反応ベルジヤー１の中に入れた点
で相違している。この場合には、石英等よりなる
隔離手段１１も反応ベルジヤー１内に設置されて
いる。このようにすると、誘導加熱コイル５から
の不純物が反応ベルジヤー１内の雰囲気中に出る
のを防止できると共に、誘導加熱コイル５が反応
ガスで腐蝕されるのも防止できる。
このようにしても第１実施例と同様の効果を得
ることができる。
ることができる。
以上説明したように本発明の気相成長装置にお
いては、隔離手段で反応ベルジヤー内雰囲気から
隔離した誘導加熱コイルをサセプタの上方に配設
し、サセプタ上面の基板ウエーハに気相成長を行
わせるようにしたので、基板ウエーハをサセプタ
に押しつける電磁力が働き、基板ウエーハとサセ
プタとの密着性が良くなり、誘導加熱されたサセ
プタにより均一に各基板ウエーハが加熱され、ス
リツプバンド等の結晶欠陥のない気相成長を行わ
せることができる。従つて、本発明によれば誘導
加熱による気相成長装置でも歩留及び生産性を向
上させることができる。また、本発明によれば、
サセプタには誘導加熱コイルにより下向きの電磁
力が作用し、サセプタの浮上を防止することがで
きる。更に本発明では、誘導加熱コイルを反応ベ
ルジヤー内の雰囲気から隔離手段で隔離している
ので、誘導加熱コイルからの不純物が反応ベルジ
ヤー内の雰囲気中に出るのを防止して良好な半導
体を得ることができると共に誘導加熱コイルが反
応ベルジヤー内の反応ガスにより腐蝕されるのも
防止することができる。
いては、隔離手段で反応ベルジヤー内雰囲気から
隔離した誘導加熱コイルをサセプタの上方に配設
し、サセプタ上面の基板ウエーハに気相成長を行
わせるようにしたので、基板ウエーハをサセプタ
に押しつける電磁力が働き、基板ウエーハとサセ
プタとの密着性が良くなり、誘導加熱されたサセ
プタにより均一に各基板ウエーハが加熱され、ス
リツプバンド等の結晶欠陥のない気相成長を行わ
せることができる。従つて、本発明によれば誘導
加熱による気相成長装置でも歩留及び生産性を向
上させることができる。また、本発明によれば、
サセプタには誘導加熱コイルにより下向きの電磁
力が作用し、サセプタの浮上を防止することがで
きる。更に本発明では、誘導加熱コイルを反応ベ
ルジヤー内の雰囲気から隔離手段で隔離している
ので、誘導加熱コイルからの不純物が反応ベルジ
ヤー内の雰囲気中に出るのを防止して良好な半導
体を得ることができると共に誘導加熱コイルが反
応ベルジヤー内の反応ガスにより腐蝕されるのも
防止することができる。
第１図は従来の気相成長装置の一実施例を示す
縦断面図、第２図及び第３図は本発明に係る気相
成長装置の第１、第２実施例の縦断面図である。 １…反応ベルジヤー、２…サセプタ、３…基板
ウエーハ、４…回転軸、５…誘導加熱コイル、１
１…隔離手段。
縦断面図、第２図及び第３図は本発明に係る気相
成長装置の第１、第２実施例の縦断面図である。 １…反応ベルジヤー、２…サセプタ、３…基板
ウエーハ、４…回転軸、５…誘導加熱コイル、１
１…隔離手段。
Claims (1)
- １ 反応ベルジヤー内で回転するサセプタ上に基
板ウエーハを載置し、前記反応ベルジヤー内に反
応ガスを供給し、隔離手段で前記反応ベルジヤー
内の雰囲気から隔離した誘導加熱コイルで前記サ
セプタを誘導加熱しつつ前記基板ウエーハを気相
成長させる気相成長装置において、前記隔離手段
で前記反応ベルジヤー内の雰囲気から隔離された
前記誘導加熱コイルは前記サセプタの上方に配置
されていることを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11362181A JPS5814945A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11362181A JPS5814945A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5814945A JPS5814945A (ja) | 1983-01-28 |
| JPS625995B2 true JPS625995B2 (ja) | 1987-02-07 |
Family
ID=14616850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11362181A Granted JPS5814945A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814945A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61246370A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-11-01 | Sakaguchi Dennetsu Kk | 気相化学反応炉 |
| JPS6347364A (ja) * | 1986-08-15 | 1988-02-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 化学的気相成長法およびその装置 |
| JP4366979B2 (ja) * | 2003-04-18 | 2009-11-18 | 株式会社デンソー | Ｃｖｄ装置 |
| JP2005294606A (ja) * | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Ngk Insulators Ltd | ウエハー加熱装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57110665A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-09 | Seiko Epson Corp | Heating mechanism for vacuum apparatus |
-
1981
- 1981-07-22 JP JP11362181A patent/JPS5814945A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5814945A (ja) | 1983-01-28 |
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