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JPS6260757B2 - - Google Patents
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JPS6260757B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6260757B2
JPS6260757B2 JP1672681A JP1672681A JPS6260757B2 JP S6260757 B2 JPS6260757 B2 JP S6260757B2 JP 1672681 A JP1672681 A JP 1672681A JP 1672681 A JP1672681 A JP 1672681A JP S6260757 B2 JPS6260757 B2 JP S6260757B2
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JP
Japan
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bubble
transfer
magnetic field
transferred
information
Prior art date
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Application number
JP1672681A
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Japanese (ja)
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JPS57133582A (en
Inventor
Koji Igarashi
Yasushi Sato
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6260757B2 publication Critical patent/JPS6260757B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/02Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
    • G11C19/08Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
    • G11C19/0875Organisation of a plurality of magnetic shift registers
    • G11C19/0883Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はバイアスマージンの下限の上昇を防ぎ
ながらトラスンフアイン動作を行わしめる磁気バ
ブルメモリのトランスフア方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a magnetic bubble memory transfer method that performs a transfer operation while preventing an increase in the lower limit of a bias margin.

磁気バブルメモリ(以下略してバブルメモリ)
はガーネツト型磁気結晶上に導電材料(導体パタ
ーン)を用いてバブルの発生回路などを、また高
透磁率磁性材料(磁性パターン)を用いて転送回
路、検出回路などを作り、磁性結晶上に垂直に加
えたバイアス磁界により保持されている円筒状の
バブル磁区を結晶面に平行に加えた回転磁界によ
り転送回路にそつて駆動せしめ、情報の書き込
み、読み出しなどを行うメモリである。
Magnetic bubble memory (hereinafter abbreviated as bubble memory)
Creates a bubble generation circuit using conductive material (conductor pattern) on a garnet-type magnetic crystal, and a transfer circuit, a detection circuit, etc. using high permeability magnetic material (magnetic pattern), and then creates a circuit perpendicular to the magnetic crystal. This is a memory that writes and reads information by driving a cylindrical bubble magnetic domain held by a bias magnetic field applied to the crystal plane along a transfer circuit by a rotating magnetic field applied parallel to the crystal plane.

こゝでバブルメモリの記憶媒体として用いられ
ているバブル磁区は一定のバイアス磁界のもと
で、初めて安定に存在し得るものである。すなは
ち磁性ガーネツト型結晶は結晶面に垂直に一軸異
方性をもつて磁化しており、磁化の方向が互に逆
で、交互に逆向きの磁区が縞状形状をなして存在
している。
The bubble magnetic domain used as the storage medium of the bubble memory can only exist stably under a constant bias magnetic field. In other words, magnetic garnet-type crystals are magnetized with uniaxial anisotropy perpendicular to the crystal plane, and the directions of magnetization are opposite to each other, with alternating magnetic domains in opposite directions existing in a striped shape. There is.

いま結晶面に垂直にバイアス磁界が加えられる
と、磁界と逆方向の磁区は磁界値に比例してその
面積が減少し、適当なバイアス磁界のもとで初め
て円筒状のバブル磁区として存在する。
Now, when a bias magnetic field is applied perpendicular to the crystal plane, the area of the magnetic domain in the opposite direction to the magnetic field decreases in proportion to the magnetic field value, and under an appropriate bias magnetic field it exists for the first time as a cylindrical bubble domain.

それ故にバイアス磁界が更に増大する場合はバ
ブル磁区は消減(コラプス)して磁化方向が同一
方向のみの単一磁区となり、一方バイアス磁界が
減少する場合は再び縞状(ストライプ)磁区を形
成してしまう。
Therefore, if the bias magnetic field increases further, the bubble domain collapses and becomes a single domain with only the same magnetization direction, while if the bias magnetic field decreases, it forms striped magnetic domains again. Put it away.

このようにバブル磁区は消減磁界(コラプス磁
界)と縞状磁界(ストライプ磁界)との中間のバ
イアス磁界領域でのみ存在し得るものであり、こ
の磁界領域においてバブルの発生、転送、検出な
どが行われている。
In this way, bubble magnetic domains can exist only in the bias magnetic field region between the collapse magnetic field and the stripe magnetic field, and bubbles are generated, transferred, detected, etc. in this magnetic field region. It is being said.

バブルメモリ回路において動作マージンは転送
回路、ゲート回路などの各使用回路ごとにそれぞ
れ異り、この動作マージンの最小値がそのメモリ
チツプの総合マージンとされているが、トランス
フアゲートなどのゲート回路は転送回路と較べて
動作マージンが狭い。
In a bubble memory circuit, the operating margin differs depending on the circuit used, such as the transfer circuit and the gate circuit, and the minimum value of this operating margin is considered the overall margin of the memory chip. The operating margin is narrower than that.

この理由としてゲート回路は、磁性パターンの
下に形成されている導体パターンにパルス電流を
加えて磁界を発生させ、該磁界と駆動磁界(回転
磁界)により磁性パターン上に生ずる誘起磁界と
の相互作用でバブル磁区制御を行なつていること
によるが、製造の際のばらつきにより導体パター
ンとこの上に形成されている磁性パターンとの相
互位置が設計値よりずれている場合或は磁性パタ
ーン上に大きな段差がある場合などは動作マージ
ンは更に狭くなる。
The reason for this is that the gate circuit generates a magnetic field by applying a pulse current to the conductor pattern formed under the magnetic pattern, and the interaction between this magnetic field and the induced magnetic field generated on the magnetic pattern by the driving magnetic field (rotating magnetic field) However, due to manufacturing variations, the mutual position of the conductor pattern and the magnetic pattern formed on it may deviate from the designed value, or there may be a large deviation on the magnetic pattern. If there is a step, the operating margin becomes even narrower.

本発明はこのような問題点をバブルのトランス
フア方法により解決し、動作マージンの広いゲー
ト回路を実現するもので、以下図面により実施例
と従来例と比較しながら説明する。
The present invention solves these problems by using a bubble transfer method and realizes a gate circuit with a wide operating margin.The present invention will be described below with reference to the drawings while comparing an embodiment and a conventional example.

第1図は従来のブロツクリプリケート・メジ
ヤ・マイナループ形式の転送回路を有するバブル
メモリの概略図で、回路構成を取出して図示して
ある。
FIG. 1 is a schematic diagram of a bubble memory having a conventional block-replicate-measure-minor-loop type transfer circuit, in which the circuit configuration is extracted and illustrated.

この転送回路は複数の磁性パターンの配列体か
らなる第1と第2の書き込みメジヤライン1,2
と、第1と第2の読み出しメジヤライン7,8
と、および多数のマイナループ4で構成され、上
下のメジヤライン1,2,7,8は絶縁物を介し
下層に位置した導体パターンからなるトランスフ
アゲート3,9を介して同一面上でマイナループ
4と接続している。
This transfer circuit has first and second write major lines 1 and 2 each consisting of a plurality of magnetic pattern arrays.
and the first and second readout major lines 7 and 8.
The upper and lower major lines 1, 2, 7, and 8 are connected to the minor loops 4 on the same plane through insulators and through transfer gates 3 and 9, which are composed of conductor patterns located in the lower layer. are doing.

又、第1および第2の書き込みメジヤライン
1,2にはバブル発生器5,6があつて、これよ
り発生したバブル信号が転送され、トランスフア
ゲート3の作用によりマイナループ4に書き込ま
れる。
Further, the first and second write major lines 1 and 2 are provided with bubble generators 5 and 6, and bubble signals generated by the bubble generators are transferred and written into the minor loop 4 by the action of the transfer gate 3.

一方第1と第2の読み出しメジヤライン7,8
にはトランスフアゲート9の作用により各マイナ
ループ4に蓄積されているバブル情報がそれぞれ
の読み出しメジヤラインに読み出され、これが検
出器10,11、で検出された後メモリ領域から
掃き出されて消去される。
On the other hand, the first and second readout major lines 7 and 8
By the action of the transfer gate 9, the bubble information stored in each minor loop 4 is read out to each readout major line, and after being detected by the detectors 10 and 11, it is swept out from the memory area and erased. .

さて、本メジヤ・マイナループ構成のブロツク
リプリケートトランスフア方式においては、情報
に対応するバブル信号は発生器(この場合5,
6)で作成され駆動磁界によりメジヤライン(こ
の場合1,2)にそつて転送され、メジヤライン
を構成する転送パターンの1ビツト置きに接続さ
れている各マイナループ(この場合4)に対応す
る位置に一情報分が整列する毎にトランスフアゲ
ート(この場合3)の作用により各マイナループ
に転送され、駆動磁界によりマイナループ内を循
環する。これが情報の書き込みである。
Now, in this block replicate transfer method with the main/minor loop configuration, the bubble signal corresponding to the information is generated by the generator (in this case, 5,
6) and is transferred along the major line (1, 2 in this case) by the driving magnetic field, and one is placed at the position corresponding to each minor loop (4 in this case) connected to every other bit of the transfer pattern that makes up the major line. Every time the information is aligned, it is transferred to each minor loop by the action of the transfer gate (3 in this case) and circulated within the minor loop by the driving magnetic field. This is information writing.

こゝでこのブロツクリプリケートトランスフア
方式においてはバブルの動作は同じであるが、回
路構成を偶数ブロツクと奇数ブロツクとに分け、
バブル信号を偶数列と奇数列に分けて書き込みお
よび読み出しを行う点に特色がある。
In this block repeat transfer method, the bubble operation is the same, but the circuit configuration is divided into even-numbered blocks and odd-numbered blocks.
The feature is that the bubble signal is written and read separately into even and odd columns.

即ち、第1図において第1の書き込みと読み出
しライン5,7およびマイナループ4よりなるブ
ロツクを偶数ブロツク、また第2の書き込みと読
み出しライン6,8およびマイナループ4よりな
るブロツクを奇数ブロツクとすると、従来の方法
はバブル信号は発生器5,6において全く同一な
信号が作成されてメジヤライン1,2を転送さ
れ、偶数ブロツクでは信号の偶数列がマイナルー
プ4の対向位置に来たとき、また奇数ブロツクで
は奇数列がマイナループ4の対向位置に来たと
き、トランスフアゲート3の作用によりそれぞれ
対向するマイナループに転送されるようになつて
いる。
That is, in FIG. 1, the block consisting of the first write and read lines 5, 7 and the minor loop 4 is an even block, and the block consisting of the second write and read lines 6, 8 and the minor loop 4 is an odd block. In this method, identical bubble signals are created in generators 5 and 6 and transferred to major lines 1 and 2, and in even blocks, when the even columns of the signal come to opposite positions of the minor loop 4, and in odd blocks, When an odd numbered column comes to a position opposite to the minor loop 4, the transfer gate 3 causes the odd numbered column to be transferred to the opposing minor loop.

さて発明者等はかゝるトランスフアイン動作に
おいて、バブル信号の配列と動作マージンとの間
に大きな相関関係を見出した。
Now, the inventors have found a large correlation between the arrangement of bubble signals and the operating margin in such a transfer-in operation.

第2図はバイアスマージンと駆動磁界との関係
図であつて、縦軸にはバイアス磁界HBをまた横
軸には駆動磁界HDがとつてある。
FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the bias margin and the drive magnetic field, with the bias magnetic field H B on the vertical axis and the drive magnetic field HD on the horizontal axis.

第2図の実線12はバブルがトランスフアイン
動作をする際、隣接磁性パターンの各々にバブル
が存在する時すなわちバブル信号が例えば1111の
場合の動作マージンの下限を、また点線13はト
ランスフアイン動作をする際に隣接磁性パターン
にバブルが存在しない時すなわち1100などの場合
の動作マージンの下限であり一方実線14はバイ
アスマージンの上限であつて後続バブルの有無に
関わらずほゞ等しい。これより隣接磁性パターン
にバブルが存在する方が動作マージンは広いこと
が判る。
The solid line 12 in FIG. 2 indicates the lower limit of the operating margin when bubbles are present in each of the adjacent magnetic patterns, that is, when the bubble signal is, for example, 1111 when the bubble performs the transfer-in operation, and the dotted line 13 indicates the transfer-in operation. The solid line 14 is the lower limit of the operating margin when there is no bubble in the adjacent magnetic pattern, such as 1100, while the solid line 14 is the upper limit of the bias margin, which is approximately the same regardless of the presence or absence of a subsequent bubble. It can be seen from this that the operating margin is wider when bubbles exist in adjacent magnetic patterns.

第3図はゲート回路の導体パターンに流れるパ
ルス電流(トランスフアイン電流)Iと動作マー
ジンとの関係を表わすもので、縦軸にはバイアス
磁界HBをとつてある。図で実線15はバブルが
トランスフアイン動作をする時、隣接磁性パター
ンにバブルが存在する場合また点線16は存在し
ない場合の動作マージンの下限を示すものであつ
て、パルス電流値の増加に従つて両者とも動作マ
ージンは減少するが、後続バルブが存在する場合
の方が減少度が少い。
FIG. 3 shows the relationship between the pulse current (transfer current) I flowing through the conductor pattern of the gate circuit and the operating margin, with the bias magnetic field H B plotted on the vertical axis. In the figure, the solid line 15 indicates the lower limit of the operating margin when bubbles are present in the adjacent magnetic pattern when the bubble transfers in, and the dotted line 16 indicates the lower limit of the operating margin when there is no bubble, and as the pulse current value increases, The operating margin is reduced in both cases, but the reduction is less when a trailing valve is present.

第4図はこの理由を説明するためのトランスフ
アゲート部の拡大図である。図で磁性ガーネツト
結晶上には導電パターン17の上に絶縁層を介し
てハーフデイスクタイプの磁性パターンである転
送パターン18よりなる転送路が設けられてお
り、紙面下側の7個のパターンはメジヤラインの
一部を、またこれにより直角に紙面上部に伸びた
2個づつのパターンはマイナループの一部を表わ
している。
FIG. 4 is an enlarged view of the transfer gate section to explain the reason for this. In the figure, a transfer path consisting of a transfer pattern 18, which is a half-disk type magnetic pattern, is provided on a conductive pattern 17 via an insulating layer on a magnetic garnet crystal, and the seven patterns at the bottom of the paper are major line patterns. The two patterns extending perpendicularly to the top of the page represent part of the minor loop.

こゝでバブルの転送方向は右より左とし、また
トランスフアイン動作の際のパルス電流印加は駆
動磁界の回転方向が下図右の円19の斜線部の状
態の時とする。
Here, the bubble transfer direction is from the right to the left, and the pulse current is applied during the transfer operation when the rotational direction of the driving magnetic field is in the shaded area of circle 19 on the right in the figure below.

今第4図左のゲート部についてトランスフアイ
ン動作を説明すると次のようになる。
The transfer operation for the gate section on the left side of FIG. 4 will now be explained as follows.

駆動磁界19がA方向でバブル20が転送パタ
ーン21の右端に転送されてきたとき導電パター
ン17に矢印のパルス電流を通ずると、これによ
り発生する局部磁界によりバイアス磁界は弱めら
れ、吸引拡大されたバブル22は駆動磁界がB,
C方向に変るに従つて、バー状パターン23の左
端に移り、以後駆動磁界によつてマイナループの
パターン24へと転送される。
When the driving magnetic field 19 is in the A direction and the bubble 20 is transferred to the right end of the transfer pattern 21, when a pulse current as indicated by the arrow is passed through the conductive pattern 17, the bias magnetic field is weakened by the local magnetic field generated thereby and is attracted and expanded. The bubble 22 has a driving magnetic field of B,
As it changes in the C direction, it moves to the left end of the bar-shaped pattern 23 and is thereafter transferred to the minor loop pattern 24 by the driving magnetic field.

これはトランスフアインの正常動作であるが、
導電パターン17の上に形成されている転送パタ
ーン21に段差があり、そのため駆動磁界による
誘導磁界が弱く或は両者のパターンの位置合せ不
良で駆動パターンが左側にずれている場合は転送
パターン21の右端部の反発磁界は弱くなり、こ
れは更にトランスフアゲート電流による吸引磁界
により弱まりその結果バブル20は導電パターン
25の左端あるいは上端にトラツプされると言う
誤動作が起る。このことは第3図に示すようにト
ランスフアイン電流が多い程動作マージンか狭く
なること対応している。
This is normal operation of the transfer
If the transfer pattern 21 formed on the conductive pattern 17 has a step, and therefore the induced magnetic field by the drive magnetic field is weak, or if the two patterns are misaligned and the drive pattern is shifted to the left, the transfer pattern 21 The repelling magnetic field at the right end becomes weaker, which is further weakened by the attracting magnetic field caused by the transfer gate current, resulting in a malfunction in which the bubble 20 is trapped at the left or upper end of the conductive pattern 25. This corresponds to the fact that the larger the transfer current, the narrower the operating margin, as shown in FIG.

かゝる場合でも駆動磁界がC方向の時転送パタ
ーン25にバブル26が存在すると、このバブル
26の反発磁界によりバブル22はバー状パター
ン23の左端の位置に移り易くなる。すなはち後
続するバブルの磁界を利用してゲート動作マージ
ンが改良されることを示し、このことは第2図お
よび第3図で動作マージンの下限側の改良に対応
している。
Even in such a case, if a bubble 26 exists in the transfer pattern 25 when the driving magnetic field is in the C direction, the bubble 22 is likely to move to the left end position of the bar pattern 23 due to the repulsion magnetic field of the bubble 26. In other words, it is shown that the gate operating margin is improved by using the magnetic field of the subsequent bubble, and this corresponds to the improvement at the lower limit side of the operating margin in FIGS. 2 and 3.

以上のように第1図のブロツクリプリケートト
ランスフア方式による回路で偶数ブロツクおよび
奇数ブロツクでバブル信号がトランスフアインさ
れる場合、バブル信号に後続してバブルが存在す
ることが動作マージンの確保の点より有利である
が、従来はバブル信号がそのまゝ第1および第2
の書き込みメジヤライン1,2に転送されている
ので、この条件を作ることは不可能であつた。
As described above, when a bubble signal is transferred to even-numbered blocks and odd-numbered blocks in the block repeat transfer circuit shown in Figure 1, the presence of a bubble following the bubble signal is essential for ensuring an operating margin. Although more advantageous, conventionally the bubble signal is directly transmitted to the first and second signals.
It was impossible to create this condition because the data was transferred to the major write lines 1 and 2 of .

本発明に係るバブルトランスフア方法はこの点
に対しなされたもので、従来第1図に示すように
偶数ブロツクと奇数ブロツクの発生器5,6が共
通電源により形成されているのに対し、本発明に
係るブロツクリプリケートトランスフア構成にお
いては偶数、奇数ブロツク毎に発生器と補助発生
器を設えている。
The bubble transfer method according to the present invention has been made to solve this problem, and whereas conventionally the generators 5 and 6 of the even and odd blocks are formed by a common power source as shown in FIG. In the block repeat transfer configuration according to the invention, a generator and an auxiliary generator are provided for each even numbered and odd numbered blocks.

第5〜7図はこれを備えた本発明に係る回路図
を示したもので、従来の回路と較べてメジヤライ
ンへの発生器の回路のみ異つており、第6および
第7図は重複するため読み出しトランスフアゲー
ト以下の回路の記載は省略してある。
Figures 5 to 7 show circuit diagrams according to the present invention equipped with this, and compared to the conventional circuit, only the circuit of the generator to the measure line is different, and Figures 6 and 7 overlap. The description of the circuits below the read transfer gate is omitted.

第5図において偶数ブロツク用バブル信号発生
器27と奇数ブロツク用発生器29とは互に独立
しており、発生器27はバブル信号の内の偶数列
のバブル信号を発生し、一方発生器29は奇数列
の信号を発生する。
In FIG. 5, the bubble signal generator 27 for even blocks and the generator 29 for odd blocks are independent of each other. generates an odd sequence of signals.

例えばバブル情報が1011の場合偶数ブロツクの
発生器27からは01がまた奇数のブロツクの発生
器29からは11のバブル信号が発生する。また同
時に各発生器27,29に隣接して存在する補助
発生器28,30は発生器27,29から転送パ
ターンが1ビツトずれて存在しているので、この
例の場合偶数ブロツクの書き込みメジヤライン1
に転送される信号は、0011、または奇数ブロツク
の書き込みメジヤライン2に転送される信号は
1111となり、バブルがトランスフアインされる場
合はこれに後続して補助バブルが存在してゲート
機能を援けることゝなる。
For example, when the bubble information is 1011, a bubble signal of 01 is generated from the generator 27 of an even numbered block, and a bubble signal of 11 is generated from the generator 29 of an odd numbered block. At the same time, the auxiliary generators 28 and 30 that are adjacent to each of the generators 27 and 29 exist with transfer patterns shifted by one bit from those of the generators 27 and 29, so in this example, the write major line 1 of the even block is
The signal transferred to write major line 2 of an odd block is 0011, or the signal transferred to write major line 2 of an odd block is 0011.
1111, and when a bubble is transferred, an auxiliary bubble exists following it to assist the gate function.

なお補助バブルはバブル情報がマイナループに
トランスフアインされた後そのまゝメジヤライン
を転送しガードレールに掃き出される。
For the auxiliary bubble, after the bubble information is transferred to the minor loop, it is directly transferred to the major line and swept out to the guardrail.

次に第6図は偶数ブロツク用のバブル信号発生
器31と補助発生器より生じたバブル信号がそれ
ぞれ異つた転送ラインによりメジヤラインに転送
される回路であつて、この場合補助発生器32よ
りの転送路は発生器31の転送路より1ピツチ長
い。また奇数ブロツク用発生器33と補助発生器
34の場合も同様である。
Next, FIG. 6 shows a circuit in which the bubble signals generated by the bubble signal generator 31 for even blocks and the auxiliary generator are transferred to the major line by different transfer lines, and in this case, the bubble signals generated by the bubble signal generator 31 for even blocks and the auxiliary generator are transferred to the major line. The path is one pitch longer than the transfer path of generator 31. The same applies to the odd block generator 33 and the auxiliary generator 34.

こゝで第6図におけるバブル情報の発生、転送
およびトランスフアイン動作は第5図の場合と全
く同じである。
The generation, transfer, and transfer operations of bubble information in FIG. 6 are exactly the same as in FIG. 5.

第7図は以上2つの実施例と異り、偶数ブロツ
ク用発生器35と補助発生器36は独立してお
り、一方偶数ブロツク用補助発生器36と奇数ブ
ロツク用補助発生器38は直列に連結されてお
り、こゝで発生器35,37と補助発生器36,
38とは第6図の場合と同様に転送路が1ビツト
異つている。
In FIG. 7, unlike the above two embodiments, the generator 35 for even blocks and the auxiliary generator 36 are independent, while the auxiliary generator 36 for even blocks and the auxiliary generator 38 for odd blocks are connected in series. Here, the generators 35, 37 and the auxiliary generator 36,
The transfer path is different from No. 38 by 1 bit as in the case of FIG.

第7図の回路の場合は、偶数、奇数ブロツク用
発生器35,37でのバブル発生の有無に関わら
ず補助発生器36,38から必ずバブルが発生さ
れる。
In the case of the circuit shown in FIG. 7, bubbles are always generated from the auxiliary generators 36 and 38 regardless of whether bubbles are generated in the generators 35 and 37 for even and odd blocks.

例えばバブル情報が1011の場合、偶数ブロツク
の発生器35から01がまた補助発生器36からは
11が発生し、メジヤラインの交点39で両者が再
配列して0111となる。また奇数ブロツクの場合も
同様に再配列して1111となり、メジヤラインより
マイナーループ4へトランスフアインされるが、
この場合はゲート回路にバブルが存在するか否か
に関はらず次のビツト位置には必ずバブルが存在
しゲート動作を助けバブル信号のトランスフアイ
ン動作後そのまゝメジヤラインを転送して外部に
掃きだされることになる。
For example, if the bubble information is 1011, the generators 35 to 01 of even blocks are also generated from the auxiliary generator 36.
11 is generated, and both are rearranged at the intersection point 39 of the median line to become 0111. Also, in the case of an odd block, it is rearranged in the same way to become 1111, and transferred from the major line to minor loop 4,
In this case, regardless of whether there is a bubble in the gate circuit or not, there is always a bubble at the next bit position, which helps the gate operation and after the transfer operation of the bubble signal, transfers the measure line and sweeps it to the outside. will be given out.

以上ブロツクリプリケータトランスフア方式に
例をとつて説明したが必すしもこれに止まるもの
ではない。
Although the explanation has been given by taking the block replicator transfer method as an example, the present invention is not necessarily limited to this.

本発明はメジヤマイナーループ構成のゲート回
路において、トランスフアイン動作を行う際隣接
する転送パターンにバブルが存在するとこの反発
磁界により存在しない場合と比較して動作マージ
ンの下限が拡大することに注目してなされたもの
で、従来の発生器以外に補助発生器を設けること
によりトランスフアイン動作を行う場合に常に隣
接パターンにバブルが存在することが可能となり
これにより動作マージンを拡大することができ
る。
The present invention focuses on the fact that in a gate circuit with a major-minor loop configuration, when a bubble exists in an adjacent transfer pattern when performing a transfer-in operation, the lower limit of the operating margin expands due to the repulsive magnetic field compared to when there is no bubble. By providing an auxiliary generator in addition to the conventional generator, bubbles can always exist in adjacent patterns when performing a transfer-in operation, thereby expanding the operating margin.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来のブロツクリプリケートトランス
フア方式にかゝる回路の説明図、第2図はトラン
スフアインゲート回路におけるバイアス磁界と駆
動磁界との関係図、第3図は同回路におけるバイ
アス磁界とパルス電流値との関係、第4図はトラ
ンスフアイン動作の説明図、第5図〜第7図は本
発明にかかる補助発生器を備えた実施例の説明図
である。 図において、1,2はメジヤライン、3,9は
トランスフアゲート、4はマイナループ5,2
7,31,35は第1の書き込みメジヤライン用
バブル発生器、6,29,33,37は第2の書
き込みメジヤライン用バブル発生器、28,3
2,36は第1の書き込みメジヤライン用補助バ
ブル発生器、30,34,38は第2の書き込み
メジヤライン用補助バブル発生器。
Figure 1 is an explanatory diagram of a circuit according to the conventional block repeat transfer system, Figure 2 is a diagram of the relationship between the bias magnetic field and drive magnetic field in the transfer gate circuit, and Figure 3 is the relationship between the bias magnetic field and the driving magnetic field in the same circuit. FIG. 4 is an explanatory diagram of the transfer-in operation, and FIGS. 5 to 7 are explanatory diagrams of an embodiment equipped with an auxiliary generator according to the present invention. In the figure, 1 and 2 are major lines, 3 and 9 are transfer gates, and 4 are minor loops 5 and 2.
7, 31, 35 are bubble generators for the first write major line; 6, 29, 33, 37 are bubble generators for the second write major line; 28, 3;
2 and 36 are auxiliary bubble generators for the first write major line; 30, 34, and 38 are auxiliary bubble generators for the second write major line.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 バブル発生器より書込まれたバブル情報がメ
ジヤライン(ループ)を転送し、トランスフアゲ
ートを介して該バブル情報が該メジヤラインから
マイナループにトランスフアインされて情報記憶
がなされる磁気バブルメモリにおいて、前記メジ
ヤラインには前記バブル情報の他に該情報バブル
間に位置する補助バブルを書込み、前記情報バブ
ルのトランスフアイン時に該情報バブルが隣接し
た前記補助バブルの磁場の助けを得てトランスフ
アインすることを特徴とした磁気バブルメモリの
バブルトランスフア方法。 2 前記補助バブルは前記バブル発生器の他に前
記メジヤラインに接続して設けた補助バブル発生
器により与えられることを特徴とした特許請求の
範囲第1項記載の磁気バブルメモリのバブルトラ
ンスフア方法。
[Scope of Claims] 1. Bubble information written by a bubble generator is transferred through a major line (loop), and the bubble information is transferred from the major line to a minor loop via a transfer gate to store information. In the bubble memory, in addition to the bubble information, auxiliary bubbles located between the information bubbles are written in the major line, and when the information bubble is transferred, the information bubble is transferred with the help of the magnetic field of the adjacent auxiliary bubble. A bubble transfer method for a magnetic bubble memory characterized by ein. 2. The bubble transfer method for a magnetic bubble memory according to claim 1, wherein the auxiliary bubble is provided by an auxiliary bubble generator connected to the measure line in addition to the bubble generator.
JP1672681A 1981-02-06 1981-02-06 Method for bubble transfer of magnetic bubble memory Granted JPS57133582A (en)

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JPS57133582A JPS57133582A (en) 1982-08-18
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021038632A1 (en) 2019-08-23 2021-03-04 日本製鉄株式会社 Electric-resistance-welded steel pipe for line pipes
WO2021085036A1 (en) 2019-10-31 2021-05-06 Jfeスチール株式会社 Electric resistance welded steel pipe and method for producing same, and line pipe and building structure

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021038632A1 (en) 2019-08-23 2021-03-04 日本製鉄株式会社 Electric-resistance-welded steel pipe for line pipes
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