JPS626587B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS626587B2 JPS626587B2 JP55053430A JP5343080A JPS626587B2 JP S626587 B2 JPS626587 B2 JP S626587B2 JP 55053430 A JP55053430 A JP 55053430A JP 5343080 A JP5343080 A JP 5343080A JP S626587 B2 JPS626587 B2 JP S626587B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- filler
- molding material
- parts
- mixing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
本発明は、優れた成形性を有するエポキシ樹脂
成形材料の製造法に関するものである。
その目的とするところは、成形性の優れた且つ
電気特性、耐熱性の優れたエポキシ樹脂成形材料
を提供することにある。
さらに詳しくは半導体装置封止用成形材料とし
て使用した場合、半導体素子表面での特別な処理
を必要とせず半導体素子と直接接触モールド可能
で、信頼性とくに半導体動作時において定格値へ
の影響がほとんどなく極めて良好な成形性を有す
る材料を提供するところにある。さらにモールド
時材料粘性が十分低く、しかもバリ(フラツシ
ユ)が小さくて成形サイクルの良好なる材料を提
供することにある。
エポキシ樹脂成形材料を低圧半導体封止用成形
材料として使用する場合、一般に採用されている
成形法はトランスフアモールド法もしくはコンプ
レツシヨンモールド(圧縮成形)方式である。半
導体素子はフレーム状に搭載されており、これを
インサート品として一体モールドするため、通常
金型キヤビテイの外側にリード線が出る形とな
る。簡単な概略図を第1図、第2図に示す。第2
図の断面図において、リードフレームは上型下型
よりサンドイツチされており、これによりフレー
ムが固定され、加熱溶融されたエポキシ樹脂成形
材料は、金型キヤビテイ内を充填し十分圧力をか
けて硬化される。この様にして半導体装置は封止
成形されるが、この場合上下の金型のクリアラン
ス(隙間)とフレーム厚みのバラツキを数μm以
内に抑えることは不可能である。それ故加熱溶融
されたエポキシ樹脂はリードフレームと上下型の
すき間に流れバリ(フラツシユ)となる。半導体
製品の使用時、この流出したバリのためハンダが
はじかれてくつつかないとか成形時金型に付着し
て製品の離型性を悪くするあるいはフレームの変
形もしくは歪を生じ半導体素子に悪影響を与える
など大きな問題となる。第1図において、流出す
るバリの長さの許容量は、通常キヤビテイ端面よ
り1.5mm以内である。
上述した問題の原因は、エポキシ樹脂成形材料
中に使用する充填剤と樹脂もしくは硬化剤との間
で相分離をおこし、樹脂系(硬化剤も含む)のみ
が粘性の低さからしみ出してくるあるいは充填剤
と樹脂系の表面ぬれが悪くそのためキヤビテイ内
で乱流を生じ流動中にフレームを変形させそこか
らしみ出すあるいはフレームの厚みのバラツキが
局部的に存在するなどによる。
以上の原因のうち、フレームのバラツキはその
厚み公差を抑えることで解消できるが、材料の場
合は使用している充填剤のほとんどが無機質のた
め本質的に樹脂とのぬれが悪くこの問題を解消す
るのは非常に困難であつた。
通常エポキシ樹脂成形材料の製造は、樹脂、硬
化剤、硬化助剤、充填剤、離型剤、着色剤などを
粉砕混合し、この配合粉を熱を加えながらロー
ル、ニーダーもしくは押出機等混練機を利用して
溶融分散させて製造するが、この状態で樹脂系と
充填剤を完全にぬれるまで溶融分散させることは
不可能である。この理由は硬化剤と樹脂が同時に
混練を受けるため、充填剤と樹脂系がぬれる以前
に硬化が進みゲル化が起こる、逆に温度を低くし
てゲル化の促進をおさえると混練効果が十分得ら
れないためである。
本発明は以上の点を鑑みてなされたものであ
り、その目的とするところは、半導体装置封止用
エポキシ樹脂成形材料において従来の信頼性実績
のある組成をそのまま維持して成形性特にバリお
よび流動性を改善するところにある。
本発明はエポキシ樹脂成形材料のバリおよび流
動性を改善する手法として、充填剤全量もしくは
その一部を、あらかじめ溶融したエポキシ樹脂も
しくは硬化剤と溶融混合を行ない、その混合物を
使用することを特徴とする。
使用するエポキシ樹脂あるいは硬化剤と充填剤
の溶融温度は、必ずその樹脂あるいは硬化剤の軟
化点もしくは融点よりも10℃以上高くする必要が
あり、これ以下では充填剤とのぬれの効果が期待
できない。したがつてこれ以下の温度で熱ロール
等で混練しても本発明の効果は達成できない。溶
融混合時間は、混合効率にもよるが20分以上行な
うのが望ましくその判定の基準は、粘度計を用い
て最低粘度を測定し、これが安定した時点をもつ
て完了とする。溶融混合は釜、ビーカあるいはニ
ーダ等加熱混合もしくは撹拌できるものであれば
何でも可である。
本発明に適用できるエポキシ樹脂としては、公
知のエポキシ樹脂全般を意味するものであり、例
えばビスフエノール系エポキシ樹脂、ノボラツク
系エポキシ樹脂、シクロヘキセン、シクロベンタ
ジエンのような脂環式化合物からえられるエポキ
シ樹脂などがあり、これらの少くとも一種が用い
られる。
硬化剤としては、無水酸例えば無水テトラハイ
ドロフタル酸、無水フタル酸などあるいはフエノ
ールノボラツク樹脂などが用いられる。
充填剤としては、シリカ、石英ガラス、けい酸
ジルコニウム、アルミナガラス繊維、タルク、ク
レー、炭酸カルシウムなどの無機質充填剤であ
り、これらを必要に応じて併用することも可能で
ある。溶融混合を行なう場合、エポキシ樹脂で行
なうか硬化剤で行なうかの判断は、その素材の軟
化温度で決定し通常は低い素材の方を採用するの
が、工程、時間の点から望ましい。
溶融混合させる充填剤量は、該エポキシ樹脂組
成物に使用する総充填剤量の50重量パーセント以
上が好ましい。
このようにして得られたエポキシ樹脂あるいは
硬化剤と充填剤の溶融混合物は、従来と同じ形態
で使用可能であり、エポキシ樹脂成形材料を製造
することができる。混練を行なう具体的手法とし
てはミキシングロール、コニーダ、エクスツルー
ダ、押出機、加圧ニーダなどを用いる方法があ
る。
以下本発明について実施例に従がい説明する
が、本発明を何ら制限するものではない。尚、以
下各例中に部とあるのは重量部を意味する。
実施例 1
(A) クレゾールノボラツク型エポキシ樹脂軟化点
73℃(環球法)(チバ社製ECN1273) 100部
(B) フエノール・ホルムアルデヒドノボラツク樹
脂(日立化成社製 HP−607N) 55部
(C) 2−ヘプタデシルイミダゾール 2部
(D) カルナバワツクス 2部
(E) シリカ粉 410部
上記組成を均一混合し、予め70〜80℃に加熱し
てあるミキシングロールで約8分間混練し、その
後室温まで冷却し粉砕してエポキシ樹脂成形材料
〔〕を得た。これに対し、エポキシ樹脂(A)と充
填剤(E)を約110℃に温めて20分間溶融混合し、ス
テンレスバツトに取出して冷却後粉砕した。この
溶融混合物に(B)(C)(D)各素材を加え均一混合して、
エポキシ樹脂組成物〔〕と同様にミキシングロ
ールを用いてエポキシ樹脂組成物〔〕を作成し
た。エポキシ樹脂組成物〔〕が従来の製造法で
あり、〔〕が本発明法である。得られた成形材
料の特性結果を表−1に示す。
The present invention relates to a method for producing an epoxy resin molding material having excellent moldability. The purpose is to provide an epoxy resin molding material that has excellent moldability, electrical properties, and heat resistance. More specifically, when used as a molding material for encapsulating semiconductor devices, it can be molded into direct contact with the semiconductor element without requiring any special treatment on the surface of the semiconductor element, and has little effect on reliability, especially the rated value during semiconductor operation. The objective is to provide a material that has extremely good moldability. Furthermore, it is an object of the present invention to provide a material that has sufficiently low material viscosity during molding, has small burrs, and has a good molding cycle. When an epoxy resin molding material is used as a molding material for low-pressure semiconductor encapsulation, the molding method generally employed is a transfer molding method or a compression molding method. The semiconductor element is mounted in a frame shape, and since this is integrally molded as an insert product, lead wires usually protrude outside the mold cavity. A simple schematic diagram is shown in FIGS. 1 and 2. Second
In the cross-sectional view shown in the figure, the lead frame is sandwiched between the upper mold and the lower mold, thereby fixing the frame, and the heated and melted epoxy resin molding material fills the inside of the mold cavity and hardens by applying sufficient pressure. Ru. Semiconductor devices are sealed and molded in this manner, but in this case it is impossible to suppress variations in the clearance (gap) between the upper and lower molds and the frame thickness to within several μm. Therefore, the heated and melted epoxy resin flows into the gap between the lead frame and the upper and lower molds, forming flashes. When semiconductor products are used, these spilled burrs may cause the solder to be repelled and not stick, or may adhere to the mold during molding, impairing the product's release properties, or deforming or distorting the frame, which may adversely affect the semiconductor element. This becomes a big problem. In Fig. 1, the allowable length of the burr flowing out is normally within 1.5 mm from the cavity end face. The cause of the above-mentioned problem is that phase separation occurs between the filler used in the epoxy resin molding material and the resin or curing agent, and only the resin system (including the curing agent) seeps out due to its low viscosity. Alternatively, the surface wetting of the filler and resin system is poor, resulting in turbulent flow within the cavity, deforming the frame during flow and seeping out, or local variations in the thickness of the frame. Among the causes mentioned above, variations in the frame can be solved by controlling the thickness tolerance, but in the case of materials, most of the fillers used are inorganic and inherently have poor wettability with the resin, so this problem can be solved. It was very difficult to do so. Normally, epoxy resin molding materials are manufactured by pulverizing and mixing resin, curing agent, curing aid, filler, mold release agent, coloring agent, etc., and then kneading this mixed powder with a kneading machine such as a roll, kneader, or extruder while applying heat. However, in this state, it is impossible to melt and disperse the resin system and filler until they are completely wet. The reason for this is that since the curing agent and resin are kneaded at the same time, curing progresses and gelation occurs before the filler and resin get wet.On the other hand, if the temperature is lowered to suppress the acceleration of gelation, the kneading effect will be sufficient. This is so that you will not be affected. The present invention has been made in view of the above points, and its purpose is to improve moldability, especially burr-free properties, while maintaining the composition of an epoxy resin molding material for semiconductor device encapsulation, which has a proven track record of reliability. The goal is to improve liquidity. The present invention is characterized in that, as a method for improving burrs and fluidity of an epoxy resin molding material, the entire amount or a portion of the filler is melt-mixed with a pre-molten epoxy resin or a hardening agent, and the mixture is used. do. The melting temperature of the epoxy resin or hardener used and the filler must be at least 10°C higher than the softening point or melting point of the resin or hardener; below this, wetting effects with the filler cannot be expected. . Therefore, the effects of the present invention cannot be achieved even if the mixture is kneaded with a hot roll or the like at a temperature lower than this. The melt mixing time is preferably 20 minutes or more, although it depends on the mixing efficiency.The criterion for this judgment is to measure the minimum viscosity using a viscometer, and the process is completed when this becomes stable. Melt mixing can be carried out in any pot, beaker, kneader, etc. as long as it can heat and mix or stir. The epoxy resin applicable to the present invention refers to all known epoxy resins, such as bisphenol epoxy resins, novolac epoxy resins, and epoxy resins obtained from alicyclic compounds such as cyclohexene and cyclobentadiene. There are resins, etc., and at least one of these is used. As the curing agent, anhydrous acids such as tetrahydrophthalic anhydride, phthalic anhydride, etc. or phenol novolac resins are used. Examples of the filler include inorganic fillers such as silica, quartz glass, zirconium silicate, alumina glass fiber, talc, clay, and calcium carbonate, and these may be used in combination as necessary. When performing melt mixing, the decision whether to use an epoxy resin or a hardening agent is determined by the softening temperature of the material, and it is usually desirable to use the material with a lower softening temperature from the viewpoint of process and time. The amount of filler to be melt-mixed is preferably 50% by weight or more of the total amount of filler used in the epoxy resin composition. The epoxy resin or the molten mixture of the curing agent and filler thus obtained can be used in the same form as conventionally, and an epoxy resin molding material can be produced. Specific methods for kneading include methods using mixing rolls, co-kneaders, extruders, extruders, pressure kneaders, and the like. The present invention will be explained below according to examples, but the present invention is not limited in any way. In addition, parts in the following examples mean parts by weight. Example 1 (A) Softening point of cresol novolac type epoxy resin
73℃ (ring and ball method) (ECN1273 manufactured by Ciba) 100 parts (B) Phenol formaldehyde novolac resin (HP-607N manufactured by Hitachi Chemical) 55 parts (C) 2-heptadecylimidazole 2 parts (D) Carnauba wax 2 parts (E) 410 parts of silica powder The above composition was mixed uniformly, kneaded for about 8 minutes using a mixing roll preheated to 70 to 80°C, and then cooled to room temperature and pulverized to obtain an epoxy resin molding material. Obtained. On the other hand, the epoxy resin (A) and the filler (E) were heated to about 110° C. and melted and mixed for 20 minutes, taken out into a stainless steel vat, cooled, and then crushed. Add each material (B), (C), and (D) to this molten mixture and mix uniformly.
An epoxy resin composition [] was prepared using a mixing roll in the same manner as the epoxy resin composition []. Epoxy resin composition [] is the conventional manufacturing method, and [] is the method of the present invention. Table 1 shows the properties of the molding material obtained.
【表】
実施例 2
(A) フエノールノボラツク型エポキシ樹脂(ダウ
社製 XD−7855) 100部
(B) 無水テトラハイドロフタル酸(融点98℃(キ
ヤピラリー法)(新日本理化社製THPA) 45部
(C) 2−メチルイミダゾール 1部
(D) カルナバワツクス 2部
(E) 石英ガラス粉 380部
硬化剤(B)と充填剤(E)を約100℃に温めて30分間
溶融混合を行ない、溶融混合物〔〕を得た。比
較として充填剤(E)の量をそれぞれ260部、190部、
150部使用し、硬化剤(B)と溶融混合物〔〕〔〕
〔〕を、〔〕と同様にして作成した。得られた
溶融混合物〔〕〔〕〔〕〔〕を実施例1と
同様にして60〜70℃のミキシングロールで10分間
混練し冷却してエポキシ樹脂組成物を得た。
〔〕〜〔〕に材料の流動性をスパイラルフロ
ーで硬化性をゲルタイムと硬度で判定した。条件
は170℃、圧力70Kg/cm220分である。表−1に示
すバリ長さは、金型にそれぞれ100μm、50μ
m、30μm、20μm、10μmの深さの溝を作り、
そこにしみ出す材料の長さを測定した。
表−1より、本発明によるエポキシ樹脂成形材
料〔〕は、流動性(スパイラルフロー)が約30
%延びしかもバリもクリアランスが50μm以下に
なることがわかる。バリの100μmでは、スパイ
ラルフローと同様に大きくなるが、これはインサ
ート品との隙間が非常に狭い場合でもよく硫動す
ることを意味しており、金型クリアランスも現在
では100μmも大きくなることはないため全く問
題にならない。本発明は成形性のみならず別の効
果も付与した。それはエポキシ樹脂成形材料の硬
化物の耐湿性レベルが一段と向上したことであ
る。煮沸後の体積抵抗率の低下は水の浸透による
劣化であるが、本発明法によれば1オーバー以上
アツプしており、これは樹脂系と充填剤界面との
ぬれが向上し結合が強くなつた結果と考えられ
る。
ついては、総充填剤量が380部になる様に未混
融の充填剤をミキシングロール混練を行なう前に
追加した。得られたエポキシ樹脂成形材料の特性
を表−2に示す。[Table] Example 2 (A) Phenol novolac type epoxy resin (XD-7855 manufactured by Dow) 100 parts (B) Tetrahydrophthalic anhydride (melting point 98°C (capillary method) (THPA manufactured by Shin Nihon Rika) 45 Part (C) 1 part of 2-methylimidazole (D) 2 parts of carnauba wax (E) 380 parts of quartz glass powder Heat the hardening agent (B) and filler (E) to about 100°C and melt and mix them for 30 minutes. , a molten mixture [] was obtained.For comparison, the amounts of filler (E) were 260 parts, 190 parts, and 190 parts, respectively.
Use 150 parts, hardening agent (B) and molten mixture [] []
[] was created in the same way as []. The obtained molten mixture [][][][] was kneaded in the same manner as in Example 1 using a mixing roll at 60 to 70°C for 10 minutes and cooled to obtain an epoxy resin composition.
From [] to [], the fluidity of the material was determined by spiral flow, and the curing property was determined by gel time and hardness. The conditions were 170°C, pressure 70Kg/cm 2 for 20 minutes. The burr length shown in Table 1 is 100μm and 50μm for the mold, respectively.
Make grooves with depths of m, 30 μm, 20 μm, and 10 μm,
The length of the material seeping out was measured. From Table 1, the epoxy resin molding material according to the present invention [] has a fluidity (spiral flow) of about 30
% elongation and the clearance for burrs is 50 μm or less. When the burr is 100μm, it becomes large, similar to the spiral flow, but this means that sulfur flow often occurs even when the gap between the insert and the insert is very narrow, and the mold clearance cannot currently be increased by 100μm. It's not a problem at all because there isn't. The present invention provides not only moldability but also other effects. This is because the moisture resistance level of the cured epoxy resin molding material has been further improved. The decrease in volume resistivity after boiling is due to deterioration due to water penetration, but according to the method of the present invention, the volume resistivity increases by more than 1, which is due to improved wetting between the resin system and filler interface and stronger bonding. This is thought to be the result of Therefore, unmelted filler was added before kneading with a mixing roll so that the total amount of filler was 380 parts. The properties of the obtained epoxy resin molding material are shown in Table 2.
【表】
表−2より約40%の溶融混合物を使用したエポ
キシ樹脂成形材料は、バリ長さを1.5mm以下にお
さえられず実物成形におけるハンダ性も悪い。さ
らに透湿性レベルも他の三つのエポキシ樹脂組成
物に比べて約1オーダー低く、効果が出ていない
ことがわかる。これに比べて本発明による溶融混
合した充填剤使用成形材料は、実施例1と同様に
バリ長さを1.5mm以下に抑えることが可能であ
り、実装でのハンダ性も良好である。また耐湿性
レベルも一段と向上することがわかる。
従つて、本発明によるエポキシ樹脂成形材料
は、従来実績のある組成をそのまま維持しながら
耐湿性、成形性レベルを向上させるためトランジ
スタ、ダイオードなどはもちろんのことより複雑
で高信頼性を要求されるLSI、ICなどの封止に対
しても信頼性の向上を一段とアツプするものであ
る。[Table] From Table 2, the epoxy resin molding material using about 40% molten mixture cannot keep the burr length below 1.5 mm and has poor solderability in actual molding. Furthermore, the moisture permeability level was about one order of magnitude lower than the other three epoxy resin compositions, indicating that no effect was achieved. In comparison, the molding material using a melt-mixed filler according to the present invention can suppress the burr length to 1.5 mm or less, as in Example 1, and has good solderability during mounting. It can also be seen that the moisture resistance level is further improved. Therefore, the epoxy resin molding material according to the present invention improves moisture resistance and moldability while maintaining the composition that has been proven in the past, so it can be used not only for transistors and diodes, but also for applications that are more complex and require higher reliability. This will further improve the reliability of encapsulation of LSIs, ICs, etc.
第1図は一般半導体パツケージ概略図、第2図
はモールド金型の断面図である。
符号の説明、1……エポキシ樹脂成形材料、2
……リードフレーム、3……金型上型、4……金
型下型、5……金型パーテイング面、6……金型
キヤビテイ、7……半導体素子。
FIG. 1 is a schematic diagram of a general semiconductor package, and FIG. 2 is a sectional view of a molding die. Explanation of symbols, 1... Epoxy resin molding material, 2
...Lead frame, 3...Mold upper mold, 4...Mold lower mold, 5...Mold parting surface, 6...Mold cavity, 7...Semiconductor element.
Claims (1)
合してエポキシ樹脂成形材料を製造する方法にお
いて、充填剤とエポキシ樹脂または硬化剤をあら
かじめエポキシ樹脂または硬化剤の軟化点もしく
は融点よりもそれぞれ10℃以上高い温度で溶融混
合した後粉砕し、次いでこれに成形材料の他の成
分を混合することを特徴とするエポキシ樹脂成形
材料の製造方法。 2 充填剤のうち50重量%以上をエポキシ樹脂ま
たは硬化剤と溶融混合する特許請求の範囲第1項
記載のエポキシ樹脂成形材料の製造方法。[Claims] 1. In a method for producing an epoxy resin molding material by mixing an epoxy resin, a hardening agent, a filler, and an additive, the filler and the epoxy resin or the hardening agent are mixed in advance at the softening point of the epoxy resin or the hardening agent. Alternatively, a method for producing an epoxy resin molding material, which comprises melting and mixing at a temperature 10°C or more higher than the melting point, pulverizing, and then mixing other components of the molding material. 2. The method for producing an epoxy resin molding material according to claim 1, wherein 50% by weight or more of the filler is melt-mixed with an epoxy resin or a hardening agent.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5343080A JPS56149454A (en) | 1980-04-21 | 1980-04-21 | Preparation of epoxy resin molding compound |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5343080A JPS56149454A (en) | 1980-04-21 | 1980-04-21 | Preparation of epoxy resin molding compound |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56149454A JPS56149454A (en) | 1981-11-19 |
| JPS626587B2 true JPS626587B2 (en) | 1987-02-12 |
Family
ID=12942618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5343080A Granted JPS56149454A (en) | 1980-04-21 | 1980-04-21 | Preparation of epoxy resin molding compound |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56149454A (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0885752A (en) * | 1994-07-19 | 1996-04-02 | Sumitomo Chem Co Ltd | Epoxy resin composition and resin-encapsulated semiconductor device |
| JPH115890A (en) * | 1997-06-18 | 1999-01-12 | Hitachi Chem Co Ltd | Epoxy resin composition |
| JP3856425B2 (en) | 2001-05-02 | 2006-12-13 | 住友ベークライト株式会社 | Manufacturing method of epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device |
| CN111406084B (en) * | 2017-11-30 | 2023-04-04 | 昭和电工材料株式会社 | Composite powder |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5952657B2 (en) * | 1977-09-08 | 1984-12-20 | 旭化成株式会社 | epoxy resin composition |
-
1980
- 1980-04-21 JP JP5343080A patent/JPS56149454A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56149454A (en) | 1981-11-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3800277B2 (en) | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device | |
| KR19980064256A (en) | Epoxy resin composition | |
| JP3430150B2 (en) | Method for producing epoxy resin composition for encapsulating optical semiconductor elements | |
| JPS626587B2 (en) | ||
| KR20120050388A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| JP3009027B2 (en) | Method for producing epoxy resin composition for semiconductor encapsulation | |
| JP4317432B2 (en) | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same | |
| JP2000327883A (en) | Epoxy resin composition and semiconductor device | |
| JP2574364B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP2576713B2 (en) | Epoxy resin composition and semiconductor device | |
| JPS63347A (en) | Epoxy resin composition for use in sealing semiconductor | |
| JP3957944B2 (en) | Method for producing epoxy resin composition for semiconductor encapsulation | |
| JPH08258077A (en) | Semiconductor device | |
| JP4586286B2 (en) | Epoxy resin composition and semiconductor device | |
| JPH03140322A (en) | Epoxy resin molding material for semiconductor-sealing and resin-sealed semiconductor device | |
| JP2000119372A (en) | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device obtained using the same | |
| JPH1171442A (en) | Epoxy resin composition for semiconductor sealing and semiconductor device sealed therewith | |
| JPH0376779B2 (en) | ||
| JPH08239450A (en) | Epoxy resin composition, precision component and semiconductor device | |
| JP3356398B2 (en) | Epoxy resin composition for sealing discrete elements and resin-sealed semiconductor device | |
| KR940009422B1 (en) | Process for preparation of modifier used with semiconductor and composition thereof | |
| JPS60224234A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH0925330A (en) | Epoxy resin composition and semiconductor device sealed therewith | |
| JPH10214852A (en) | Semiconductor sealing method | |
| JPH1171443A (en) | Epoxy resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device sealed therewith |