JPS627716B2 - - Google Patents
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- JPS627716B2 JPS627716B2 JP56154749A JP15474981A JPS627716B2 JP S627716 B2 JPS627716 B2 JP S627716B2 JP 56154749 A JP56154749 A JP 56154749A JP 15474981 A JP15474981 A JP 15474981A JP S627716 B2 JPS627716 B2 JP S627716B2
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/138—Manufacture of transparent electrodes, e.g. transparent conductive oxides [TCO] or indium tin oxide [ITO] electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
- H10F77/247—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers comprising indium tin oxide [ITO]
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非晶質太陽電池に関する。従来の非晶
質シリコン太陽電池には、第１図示のようにガラ
ス基板ａに透明電極ｂ、非晶質シリコン層ｃであ
るｐ層C1、ｉ層C2、ｎ層C3（又はｎ，ｉ，ｐ
層）並びに裏面電極ｄを順次積層形成した構造の
ものが知られているが、これは、ガラス基板が安
価であり、表面の平滑性が得やすいとともに透明
であるため基板側から光を入射させることがで
き、また、絶縁基板であるため電池素子の直並列
接続が可能である等の特徴がある。しかし、この
構造の太陽電池は、近年開発された逆タイプpin
構造といわれるステンレス基板の上に非晶質シリ
コン層であるpin層及び透明電極を積層形成した
構造のものやガラス基板の上に透明電極、非晶質
シリコンカーバイト層である炭素を含むｐ層、非
晶シリコンのｉ層及びｎ層並びに裏面電極を順次
積層した構造のものと比べて変換効率が低く約２
％を示すにすぎなかつた。
質シリコン太陽電池には、第１図示のようにガラ
ス基板ａに透明電極ｂ、非晶質シリコン層ｃであ
るｐ層C1、ｉ層C2、ｎ層C3（又はｎ，ｉ，ｐ
層）並びに裏面電極ｄを順次積層形成した構造の
ものが知られているが、これは、ガラス基板が安
価であり、表面の平滑性が得やすいとともに透明
であるため基板側から光を入射させることがで
き、また、絶縁基板であるため電池素子の直並列
接続が可能である等の特徴がある。しかし、この
構造の太陽電池は、近年開発された逆タイプpin
構造といわれるステンレス基板の上に非晶質シリ
コン層であるpin層及び透明電極を積層形成した
構造のものやガラス基板の上に透明電極、非晶質
シリコンカーバイト層である炭素を含むｐ層、非
晶シリコンのｉ層及びｎ層並びに裏面電極を順次
積層した構造のものと比べて変換効率が低く約２
％を示すにすぎなかつた。
本発明はこの種の太陽電池の変換効率を改善す
ることをその目的とし、従来のこの種の太陽電池
の透明電極が最適な状態になつていないのを認識
したことに基づくものである。
ることをその目的とし、従来のこの種の太陽電池
の透明電極が最適な状態になつていないのを認識
したことに基づくものである。
すなわち、従来のこの種の太陽電池の透明電極
は液晶表示素子等に用いられていた透明電極を、
シート抵抗をなるべく小さく、しかも太陽光の透
過率を高くという観点で非晶質シリコン太陽電池
用に転用したものであり、その結果前述のように
不満足な効率であつたので、本発明者はこの種の
太陽電池に従来使用されている酸化インジウム、
酸化錫、酸化インジウム錫の表面状態を電子顕微
鏡で観察し、その結晶粒径の大きさと効率との関
係を調べた。その結果、結晶粒径と効率との間に
は相関関係があり、測定したところ平均粒径が
0.05μｍ付近にあつた従来のものより、大きな所
定範囲の平均粒径にしたとき、従来のものより著
しく効率のよい太陽電池が得られることを明らか
にした。
は液晶表示素子等に用いられていた透明電極を、
シート抵抗をなるべく小さく、しかも太陽光の透
過率を高くという観点で非晶質シリコン太陽電池
用に転用したものであり、その結果前述のように
不満足な効率であつたので、本発明者はこの種の
太陽電池に従来使用されている酸化インジウム、
酸化錫、酸化インジウム錫の表面状態を電子顕微
鏡で観察し、その結晶粒径の大きさと効率との関
係を調べた。その結果、結晶粒径と効率との間に
は相関関係があり、測定したところ平均粒径が
0.05μｍ付近にあつた従来のものより、大きな所
定範囲の平均粒径にしたとき、従来のものより著
しく効率のよい太陽電池が得られることを明らか
にした。
本発明は、透明電極の表面の平均粒径が0.1μ
ｍ以上、2.5μｍ以下であることを特徴とし、４
％以上、７％付近までの変換効率が得られる。本
発明の透明導電膜は、従来から利用された、スパ
ツタリング法、電子ビーム蒸着法、CVD法、ス
プレー法、デイツピング法、抵抗加熱蒸着法、イ
オンプレーテング法、プラズマCVD法など透明
導電膜を作製できる方法はどれでも利用できる。
但し、本発明の範囲においては、膜に曇りを生ず
るという現象が生ずるが、この現象は、膜を構成
する結晶粒の大きさが大きくなり、膜の表面及び
内部で乱反射が起ることに関係している。従つ
て、たとえ曇りを生じていても、この現象によ
り、結晶粒の適切な範囲では、粒径の増大に伴な
つて太陽電池の効率を向上させる。このため、結
晶粒が後述する範囲に発達するように条件を整え
る必要がある。それには基板温度を比較的高めに
する、膜の形成速度を遅くするなどの手段が有効
である。その他にも酸素、窒素、アルゴンなどの
透明導電膜の作製時に必要なガスの分圧をコント
ロールすることも重要な手段である。
ｍ以上、2.5μｍ以下であることを特徴とし、４
％以上、７％付近までの変換効率が得られる。本
発明の透明導電膜は、従来から利用された、スパ
ツタリング法、電子ビーム蒸着法、CVD法、ス
プレー法、デイツピング法、抵抗加熱蒸着法、イ
オンプレーテング法、プラズマCVD法など透明
導電膜を作製できる方法はどれでも利用できる。
但し、本発明の範囲においては、膜に曇りを生ず
るという現象が生ずるが、この現象は、膜を構成
する結晶粒の大きさが大きくなり、膜の表面及び
内部で乱反射が起ることに関係している。従つ
て、たとえ曇りを生じていても、この現象によ
り、結晶粒の適切な範囲では、粒径の増大に伴な
つて太陽電池の効率を向上させる。このため、結
晶粒が後述する範囲に発達するように条件を整え
る必要がある。それには基板温度を比較的高めに
する、膜の形成速度を遅くするなどの手段が有効
である。その他にも酸素、窒素、アルゴンなどの
透明導電膜の作製時に必要なガスの分圧をコント
ロールすることも重要な手段である。
実施例 １
透明電極の表面粒径と太陽電池の効率の関係を
調べるため、酸化錫（SnO2）、酸化インジウム
（In2O3）、酸化インジウム錫（ITO）の３種類の
透明電極をスプレー法によつて作製した。各透明
電極の表面における0.1〜3.0μｍの範囲の粒径
を、レプリカ法を採用し電子顕微鏡によつて観察
した。各透明電極の作製条件は以下の通りであ
る。
調べるため、酸化錫（SnO2）、酸化インジウム
（In2O3）、酸化インジウム錫（ITO）の３種類の
透明電極をスプレー法によつて作製した。各透明
電極の表面における0.1〜3.0μｍの範囲の粒径
を、レプリカ法を採用し電子顕微鏡によつて観察
した。各透明電極の作製条件は以下の通りであ
る。
(1) 酸化錫膜
SnCl4・5H2OとSbCl3をSnの重量に対してSbの
重量が３重量％となるように秤量し、１％の塩酸
水溶液に溶解して濃度10重量％の原料液を作製し
た。これを450℃のガラス基板（コーニング社
＃7059）上にスプレーにて平均粒径0.1〜約0.3μ
ｍのアンチモンドープ酸化錫を析出させた。
重量が３重量％となるように秤量し、１％の塩酸
水溶液に溶解して濃度10重量％の原料液を作製し
た。これを450℃のガラス基板（コーニング社
＃7059）上にスプレーにて平均粒径0.1〜約0.3μ
ｍのアンチモンドープ酸化錫を析出させた。
(2) 酸化インジウム膜
InCl3・4H2Oを１％塩酸水溶液に溶解して濃度
10重量％の原料液を作製した。これを450℃のガ
ラス基板上にスプレーして平均粒径0.1〜約0.3μ
ｍの酸化インジウムを析出させた。
10重量％の原料液を作製した。これを450℃のガ
ラス基板上にスプレーして平均粒径0.1〜約0.3μ
ｍの酸化インジウムを析出させた。
(3) 酸化インジウム錫膜
InCl3・4H2OとSnCl4・4H2Oをインジウムに対
する錫の重量が２重量％となるように秤量し、１
％の塩酸水溶液に溶解して濃度10重量％の原料液
とした。これを450℃のガラス基板上にスプレー
して膜表面の平均粒径が0.1〜3.0μｍの酸化イン
ジウム錫膜を析出させた。
する錫の重量が２重量％となるように秤量し、１
％の塩酸水溶液に溶解して濃度10重量％の原料液
とした。これを450℃のガラス基板上にスプレー
して膜表面の平均粒径が0.1〜3.0μｍの酸化イン
ジウム錫膜を析出させた。
以上３種類の各膜の表面平均粒径0.1〜3.0μｍ
の膜のシート抵抗は約50Ω／□とした。
の膜のシート抵抗は約50Ω／□とした。
次にこれ等の膜上に同一条件で非晶質シリコン
層を析出させた。成膜の方法は容量結合型RFグ
ロー放電法とし、水素ベースモノシラン（シラン
10体積％）、水素ベースジボラン（ジボラン
1000ppm）、水素ベースホスフイン（ホスフイン
1000ppm）を用いた。以上の原料ガスを使用し
てｐ層（SiH4の体積に対するB2H6の体積の割合
0.3％）約100Å、ｉ層約5000Å、ｎ層（SiH4の体
積に対するPH3の体積の割合0.8％）約300Åを順
次析出させた。その後アルミニウムを約１μｍ真
空蒸着してガラス基板−透明電極−pin−アルミ
ニウム構造の太陽電池素子を作製した。なお、そ
の他の成膜条件は基板温度250℃、真空度
1Torr、ガス流量100SCCM（スタンダードCCパ
ーミニツト）とした。
層を析出させた。成膜の方法は容量結合型RFグ
ロー放電法とし、水素ベースモノシラン（シラン
10体積％）、水素ベースジボラン（ジボラン
1000ppm）、水素ベースホスフイン（ホスフイン
1000ppm）を用いた。以上の原料ガスを使用し
てｐ層（SiH4の体積に対するB2H6の体積の割合
0.3％）約100Å、ｉ層約5000Å、ｎ層（SiH4の体
積に対するPH3の体積の割合0.8％）約300Åを順
次析出させた。その後アルミニウムを約１μｍ真
空蒸着してガラス基板−透明電極−pin−アルミ
ニウム構造の太陽電池素子を作製した。なお、そ
の他の成膜条件は基板温度250℃、真空度
1Torr、ガス流量100SCCM（スタンダードCCパ
ーミニツト）とした。
第２図は、各透明電極材料の平均粒径が太陽電
池の効率に与える影響を求めた実験結果である。
各素子の大きさは４mm2であり、照射光はソーラシ
ミユレータ（AM−１）を用い、80mW／cm2であ
る。
池の効率に与える影響を求めた実験結果である。
各素子の大きさは４mm2であり、照射光はソーラシ
ミユレータ（AM−１）を用い、80mW／cm2であ
る。
同図に示すように、５ａは酸化錫、５ｂは酸化
インジウム錫、５ｃは酸化インジウムで、いずれ
の透明電極材料とも平均粒径の増加に従つて効率
が向上して約1.12μｍ〜1.4μｍで最大になり、
以後減少する傾向を示し、酸化錫は0.1〜2.25μ
ｍ、酸化インジウム錫は0.2〜2.5μｍ、酸化イン
ジウムは0.24〜2.0μｍの各範囲で４％以上の効
率を示した。
インジウム錫、５ｃは酸化インジウムで、いずれ
の透明電極材料とも平均粒径の増加に従つて効率
が向上して約1.12μｍ〜1.4μｍで最大になり、
以後減少する傾向を示し、酸化錫は0.1〜2.25μ
ｍ、酸化インジウム錫は0.2〜2.5μｍ、酸化イン
ジウムは0.24〜2.0μｍの各範囲で４％以上の効
率を示した。
第３図は平均粒径が0.1μｍ以上の透明電極を
用いた本発明の太陽電池の構成を略図的に示した
もので、１はガラス基板、２は透明電極、３は非
晶質シリコン層、４は背面電極（1000Å〜数μ
ｍ）である。
用いた本発明の太陽電池の構成を略図的に示した
もので、１はガラス基板、２は透明電極、３は非
晶質シリコン層、４は背面電極（1000Å〜数μ
ｍ）である。
第４図及び第５図はそれぞれ平均粒径が約0.3
μｍ、約0.6μｍである、スプレー法により被着
させた本発明の酸化錫膜の表面状態の顕微鏡写真
（×30000、レプリカ法による。）である。この実
施例で使用した各透明電極膜は、３つの材質とも
平均粒径が0.1μｍ以上になると背面電極側から
肉眼で見て、徐々に曇りあるいは白濁を呈する
が、以上の実験の結果、この白濁は太陽電池の変
換効率を減少させることはなく、かえつて著しく
向上させることが判つた。このものはガラス側か
ら見て従来のものより黒く見え従来のものとは明
らかに区別できる。
μｍ、約0.6μｍである、スプレー法により被着
させた本発明の酸化錫膜の表面状態の顕微鏡写真
（×30000、レプリカ法による。）である。この実
施例で使用した各透明電極膜は、３つの材質とも
平均粒径が0.1μｍ以上になると背面電極側から
肉眼で見て、徐々に曇りあるいは白濁を呈する
が、以上の実験の結果、この白濁は太陽電池の変
換効率を減少させることはなく、かえつて著しく
向上させることが判つた。このものはガラス側か
ら見て従来のものより黒く見え従来のものとは明
らかに区別できる。
尚、第６図は平均粒径が約0.05μｍである従来
の太陽電池の透明電極の表面の顕微鏡写真（×
30000）である。
の太陽電池の透明電極の表面の顕微鏡写真（×
30000）である。
平均粒径が約0.05μｍのときの効率は約1.8％
であつた。
であつた。
実施例 ２
SnCl4とSbCl5と純水（酸化剤）を原料とし
て、各原料を入れたバブラーの温度を各々−30
℃、−25℃、−15℃とし、キヤリヤーガス（Ar）
の流量を各々100〜600c.c.／分、100〜600c.c.／分、
100〜500c.c.／分として300℃〜500℃に加熱された
ガラス基板上にCVD法によりアンチモンドープ
酸化錫膜を作製した。
て、各原料を入れたバブラーの温度を各々−30
℃、−25℃、−15℃とし、キヤリヤーガス（Ar）
の流量を各々100〜600c.c.／分、100〜600c.c.／分、
100〜500c.c.／分として300℃〜500℃に加熱された
ガラス基板上にCVD法によりアンチモンドープ
酸化錫膜を作製した。
表面の平均粒径はキヤリヤーガス流量、基板温
度、膜厚などを変化させて実施例１とほゞ同じ領
域とした。そしてそのときの膜のシート抵抗は約
50Ω／□とした。各平均粒径の酸化錫膜上に実施
例と同様に非晶質シリコン層のpin層を析出させ
アルミニウム電極を蒸着して素子を得た。この実
施例はCVD法によるアンチモンドープSnO2膜で
あるが、実施例１のスプレー法の場合と同様に粒
径を変化させてその時の効率を測定した。0.1〜
１μｍで効率が著しく向上し、平均粒径が１μｍ
程度で７％近い効率が得られた。
度、膜厚などを変化させて実施例１とほゞ同じ領
域とした。そしてそのときの膜のシート抵抗は約
50Ω／□とした。各平均粒径の酸化錫膜上に実施
例と同様に非晶質シリコン層のpin層を析出させ
アルミニウム電極を蒸着して素子を得た。この実
施例はCVD法によるアンチモンドープSnO2膜で
あるが、実施例１のスプレー法の場合と同様に粒
径を変化させてその時の効率を測定した。0.1〜
１μｍで効率が著しく向上し、平均粒径が１μｍ
程度で７％近い効率が得られた。
この実施例によつて膜の製造法が異なつても、
平均粒径と変換効率との関係は、実施例１と同様
の傾向を示すことが分かつた。
平均粒径と変換効率との関係は、実施例１と同様
の傾向を示すことが分かつた。
実施例 ３
次に、蒸着法による酸化インジウム膜と酸化イ
ンジウム錫膜の場合について実施例を示す。酸化
インジウム膜は通常の抵抗加熱法によつて金属イ
ンジウム（純度99.999％）をモリブデン製のボー
トより蒸発させ、同時に酸素を10-3〜10-5Torr導
入することによつて作製した。平均粒径は基板温
度（200℃〜500℃）、蒸発量、酸素ガス導入量に
よつて変化させ、0.1〜約３μｍの酸化インジウ
ム膜を得た。そして各膜のシート抵抗を約20Ω／
□とした。
ンジウム錫膜の場合について実施例を示す。酸化
インジウム膜は通常の抵抗加熱法によつて金属イ
ンジウム（純度99.999％）をモリブデン製のボー
トより蒸発させ、同時に酸素を10-3〜10-5Torr導
入することによつて作製した。平均粒径は基板温
度（200℃〜500℃）、蒸発量、酸素ガス導入量に
よつて変化させ、0.1〜約３μｍの酸化インジウ
ム膜を得た。そして各膜のシート抵抗を約20Ω／
□とした。
酸化インジウム錫膜は、In重量に対するSnの
重量の割合を０〜10％となるようにペレツトに電
子ビームを照射してこれを加熱、蒸発させ同時に
酸素を10-4〜10-5Torr導入することによつて200
℃〜500℃に加熱されたガラス基板上にIn2O3と
SnO2を析出させることによつて作製した。平均
粒径は基板温度、蒸発量、膜厚などを制御するこ
とによつて0.05〜３μｍ程度まで変化させた。シ
ート抵抗は約10Ω／□となるようにした。
重量の割合を０〜10％となるようにペレツトに電
子ビームを照射してこれを加熱、蒸発させ同時に
酸素を10-4〜10-5Torr導入することによつて200
℃〜500℃に加熱されたガラス基板上にIn2O3と
SnO2を析出させることによつて作製した。平均
粒径は基板温度、蒸発量、膜厚などを制御するこ
とによつて0.05〜３μｍ程度まで変化させた。シ
ート抵抗は約10Ω／□となるようにした。
これらの各平均粒径の酸化インジウム、酸化イ
ンジウム錫膜上に実施例１と同様にしてガラス基
板−透明電極−pin−アルミニウム構造の素子を
作製し、効率と平均粒径の関係を調べた。その結
果、平均粒径の増加に伴つて効率の向上が見られ
平均粒径１μｍで約5.5％の効率が得られた。
ンジウム錫膜上に実施例１と同様にしてガラス基
板−透明電極−pin−アルミニウム構造の素子を
作製し、効率と平均粒径の関係を調べた。その結
果、平均粒径の増加に伴つて効率の向上が見られ
平均粒径１μｍで約5.5％の効率が得られた。
この他電子ビーム蒸着法によつてアンチモンド
ープ酸化錫膜を作製し、空気中で熱処理を施した
膜においても同様の傾向が見られた。
ープ酸化錫膜を作製し、空気中で熱処理を施した
膜においても同様の傾向が見られた。
以上の実施例によつて各種の作製法によつて作
られた種々の透明導電膜の表面の平均粒径を0.1
μｍ〜2.5μｍの範囲にすることにより、従来、
透明度が良いとして用いられてきた0.05μｍ付近
の透明電極より優れた変換効率（４％以上）が得
られることが明らかになつた。更にこれらの実施
例１，２，３より、透明電極材料として酸化錫を
主体とした透明膜を選んだ場合の方が他の透明電
極材料（酸化インジウム、酸化インジウム錫）よ
り優れた変換効率が得られることもあわせて明ら
かになつた。
られた種々の透明導電膜の表面の平均粒径を0.1
μｍ〜2.5μｍの範囲にすることにより、従来、
透明度が良いとして用いられてきた0.05μｍ付近
の透明電極より優れた変換効率（４％以上）が得
られることが明らかになつた。更にこれらの実施
例１，２，３より、透明電極材料として酸化錫を
主体とした透明膜を選んだ場合の方が他の透明電
極材料（酸化インジウム、酸化インジウム錫）よ
り優れた変換効率が得られることもあわせて明ら
かになつた。
また前記実施例では、ガラス基板−透明電極−
pin−背面電極構造のものを用いたが、ガラス基
板−透明電極−nip−背面電極構造の素子でも同
様の結果が得られた。更にまたこれらの構造にお
ける非晶質シリコン層のｐ層又はｎ層に炭素を添
加した太陽電池においても本発明の透明電極を使
用して７％から7.8％までの効率の改善を得るこ
とができた。更にゲルマニウムを含む非晶質膜に
も適用できる。
pin−背面電極構造のものを用いたが、ガラス基
板−透明電極−nip−背面電極構造の素子でも同
様の結果が得られた。更にまたこれらの構造にお
ける非晶質シリコン層のｐ層又はｎ層に炭素を添
加した太陽電池においても本発明の透明電極を使
用して７％から7.8％までの効率の改善を得るこ
とができた。更にゲルマニウムを含む非晶質膜に
も適用できる。
このように本発明によるときは、ガラス基板上
に透明電極、非晶質シリコン層及び電極を順次被
着させた非晶質シリコン太陽電池及びその他の非
晶質太陽電池において、前記透明電極の表面の平
均粒径は0.1〜2.5μｍであるので、従来のものに
比べて大幅に変換効率が向上し、約４％以上７％
までのものが得られる効果を有する。
に透明電極、非晶質シリコン層及び電極を順次被
着させた非晶質シリコン太陽電池及びその他の非
晶質太陽電池において、前記透明電極の表面の平
均粒径は0.1〜2.5μｍであるので、従来のものに
比べて大幅に変換効率が向上し、約４％以上７％
までのものが得られる効果を有する。
第１図は従来の非晶質シリコン太陽電池の構成
説明図、第２図は各透明電極材料の平均粒径と効
率との関係を示す特性図、第３図は本発明の太陽
電池の構成説明図、第４図及び第５図は、それぞ
れ平均粒径が異なる酸化錫膜の表面状態の顕微鏡
写真を示す。第６図は従来の太陽電池の透明電極
の表面の顕微鏡写真を示す。 １……ガラス基板、２……透明電極、３……非
晶質シリコン層、４……背面電極。
説明図、第２図は各透明電極材料の平均粒径と効
率との関係を示す特性図、第３図は本発明の太陽
電池の構成説明図、第４図及び第５図は、それぞ
れ平均粒径が異なる酸化錫膜の表面状態の顕微鏡
写真を示す。第６図は従来の太陽電池の透明電極
の表面の顕微鏡写真を示す。 １……ガラス基板、２……透明電極、３……非
晶質シリコン層、４……背面電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ガラス基板上に透明電極、非晶質層及び電極
を順次被着させた非晶質太陽電池において、前記
透明電極の表面の平均粒径は0.1μｍ以上2.5μｍ
以下であることを特徴とする非晶質太陽電池。 ２ 前記透明電極は酸化錫を主成分とする被膜で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の非晶質太陽電池。
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