JPS628527B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS628527B2 JPS628527B2 JP54127852A JP12785279A JPS628527B2 JP S628527 B2 JPS628527 B2 JP S628527B2 JP 54127852 A JP54127852 A JP 54127852A JP 12785279 A JP12785279 A JP 12785279A JP S628527 B2 JPS628527 B2 JP S628527B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- yarn
- guide
- less
- crystal grain
- grain size
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Yarns And Mechanical Finishing Of Yarns Or Ropes (AREA)
Description
産業上の利用分野
この発明は、多結晶セラミツクスからなるガイ
ドを使用して仮撚糸を案内する方法に関する。 従来の技術 仮撚糸の案内には、従来、多結晶セラミツクス
からなり、かつ表面の中心線平均粗さが0.5〜２
μであるような糸ガイドを使用している。しかし
ながら、このような、中心線平均粗さが0.5〜２
μであるような糸ガイドを使用して仮撚糸を案内
すると、糸に毛羽を発生させて糸質を低下させた
り、糸を傷付けて糸ガイドの接糸面に糸粉が堆積
するという問題がある。 発明が解決しようとする問題点 この発明の目的は、従来の方法の上記欠点を解
決するもので、仮撚糸を、糸に毛羽を発生させて
糸質を低下させたり、糸を傷付けて糸ガイドの接
糸面に糸粉が堆積するのを防止して案内する方法
を提供するにある。 問題点を解決するための手段 上記目的を達成するためのこの発明は、多結晶
セラミツクスからなり、かつ表面の中心線平均粗
さが0.2μ以下であり、平均結晶粒径が10μ以下
である糸ガイドを使用して仮撚糸を案内する仮撚
糸の案内方法を特徴とするものである。 この発明にいう「中心線平均粗さ」とは、JIS
Ｂ 0601−1966で定義される表面粗さである。ま
た、「平均結晶粒径」とは、糸ガイドの表面の拡
大顕微鏡写真をとり、その写真上の任意の一定面
積内に存在する結晶粒の面積を、結晶粒の大きな
ものから小さなものへと、その面積の和が上記一
定面積の二分の一になるまで加え、その加算面積
をその結晶粒の個数で除して得た面積、すなわち
結晶粒の平均面積の円を想定し、算出したもので
ある。すなわち、 S1＋S2＋……＋Ｓo＝（1/2）・Ｓ …… ΣＳo／ｎ＝（1/4）・π・d2 …… ｄ＝２・（ΣＳo／π・ｎ）1/2 …… ただし ｓ：各結晶粒の面積 ｎ：結晶粒の個数 Ｓ：任意の一定面積 ｄ：平均結晶粒径 さて、この発明で使用する糸ガイドは、アルミ
ナ系、チタニア系、ムライト（3Al2O3・
2SiO2）、スピネル（MgO・Al2O3）、炭化ケイ素
SiC）、窒化ケイ素（Si3N4）などの多結晶セラミツ
クスからなり、その形状は、通常、円筒状や丸棒
状である。しかして、その表面の中心線平均粗さ
は0.2μ以下でなければならない。その理由は、
仮撚糸は普通の撚糸にくらべて仮撚状態における
撚数が大変多く、糸ガイドの表面に対する接触面
積が小さいので、表面の中心線平均粗さを0.2μ
以下にすると摩擦係数が急激に下り、糸が傷付く
ことによる接糸面への糸粉の堆積を防止すること
ができるようになるからである。このような摩擦
係数の低下は、仮撚糸に特有のもので、普通の撚
糸や無撚糸においては、表面の中心線平均粗さが
0.2μ以下になると摩擦係数が急激に増大すると
いう、仮撚糸とは全く逆の現象がみられる。 また、この発明で使用する糸ガイドは、その表
面の平均結晶粒径が10μ以下でなければならな
い。すなわち、平均結晶粒径が10μを越えると、
毛羽の発生による糸質低下が著しくなる。その理
由は明らかでないが、表面の平均結晶粒径が10μ
を越えると、仮撚糸は加撚状態における撚数が大
変多いので、単糸が結晶粒による微細な凹凸の隙
間に食込むようになるためではないかと推定され
る。 次に、この発明の方法を実施例に基づいてさら
に詳細に説明する。 実施例 純度が99.0％および99.5％であるアルミナ粉末
を用い、それらアルミナ粉末にマグネシア粉末を
0.25重量％加えて十分混合した後1000℃で仮焼
し、さらに粉砕して粉末にした。 次に、上記粉末を、公知のラバープレス法を用
い、1000Kg／cm2の圧力下に円筒状に成形し、さら
に旋盤を用いて粗加工した後、1500℃、1600℃お
よび1700℃の温度で３時間焼成し、多結晶アルミ
ナ焼結体を作つた。 次に、上記焼結体の表面をダイヤモンド砥石お
よびダイヤモンドペーストを用いて超仕上げし、
表に示す６種類の糸ガイドを作つた。なお、この
糸ガイドは内径６mm、外径10mm、長さ40mmの円筒
状である。 次に、上記各糸ガイドに150デニール／30フイ
ラメント、加撚状態における1m当りの撚数が
3500であるポリエステル仮撚糸を400m／分の速
度で一定時間接触走行させ、糸粉と毛羽の発生状
況を調べた。試験結果を表に示す。
ドを使用して仮撚糸を案内する方法に関する。 従来の技術 仮撚糸の案内には、従来、多結晶セラミツクス
からなり、かつ表面の中心線平均粗さが0.5〜２
μであるような糸ガイドを使用している。しかし
ながら、このような、中心線平均粗さが0.5〜２
μであるような糸ガイドを使用して仮撚糸を案内
すると、糸に毛羽を発生させて糸質を低下させた
り、糸を傷付けて糸ガイドの接糸面に糸粉が堆積
するという問題がある。 発明が解決しようとする問題点 この発明の目的は、従来の方法の上記欠点を解
決するもので、仮撚糸を、糸に毛羽を発生させて
糸質を低下させたり、糸を傷付けて糸ガイドの接
糸面に糸粉が堆積するのを防止して案内する方法
を提供するにある。 問題点を解決するための手段 上記目的を達成するためのこの発明は、多結晶
セラミツクスからなり、かつ表面の中心線平均粗
さが0.2μ以下であり、平均結晶粒径が10μ以下
である糸ガイドを使用して仮撚糸を案内する仮撚
糸の案内方法を特徴とするものである。 この発明にいう「中心線平均粗さ」とは、JIS
Ｂ 0601−1966で定義される表面粗さである。ま
た、「平均結晶粒径」とは、糸ガイドの表面の拡
大顕微鏡写真をとり、その写真上の任意の一定面
積内に存在する結晶粒の面積を、結晶粒の大きな
ものから小さなものへと、その面積の和が上記一
定面積の二分の一になるまで加え、その加算面積
をその結晶粒の個数で除して得た面積、すなわち
結晶粒の平均面積の円を想定し、算出したもので
ある。すなわち、 S1＋S2＋……＋Ｓo＝（1/2）・Ｓ …… ΣＳo／ｎ＝（1/4）・π・d2 …… ｄ＝２・（ΣＳo／π・ｎ）1/2 …… ただし ｓ：各結晶粒の面積 ｎ：結晶粒の個数 Ｓ：任意の一定面積 ｄ：平均結晶粒径 さて、この発明で使用する糸ガイドは、アルミ
ナ系、チタニア系、ムライト（3Al2O3・
2SiO2）、スピネル（MgO・Al2O3）、炭化ケイ素
SiC）、窒化ケイ素（Si3N4）などの多結晶セラミツ
クスからなり、その形状は、通常、円筒状や丸棒
状である。しかして、その表面の中心線平均粗さ
は0.2μ以下でなければならない。その理由は、
仮撚糸は普通の撚糸にくらべて仮撚状態における
撚数が大変多く、糸ガイドの表面に対する接触面
積が小さいので、表面の中心線平均粗さを0.2μ
以下にすると摩擦係数が急激に下り、糸が傷付く
ことによる接糸面への糸粉の堆積を防止すること
ができるようになるからである。このような摩擦
係数の低下は、仮撚糸に特有のもので、普通の撚
糸や無撚糸においては、表面の中心線平均粗さが
0.2μ以下になると摩擦係数が急激に増大すると
いう、仮撚糸とは全く逆の現象がみられる。 また、この発明で使用する糸ガイドは、その表
面の平均結晶粒径が10μ以下でなければならな
い。すなわち、平均結晶粒径が10μを越えると、
毛羽の発生による糸質低下が著しくなる。その理
由は明らかでないが、表面の平均結晶粒径が10μ
を越えると、仮撚糸は加撚状態における撚数が大
変多いので、単糸が結晶粒による微細な凹凸の隙
間に食込むようになるためではないかと推定され
る。 次に、この発明の方法を実施例に基づいてさら
に詳細に説明する。 実施例 純度が99.0％および99.5％であるアルミナ粉末
を用い、それらアルミナ粉末にマグネシア粉末を
0.25重量％加えて十分混合した後1000℃で仮焼
し、さらに粉砕して粉末にした。 次に、上記粉末を、公知のラバープレス法を用
い、1000Kg／cm2の圧力下に円筒状に成形し、さら
に旋盤を用いて粗加工した後、1500℃、1600℃お
よび1700℃の温度で３時間焼成し、多結晶アルミ
ナ焼結体を作つた。 次に、上記焼結体の表面をダイヤモンド砥石お
よびダイヤモンドペーストを用いて超仕上げし、
表に示す６種類の糸ガイドを作つた。なお、この
糸ガイドは内径６mm、外径10mm、長さ40mmの円筒
状である。 次に、上記各糸ガイドに150デニール／30フイ
ラメント、加撚状態における1m当りの撚数が
3500であるポリエステル仮撚糸を400m／分の速
度で一定時間接触走行させ、糸粉と毛羽の発生状
況を調べた。試験結果を表に示す。
【表】
上表から、表面の中心線平均粗さが0.2μ以下
であり、かつ平均結晶粒径が10μ以下である糸ガ
イドＥ，Ｆを使用した場合は、上記条件を満足し
ていない糸ガイドＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄを使用した場合
にくらべて、糸に毛羽を発生させて糸質を低下さ
せたり、糸を傷付けて糸ガイドの接糸面に糸粉が
堆積するような不都合が極めて少ないことがわか
る。 一方、糸ガイドＢおよびＦについて、顕微鏡を
用いて表面の粗さの状態と結晶の状態を観察し
た。結果を第１図および第２図に示す。 糸ガイドＢは、第１図イに示すように表面が粗
いが、糸ガイドＦは、第１図ロに示すように中心
線平均粗さが0.2μ以下であるという条件を満足
する極めて緻密な表面を有している。また、第２
図イに示すように、糸ガイドＢの平均結晶粒径
は、第２図ロに示す糸ガイドＦの10μ以下という
値に比べて極めて大きい。 発明の効果 この発明の方法は、多結晶セラミツクスからな
り、かつ表面の中心線平均粗さが0.2μ以下であ
り、平均結晶粒径が10μ以下である糸ガイドを使
用して仮撚糸を案内するものであり、実施例にも
示したように、糸に毛羽を発生させて糸質を低下
させたり、糸を傷付けて糸ガイドの接糸面に糸粉
が堆積するといつた不都合が極めて少ない。
であり、かつ平均結晶粒径が10μ以下である糸ガ
イドＥ，Ｆを使用した場合は、上記条件を満足し
ていない糸ガイドＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄを使用した場合
にくらべて、糸に毛羽を発生させて糸質を低下さ
せたり、糸を傷付けて糸ガイドの接糸面に糸粉が
堆積するような不都合が極めて少ないことがわか
る。 一方、糸ガイドＢおよびＦについて、顕微鏡を
用いて表面の粗さの状態と結晶の状態を観察し
た。結果を第１図および第２図に示す。 糸ガイドＢは、第１図イに示すように表面が粗
いが、糸ガイドＦは、第１図ロに示すように中心
線平均粗さが0.2μ以下であるという条件を満足
する極めて緻密な表面を有している。また、第２
図イに示すように、糸ガイドＢの平均結晶粒径
は、第２図ロに示す糸ガイドＦの10μ以下という
値に比べて極めて大きい。 発明の効果 この発明の方法は、多結晶セラミツクスからな
り、かつ表面の中心線平均粗さが0.2μ以下であ
り、平均結晶粒径が10μ以下である糸ガイドを使
用して仮撚糸を案内するものであり、実施例にも
示したように、糸に毛羽を発生させて糸質を低下
させたり、糸を傷付けて糸ガイドの接糸面に糸粉
が堆積するといつた不都合が極めて少ない。
第１図イ，ロは、それぞれ従来およびこの発明
で使用する糸ガイドの表面の粗さの状態を示す顕
微鏡写真、第２図イ，ロは、それぞれ従来および
この発明で使用する糸ガイドの表面の結晶の状態
を示す顕微鏡写真である。
で使用する糸ガイドの表面の粗さの状態を示す顕
微鏡写真、第２図イ，ロは、それぞれ従来および
この発明で使用する糸ガイドの表面の結晶の状態
を示す顕微鏡写真である。
Claims (1)
- １ 多結晶セラミツクスからなり、かつ表面の中
心線平均粗さが0.2μ以下であり、平均結晶粒径
が10μ以下である糸ガイドを使用して仮撚糸を案
内することを特徴とする仮撚糸の案内方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12785279A JPS5653222A (en) | 1979-10-05 | 1979-10-05 | Guide for false twisting yarn |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12785279A JPS5653222A (en) | 1979-10-05 | 1979-10-05 | Guide for false twisting yarn |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5653222A JPS5653222A (en) | 1981-05-12 |
| JPS628527B2 true JPS628527B2 (ja) | 1987-02-23 |
Family
ID=14970253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12785279A Granted JPS5653222A (en) | 1979-10-05 | 1979-10-05 | Guide for false twisting yarn |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5653222A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5327389A (en) * | 1976-08-27 | 1978-03-14 | Hitachi Ltd | Driving circuit of liquid crystal number display device |
| JPS5364709U (ja) * | 1976-10-27 | 1978-05-31 | ||
| JPS5554646Y2 (ja) * | 1977-07-04 | 1980-12-17 |
-
1979
- 1979-10-05 JP JP12785279A patent/JPS5653222A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5653222A (en) | 1981-05-12 |
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