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JPS6311880B2 - - Google Patents
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JPS6311880B2 - - Google Patents

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JPS6311880B2
JPS6311880B2 JP12258379A JP12258379A JPS6311880B2 JP S6311880 B2 JPS6311880 B2 JP S6311880B2 JP 12258379 A JP12258379 A JP 12258379A JP 12258379 A JP12258379 A JP 12258379A JP S6311880 B2 JPS6311880 B2 JP S6311880B2
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JP
Japan
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circuit
gate
signal
input
output
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JP12258379A
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JPS5646694A (en
Inventor
Hisashi Kawahara
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Citizen Watch Co Ltd
Original Assignee
Citizen Watch Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6311880B2 publication Critical patent/JPS6311880B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02PCONTROL OR REGULATION OF ELECTRIC MOTORS, ELECTRIC GENERATORS OR DYNAMO-ELECTRIC CONVERTERS; CONTROLLING TRANSFORMERS, REACTORS OR CHOKE COILS
    • H02P8/00Arrangements for controlling dynamo-electric motors rotating step by step
    • H02P8/14Arrangements for controlling speed or speed and torque
    • H02P8/16Reducing energy dissipated or supplied

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromechanical Clocks (AREA)
  • Control Of Stepping Motors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は特に指針式電子時計のパルスモーター
の駆動回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention particularly relates to a drive circuit for a pulse motor of a pointer type electronic timepiece.

電子時計の普及と共に使用者からは、より消費
電流が少なく電池寿命の長いものが望まれてきて
おり、これまで消費電流を少なくする為の種々の
手段が講じられてきている。その結果最近では時
計用LSIの消費電流は数百ナノアンペア程度のも
のができるようになつてきたが、まだ充分満足の
いけるものではなく、更に長寿命の電子時計を考
えていく為に今まで以上に細かいところでの消費
電流の軽減を考えていかなくてはならないように
なつてきている。
As electronic watches have become more widespread, users have begun to desire watches with lower current consumption and longer battery life, and various measures have been taken to reduce current consumption. As a result, the current consumption of clock LSIs has recently come to be on the order of several hundred nanoamperes, but this is still not completely satisfactory, and we have been working on creating electronic clocks with even longer lifespans. It has become necessary to consider ways to reduce current consumption in even more detailed areas.

その中でパルスモーターを駆動する駆動回路を
構成する出力バツフアの貫通電流の大きさが見の
がせないものとなつてきている。
Among these, the magnitude of the through-current in the output buffer that constitutes the drive circuit that drives the pulse motor has become something that cannot be overlooked.

従来の駆動回路の出力バツフアは、単純なイン
バーター構成から成つており、入力信号の立上
り、立下り時にインバーターのPチヤンネル型
MOSトランジスタとNチヤンネル型MOSトラン
ジスタが同時にON状態になる期間が生じる為、
貫通電流が流れ無駄な電力を消費し電池の寿命を
著しくそこなう要因となつていた。又、従来上記
インバーターバツフアの貫通電流を少なくする手
段として、インバーターバツフアのPチヤンネル
MOSトランジスタのゲート入力とNチヤンネル
MOSトランジスタのゲート入力を別にし、Pチ
ヤンネルMOSトランジスタのゲートに入力され
るパルスに対して抵抗とコンデンサを用いて積分
回路によりNチヤンネルMOSトランジスタのゲ
ートに入力されるパルスの位相を変えて且つ短か
くするようにしてPチヤンネルMOSトランジス
タとNチヤンネルMOSトランジスタを同時に
ON状態にさせない様にして貫通電流が流れない
ようにしていたが、LSIに於いて、抵抗やコンデ
ンサの造り込み精度はバラツキが大きく、積分回
路の時定数が定まらず、PチヤンネルMOSトラ
ンジスタのゲート入力とNチヤンネルMOSトラ
ンジスタのゲート入力に印加されるパルスの差が
なくなり貫通電流が流れてしまつたり、Pチヤン
ネルMOSトランジスタのゲート入力とNチヤン
ネルMOSトランジスタのゲート入力に印加され
るパルスの差が大きくなりすぎてバツフアーの出
力にオープン状態が現われたりするようになつて
しまい非常に不安定要素を含んでおり、貫通電流
を防止する為の駆動回路としては充分満足できる
ものではなかつた。
The output buffer of conventional drive circuits consists of a simple inverter configuration, and when the input signal rises and falls, the inverter's P-channel type
Because there is a period when the MOS transistor and the N-channel MOS transistor are in the ON state at the same time,
A through current flows, wasting power and significantly shortening the life of the battery. In addition, as a conventional means for reducing the through current of the inverter buffer, a P channel of the inverter buffer has been used.
MOS transistor gate input and N channel
Separately from the gate input of the MOS transistor, the phase of the pulse input to the gate of the N-channel MOS transistor is changed and shortened by an integrating circuit using a resistor and a capacitor for the pulse input to the gate of the P-channel MOS transistor. In this way, a P-channel MOS transistor and an N-channel MOS transistor can be operated at the same time.
We tried to prevent through current from flowing by not turning it on, but in LSI, the precision of building resistors and capacitors varies widely, and the time constant of the integrating circuit is not fixed, so the gate of the P-channel MOS transistor The difference between the pulses applied to the input and the gate input of the N-channel MOS transistor disappears, causing a through current to flow, or the difference between the pulses applied to the gate input of the P-channel MOS transistor and the gate input of the N-channel MOS transistor increases. If the circuit becomes too large, an open state may appear in the output of the buffer, and it contains extremely unstable elements, making it unsatisfactory as a drive circuit for preventing through current.

上記欠点を解消するため本発明の目的とすると
ころは、波形整形回路からの出力信号を入力とし
てパルスモーターのコイルに印加する交互パルス
の極性を決定する記憶制御回路と、該記憶制御回
路の各出力信号を入力とする一対の帰還型遅延回
路と、該一対の帰還型遅延回路からの信号を各々
入力とするPチヤンネル型MOSトランジスタ及
びNチヤンネル型MOSトランジスタとからなる
互いに独立して制御される入力ゲートを備え、前
記帰還型遅延回路は前記バツフアを構成するPチ
ヤンネル型MOSトランジスタとNチヤンネル型
MOSトランジスタとが互いに同時に導通するこ
とを禁止する様構成することにより、パルスモー
ター駆動回路の出力バツフアの貫通電流をなく
し、無駄な消費電流を減じ電池寿命の長い電子時
計を達成するためのパルスモーターの駆動回路を
提供することにある。
In order to eliminate the above-mentioned drawbacks, an object of the present invention is to provide a memory control circuit that receives an output signal from a waveform shaping circuit and determines the polarity of alternating pulses to be applied to the coil of a pulse motor, and each of the memory control circuits. A pair of feedback delay circuits that receive an output signal as input, and a P-channel MOS transistor and an N-channel MOS transistor that receive signals from the pair of feedback delay circuits, respectively, and are controlled independently from each other. The feedback delay circuit includes a P-channel MOS transistor and an N-channel MOS transistor constituting the buffer.
By configuring the MOS transistors to prohibit conduction at the same time, the pulse motor eliminates the through current of the output buffer of the pulse motor drive circuit, reduces wasteful current consumption, and achieves an electronic clock with a long battery life. The purpose of the present invention is to provide a drive circuit for the following.

以下本発明の実施例を図面に基き説明をする。
第1図は、本発明の電子時計の回路ブロツク線図
であり、第2図は第1図中に於ける主要電圧波形
図である。
Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings.
FIG. 1 is a circuit block diagram of the electronic timepiece of the present invention, and FIG. 2 is a diagram of main voltage waveforms in FIG. 1.

1は水晶振動子を時間基準源として32kHzの信
号を出力する発振回路である。2は分周回路であ
り、該発振回路1からの発振信号を入力として1
Hzの分周信号を出力する。3は波形整形回路であ
り、該分周回路2からの1Hzの分周信号を入力と
して波形整形信号P1を出力する。
1 is an oscillation circuit that outputs a 32kHz signal using a crystal resonator as a time reference source. 2 is a frequency dividing circuit, which receives the oscillation signal from the oscillation circuit 1 and divides the frequency into 1.
Outputs a frequency-divided signal of Hz. 3 is a waveform shaping circuit which inputs the 1 Hz frequency divided signal from the frequency dividing circuit 2 and outputs a waveform shaped signal P1 .

4は駆動回路であり、記憶制御回路5、帰還型
遅延回路6,7、Pチヤンネル型MOSトランジ
スタとNチヤンネル型MOSトランジスタとから
構成される出力バツフア24,25から構成され
ている。該駆動回路4の記憶制御回路5のバイナ
リーフリツプフロツプ5a、(以後バイナリーFF
と略記)の入力端子φは前記波形整形回路3の出
力が接続されており、該バイナリーFF5aの出
力端子Q及び反転出力端子は各々ANDゲート
5b,5cの各入力端子の一方に接続され、又、
ANDゲート5b,5cの他方の各入力端子には
波形整形回路3の信号P1が供給されるよう接続
されている。
Reference numeral 4 denotes a drive circuit, which includes a storage control circuit 5, feedback delay circuits 6 and 7, and output buffers 24 and 25 each consisting of a P-channel type MOS transistor and an N-channel type MOS transistor. Binary flip-flop 5a (hereinafter referred to as binary FF) of storage control circuit 5 of drive circuit 4
The input terminal φ of the binary FF 5a is connected to the output of the waveform shaping circuit 3, and the output terminal Q and the inverted output terminal of the binary FF 5a are each connected to one of the input terminals of the AND gates 5b and 5c, and ,
The other input terminals of the AND gates 5b and 5c are connected to be supplied with the signal P1 of the waveform shaping circuit 3.

該ANDゲート5b及び5cの出力端子からは
1/2Hzの記憶制御信号P2,P3が出力されANDゲ
ート5bの出力端子は前記帰還型遅延回路6の
NORゲート8、NANDゲート12の一方の入力
端子に接続されている。
The output terminals of the AND gates 5b and 5c output 1/2 Hz memory control signals P 2 and P 3 , and the output terminal of the AND gate 5b is connected to the feedback delay circuit 6.
It is connected to one input terminal of the NOR gate 8 and the NAND gate 12.

該NORゲート8の出力端子はインバーター9,
10,11を介して前記バツフア24のPチヤン
ネル型MOSトランジスタ24a(以後P−MOS
Trと略記)のゲート端子に接続されると共に、
前記NANDゲート12の他方の入力端子に接続
されている。
The output terminal of the NOR gate 8 is connected to the inverter 9,
10 and 11, the P channel type MOS transistor 24a of the buffer 24 (hereinafter referred to as P-MOS
It is connected to the gate terminal of the transistor (abbreviated as Tr), and
It is connected to the other input terminal of the NAND gate 12.

NANDゲート12の出力端子はインバーター
13,14,15を介して前記バツフア24のN
チヤンネル型MOSトランジスタ24b(以後N−
MOS Trと略記)のゲート端子に接続されると
共に、前記NORゲート8の他方の入力端子に接
続されている。
The output terminal of the NAND gate 12 is connected to the NAND terminal of the buffer 24 via inverters 13, 14, 15.
Channel type MOS transistor 24b (hereinafter referred to as N-
It is connected to the gate terminal of a MOS Tr (abbreviated as MOS Tr), and is also connected to the other input terminal of the NOR gate 8.

尚、本実施例では前記帰還型遅延回路7の
NORゲート8と3個のインバータ9,10,1
1によりORゲート手段を構成し、NANDゲート
12と3個のインバータ13,14,15により
ANDゲート手段を構成している。
In this embodiment, the feedback delay circuit 7
NOR gate 8 and three inverters 9, 10, 1
1 constitutes an OR gate means, and a NAND gate 12 and three inverters 13, 14, 15 constitute an OR gate means.
It constitutes an AND gate means.

前記記憶制御回路5のANDゲート5cの出力
端子は、前記帰還型遅延回路7のNORゲート1
6及びNANDゲート20の一方の入力端子に接
続されている。前記NORゲート16の出力端子
はインバーター17,18,19を介して前記バ
ツフア25のN−MOS Tr25aのゲート端子
に接続されると共に前記NANDゲート20の他
方の入力端子に接続されている。前記NANDゲ
ート20の出力端子はインバーター21,22,
23を介して前記バツフア25のN−MOS Tr
25bのゲート入力端子に接続されると共に前記
NORゲート16の他方の入力端子に接続されて
いる。又前記バツフア24,25の出力端子から
の駆動パルスは各々駆動回路4の端子A,Bに出
力される。26は端子A,B間に接続されてなる
パルスモーター用駆動コイルである。
The output terminal of the AND gate 5c of the storage control circuit 5 is connected to the NOR gate 1 of the feedback delay circuit 7.
6 and one input terminal of the NAND gate 20. The output terminal of the NOR gate 16 is connected to the gate terminal of the N-MOS Tr 25a of the buffer 25 via inverters 17, 18, and 19, and is also connected to the other input terminal of the NAND gate 20. The output terminal of the NAND gate 20 is connected to the inverters 21, 22,
23 to the N-MOS Tr of the buffer 25.
25b and the gate input terminal of the
It is connected to the other input terminal of NOR gate 16. Further, drive pulses from the output terminals of the buffers 24 and 25 are output to terminals A and B of the drive circuit 4, respectively. 26 is a pulse motor drive coil connected between terminals A and B.

次に上記構成に於ける動作の説明を行う。前記
波形整形回路3からは前記発振回路1からの発振
信号を入力として1Hzの分周信号を出力する分周
回路からの1Hz信号を波形整形された第2図イの
如き波形整形信号P1が出力されており、前記駆
動回路4の記憶制御回路5に入力される。
Next, the operation in the above configuration will be explained. The waveform shaping circuit 3 receives the oscillation signal from the oscillation circuit 1 and outputs a 1Hz frequency divided signal.The waveform shaping circuit 3 outputs a waveform shaped signal P1 as shown in FIG. The signal is output and input to the storage control circuit 5 of the drive circuit 4.

該波形整形信号P1が記憶制御回路5のバイナ
リーFF5aに入力されることによりバイナリー
FF5aは分周動作を行い出力端子Q及び反転出
力端子からは互いに逆位相の1/2Hzの信号が出
力される。該バイナリーFF5aの1/2Hzの出力に
より出力端子Q及び、出力端子に“H”レベル
の信号が交互に出力されている状態で、前記波形
整形信号P1が入力されると前記ANDゲート56
及びANDゲート5cにより第2図ロ及びハの如
き1秒毎に交互の記憶制御信号P2,P3が出力さ
れ、該記憶制御信号P2が出力されるか、又はP3
が出力されるかにより前記パルスモーター用コイ
ルに印加される駆動パルスの極性が決定される。
The waveform shaped signal P1 is input to the binary FF5a of the storage control circuit 5, so that it is converted into a binary signal.
The FF 5a performs a frequency dividing operation, and 1/2 Hz signals having mutually opposite phases are outputted from the output terminal Q and the inverted output terminal. When the waveform shaping signal P 1 is input in a state where "H" level signals are alternately output to the output terminal Q and the output terminal by the 1/2 Hz output of the binary FF 5a, the AND gate 56
And the AND gate 5c outputs storage control signals P 2 and P 3 alternately every second as shown in FIG.
The polarity of the drive pulse applied to the pulse motor coil is determined depending on whether the pulse motor coil is output.

前記記憶制御信号P2が“H”レベルの信号で
出力されると、前記帰還型遅延回路6のNORゲ
ート8に入力されNORゲート8の出力を“L”
レベルの信号にする。前記NORゲート8が“L”
レベルになると前記インバーター9,10,11
を介して前記バツフア24のP−MOS Tr24
aのゲートには第2図ニの如く、記憶制御信号
P2が“L”レベルから“H”レベルになるt0の時
点からt1−t0の時間だけ遅れてt1の時点で“H”
レベルとなる信号P4が印加され前記P−MOS
Tr24aはOFF状態となる。これと同時に該イ
ンバーター11の“H”レベルをとる出力信号
P4は、“H”レベルの記憶制御信号P2を入力とし
て待機しているNANDゲート12の他方の入力
端子に入力されるため前記NANDゲート12の
出力端子には“L”レベルの信号が出力される。
前記NANDゲート12の出力が“L”レベルに
なることにより、インバーター13,14,15
を介して前記バツフア24のN−MOS Tr24
bのゲート入力は第2図ホの如くP−MOS Tr
24aが“H”レベルになるt1の時点からt2−t1
の時間だけ遅れてt2の時点から“H”レベルとな
る信号P5が印加され、前記N−MOS Tr24b
はON状態とされる。
When the storage control signal P2 is output as an "H" level signal, it is input to the NOR gate 8 of the feedback delay circuit 6, and the output of the NOR gate 8 is driven to "L".
level signal. The NOR gate 8 is “L”
When the level is reached, the inverters 9, 10, 11
P-MOS Tr24 of the buffer 24 via
As shown in Figure 2D, the gate of a has a storage control signal.
P2 changes from “L” level to “H” level at time t 0 and becomes “H” at time t 1 after a delay of t 1 - t 0 .
A signal P4 having a level is applied to the P-MOS
Tr24a is turned off. At the same time, the output signal of the inverter 11 takes the "H" level.
Since P 4 is input to the other input terminal of the NAND gate 12 which is waiting to receive the storage control signal P 2 at the "H" level, the output terminal of the NAND gate 12 receives the "L" level signal. Output.
When the output of the NAND gate 12 becomes "L" level, the inverters 13, 14, 15
N-MOS Tr24 of the buffer 24 via
The gate input of b is a P-MOS Tr as shown in Fig. 2 (e).
From t 1 when 24a becomes “H” level, t 2 −t 1
A signal P5 which becomes "H" level from time t2 after a delay of time is applied, and the N-MOS Tr24b
is in the ON state.

ゆえに前記バツフア24のP−MOS Tr24
aがOFF状態にされる時点t1とN−MOS Tr2
4bがON状態にされる時点t2とは、NAND1
2、インバーター13,14,15を信号P4
通過する遅れ時間分t2−t1だけ差があり、P−
MOS Tr24aとN−MOS Tr24bとが同時
にON状態になることが禁止されるため本実施例
では、従来の如きP−MOS Tr24aのソー
ス・ドレインを介してN−MOS Tr24bのド
レイン・ソースに向つて貫通電流が流れるという
現象が防止される。
Therefore, the P-MOS Tr24 of the buffer 24
Time t1 when a is turned off and N-MOS Tr2
The time t 2 when 4b is turned on is NAND1
2. There is a delay time t 2 −t 1 for the signal P 4 to pass through the inverters 13, 14, and 15, and P−
Since it is prohibited for MOS Tr24a and N-MOS Tr24b to be in the ON state at the same time, in this embodiment, the power is connected to the drain and source of N-MOS Tr24b via the source and drain of P-MOS Tr24a as in the conventional case. This prevents the phenomenon of through current flowing.

又、N−MOS Tr24bがON状態になつた時
点t2からは第2図ヘに示す如くバツフア24の出
力は“H”レベルから“L”レベルに変化し、端
子Aには“L”レベルの信号が出力される。
Also, from time t2 when the N-MOS Tr24b turns ON, the output of the buffer 24 changes from "H" level to "L" level as shown in FIG. signal is output.

しかも、この時記憶制御回路5からの信号P3
は“L”レベルをとつているため、帰還型遅延回
路7の各出力信号P6,P7は共に“L”レベルを
とり、更にこの信号P6,P7によりP−MOS Tr
25aはON状態、N−MOS Tr25bは、OFF
状態となり、バツフア25の端子Bからは“H”
レベルの出力信号が出力されることになる。
Moreover, at this time, the signal P 3 from the memory control circuit 5
is at the "L" level, the output signals P 6 and P 7 of the feedback delay circuit 7 are both at the "L" level, and furthermore, these signals P 6 and P 7 cause the P-MOS Tr
25a is ON state, N-MOS Tr25b is OFF
state, and the terminal B of the buffer 25 outputs “H”.
A level output signal will be output.

従つて、パルスモーター用コイル26は端子B
から端子A方向に駆動電流が流れ、パルスモータ
ーを駆動させる。
Therefore, the pulse motor coil 26 is connected to terminal B.
A drive current flows from the terminal A toward the terminal A, driving the pulse motor.

そして次に前記記憶制御信号P2が第2図ロのt3
の時点で“L”レベルになると、前記NANDゲ
ート12の出力は“H”レベルとされる為、イン
バーター13,14,15を介してN−MOS
Tr24bのゲート入力には第2図ホで示す如く、
信号P2が“H”レベルから“L”レベルになるt3
の時点からt4−t3の時間だけ遅れてt4の時点で
“L”レベルとなる信号P5が印加されN−MOS
Tr24bはOFF状態とされる。これと同時に
“L”レベルになつた信号P5は一方の入力端子が
前記記憶制御信号P2により“L”レベルとされ
ているNORゲート8の他方の入力端子に入力さ
れ、該NORゲート8の出力端子は“H”レベル
とされる。しかも前記NORゲート8の出力が
“L”レベルになるとインバーター9,10,1
1を介して前記バツフア24のP−MOS Tr2
4aのゲート入力は第2図ニに示す如くN−
MOS Tr24bがOFF状態とされるt4の時点か
らt5−t4の時間だけ遅れてt5の時点から“L”レ
ベルとなる信号P4が印加され、前記P−MOS
Tr24aはON状態となる。ゆえに記憶制御信号
P2が“H”レベルから“L”レベル時点t3におい
ても、P−MOS Tr24aとN−MOS Tr24
bとが同時にON状態になることなく、すなわち
貫通電流が流れることなく動作することになり、
前記バツフア24の出力端子Aからはt4の時点か
ら“H”レベルの信号を端子Aに出力する。しか
も、このとき記憶制御回路5からの信号P3
“L”レベルをとつているため、帰還型遅延回路
6の各出力信号P6,P7は共に“L”レベルをと
り、更にこの信号P6,P7によりP−MOS25a
はON状態、N−MOS Tr25bはOFF状態とさ
れており、バツフア25の端子Bからは“H”レ
ベルの出力信号が出力されていることになる。従
つてパルスモーター用コイル26は端子Bと端子
Aが共に“H”レベルの信号が印加される為、電
流は流れずパルスモーターは停止する。
Then, the storage control signal P 2 is changed to t 3 in FIG.
When the output of the NAND gate 12 becomes "L" level at the time of "H" level, the N-MOS
As shown in Fig. 2 E, the gate input of Tr24b is as follows.
Signal P 2 changes from “H” level to “L” level t 3
A signal P5 which becomes "L" level at time t4 after a delay of time t4 - t3 is applied to the N-MOS.
Tr24b is turned off. At the same time, the signal P 5 which has become "L" level is input to the other input terminal of the NOR gate 8 whose one input terminal is set to "L" level by the storage control signal P 2 . The output terminal of is set to "H" level. Moreover, when the output of the NOR gate 8 becomes "L" level, the inverters 9, 10, 1
1 of the buffer 24 through P-MOS Tr2 of the buffer 24.
The gate input of 4a is N- as shown in Figure 2D.
A signal P4 that goes to the "L" level is applied from the time t5 , which is delayed by the time t5 - t4 from the time t4 when the MOS Tr24b is turned off, and the P-MOS
Tr24a is turned on. Therefore, the memory control signal
Even at time t3 when P2 changes from “H” level to “L” level, P-MOS Tr24a and N-MOS Tr24
b will operate without being in the ON state at the same time, that is, without any through current flowing.
The output terminal A of the buffer 24 outputs an "H" level signal to the terminal A from time t4 . Moreover, since the signal P 3 from the storage control circuit 5 is at the "L" level at this time, the output signals P 6 and P 7 of the feedback delay circuit 6 are both at the "L" level, and this signal P-MOS25a by P 6 and P 7
is in the ON state, and the N-MOS Tr 25b is in the OFF state, so that an "H" level output signal is output from the terminal B of the buffer 25. Therefore, since "H" level signals are applied to both terminals B and A of the pulse motor coil 26, no current flows and the pulse motor stops.

同様に記憶制御回路5から出力される第2図ハ
に示す如き記憶制御信号P3により帰還型遅延回
路7からは、位相の異なる第2図ト,チに示す如
きバツフア入力用の信号P6,P7が出力され、前
記バツフア25は貫通電流が流れることなく第2
図リに示す如く出力端子Bに“L”レベルの駆動
パルスを出力する。しかも、このとき記憶制御回
路5からの信号P2は“L”レベルをとつている
ため、帰還型遅延回路6の各出力信号P4,P5
共々に“L”レベルをとり、更にこの信号P4
P5によりP−MOS Tr24aはON状態、N−
MOS Tr24bはOFF状態となり、バツフア2
4の端子Aからは“H”レベルの出力信号が出力
されることになる。
Similarly, in response to a storage control signal P 3 as shown in FIG. 2C outputted from the storage control circuit 5, the feedback delay circuit 7 outputs a buffer input signal P 6 having a different phase as shown in FIGS. , P 7 are output, and the buffer 25 is connected to the second circuit without through current flowing
As shown in the figure, an "L" level drive pulse is output to the output terminal B. Moreover, since the signal P 2 from the storage control circuit 5 is at the "L" level at this time, the output signals P 4 and P 5 of the feedback delay circuit 6 are both at the "L" level, and Signal P 4 ,
Due to P5 , P-MOS Tr24a is in ON state, N-
MOS Tr24b becomes OFF state, buffer 2
An "H" level output signal is output from terminal A of No. 4.

従つて、パルスモーター用コイル26は端子A
から端子B方向に駆動電流が流れパルスモーター
を駆動する。
Therefore, the pulse motor coil 26 is connected to terminal A.
A drive current flows from the terminal toward terminal B to drive the pulse motor.

以上の如く本発明は、従来パルスモーター駆動
用の駆動回路に於ける出力バツフアの貫通電流が
流れることを波形整形回路からの1Hz信号を入力
としてパルスモーター用コイルに印加する交互パ
ルスの極性を決定する記憶制御回路からの出力信
号を、一対の帰還型遅延回路と該帰還型遅延回路
から位相の異なる信号を各々入力とするP−
MOS Tr及びN−MOS Trとが独立して制御さ
れる様にし、P−MOS TrとN−MOS Trとが
同時に動作しない様遅延された入力信号により貫
通電流を論理素子だけの構成により防ぐようにし
たので消費電流の無駄をなくすことができる。更
にチヨツパー駆動の如く1秒当りの印加信号が多
い場合には特に消費電流を少なくすることがで
き、電池寿命の長い電子時計を提供するに著しく
効果があつた。
As described above, the present invention determines the polarity of the alternating pulses applied to the pulse motor coil by using the 1Hz signal from the waveform shaping circuit as input, based on the flow of the through current of the output buffer in the drive circuit for driving the conventional pulse motor. A pair of feedback delay circuits receives the output signal from the storage control circuit and inputs signals of different phases from the feedback delay circuits, respectively.
The MOS Tr and N-MOS Tr are controlled independently, and the P-MOS Tr and N-MOS Tr are prevented from operating at the same time by using a delayed input signal to prevent through current by using only logic elements. This eliminates wasted current consumption. Furthermore, when a large number of signals are applied per second such as chopper drive, current consumption can be particularly reduced, which is extremely effective in providing an electronic timepiece with a long battery life.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の電子時計の回路ブロツク線
図、第2図は第1図に於ける主要電圧波形図であ
る。 1……発振回路、2……分周回路、3……波形
整形回路、4……駆動回路、5……記憶制御回
路、6,7……帰還型遅延回路、24,25……
バツフア、26……パルスモーター用コイル。
FIG. 1 is a circuit block diagram of the electronic timepiece of the present invention, and FIG. 2 is a diagram of main voltage waveforms in FIG. 1. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Oscillation circuit, 2... Frequency division circuit, 3... Waveform shaping circuit, 4... Drive circuit, 5... Memory control circuit, 6, 7... Feedback type delay circuit, 24, 25...
Batsuhua, 26... Coil for pulse motor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 水晶振動子を時間基準源とする発振回路と、
該発振回路からの分周信号を入力とする分周回路
と、該分周回路からの分周信号を入力として所定
のパルス信号を出力する波形整形回路と、該波形
整形回路からの出力信号を入力としてパルスモー
ターを駆動するための駆動回路を備えた電子時計
に於いて、前記駆動回路は波形整形回路からの出
力信号を入力としてパルスモーターのコイルに印
加する交互パルスの極性を決定する記憶制御回路
と、該記憶制御回路の各出力信号を入力とする帰
還型遅延回路と、該帰還型遅延回路からの信号を
入力としPチヤンネル型MOSトランジスタとN
チヤンネル型MOSトランジスタの各ゲートが独
立して制御されるバツフアを備え、前記帰還型遅
延回路と前記バツフアとは前記コイルの出力端子
に対応させて各一対有するとともに、前記帰還型
遅延回路は、一方の入力端子に前記記憶制御回路
の出力信号を入力し出力端子を前記Pチヤンネル
型MOSトランジスタのゲートに接続したORゲー
ト手段と、一方の入力端子に前記記憶制御回路の
出力信号を入力し出力端子を前記Nチヤンネル型
MOSトランジスタのゲートに接続したANDゲー
ト手段より構成されていて、且つ、前記ORゲー
ト手段の出力信号は前記ANDゲート手段の他方
の入力端子に帰還接続され、また前記ANDゲー
ト手段の出力信号は前記ORゲート手段の他方の
入力端子に帰還接続されていることを特徴とする
電子時計のパルスモーター駆動回路。
1 An oscillation circuit using a crystal oscillator as a time reference source,
A frequency dividing circuit which inputs the frequency divided signal from the oscillation circuit, a waveform shaping circuit which receives the frequency divided signal from the frequency dividing circuit and outputs a predetermined pulse signal, and an output signal from the waveform shaping circuit. In an electronic watch equipped with a drive circuit for driving a pulse motor as an input, the drive circuit has a memory control function that uses an output signal from a waveform shaping circuit as an input to determine the polarity of alternating pulses applied to the coil of the pulse motor. circuit, a feedback delay circuit that receives each output signal of the storage control circuit as input, a P channel type MOS transistor that receives the signal from the feedback delay circuit, and an N
Each gate of a channel type MOS transistor is provided with a buffer that is independently controlled, the feedback type delay circuit and the buffer have a pair each corresponding to the output terminal of the coil, and the feedback type delay circuit has one pair of OR gate means having an input terminal input with the output signal of the storage control circuit and an output terminal connected to the gate of the P-channel type MOS transistor; The N-channel type
It consists of AND gate means connected to the gate of the MOS transistor, and the output signal of the OR gate means is feedback connected to the other input terminal of the AND gate means, and the output signal of the AND gate means is connected to the other input terminal of the AND gate means. A pulse motor drive circuit for an electronic watch, characterized in that the circuit is feedback-connected to the other input terminal of the OR gate means.
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