JPS6313337B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6313337B2 JPS6313337B2 JP55136595A JP13659580A JPS6313337B2 JP S6313337 B2 JPS6313337 B2 JP S6313337B2 JP 55136595 A JP55136595 A JP 55136595A JP 13659580 A JP13659580 A JP 13659580A JP S6313337 B2 JPS6313337 B2 JP S6313337B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- electron
- deflection
- exposure apparatus
- deviation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、電子ビームの寸法および形状を可
変制御して試料の描画露光を行う電子ビーム露光
装置の改良に関する。
変制御して試料の描画露光を行う電子ビーム露光
装置の改良に関する。
半導体素子やマスク基板等の微細加工を行うも
のとして各種の電子ビーム露光装置が用いられて
いるが、最近になて２個のアパーチヤマスク間に
ビーム整形用の偏向系を配置し電子ビームの寸法
および形状を可変制御することによつて、より効
果的な描画露光を行うことのできる装置が開発さ
れている。
のとして各種の電子ビーム露光装置が用いられて
いるが、最近になて２個のアパーチヤマスク間に
ビーム整形用の偏向系を配置し電子ビームの寸法
および形状を可変制御することによつて、より効
果的な描画露光を行うことのできる装置が開発さ
れている。
ところで、このような電子ビーム露光装置にあ
つては電子ビームの寸法および形状を高精度に設
定するために、前記各アパーチヤマスクと偏向系
との平行度が合つていることが必要条件となる。
従来、この平行度を合わせるには、前記アパーチ
ヤマスクおよび偏向系を回転可能な構造にしてお
き、電子ビームを形成し寸法可変を実際に行つて
そのときの平行度が悪ければ分解、回転合わせの
工程を経て組み立てしたのち再び電子ビームを形
成するようにしている。また、アパーチヤマスク
および偏向系を真空外部から回転可能な構造と
し、電子ビームの寸法および形状を見ながら手動
で調整するようにしている。しかしながら、この
ような手法は高度の熟練を要し非常に面倒であつ
た。さらに、高精度の調整を行うには長時間を要
し、装置稼動率の低下を招く等の問題があつた。
つては電子ビームの寸法および形状を高精度に設
定するために、前記各アパーチヤマスクと偏向系
との平行度が合つていることが必要条件となる。
従来、この平行度を合わせるには、前記アパーチ
ヤマスクおよび偏向系を回転可能な構造にしてお
き、電子ビームを形成し寸法可変を実際に行つて
そのときの平行度が悪ければ分解、回転合わせの
工程を経て組み立てしたのち再び電子ビームを形
成するようにしている。また、アパーチヤマスク
および偏向系を真空外部から回転可能な構造と
し、電子ビームの寸法および形状を見ながら手動
で調整するようにしている。しかしながら、この
ような手法は高度の熟練を要し非常に面倒であつ
た。さらに、高精度の調整を行うには長時間を要
し、装置稼動率の低下を招く等の問題があつた。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、
その目的とするところは、アパーチヤマスクと偏
向系との平行度を短時間で高精度に、かつ自動的
に調整することのできる電子ビーム露光装置を提
供することにある。
その目的とするところは、アパーチヤマスクと偏
向系との平行度を短時間で高精度に、かつ自動的
に調整することのできる電子ビーム露光装置を提
供することにある。
すなわち、本発明は反射電子放出率或いは２次
電子放出率の小さな領域上に反射電子放出率或い
は２次電子放出率の大きな微粒子を付着してなる
ターゲツトに電子ビームを照射して得られるター
ゲツトからの反射電子或いは２次電子を検出する
電子検出器を設け、一方向のビーム幅を異なる長
さにそれぞれ設定した各電子ビームを他方向に走
査して得られる上記電子検出器の検出信号に基づ
いて上記各電子ビームの他方向の各ビーム幅を測
定し、これら測定した他方向の各ビーム幅と前記
設定した一方向の各ビーム幅との関係から前記ア
パーチヤマスクと偏向系との平行度のずれθを求
め、このずれθを偏向系に帰還して同ずれθを補
正するようにして、前記目的を達成せんとしたも
のである。
電子放出率の小さな領域上に反射電子放出率或い
は２次電子放出率の大きな微粒子を付着してなる
ターゲツトに電子ビームを照射して得られるター
ゲツトからの反射電子或いは２次電子を検出する
電子検出器を設け、一方向のビーム幅を異なる長
さにそれぞれ設定した各電子ビームを他方向に走
査して得られる上記電子検出器の検出信号に基づ
いて上記各電子ビームの他方向の各ビーム幅を測
定し、これら測定した他方向の各ビーム幅と前記
設定した一方向の各ビーム幅との関係から前記ア
パーチヤマスクと偏向系との平行度のずれθを求
め、このずれθを偏向系に帰還して同ずれθを補
正するようにして、前記目的を達成せんとしたも
のである。
以下、この発明の詳細を図示の実施例によつて
説明する。
説明する。
第１図はこの発明の一実施例を示す概略構成図
である。電子銃１から発射された電子は、第１の
アパーチヤマスク２に照射され、同マスク２のア
パーチヤマスク２ａを介して方形に整形され、ビ
ーム整形用の第１の偏向系３により偏向されて第
２のアパーチヤマスク４に照射されている。偏向
系３は、Ｘ方向の偏向を行うＸ偏向板３ａおよび
Ｙ方向の偏向を行うＹ偏向板３ｂからなるもの
で、各偏向板３ａ，３ｂにはCPU５に与えられ
る各設定電圧が座標変換回路６を介してそれぞれ
印加されている。座標変換回路６は上記各設定電
圧を後述するずれθに基づいて適当な電圧に変換
するものである。
である。電子銃１から発射された電子は、第１の
アパーチヤマスク２に照射され、同マスク２のア
パーチヤマスク２ａを介して方形に整形され、ビ
ーム整形用の第１の偏向系３により偏向されて第
２のアパーチヤマスク４に照射されている。偏向
系３は、Ｘ方向の偏向を行うＸ偏向板３ａおよび
Ｙ方向の偏向を行うＹ偏向板３ｂからなるもの
で、各偏向板３ａ，３ｂにはCPU５に与えられ
る各設定電圧が座標変換回路６を介してそれぞれ
印加されている。座標変換回路６は上記各設定電
圧を後述するずれθに基づいて適当な電圧に変換
するものである。
さて、前記第２のアパーチヤマスク４に照射さ
れた電子ビームは、同マスク４のアパーチヤ４ａ
を介して下方向に放射される。そして、上記各ア
パーチヤマスク２，４および偏向系３の作用によ
り電子ビームの寸法および形状が、例えば第２図
の斜線部に示す如く制御される。第２のアパーチ
ヤマスク４のアパーチヤ４ａを介した電子ビーム
は偏向電圧走査回路７により偏向電圧を印加され
るフイールド走査用の第２の偏向系８により走査
偏向制御され、さらに対物レンズ等（図示せず）
を介してターゲツト９に照射されている。ターゲ
ツト９は、例えばBe等の反射電子放出率の小さ
な基板９ａ上にAu等の反射電子放出率の大きな
微粒子９ｂを付着して形成されたものである。
れた電子ビームは、同マスク４のアパーチヤ４ａ
を介して下方向に放射される。そして、上記各ア
パーチヤマスク２，４および偏向系３の作用によ
り電子ビームの寸法および形状が、例えば第２図
の斜線部に示す如く制御される。第２のアパーチ
ヤマスク４のアパーチヤ４ａを介した電子ビーム
は偏向電圧走査回路７により偏向電圧を印加され
るフイールド走査用の第２の偏向系８により走査
偏向制御され、さらに対物レンズ等（図示せず）
を介してターゲツト９に照射されている。ターゲ
ツト９は、例えばBe等の反射電子放出率の小さ
な基板９ａ上にAu等の反射電子放出率の大きな
微粒子９ｂを付着して形成されたものである。
一方、前記第２の偏向系８の下方部には電子検
出器１０が配設されている。この電子検出器１０
は前記ターゲツト９に電子ビームを照射して得ら
る同ターゲツト９からの反射電子を検出するもの
で、その検出信号は増幅器１１を介してウエーブ
メモリ１２に供給されている。ウエーブメモリ１
２は、上記検出信号を一定のサンプリング時間毎
に取り込み、前記反射電子の分布を記憶するもの
である。そして、ウエーブメモリ１２のデータ取
込みは前記CPU５にて制御される偏向電圧走査
回路７による電圧走査と同期して行われるものと
なつている。ここで前記電子ビームを−Ｘ方向に
走査して得られる電子検出器１０の検出信号は前
期ターゲツト９をＸ方向に移動させたのと同じこ
とになる。したがつて、前記第２の偏向系３の各
偏向電圧を一定にしておき電子ビームを−Ｘ方向
に走査すると、ウエーブメモリ１２には第３図に
示す如き反射電子の分布が記憶される。そして、
この反射電子の分布からこの場合の電子ビームの
Ｘ方向のビーム幅Lxが測定されるものとなつて
いる。また、前記ターゲツト９上を１回走査して
得られる検出信号のＳ／Ｎ比が悪い場合、10〜
100回ビーム走査を繰り返しウエーブメモリ１２
内で平均処理することによつて、必要なＳ／Ｎ比
を得るものとなつている。
出器１０が配設されている。この電子検出器１０
は前記ターゲツト９に電子ビームを照射して得ら
る同ターゲツト９からの反射電子を検出するもの
で、その検出信号は増幅器１１を介してウエーブ
メモリ１２に供給されている。ウエーブメモリ１
２は、上記検出信号を一定のサンプリング時間毎
に取り込み、前記反射電子の分布を記憶するもの
である。そして、ウエーブメモリ１２のデータ取
込みは前記CPU５にて制御される偏向電圧走査
回路７による電圧走査と同期して行われるものと
なつている。ここで前記電子ビームを−Ｘ方向に
走査して得られる電子検出器１０の検出信号は前
期ターゲツト９をＸ方向に移動させたのと同じこ
とになる。したがつて、前記第２の偏向系３の各
偏向電圧を一定にしておき電子ビームを−Ｘ方向
に走査すると、ウエーブメモリ１２には第３図に
示す如き反射電子の分布が記憶される。そして、
この反射電子の分布からこの場合の電子ビームの
Ｘ方向のビーム幅Lxが測定されるものとなつて
いる。また、前記ターゲツト９上を１回走査して
得られる検出信号のＳ／Ｎ比が悪い場合、10〜
100回ビーム走査を繰り返しウエーブメモリ１２
内で平均処理することによつて、必要なＳ／Ｎ比
を得るものとなつている。
このように構成された本装置の作用を説明す
る。
る。
まず、第１の偏向系３のＸ偏向板３ａには一定
の電圧を印加し、Ｙ偏向板３ｂにはＹ方向のビー
ム幅が4μｍとなる偏向電圧VY４を印加する。そ
して、前述した如く電子ビームを−Ｘ方向に走査
すると、電子検出器１１、ウエーブメモリ１２お
よびCPU５によりＸ方向のビーム幅LX４が測定
される。なお、このときの電子ビームの寸法およ
び形状は前記第２図に示すものとする。
の電圧を印加し、Ｙ偏向板３ｂにはＹ方向のビー
ム幅が4μｍとなる偏向電圧VY４を印加する。そ
して、前述した如く電子ビームを−Ｘ方向に走査
すると、電子検出器１１、ウエーブメモリ１２お
よびCPU５によりＸ方向のビーム幅LX４が測定
される。なお、このときの電子ビームの寸法およ
び形状は前記第２図に示すものとする。
次に、Ｙ偏向板３ｂにＹ方向のビーム幅が1μ
ｍとなる偏向電圧VY１を印加し、電子ビームを
−Ｘ方向に走査すると、前と同様にしてＸ方向の
ビーム幅LX１が測定される。このとき、前記各
アパーチヤマスク２，４と偏向系３との平行度が
合つていれば、第４図に示す如く電子ビームのＹ
方向のビーム幅が異なるだけで、Ｘ方向のビーム
幅は変化しない。つまり、LX(4)＝LX(1)となる。
また、前記各アパーチヤマスク２，４と偏向系３
との平行度が合つていないと、第５図に示す如く
Ｘ方向のビーム幅も異なる（LX(4)≠LX(1)）こと
になる。そして、このときのアパーチヤマスク
２，４とＹ偏向板３ｂとの平行度のずれθYは、第
５図を拡大して示した第６図からも明らかなよう
に次式で与えられる。
ｍとなる偏向電圧VY１を印加し、電子ビームを
−Ｘ方向に走査すると、前と同様にしてＸ方向の
ビーム幅LX１が測定される。このとき、前記各
アパーチヤマスク２，４と偏向系３との平行度が
合つていれば、第４図に示す如く電子ビームのＹ
方向のビーム幅が異なるだけで、Ｘ方向のビーム
幅は変化しない。つまり、LX(4)＝LX(1)となる。
また、前記各アパーチヤマスク２，４と偏向系３
との平行度が合つていないと、第５図に示す如く
Ｘ方向のビーム幅も異なる（LX(4)≠LX(1)）こと
になる。そして、このときのアパーチヤマスク
２，４とＹ偏向板３ｂとの平行度のずれθYは、第
５図を拡大して示した第６図からも明らかなよう
に次式で与えられる。
θY＝LX(4)−LX(1)／４−１ ……(1)
また、Ｙ偏向板３ｂに一定の電圧を印加し、Ｘ
偏向板３ａにＸ方向のビーム幅が4μｍ、1μｍに
なる各偏向電圧VX４，VX１を印加して前記と同
様な操作を行えば、アパーチヤマスク２，４とＸ
偏向板３ａとの平行度のずれθXは次式で与えられ
る。
偏向板３ａにＸ方向のビーム幅が4μｍ、1μｍに
なる各偏向電圧VX４，VX１を印加して前記と同
様な操作を行えば、アパーチヤマスク２，４とＸ
偏向板３ａとの平行度のずれθXは次式で与えられ
る。
θX＝LY(4)−LY(1)／４−１ ……(2)
なお、LY４はＸ方向のビーム幅4μｍに対する
電子ビームのＹ方向の測定ビーム幅、LY１はＸ
方向のビーム幅1μｍに対する電子ビームのＹ方
向の測定ビーム幅である。ここでＸ偏向板３ａと
Ｙ偏向板３ｂとの直交度が精度良く定められてい
るものとすれば、θY＝θX＝θとおける。そして、
このずれθに基づいてＸ偏向板３ａ、およびＹ偏
向板３ｂに印加する電圧VX′，VY′を ｛Vx′＝Vx・cosθ＋Vy・sinθ ……(3) Vy′＝Vy・cosθ−Vx・sinθ｝ と変換すればずれθは補正されることになる。さ
らに、θ≪１であれば ｛VX′＝VX＋VYθ ……(4) VY′＝VY−VXθ｝ となる。そして、上記第(4)式で示した変換が座標
変換回路６で行われ、上記電圧VX′，VY′が偏向
系３に印加されることによつて、ずれθが補正さ
れることになる。
電子ビームのＹ方向の測定ビーム幅、LY１はＸ
方向のビーム幅1μｍに対する電子ビームのＹ方
向の測定ビーム幅である。ここでＸ偏向板３ａと
Ｙ偏向板３ｂとの直交度が精度良く定められてい
るものとすれば、θY＝θX＝θとおける。そして、
このずれθに基づいてＸ偏向板３ａ、およびＹ偏
向板３ｂに印加する電圧VX′，VY′を ｛Vx′＝Vx・cosθ＋Vy・sinθ ……(3) Vy′＝Vy・cosθ−Vx・sinθ｝ と変換すればずれθは補正されることになる。さ
らに、θ≪１であれば ｛VX′＝VX＋VYθ ……(4) VY′＝VY−VXθ｝ となる。そして、上記第(4)式で示した変換が座標
変換回路６で行われ、上記電圧VX′，VY′が偏向
系３に印加されることによつて、ずれθが補正さ
れることになる。
このように本装置では、電子ビームの一方向
（Ｘ方向或いはＹ方向）のビーム幅を異なる長さ
にそれぞれ設定し、電子ビームを他方向（Ｙ方向
或いはＸ方向）に走査して得られる電子検出器１
０の反射電子検出信号から他方向の各ビーム幅を
それぞれ測定し、これらの測定された他方向の各
ビーム幅と前記設定した一方向の各ビーム幅との
関係からアパーチヤマスク２，４と偏系３との平
向度のずれθを求め、このずれθにより偏向系３
に印加する電圧を座標変換回路６にて前記第(4)式
に示す如く変換して、上記ずれθを補正するよう
にしている。したがつて、高度の熟練および面倒
な操作を要することなくアパーチヤマスク２，４
と偏向系３との平行度合わせを短時間で高精度
に、かつ自動的に行うことができる。このため、
装置稼動率の低下を招くことなく、電子ビームの
寸法および形状を高精度に制御することができ、
微細パターンの形成に極めて有効となる。
（Ｘ方向或いはＹ方向）のビーム幅を異なる長さ
にそれぞれ設定し、電子ビームを他方向（Ｙ方向
或いはＸ方向）に走査して得られる電子検出器１
０の反射電子検出信号から他方向の各ビーム幅を
それぞれ測定し、これらの測定された他方向の各
ビーム幅と前記設定した一方向の各ビーム幅との
関係からアパーチヤマスク２，４と偏系３との平
向度のずれθを求め、このずれθにより偏向系３
に印加する電圧を座標変換回路６にて前記第(4)式
に示す如く変換して、上記ずれθを補正するよう
にしている。したがつて、高度の熟練および面倒
な操作を要することなくアパーチヤマスク２，４
と偏向系３との平行度合わせを短時間で高精度
に、かつ自動的に行うことができる。このため、
装置稼動率の低下を招くことなく、電子ビームの
寸法および形状を高精度に制御することができ、
微細パターンの形成に極めて有効となる。
第７図は他の実施例の要部を示す概略構成図で
ある。なお、第１図と同一部分には同一付号を付
してその詳しい説明は省略する。この実施例が先
に説明した実施例と異なる点は、前記ずれθを機
械的に補正するようにしたことにある。すなわ
ち、前記ビーム整形用の第２の偏向系３は回転体
１３に固着され回転自在に設けられている。さら
に、回転体１３はバイモルフ素子等の圧電素子１
４の伸縮により回動されるものとなつている。そ
して、前期ずれθに基づく補正電圧が圧電素子１
４に印加され、偏向系３が回動されてずれθが補
正されるものとなつている。なお、この場合偏向
系３にはCPU５にて設定される偏向電圧が直接
印加されている。
ある。なお、第１図と同一部分には同一付号を付
してその詳しい説明は省略する。この実施例が先
に説明した実施例と異なる点は、前記ずれθを機
械的に補正するようにしたことにある。すなわ
ち、前記ビーム整形用の第２の偏向系３は回転体
１３に固着され回転自在に設けられている。さら
に、回転体１３はバイモルフ素子等の圧電素子１
４の伸縮により回動されるものとなつている。そ
して、前期ずれθに基づく補正電圧が圧電素子１
４に印加され、偏向系３が回動されてずれθが補
正されるものとなつている。なお、この場合偏向
系３にはCPU５にて設定される偏向電圧が直接
印加されている。
このような構成であつても、先の実施例と同様
の効果を奏する。
の効果を奏する。
なお、この発明は上述した各実施例に限定され
るものではない。例えば、前記ターゲツトを構成
する基板はBeに限らず反射電子放出率の小さな
部材であればよい。さらに、ターゲツトを構成す
る微粒子はAuに限るものではなく、反射電子放
出率の大きなものであればよい。また、２次電子
放出率の小さな基板上に２次電子放出率の大きな
微粒子を取着してターゲツトを形成することもで
きる。この場合、前期電子検出器を２次電子を検
出するものとすればよい。さらに、ターゲツトを
構成する基板の代りには反射電子放出率或いは２
次電子放出率の小さな平面状の領域を有したもの
であれば代替使用できる。また、前記ずれθの補
正は、前記Ｘ方向およびＹ方向のずれθX，θY毎に
Ｘ偏向板およびＹ偏向板で各別に行うようにして
もよい。さらに、前記圧電素子はバイモルフ素子
に限るものではなく、印加電圧によりその長さが
可変するものであればよい。また、前記ずれθの
補正を行う時期は、鏡筒分解後のみ、電子鏡の交
換後のみ、或いは１個の試料を描画する毎に行つ
てもよい。その他、この発明の要旨を逸脱しない
範囲で、種々変形して実施することができる。
るものではない。例えば、前記ターゲツトを構成
する基板はBeに限らず反射電子放出率の小さな
部材であればよい。さらに、ターゲツトを構成す
る微粒子はAuに限るものではなく、反射電子放
出率の大きなものであればよい。また、２次電子
放出率の小さな基板上に２次電子放出率の大きな
微粒子を取着してターゲツトを形成することもで
きる。この場合、前期電子検出器を２次電子を検
出するものとすればよい。さらに、ターゲツトを
構成する基板の代りには反射電子放出率或いは２
次電子放出率の小さな平面状の領域を有したもの
であれば代替使用できる。また、前記ずれθの補
正は、前記Ｘ方向およびＹ方向のずれθX，θY毎に
Ｘ偏向板およびＹ偏向板で各別に行うようにして
もよい。さらに、前記圧電素子はバイモルフ素子
に限るものではなく、印加電圧によりその長さが
可変するものであればよい。また、前記ずれθの
補正を行う時期は、鏡筒分解後のみ、電子鏡の交
換後のみ、或いは１個の試料を描画する毎に行つ
てもよい。その他、この発明の要旨を逸脱しない
範囲で、種々変形して実施することができる。
以上詳述したように本発明によれば、アパーチ
ヤマスクと偏向系との平行度を短時間で高精度
に、かつ自動的に調整し得る電子ビーム露光装置
を提供することができる。
ヤマスクと偏向系との平行度を短時間で高精度
に、かつ自動的に調整し得る電子ビーム露光装置
を提供することができる。
第１図はこの発明の一実施例を示す概略構成
図、、第２図乃至第６図はそれぞれ上記実施例の
作用を説明するための図、第７図は他の実施例の
要部を示す概略構成図である。 １……電子銃、２……第１のアパーチヤマス
ク、３……第１の偏向系（ビーム整形用の偏向
系）、４……第２のアパーチヤマスク、５……
CPU、６……座標変換回路、７……偏向電圧走
査回路、８……第２の偏向系（フイールド走査用
の偏向系）、９……ターゲツト、１０……電子検
出器、１２……ウエーブメモリ、１４……圧電素
子。
図、、第２図乃至第６図はそれぞれ上記実施例の
作用を説明するための図、第７図は他の実施例の
要部を示す概略構成図である。 １……電子銃、２……第１のアパーチヤマス
ク、３……第１の偏向系（ビーム整形用の偏向
系）、４……第２のアパーチヤマスク、５……
CPU、６……座標変換回路、７……偏向電圧走
査回路、８……第２の偏向系（フイールド走査用
の偏向系）、９……ターゲツト、１０……電子検
出器、１２……ウエーブメモリ、１４……圧電素
子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 多角形アパーチヤを有した第１および第２の
アパーチヤマスク間にビーム整形用の偏向系を配
列し電子ビームの寸法および形状を可変制御する
ようにした電子ビーム露光装置において、所定の
ターゲツトに電子ビームを照射して得られる反射
電子或いは２次電子を検出する電子検出器と、前
記電子ビームの一方向のビーム幅を異なる長さに
それぞれ設定し前記電子ビームを他方向に偏向走
査して得られる上記電子検出器の各検出信号に基
づいて前記電子ビームの他方向の各ビーム幅をそ
れぞれ測定する手段と、上記測定された他方向の
各ビーム幅と前記設定された一方向の各ビーム幅
との関係から前記各アパーチヤマスクと偏向系と
の平行度のずれθを求め、このずれθを前記偏向
系に帰還して上記ずれθを補正する手段とを具備
してなることを特徴とする電子ビーム露光装置。 ２ 前記ターゲツトは、反射電子放出率或いは２
次電子放出率の小さな領域中に反射電子或いは２
次電子放出率の大きな微粒子を取着してなるもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の電子ビーム露光装置。 ３ 前記補正する手段は、前記偏向糸を圧電素子
の伸縮により回動される構成とし、前記ずれθに
基づく電圧を上記圧電素子に印加するものである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２
項記載の電子ビーム露光装置。 ４ 前記補正する手段は、CPUから与えられる
偏向信号Vx，Vyを、 Vx′＝Vx・cosθ＋Vy・sinθ Vy′＝Vy・cosθ−Vx・sinθ なる座標変換して前記偏向系に供給するものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第
２項記載の電子ビーム露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55136595A JPS5760842A (en) | 1980-09-30 | 1980-09-30 | Electron beam exposure device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55136595A JPS5760842A (en) | 1980-09-30 | 1980-09-30 | Electron beam exposure device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5760842A JPS5760842A (en) | 1982-04-13 |
| JPS6313337B2 true JPS6313337B2 (ja) | 1988-03-25 |
Family
ID=15178965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55136595A Granted JPS5760842A (en) | 1980-09-30 | 1980-09-30 | Electron beam exposure device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5760842A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6182428A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-26 | Toshiba Corp | 電荷ビ−ム光学鏡筒のレンズ調整方法 |
| JPH0789684B2 (ja) * | 1985-07-18 | 1995-09-27 | 日本航空株式会社 | 吸引式磁気浮上車輌の軌道構造 |
-
1980
- 1980-09-30 JP JP55136595A patent/JPS5760842A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5760842A (en) | 1982-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4677301A (en) | Alignment apparatus | |
| US5345085A (en) | Method and structure for electronically measuring beam parameters | |
| JPH0324771B2 (ja) | ||
| JP2004214435A (ja) | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 | |
| US5466549A (en) | Method of detecting and adjusting exposure conditions of charged particle exposure system | |
| US6822248B2 (en) | Spatial phase locking with shaped electron beam lithography | |
| JPS6313337B2 (ja) | ||
| JP2786662B2 (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JPH06163381A (ja) | 電子線露光装置 | |
| JP2786660B2 (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JPH04303918A (ja) | 荷電ビーム描画装置 | |
| JPH08227840A (ja) | 荷電粒子線描画装置における調整方法および描画方法 | |
| JP3175112B2 (ja) | 荷電粒子線露光方法 | |
| JP3016843B2 (ja) | 電子ビーム描画方法及び装置 | |
| JPH0282514A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法 | |
| JPS6320376B2 (ja) | ||
| JPH0318331B2 (ja) | ||
| JP3002246B2 (ja) | 荷電ビーム補正方法 | |
| JP2988883B2 (ja) | 荷電ビーム描画装置におけるビーム調整方法 | |
| JP2786661B2 (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JP2621179B2 (ja) | アライメント方法 | |
| JP3083428B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法 | |
| JPS6312146A (ja) | パタ−ン寸法計測方法 | |
| JPH076943A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法 | |
| JPS62295419A (ja) | 電子ビ−ム露光装置 |