JPS6314836B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6314836B2 JPS6314836B2 JP55094887A JP9488780A JPS6314836B2 JP S6314836 B2 JPS6314836 B2 JP S6314836B2 JP 55094887 A JP55094887 A JP 55094887A JP 9488780 A JP9488780 A JP 9488780A JP S6314836 B2 JPS6314836 B2 JP S6314836B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- display device
- low resistance
- thin
- crystalline low
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエレクトロルミネセンス（以下ELと
略称する）表示装置に関し、さらに具体的には
EL層を誘電体層でサンドイツチ状に挾んだ、い
わゆる二重絶縁層構造で構成した薄膜EL表示装
置の改良に関するものである。
略称する）表示装置に関し、さらに具体的には
EL層を誘電体層でサンドイツチ状に挾んだ、い
わゆる二重絶縁層構造で構成した薄膜EL表示装
置の改良に関するものである。
薄膜二重絶縁層形EL表示装置は周知のように、
たとえばガラス基板上に帯状の平行な透明電極を
配置し、その透明電極上に第１の薄膜誘電体層を
介してマンガンを添加した硫化亜鉛（ZnS：Mn）
のようなEL材料からなる薄膜EL層を形成し、さ
らにそのEL層上に第２の薄膜誘電体層を介して
背面電極となるべき帯状の平行な導体を前記透明
電極と直交する関係で配設し、透明電極と背面電
極との間に選択的に駆動電圧を印加することによ
り、これら交点部のEL層が発光することを利用
して所望の形象を表示するようにしたものであ
る。
たとえばガラス基板上に帯状の平行な透明電極を
配置し、その透明電極上に第１の薄膜誘電体層を
介してマンガンを添加した硫化亜鉛（ZnS：Mn）
のようなEL材料からなる薄膜EL層を形成し、さ
らにそのEL層上に第２の薄膜誘電体層を介して
背面電極となるべき帯状の平行な導体を前記透明
電極と直交する関係で配設し、透明電極と背面電
極との間に選択的に駆動電圧を印加することによ
り、これら交点部のEL層が発光することを利用
して所望の形象を表示するようにしたものであ
る。
現在、このようなEL表示装置は寿命や輝度の
点でも充分なものが得られており、既に実用化の
段階に至つているが、高い駆動電圧を必要とする
ので駆動回路の小形化や低価格化に不利である。
点でも充分なものが得られており、既に実用化の
段階に至つているが、高い駆動電圧を必要とする
ので駆動回路の小形化や低価格化に不利である。
そこでEL表示装置の駆動電圧を下げるために
種々の試みがなされているが、その一つとして
EL層の膜厚を薄く形成することにより低電圧化
する方法がある。しかしこの方法ではEL層厚が
2000Å程度以下になると膜を構成する結晶粒の成
長が充分でなく、結晶性が良好でない結果発光効
率の低下を招くという問題があつた。
種々の試みがなされているが、その一つとして
EL層の膜厚を薄く形成することにより低電圧化
する方法がある。しかしこの方法ではEL層厚が
2000Å程度以下になると膜を構成する結晶粒の成
長が充分でなく、結晶性が良好でない結果発光効
率の低下を招くという問題があつた。
本発明は前述の点に鑑みなされたもので、その
目的は結晶性を低下させることなくEL層厚を薄
くして発光効率の高い低電圧駆動可能なEL表示
装置を提供することであり、その特徴は対向する
電極間に誘電体層を介してEL層を挾持してなる
EL表示装置において、前記EL層との下層部を該
EL用母材の物質を主成分とする結晶性低抵抗層
４に置き換えたところにある。
目的は結晶性を低下させることなくEL層厚を薄
くして発光効率の高い低電圧駆動可能なEL表示
装置を提供することであり、その特徴は対向する
電極間に誘電体層を介してEL層を挾持してなる
EL表示装置において、前記EL層との下層部を該
EL用母材の物質を主成分とする結晶性低抵抗層
４に置き換えたところにある。
以下本発明の実施例につき図面を参照して説明
する。
する。
第１図は本発明によるEL表示装置の構造を説
明するための要部模型断面図であり、１は透明な
ガラス基板であつて、そのガラス基板１上には酸
化インジウム（In2O3）からなる帯状の平行な透
明電極２が配置され、その透明電極２上にチタン
酸鉛（PbTiO3）からなる第１の誘電体層３（た
とえば層厚4000Å程度）がスパツタリング法によ
り被着してある。そしてその誘電体層３上に結晶
性低抵抗層４（たとえば層厚約4000Å）を介して
ZnS：MnからなるEL層５（たとえば層厚約2000
Å）が形成され、さらにそのEL層５上にPbTiO3
からなる第２の誘電体層６（層厚4000Å程度）を
介してアルミニウム（Al）からなる帯状の平行
な背面電極７が透明電極２と直交する関係で配設
してある。
明するための要部模型断面図であり、１は透明な
ガラス基板であつて、そのガラス基板１上には酸
化インジウム（In2O3）からなる帯状の平行な透
明電極２が配置され、その透明電極２上にチタン
酸鉛（PbTiO3）からなる第１の誘電体層３（た
とえば層厚4000Å程度）がスパツタリング法によ
り被着してある。そしてその誘電体層３上に結晶
性低抵抗層４（たとえば層厚約4000Å）を介して
ZnS：MnからなるEL層５（たとえば層厚約2000
Å）が形成され、さらにそのEL層５上にPbTiO3
からなる第２の誘電体層６（層厚4000Å程度）を
介してアルミニウム（Al）からなる帯状の平行
な背面電極７が透明電極２と直交する関係で配設
してある。
以上の構成において従来のEL表示装置と異な
る点は第１の誘電体層３とEL層５との間に結晶
性低抵抗層４を介在させるとともにEL層５の層
厚を薄くしたところである。つまり本発明のEL
表示装置は従来のEL表示装置におけるEL層の一
部を結晶性低抵抗層に置き換えて結晶性の良好な
層厚の薄いEL層を形成したものである。この結
晶性低抵抗層４はたとえばZnSにインジウム
（In）を添加（たとえばInを重量比で0.1〜1.0％添
加）して構成したものであつて、EL層５の形成
前に蒸着により成膜したものである。そしてその
結晶性低抵抗層４上に薄い層厚のEL層５が蒸着
してある。このようにEL層５の母材、つまり
ZnSを主成分とした低抵抗層４を所定の厚みで形
成しておき、その上にEL層５を積層成長させる
ことにより、結晶性を低下させることなく層厚の
薄いEL層を形成することができ、その薄いEL層
５に電界を集中し得て、その結果従来EL層厚を
薄くすることで良好な結晶性が得られないことに
起因して生じていた発光効率の低下を招くことな
く、駆動電圧の低電圧化が可能となる。また結晶
性低抵抗層４は電子の注入源として働き、発光効
率の向上や印加電圧対輝度特性曲線における立上
り特性の改善にも寄与するので、前記結晶性の良
好な層厚の薄いEL層５と相俟つて発光効率の高
い、しかも低電圧駆動可能なEL表示装置が実現
できるのである。
る点は第１の誘電体層３とEL層５との間に結晶
性低抵抗層４を介在させるとともにEL層５の層
厚を薄くしたところである。つまり本発明のEL
表示装置は従来のEL表示装置におけるEL層の一
部を結晶性低抵抗層に置き換えて結晶性の良好な
層厚の薄いEL層を形成したものである。この結
晶性低抵抗層４はたとえばZnSにインジウム
（In）を添加（たとえばInを重量比で0.1〜1.0％添
加）して構成したものであつて、EL層５の形成
前に蒸着により成膜したものである。そしてその
結晶性低抵抗層４上に薄い層厚のEL層５が蒸着
してある。このようにEL層５の母材、つまり
ZnSを主成分とした低抵抗層４を所定の厚みで形
成しておき、その上にEL層５を積層成長させる
ことにより、結晶性を低下させることなく層厚の
薄いEL層を形成することができ、その薄いEL層
５に電界を集中し得て、その結果従来EL層厚を
薄くすることで良好な結晶性が得られないことに
起因して生じていた発光効率の低下を招くことな
く、駆動電圧の低電圧化が可能となる。また結晶
性低抵抗層４は電子の注入源として働き、発光効
率の向上や印加電圧対輝度特性曲線における立上
り特性の改善にも寄与するので、前記結晶性の良
好な層厚の薄いEL層５と相俟つて発光効率の高
い、しかも低電圧駆動可能なEL表示装置が実現
できるのである。
第２図は前述の実施例のEL表示装置における
駆動電圧対輝度特性曲線であつて、横軸は周波数
1KHzの印加交番電圧を示し、縦軸は輝度をフー
トランバード（fL）単位で示したものである。同
図から明らかなように本発明によるEL表示装置
の発光開始電圧は約30Vと従来のものに比べて大
きく改善されている。いまたとえば第１図で説明
したEL表示装置における結晶性低抵抗層４も
ZnS：Mnで置き換えた、つまりEL層厚を6000Å
とした従来構成のEL表示装置の発光開始電圧が
70V程度であることからしても、本発明による
EL表示装置の改善効果は顕著であることがわか
る。
駆動電圧対輝度特性曲線であつて、横軸は周波数
1KHzの印加交番電圧を示し、縦軸は輝度をフー
トランバード（fL）単位で示したものである。同
図から明らかなように本発明によるEL表示装置
の発光開始電圧は約30Vと従来のものに比べて大
きく改善されている。いまたとえば第１図で説明
したEL表示装置における結晶性低抵抗層４も
ZnS：Mnで置き換えた、つまりEL層厚を6000Å
とした従来構成のEL表示装置の発光開始電圧が
70V程度であることからしても、本発明による
EL表示装置の改善効果は顕著であることがわか
る。
なおEL層の母材となる物質は、ZnS以外にセ
レン化亜鉛（ZnSe）、テルル化亜鉛（ZnTe）、硫
化カドミウム（CdS）、セレン化カドミウム
（CdSe）などや、これらの混合でも良い。但しこ
の場合結晶性低抵抗層の主成分は、EL層の母材
となる物質と同一のものを選びEL層の成膜工程
の簡易化や結晶成長の良化に留意する。また結晶
性低抵抗層に添加する物質はIn以外にAlやガリ
ウム（Ga）などでも良いし、誘電体層はPbTiO3
に限らずチタン酸バリウム（BaTiO3），PZT
（PbZr1―xTixO3），PLZT（Pb1-3/2xLaxZri―yTiy
O3）、酸化イツトリウム（Y2O3）、酸化スカンジ
ウム（Sc2O3）、酸化ハフニウム（Hf2O3）、酸化
アルミニウム（Al2O3）、窒化シリコン（Si3N4）
などを用いることもできる。
レン化亜鉛（ZnSe）、テルル化亜鉛（ZnTe）、硫
化カドミウム（CdS）、セレン化カドミウム
（CdSe）などや、これらの混合でも良い。但しこ
の場合結晶性低抵抗層の主成分は、EL層の母材
となる物質と同一のものを選びEL層の成膜工程
の簡易化や結晶成長の良化に留意する。また結晶
性低抵抗層に添加する物質はIn以外にAlやガリ
ウム（Ga）などでも良いし、誘電体層はPbTiO3
に限らずチタン酸バリウム（BaTiO3），PZT
（PbZr1―xTixO3），PLZT（Pb1-3/2xLaxZri―yTiy
O3）、酸化イツトリウム（Y2O3）、酸化スカンジ
ウム（Sc2O3）、酸化ハフニウム（Hf2O3）、酸化
アルミニウム（Al2O3）、窒化シリコン（Si3N4）
などを用いることもできる。
以上の説明から明らかなように本発明は要する
にEL層の一部を結晶性低抵抗層で置き換えて結
晶性の良好な層厚の薄いEL層を形成することに
より、発光効率の高い低電圧駆動可能なEL表示
装置が実現できて駆動回路の小形化や低価格化に
極めて有効である。
にEL層の一部を結晶性低抵抗層で置き換えて結
晶性の良好な層厚の薄いEL層を形成することに
より、発光効率の高い低電圧駆動可能なEL表示
装置が実現できて駆動回路の小形化や低価格化に
極めて有効である。
第１図は本発明によるEL表示装置の構造を説
明するための要部模型断面図、第２図は本発明に
よるEL表示装置における駆動電圧対輝度特性曲
線を示す図である。 １：ガラス基板、２：透明電極、３，６：誘電
体層、４：結晶性低抵抗層、５：EL層、７：背
面電極。
明するための要部模型断面図、第２図は本発明に
よるEL表示装置における駆動電圧対輝度特性曲
線を示す図である。 １：ガラス基板、２：透明電極、３，６：誘電
体層、４：結晶性低抵抗層、５：EL層、７：背
面電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 対向する電極２，７間に誘電体層３，６を介
してEL層５を挾持してなるEL表示装置におい
て、 前記EL層の下層部を該EL用母材の物質を主成
分とする結晶性低抵抗層４に置き換えて、結晶性
の良好な層厚の薄いEL層５を形成したことを特
徴とするEL表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9488780A JPS5719995A (en) | 1980-07-10 | 1980-07-10 | El indicator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9488780A JPS5719995A (en) | 1980-07-10 | 1980-07-10 | El indicator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5719995A JPS5719995A (en) | 1982-02-02 |
| JPS6314836B2 true JPS6314836B2 (ja) | 1988-04-01 |
Family
ID=14122547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9488780A Granted JPS5719995A (en) | 1980-07-10 | 1980-07-10 | El indicator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5719995A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6035496A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-23 | 松下電器産業株式会社 | Ｅｌパネル |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49108989A (ja) * | 1973-02-20 | 1974-10-16 |
-
1980
- 1980-07-10 JP JP9488780A patent/JPS5719995A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5719995A (en) | 1982-02-02 |
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