JPS6314887B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6314887B2 JPS6314887B2 JP56145473A JP14547381A JPS6314887B2 JP S6314887 B2 JPS6314887 B2 JP S6314887B2 JP 56145473 A JP56145473 A JP 56145473A JP 14547381 A JP14547381 A JP 14547381A JP S6314887 B2 JPS6314887 B2 JP S6314887B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelement
- output
- sensitivity
- constant
- ram
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
- H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ホトダイオード又はホトトランジス
タ等のホトエレメントを複数個並設した固体セン
サにおける、各ホトエレメント間の感度を補正す
る方法に関する。
タ等のホトエレメントを複数個並設した固体セン
サにおける、各ホトエレメント間の感度を補正す
る方法に関する。
レンズの収差等を検査するMTF（変調伝達関
数）検査機等の光学的計測装置においては、光量
分布を測定するためにCCD（電荷結合素子）セン
サ等の固体センサが使用されている。CCDセン
サは、例えば、2048個（2048ビツト）のホトエレ
メントを中心間距離13μmで並設してなり、各ホ
トエレメントの露光量に対応する出力を信号処理
装置に伝送して露光量分布等を測定する為に使用
可能である。而して、CCDセンサの各ホトエレ
メントは、製造工程における製造パラメータの変
動及びウエフア欠陥等の材料自体の性質に起因し
て、その感度にバラツキが存在し、CCDセンサ
の光量測定誤差要因となる。然るに、従来は、
CCDセンサの終段の増幅器の特性変動により発
生する感度のバラツキを補正するに止まり、従つ
て、各CCDセンサ間の感度補正は可能であつた
が、各ホトエレメントの光応答の不均一性（所謂
PRNU）及び各ホトエレメントの暗電流の不均
一性（所謂DSNU）による各ホトエレメント間
の感度補正をすることはできなかつた。
数）検査機等の光学的計測装置においては、光量
分布を測定するためにCCD（電荷結合素子）セン
サ等の固体センサが使用されている。CCDセン
サは、例えば、2048個（2048ビツト）のホトエレ
メントを中心間距離13μmで並設してなり、各ホ
トエレメントの露光量に対応する出力を信号処理
装置に伝送して露光量分布等を測定する為に使用
可能である。而して、CCDセンサの各ホトエレ
メントは、製造工程における製造パラメータの変
動及びウエフア欠陥等の材料自体の性質に起因し
て、その感度にバラツキが存在し、CCDセンサ
の光量測定誤差要因となる。然るに、従来は、
CCDセンサの終段の増幅器の特性変動により発
生する感度のバラツキを補正するに止まり、従つ
て、各CCDセンサ間の感度補正は可能であつた
が、各ホトエレメントの光応答の不均一性（所謂
PRNU）及び各ホトエレメントの暗電流の不均
一性（所謂DSNU）による各ホトエレメント間
の感度補正をすることはできなかつた。
本発明は以上の点に鑑みなされたものであつ
て、各固体センサ間の感度補正に加え、各固体セ
ンサにおける各ホトエレメント間の感度のバラツ
キも補正することができ、高精度の光学的計測装
置を実現可能な固体センサの感度補正方法を提供
することを目的とする。即ち、本発明方法の特徴
とするところは、複数個のホトエレメントを有す
る固体センサの感度補正方法において、感度の基
準として選択した基準ホトエレメント及びその他
のホトエレメントの露光量に対する感度特性を予
め求めておき、測定対象の光量測定に際し、前記
基準ホトエレメント以外の各ホトエレメントの出
力を前記基準ホトエレメントに対する前記感度特
性の差異に基いて補正する点にある。
て、各固体センサ間の感度補正に加え、各固体セ
ンサにおける各ホトエレメント間の感度のバラツ
キも補正することができ、高精度の光学的計測装
置を実現可能な固体センサの感度補正方法を提供
することを目的とする。即ち、本発明方法の特徴
とするところは、複数個のホトエレメントを有す
る固体センサの感度補正方法において、感度の基
準として選択した基準ホトエレメント及びその他
のホトエレメントの露光量に対する感度特性を予
め求めておき、測定対象の光量測定に際し、前記
基準ホトエレメント以外の各ホトエレメントの出
力を前記基準ホトエレメントに対する前記感度特
性の差異に基いて補正する点にある。
CCDセンサ等の固体センサは、例えば、2048
個のホトエレメントを中心間距離13μmで並設し
てあるが、各ホトエレメントの感度特性は、第１
図に、横軸に露光量をとり、また縦軸にホトエレ
メントの信号出力（ボルト）をとつて示すよう
に、保証動作周波数の範囲内で使用する場合は露
光量に対して直線性を有している。従つて、各ホ
トエレメントの出力ｖは露光量Ｅの一次関数で表
わされるのであるが、前述の如く、各ホトエレメ
ントの光応答及び暗電流に差異があり、前記一次
関数の定数は各ホトエレメントによつて異なる。
これを数式表現すると下記(1)式の如くなる。
個のホトエレメントを中心間距離13μmで並設し
てあるが、各ホトエレメントの感度特性は、第１
図に、横軸に露光量をとり、また縦軸にホトエレ
メントの信号出力（ボルト）をとつて示すよう
に、保証動作周波数の範囲内で使用する場合は露
光量に対して直線性を有している。従つて、各ホ
トエレメントの出力ｖは露光量Ｅの一次関数で表
わされるのであるが、前述の如く、各ホトエレメ
ントの光応答及び暗電流に差異があり、前記一次
関数の定数は各ホトエレメントによつて異なる。
これを数式表現すると下記(1)式の如くなる。
Vi＝AiＥ＋Bi ……(1)
但し、Ai、Biはｉ番目のホトエレメントについ
ての定数である。なお、暗電流は非露光時に検出
され、CCDセンサにおいて熱によつて発生する
信号成分であり、第１図では縦軸切片の値が、ま
た(1)式ではBiがこの暗電流を表わしている。光応
答性は第１図の直線の傾き及び(1)式のAiにより表
わされる。そして、各ホトエレメントについてAi
及びBi値が異なるから、各ホトエレメントを同一
露光量で光照射した場合においてもその出力は差
異があり、感度差が存在する。
ての定数である。なお、暗電流は非露光時に検出
され、CCDセンサにおいて熱によつて発生する
信号成分であり、第１図では縦軸切片の値が、ま
た(1)式ではBiがこの暗電流を表わしている。光応
答性は第１図の直線の傾き及び(1)式のAiにより表
わされる。そして、各ホトエレメントについてAi
及びBi値が異なるから、各ホトエレメントを同一
露光量で光照射した場合においてもその出力は差
異があり、感度差が存在する。
本発明は、各ホトエレメントについてその感度
特性をAi、Bi値として予め求めておき、測定対象
の光量測定に際し、各ホトエレメントの出力を、
感度の基準として適宜選択した基準ホトエレメン
トｊの感度特性に合うように補正するものであ
る。即ち、本発明方法は、Ｎ個のホトエレメント
を有する固体センサの感度補正方法において、各
ホトエレメントの感度特性を下記数式で表わし、 Vi＝AiＥ＋Bi ……(1) 測定対象の光量測定に先立ち、前記各ホトエレメ
ントを相異なる均一露光量で２回露光してその各
出力から前記数式の定数Ai及びBiを求めておき、
光量測定時の各ホトエレメントの各出力viを下記
数式 Vi＝（Aj／Ai）vi＋Bj―（Aj／Ai）Bi に従つて補正演算することを特徴とするものであ
る。
特性をAi、Bi値として予め求めておき、測定対象
の光量測定に際し、各ホトエレメントの出力を、
感度の基準として適宜選択した基準ホトエレメン
トｊの感度特性に合うように補正するものであ
る。即ち、本発明方法は、Ｎ個のホトエレメント
を有する固体センサの感度補正方法において、各
ホトエレメントの感度特性を下記数式で表わし、 Vi＝AiＥ＋Bi ……(1) 測定対象の光量測定に先立ち、前記各ホトエレメ
ントを相異なる均一露光量で２回露光してその各
出力から前記数式の定数Ai及びBiを求めておき、
光量測定時の各ホトエレメントの各出力viを下記
数式 Vi＝（Aj／Ai）vi＋Bj―（Aj／Ai）Bi に従つて補正演算することを特徴とするものであ
る。
但し、vi：ホトエレメントの出力
Ｅ：露光量
Ai、Bi：ｉ番目のホトエレメントについての定
数（ｉ＝１、２、…Ｎ） Vi：ホトエレメントｉの補正後の出力 Aj、Bj：感度の基準として選択した基準ホト
エレメントｊについての定数 この場合において、前記相異なる均一露光量
は、その一方が零光量であり、従つてそのときの
各ホトエレメントの出力が暗電流によるものであ
るのがよい。これにより、前記Biがホトエレメン
トの出力に直接対応して求められるからである。
なお、各ホトエレメントの感度特性を前記(1)式に
て表わさず、他の関数を使用する場合は、前述の
相異なる均一露光量による露光は、必ずしも２回
に限らない。設定する感度特性式に使用される定
数の数等に応じて適宜均一露光回数を設定すれば
よい。
数（ｉ＝１、２、…Ｎ） Vi：ホトエレメントｉの補正後の出力 Aj、Bj：感度の基準として選択した基準ホト
エレメントｊについての定数 この場合において、前記相異なる均一露光量
は、その一方が零光量であり、従つてそのときの
各ホトエレメントの出力が暗電流によるものであ
るのがよい。これにより、前記Biがホトエレメン
トの出力に直接対応して求められるからである。
なお、各ホトエレメントの感度特性を前記(1)式に
て表わさず、他の関数を使用する場合は、前述の
相異なる均一露光量による露光は、必ずしも２回
に限らない。設定する感度特性式に使用される定
数の数等に応じて適宜均一露光回数を設定すれば
よい。
以下、本発明を具体的に説明する。CCDセン
サのホトエレメントの数をＮ個（Ｎビツト）と
し、その各ホトエレメントを露光量Ｅで均一露光
したとする。そのときの各ホトエレメントｉ（ｉ
＝１、２、…、Ｎ；ｉ≠ｊ）の出力vi及び感度基
準として選択した基準ホトエレメントｊの出力vj
は下記(2)及び(3)式で表わされる。
サのホトエレメントの数をＮ個（Ｎビツト）と
し、その各ホトエレメントを露光量Ｅで均一露光
したとする。そのときの各ホトエレメントｉ（ｉ
＝１、２、…、Ｎ；ｉ≠ｊ）の出力vi及び感度基
準として選択した基準ホトエレメントｊの出力vj
は下記(2)及び(3)式で表わされる。
vi＝AiＥ＋Bi ……(2)
vj＝AjＥ＋Bj ……(3)
ホトエレメントｊの感度特性を基準として他の
ホトエレメントｉの出力をこれに適合させるので
あるから、露光量Ｅにおいては、ホトエレメント
ｉの出力viは基準ホトエレメントｊの出力vjに修
整されるべきである。この補正式は下記(4)式によ
つて表わされる。
ホトエレメントｉの出力をこれに適合させるので
あるから、露光量Ｅにおいては、ホトエレメント
ｉの出力viは基準ホトエレメントｊの出力vjに修
整されるべきである。この補正式は下記(4)式によ
つて表わされる。
Vi＝（Aj／Ai）vi＋Bj―（Aj／Ai）Bi ……(4)
即ち、ホトエレメントｉの実出力vi（＝AiＥ＋
Bi）を(4)式に代入すれば、Vi＝vj（＝AjＥ＋Bj）
となり、ホトエレメントｉの補正後の出力Viはvj
に一致する。従つて、CCDセンサによる測定対
象の光量測定に際しては、各ホトエレメントｉ
（ｉ＝１、２、…Ｎ；ｉ≠ｊ）の出力viを(4)式に
従つて補正演算すれば、全てのホトエレメントに
ついてホトエレメントｊの感度特性を用いて露光
量を電圧に変換したことになり、感度のバラツキ
を補正することができる。
Bi）を(4)式に代入すれば、Vi＝vj（＝AjＥ＋Bj）
となり、ホトエレメントｉの補正後の出力Viはvj
に一致する。従つて、CCDセンサによる測定対
象の光量測定に際しては、各ホトエレメントｉ
（ｉ＝１、２、…Ｎ；ｉ≠ｊ）の出力viを(4)式に
従つて補正演算すれば、全てのホトエレメントに
ついてホトエレメントｊの感度特性を用いて露光
量を電圧に変換したことになり、感度のバラツキ
を補正することができる。
而して、(4)式に基いて補正演算するためには定
数Ai、Bi（Aj、Bjも含めて）予め求め、各ホトエ
レメントの感度特性を求めておく必要がある。こ
のため、測定対象の光量測定に先立ち、CCDセ
ンサの各ホトエレメントを相異なる均一露光量で
２回露光し、そのときの各ホトエレメントの各出
力からAi、Biを算出する。この場合、２回の均一
露光のうち、１回は露光量零とし、即ち、非露光
時の暗状態で各ホトエレメントの出力を検出し、
暗電流成分Biをこの出力から直接求めるのがよ
い。そして、(2)、(3)式からＥを消去すると下記(5)
式が得られ、 Aj／Ai＝（vj―Bj）／（vi―Bi） ……(5) 他の１回の均一露光（露光量は零でない）におけ
る各ホトエレメントの出力viとvjとから、(5)式に
従つてAj／Aiを求める。
数Ai、Bi（Aj、Bjも含めて）予め求め、各ホトエ
レメントの感度特性を求めておく必要がある。こ
のため、測定対象の光量測定に先立ち、CCDセ
ンサの各ホトエレメントを相異なる均一露光量で
２回露光し、そのときの各ホトエレメントの各出
力からAi、Biを算出する。この場合、２回の均一
露光のうち、１回は露光量零とし、即ち、非露光
時の暗状態で各ホトエレメントの出力を検出し、
暗電流成分Biをこの出力から直接求めるのがよ
い。そして、(2)、(3)式からＥを消去すると下記(5)
式が得られ、 Aj／Ai＝（vj―Bj）／（vi―Bi） ……(5) 他の１回の均一露光（露光量は零でない）におけ
る各ホトエレメントの出力viとvjとから、(5)式に
従つてAj／Aiを求める。
次に、上述の如き感度補正を実施可能な感度補
正装置について説明する。第２図は、MTF検査
機のフーリエ演算回路に組み込まれた本発明の感
度補正方法の１実施例を示すブロツク図である。
なお、フーリエ演算に際しては、各ホトエレメン
トの出力信号のうち、露光により変化する成分、
即ちAiＥのみを使用し、信号の直流成分である暗
電流成分Biは除外する必要があるので、以下の説
明においては、vi―Biの補正を行う装置について
説明する。従つて、(4)式の補正式は下記(6)式の如
く変形する。
正装置について説明する。第２図は、MTF検査
機のフーリエ演算回路に組み込まれた本発明の感
度補正方法の１実施例を示すブロツク図である。
なお、フーリエ演算に際しては、各ホトエレメン
トの出力信号のうち、露光により変化する成分、
即ちAiＥのみを使用し、信号の直流成分である暗
電流成分Biは除外する必要があるので、以下の説
明においては、vi―Biの補正を行う装置について
説明する。従つて、(4)式の補正式は下記(6)式の如
く変形する。
Vi―Bj＝（Aj／Ai）（vi―Bi） ……(6)
即ち、予め(5)式で求めたAj／Aiと暗電流成分
Biとから、(6)式に従つてviの補正演算をすればよ
い。
Biとから、(6)式に従つてviの補正演算をすればよ
い。
第２図の図示例においては、256ビツトのCCD
センサ１００が６個並設され、各CCDセンサ１
００はマルチプレクサ１０１に並列接続され、
CCDセンサ１００の各ホトエレメントｉ（ｉ＝
（１〜256）×６）の出力は、サンプル・アンド・
ホールド回路１０２及びアナログ／デジタル変換
器（以下ADCと略す）１０３を経て、データ
RAM１０４に入力され、記憶されるようになつ
ている。データRAM１０４の出力は加減算器１
１０及び乗算器１１１に入力され、加減算器１１
０及び乗算器１１１の出力は、入力ポート１１２
を介して演算装置１１３に入力される。演算装置
１１３の出力端は出力ポート１１４を介して、デ
ータRAM１０４、定数RAM１０６及び定数
RAM１０８に接続され、定数RAM１０６，１
０８の出力は加減算器１１０及び乗算器１１１に
入力されるようになつている。定数RAM１０６
は補正定数Aj／Ai及びBiをストアしておくため
のRAMであり、定数RAM１０８は補正後のホ
トエレメントの出力をフーリエ演算する際に使用
されるsin及びcosのテーブルがストアされてい
る。１０５，１０７及び１０９は夫々データ
RAM１０４、定数RAM１０６及び定数RAM１
０８のアドレスカウンタである。また、図示の如
く、回路間にはゲートＧ１〜Ｇ１４が設置されて
おり、各ゲートＧ１〜Ｇ１４は通常は閉じられて
いてコントローラ（不図示）により開閉制御され
る。なお、ゲートＧ９を介して加減算器１１０に
入力される信号は零信号である。
センサ１００が６個並設され、各CCDセンサ１
００はマルチプレクサ１０１に並列接続され、
CCDセンサ１００の各ホトエレメントｉ（ｉ＝
（１〜256）×６）の出力は、サンプル・アンド・
ホールド回路１０２及びアナログ／デジタル変換
器（以下ADCと略す）１０３を経て、データ
RAM１０４に入力され、記憶されるようになつ
ている。データRAM１０４の出力は加減算器１
１０及び乗算器１１１に入力され、加減算器１１
０及び乗算器１１１の出力は、入力ポート１１２
を介して演算装置１１３に入力される。演算装置
１１３の出力端は出力ポート１１４を介して、デ
ータRAM１０４、定数RAM１０６及び定数
RAM１０８に接続され、定数RAM１０６，１
０８の出力は加減算器１１０及び乗算器１１１に
入力されるようになつている。定数RAM１０６
は補正定数Aj／Ai及びBiをストアしておくため
のRAMであり、定数RAM１０８は補正後のホ
トエレメントの出力をフーリエ演算する際に使用
されるsin及びcosのテーブルがストアされてい
る。１０５，１０７及び１０９は夫々データ
RAM１０４、定数RAM１０６及び定数RAM１
０８のアドレスカウンタである。また、図示の如
く、回路間にはゲートＧ１〜Ｇ１４が設置されて
おり、各ゲートＧ１〜Ｇ１４は通常は閉じられて
いてコントローラ（不図示）により開閉制御され
る。なお、ゲートＧ９を介して加減算器１１０に
入力される信号は零信号である。
次に、この感度補正装置の動作について説明す
る。
る。
() MTF測定に先立ち、各補正定数を求める
場合。
場合。
(1) ６個のCCDセンサ１００の各ホトエレメ
ントを同一露光量で均一露光し、ゲートＧ１
及びＧ３を開いて各ホトエレメントｉの出力
vi（ｉ＝（１〜256）×６）をデータRAM１０
４にストアする。
ントを同一露光量で均一露光し、ゲートＧ１
及びＧ３を開いて各ホトエレメントｉの出力
vi（ｉ＝（１〜256）×６）をデータRAM１０
４にストアする。
(2) 次いで、ゲートＧ１及びGG３を閉じ、ゲ
ートＧ９及びＧ１２を開いてデータRAM１
０４の記憶内容を入力ポート１１２を介して
演算装置１１３に入力させる。
ートＧ９及びＧ１２を開いてデータRAM１
０４の記憶内容を入力ポート１１２を介して
演算装置１１３に入力させる。
(3) そして、ゲートＧ９及びＧ１２を閉じ、
CCDセンサ１００をいずれも露光量零、即
ち暗状態にし、ゲートＧ１及びＧ３を開いて
各ホトエレメントｉの出力Bi（ｉ＝（１〜256）
×６）をデータRAM１０４に入力させ、デ
ータRAM１０４の記憶内容をBiで書きかえ
る。
CCDセンサ１００をいずれも露光量零、即
ち暗状態にし、ゲートＧ１及びＧ３を開いて
各ホトエレメントｉの出力Bi（ｉ＝（１〜256）
×６）をデータRAM１０４に入力させ、デ
ータRAM１０４の記憶内容をBiで書きかえ
る。
(4) 次いで、ゲートＧ１及びＧ３を閉じ、ゲー
トＧ９及びＧ１２を開いてデータRAM１０
４の記憶内容を入力ポート１１２を介して演
算装置１１３に入力させる。
トＧ９及びＧ１２を開いてデータRAM１０
４の記憶内容を入力ポート１１２を介して演
算装置１１３に入力させる。
(5) 演算装置１１３は、上述の如くして入力さ
れたホトエレメントｉ（ｉ＝（１〜256）×６）
についてのvi及びBiから、適宜選択された基
準ホトエレメントｊを基に、(5)式に従つて
Aj／Aiを算出し、求められたAj／Ai及びBi
を、例えば、フロツピーデイスクにストアす
る。ゲートＧ９及びＧ１２は演算装置１１３
がデータを読み込んだ後閉じられる。
れたホトエレメントｉ（ｉ＝（１〜256）×６）
についてのvi及びBiから、適宜選択された基
準ホトエレメントｊを基に、(5)式に従つて
Aj／Aiを算出し、求められたAj／Ai及びBi
を、例えば、フロツピーデイスクにストアす
る。ゲートＧ９及びＧ１２は演算装置１１３
がデータを読み込んだ後閉じられる。
() MTF測定において、各ホトエレメントの
出力を補正演算する場合 (1) 演算装置１１３は、フロツピーデイスクに
ストアされているAj／Ai及びBi値を読み出
し、ゲートＧ１４及びＧ４を開いてこれらの
値を定数RAM１０６にストアする。なお、
上記から明らかな如く、定数RAM１０６
は、６個のCCDセンサ１００が夫々256ビツ
トであることから、256×６×２個のアドレ
スを有する。次いで、ゲートＧ１４及びＧ４
を閉じる。
出力を補正演算する場合 (1) 演算装置１１３は、フロツピーデイスクに
ストアされているAj／Ai及びBi値を読み出
し、ゲートＧ１４及びＧ４を開いてこれらの
値を定数RAM１０６にストアする。なお、
上記から明らかな如く、定数RAM１０６
は、６個のCCDセンサ１００が夫々256ビツ
トであることから、256×６×２個のアドレ
スを有する。次いで、ゲートＧ１４及びＧ４
を閉じる。
(2) ゲートＧ１及びＧ３を開き、測定対象から
の露光を受けているCCDセンサ１００の各
ホトエレメントの出力viをデータRAM１０
４に入力させ、ストアさせる。そして、ゲー
トＧ１及びＧ３を閉じる。
の露光を受けているCCDセンサ１００の各
ホトエレメントの出力viをデータRAM１０
４に入力させ、ストアさせる。そして、ゲー
トＧ１及びＧ３を閉じる。
(3) ゲートＧ１０，Ｇ２及びＧ３を開き、デー
タRAM１０４にストアされている出力viと、
定数RAM１０６にストアされている定数Bi
とを、加減算器１１０に通してvi―Biの演算
をさせ、その演算結果をデータRAM１０４
に入力させて、データRAM１０４のストア
内容をvi―Biで書きかえる。そして、ゲート
Ｇ１０，Ｇ２及びＧ３を閉じる。
タRAM１０４にストアされている出力viと、
定数RAM１０６にストアされている定数Bi
とを、加減算器１１０に通してvi―Biの演算
をさせ、その演算結果をデータRAM１０４
に入力させて、データRAM１０４のストア
内容をvi―Biで書きかえる。そして、ゲート
Ｇ１０，Ｇ２及びＧ３を閉じる。
(4) ゲートＧ７，Ｇ６及びＧ３を開き、データ
RAM１０４にストアされているvi―Bi値と、
定数RAM１０６にストアされている定数
Aj／Aiとを、乗算器１１１に通して、(6)式
の演算をさせ、その演算結果をデータRAM
１０４に入力させて、データRAM１０４の
ストア内容を（Aj／Ai）（vi―Bi）〔(6)式参
照〕で書きかえる。そして、ゲートＧ７，Ｇ
６及びＧ３を閉じる。
RAM１０４にストアされているvi―Bi値と、
定数RAM１０６にストアされている定数
Aj／Aiとを、乗算器１１１に通して、(6)式
の演算をさせ、その演算結果をデータRAM
１０４に入力させて、データRAM１０４の
ストア内容を（Aj／Ai）（vi―Bi）〔(6)式参
照〕で書きかえる。そして、ゲートＧ７，Ｇ
６及びＧ３を閉じる。
而して、この時点でデータRAM１０４に
ストアされている内容は、各ホトエレメント
についての（Aj／Ai）（vi―Bi）であり、出
力の実測値viを(6)式に従つて補正演算した結
果がデータRAM１０４にストアされている
ことになる。従つて、データRAM１０４に
ストアされている（Aj／Ai）（vi―Bi）と定
数RAM１０８にストアされているsin及び
cosのテーブルとを、ゲートＧ８及びＧ１３
を開くことにより、乗算器１１１により乗算
した後演算装置１１３に入力せしめ、演算装
置１１３に内蔵されているMTFテストプロ
グラムにより、フーリエ演算等の所要の演算
を施してMTF検査結果を求めればよい。
ストアされている内容は、各ホトエレメント
についての（Aj／Ai）（vi―Bi）であり、出
力の実測値viを(6)式に従つて補正演算した結
果がデータRAM１０４にストアされている
ことになる。従つて、データRAM１０４に
ストアされている（Aj／Ai）（vi―Bi）と定
数RAM１０８にストアされているsin及び
cosのテーブルとを、ゲートＧ８及びＧ１３
を開くことにより、乗算器１１１により乗算
した後演算装置１１３に入力せしめ、演算装
置１１３に内蔵されているMTFテストプロ
グラムにより、フーリエ演算等の所要の演算
を施してMTF検査結果を求めればよい。
上述の如き各ゲートＧ１〜Ｇ１４の開閉動作
は、マイクロコンピユータ等を使用したコントロ
ーラにより行わせることができる。その１例を第
３図〜第６図に示す。第３図はコントローラ１２
０によるデータの入出力制御を説明するブロツク
図、第４図〜第６図はその制御タイミング図であ
る。なお、説明の簡単のために、CCDセンサ１
００は例えば256ビツトのものを１個使用した場
合について図示してある。また、第３図におい
て、第２図と同一物には同一符号を付してある。
第３図中、１２１は単位信号“１”の出力回路、
１２２はワード・カウンタである。また、１はデ
ータバスであり、２〜１９はコントローラ１２０
から各回路へ制御信号を伝送するバス、２０〜２
４はコントローラ１２０への各種命令を伝送する
バスである。
は、マイクロコンピユータ等を使用したコントロ
ーラにより行わせることができる。その１例を第
３図〜第６図に示す。第３図はコントローラ１２
０によるデータの入出力制御を説明するブロツク
図、第４図〜第６図はその制御タイミング図であ
る。なお、説明の簡単のために、CCDセンサ１
００は例えば256ビツトのものを１個使用した場
合について図示してある。また、第３図におい
て、第２図と同一物には同一符号を付してある。
第３図中、１２１は単位信号“１”の出力回路、
１２２はワード・カウンタである。また、１はデ
ータバスであり、２〜１９はコントローラ１２０
から各回路へ制御信号を伝送するバス、２０〜２
４はコントローラ１２０への各種命令を伝送する
バスである。
そして、バス２０から、CCDセンサ１００の
出力をデータRAM１０４に読込むべき命令がコ
ントローラ１２０に入力されると、第４図に示す
タイミングでCCDセンサ１００の256個のホトエ
レメントの出力vi（零光量時及び均一光量の露光
時）をデータRAM１０４にストアする。次い
で、データRAM１０４の記憶内容を演算装置１
１３に入力させ、Aj／Aiを算出させた後、Aj／
Ai及びBiを定数RAM１０６にストアする。
出力をデータRAM１０４に読込むべき命令がコ
ントローラ１２０に入力されると、第４図に示す
タイミングでCCDセンサ１００の256個のホトエ
レメントの出力vi（零光量時及び均一光量の露光
時）をデータRAM１０４にストアする。次い
で、データRAM１０４の記憶内容を演算装置１
１３に入力させ、Aj／Aiを算出させた後、Aj／
Ai及びBiを定数RAM１０６にストアする。
MTF測定に際しては、同様に第４図に示すタ
イミングで測定対象が露光されたCCDセンサ１
００の各ホトエレメントの出力viをデータRAM
１０４に読み込み、第５図に示すタイミングで、
このviと定数RAM１０６のBiとから、vi―Biを算
出し、この算出結果をデータRAM１０４にスト
アする。そして、第６図に示すタイミングで、デ
ータRAM１０４にストアされたvi―Biと、定数
RAM１０６のAj／Aiとから、両者を乗算し、乗
算結果をデータRAM１０４にストアする。上述
の如くして、MTF測定に際し、その実測出力vi
が(6)式に従う補正演算を施されて、補正後の出力
Vi―BjがデータRAM１０４の記憶内容として求
められる。
イミングで測定対象が露光されたCCDセンサ１
００の各ホトエレメントの出力viをデータRAM
１０４に読み込み、第５図に示すタイミングで、
このviと定数RAM１０６のBiとから、vi―Biを算
出し、この算出結果をデータRAM１０４にスト
アする。そして、第６図に示すタイミングで、デ
ータRAM１０４にストアされたvi―Biと、定数
RAM１０６のAj／Aiとから、両者を乗算し、乗
算結果をデータRAM１０４にストアする。上述
の如くして、MTF測定に際し、その実測出力vi
が(6)式に従う補正演算を施されて、補正後の出力
Vi―BjがデータRAM１０４の記憶内容として求
められる。
叙上の如くして補正演算された、各ホトエレメ
ントｉ（ｉ≠ｊ）の出力Viは、基準ホトエレメン
トｊの感度特性に合致したものとなり、各ホトエ
レメント（同一の固体センサにおけるホトエレメ
ントに限らず、別個の固体センサのホトエレメン
トも含む）の出力信号は、露光量が均一である場
合はいずれも同一出力値となり、各ホトエレメン
トにおける光応答性及び暗電流のバラツキによる
各ホトエレメント間の感度のバラツキが補正され
る。本発明の感度補正を適用した固体センサによ
り、高精度の光学的計測を行うことが可能であ
る。
ントｉ（ｉ≠ｊ）の出力Viは、基準ホトエレメン
トｊの感度特性に合致したものとなり、各ホトエ
レメント（同一の固体センサにおけるホトエレメ
ントに限らず、別個の固体センサのホトエレメン
トも含む）の出力信号は、露光量が均一である場
合はいずれも同一出力値となり、各ホトエレメン
トにおける光応答性及び暗電流のバラツキによる
各ホトエレメント間の感度のバラツキが補正され
る。本発明の感度補正を適用した固体センサによ
り、高精度の光学的計測を行うことが可能であ
る。
なお、本発明は、上記の特定の実施例に限定さ
れるべきものではなく、例えば固体センサとして
はCCDセンサに限らず、複数個のホトエレメン
トを有する固体センサに適用可能である等、本発
明の技術的範囲内において種々の変形例が可能で
あることは勿論である。
れるべきものではなく、例えば固体センサとして
はCCDセンサに限らず、複数個のホトエレメン
トを有する固体センサに適用可能である等、本発
明の技術的範囲内において種々の変形例が可能で
あることは勿論である。
第１図はホトエレメントの感度特性を示すグラ
フ図、第２図は本発明装置の１実施例を示すブロ
ツク図、第３図はコントローラのデータ転送機能
を説明するブロツク図、第４図〜第６図はコント
ローラのデータ制御タイミング図である。 （符号の説明） １…データバス、１００…
CCDセンサ、１０３…アナログ／デジタル変換
器、１０４…データRAM、１０６…定数RAM、
１１０…加減算器、１１１…乗算器、１１３…演
算装置、１２０…コントローラ。
フ図、第２図は本発明装置の１実施例を示すブロ
ツク図、第３図はコントローラのデータ転送機能
を説明するブロツク図、第４図〜第６図はコント
ローラのデータ制御タイミング図である。 （符号の説明） １…データバス、１００…
CCDセンサ、１０３…アナログ／デジタル変換
器、１０４…データRAM、１０６…定数RAM、
１１０…加減算器、１１１…乗算器、１１３…演
算装置、１２０…コントローラ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Ｎ個のホトエレメントを有する固体センサの
感度補正方法において、各ホトエレメントの感度
特性を下記数式で表わし、 vi＝AiＥ＋Bi 測定対象の光量測定に先立ち、前記各ホトエレメ
ントを相異なる均一露光量で２回露光してその各
出力から前記数式の定数Ai及びBiを求めておき、
光量測定時の各ホトエレメントの各出力viを下記
数式 Vi＝（Aj／Ai）vi＋Bj―（Aj／Ai）Bi に従つて補正演算することを特徴とする固体セン
サの感度補正方法。 但し、vi：ホトエレメントの出力 Ｅ：露光量 Ai、Bi：ｉ番目のホトエレメントについての定
数（ｉ＝１、２、…、Ｎ） Vi：ホトエレメントｉの補正後の出力 Ai、Bi：感度の基準として選択した基準ホトエ
レメントｊについての定数。 ２ 特許請求の範囲第１項において、前記相異な
る均一露光量は、その一方が零光量であることを
特徴とする固体センサの感度補正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56145473A JPS5847223A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 固体センサの感度補正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56145473A JPS5847223A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 固体センサの感度補正方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62195155A Division JPS63106529A (ja) | 1987-08-06 | 1987-08-06 | 固体センサの感度補正方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5847223A JPS5847223A (ja) | 1983-03-18 |
| JPS6314887B2 true JPS6314887B2 (ja) | 1988-04-02 |
Family
ID=15386056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56145473A Granted JPS5847223A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 固体センサの感度補正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5847223A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61250525A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-07 | Tokyo Optical Co Ltd | 測光器 |
| JPS62206403A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | レジスタ−マ−クの検出方法 |
| FR2704643B1 (fr) * | 1993-04-26 | 1995-06-23 | Lorraine Laminage | Procede et dispositf d'etalonnage pour un ensemble de mesure du profil transversal d'epaisseur d'un produit plat. |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5945087B2 (ja) * | 1978-08-17 | 1984-11-02 | 株式会社日立製作所 | 光電素子の感度補正回路 |
-
1981
- 1981-09-17 JP JP56145473A patent/JPS5847223A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5847223A (ja) | 1983-03-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4200934A (en) | Circuit arrangement for correcting digital signals | |
| US5563723A (en) | Method of calibration of image scanner signal processing circuits | |
| US4831325A (en) | Capacitance measuring circuit | |
| US4473797A (en) | Multielement-sensor measuring device | |
| US6065866A (en) | Method of calibrating a radiation thermometer | |
| US3955086A (en) | Radiation thickness gauge | |
| JP2010071987A (ja) | 抵抗型イメージングボロメータを具備した赤外線放射検出用デバイス、そのようなボロメータのアレイを具備したシステム、及びそのようなシステムに一体化されたイメージングボロメータの読み取り方法 | |
| ATE347686T1 (de) | Kontrolle, kalibrierung und betrieb einer mikrobolometermatrix | |
| GB1532362A (en) | Measuring instruments | |
| JPS6314887B2 (ja) | ||
| WO1997001926A2 (en) | Digital offset corrector for microbolometer array | |
| JP2005528025A (ja) | 画像センサからの画像信号値をｆｐｎ補正する方法および装置 | |
| JPS63106529A (ja) | 固体センサの感度補正方法及びその装置 | |
| JPH11118617A (ja) | 温度調節器 | |
| JP2984494B2 (ja) | 固体撮像素子の暗時出力補正装置 | |
| JPS5847225A (ja) | 固体センサの温度補正方法及びその装置 | |
| JPS6215817B2 (ja) | ||
| JPS62218813A (ja) | 圧力検出装置 | |
| JP3621519B2 (ja) | デバイスの良否判定方法 | |
| JPH0456477A (ja) | 画像読取信号の補正方法 | |
| CN117490859B (zh) | 一种用于辐射温度计的环境温度补偿方法及装置 | |
| JPH08265070A (ja) | アンプのゲイン自動補正装置およびゲイン自動補正方法 | |
| JPH03179337A (ja) | Ｘ線像走査方法及びその装置 | |
| JP2768872B2 (ja) | 画像読み取り方法及び装置 | |
| JPH0226806B2 (ja) |