JPS6315018B2 - - Google Patents
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-
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- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Description
本発明は、イオン交換樹脂にイオン結合しそし
て遷移金属に配位結合した配位子を有するイオン
交換樹脂を含む、有機反応における不均質触媒と
して使用するに適する錯体組成物に関する。 均質触媒に比較して、不均質触媒を用いると、
固定床の使用が可脳能であること、生成物からの
触媒分離が簡単であること、および触媒回収再生
が容易であること等の如き幾つかの長所が得られ
る。 慣用的には、遷移金属シリーズの金属から不均
質触媒を製造するためには、これらの金属はアル
ミナまたはシリカの如き不活性担体上に沈着せし
められた。最近では金属触媒は、ポリマーに直接
結合し金属に配位結合したジフエニルホスフイン
または他の配位子を用いて、不活性樹脂主鎖に結
合せしめられる。この種の代表例は米国特許第
3998864号およびPittman etal.、Chem−tech.、
第560−566頁、1973年に記されている。 今や、(a)イオン交換樹脂、(b)遷移金属、および
(c)該イオン交換樹脂にイオン結合した少なくとも
1つの部分およびさらに該金属に配位結合した少
なくとも1つの部分を有する有機結合化合物
(organic linking compound)、を含む新規な種
類の不均質触媒として使用するに適する錯体組成
物が発見された。 本発明の組成物において、金属は配位子に配位
結合し、配位子はイオン交換樹脂にイオン結合し
ている。本発明の材料は、工業的に入手可能な化
合物を用いて比較的簡単に製造でき、この製造に
は特別変つた条件は必要とされず、そしてしばし
ば水性溶剤系内で製造を実施でき、そして金属の
単離および触媒再生のために金属および配位子を
容易に樹脂から分離し得るという幾つかの長所を
有する。本発明の樹脂系触媒はそれらの均質同族
物と比較すると独特な選択性−反応性を有する。 本発明の組成物中に用いられるイオン交換樹脂
は当業界に周知であり工業的に容易に入手可能で
ある。これらはゲル状でありまたは巨大孔質であ
りそして強酸性、弱酸性、強塩基性、中程度塩基
性、弱塩基性または混合酸性−塩基性型である。
強酸性樹脂は代表的には結合した官能スルホン酸
基またはホスホン酸基を有する、架橋スチレン、
スチレン−ジビニルベンゼン、フエノール−ホル
ムアルデヒド、ベンゼン−ホルムアルデヒドの樹
脂である。また例えばE.I.Du Pont de Nemours
により供給されるNAFION型樹脂の如き−
CFSO3H基含有の弗素化アルキルスルホン酸樹脂
も適切である。弱酸性樹脂はカルボン酸基を有す
る樹脂であり、代表的にはアクリル酸誘導体例え
ばメタクリル酸とジビニルベンゼンの共重合によ
り製造される樹脂である。他の弱酸性樹脂として
は、極めて低いPHにてアニオン交換体として作用
し得るイミノジ酢酸官能基含有のスチレン−ジビ
ニルベンゼンコポリマーであるキレート型が挙げ
られる。塩基性樹脂は代表的には、結合した第
一、第二、第三または第四官能アミン基またはピ
リジニウム基を有する、架橋スチレン、スチレン
−ジビニルベンゼン、フエノール−ホルムアルデ
ヒド、ベンゼン−ホルムアルデヒド、エポキシ−
ポリアミン、フエノール−ポリアミンの樹脂であ
る。工業的に供給される適切な樹脂の代表例は
Bio−Rad Laboratories Catalogue、
Chromatography、Electrophases、
Immunochemistry and Membrane Filtration、
Price List C、March、1977の表1に記されて
いる。 本発明の組成物のための好適な樹脂は、結合化
合物上に用いられる特定のイオン結合可能な部分
および組成物の特定用途に依存して選択される。
例えば組成物を液相触媒反応に用いるとすれば、
用いるべき好適な樹脂は液体の組成およびPHによ
り決定されるであろう。 結合化合物はヒドロカルビル即ちアルキル、ア
リールまたはアリールとアルキルとの混合物であ
り、このアルキルは炭素原子数1−100好ましく
は3−80でありそして炭素以外の原子を含む少な
くとも2つの部分を有する環式または非環式また
はその混合形態のものであり得る。 結合化合物の少なくとも1つの部分はイオン形
態またはイオン化可能形態にありそしてイオン交
換樹脂上の交換基と適合性である。即ち交換基が
酸性である場合には結合化合物上の樹脂適合性イ
オン部分は塩基に基づくものである。塩基性型樹
脂については、樹脂適合性イオン部分はカルボン
酸(RCO- 2)、ホスホン酸(PRO(OH)O-)、ホ
スフイン酸(R2POO-)、スルフエン酸(RSO-)、
スルフイン酸(RSOO-)、スルホン酸
(RSO2O-)、ボロニツクアシツド(RB(OH)
O-)、ボロナスアシツド(RBO-)から誘導され
る。酸性型樹脂については、樹脂適合性イオン部
分はモノヒドロカルビルアンモニウム
(RN+H3)、ジヒドロカルビルアンモニウム
(R2N+H2)、トリヒドロカルビルアンモニウム
(R3N+H)、第四級アンモニウム(R4N+)、ピリ
ジニウム(RC5H4N+R1)、ホスホニウム
(R4P+)、アルソニウム(R4As+)、およびスルホ
ニウム(R3S+)である。 結合化合物は1つより多くのイオン部分を有し
得る。これは例えばカルボキシレートイオン、ホ
スホネートイオン、スルホネートイオン、第四ア
ンモニウムイオンまたはピリジニウムにおいて多
官能性であり得る。多官能基は同一または異なり
得る。 結合化合物の他の少なくとも1つの部分は遷移
金属と錯体を形成し得る原子を有し、そして3価
の窒素、3価の燐、3価の砒素、3価のビスマ
ス、および3価のアンチモンからなる。 錯体形成原子の3つの原子価はいずれかの有機
基即ち、飽和または不飽和の脂肪族基および/ま
たは飽和または不飽和の複素環式基および/また
は芳香族基により満たされ得る。これらの基は、
いずれかの官能基例えばカルボニル、ニトロ、お
よびヒドロキシ基および飽和または不飽和のアル
キル基を含んでよく、そして炭素−錯体形成原子
結合により直接的にまたは電気陰性原子例えば酸
素または硫黄を通じて錯体形成原子に結合され得
る。 錯体形成原子の1つより多くの原子価を簡単な
有機基が満たし、斯くして3価の錯体形成原子を
有した複素環式化合物を形成するのも適切であ
る。例えば原子価のうちの2つをアルキレン基で
満たして環式化合物を形成し得る。他の例として
はアルキレンジオキシ基を用いて環式化合物を形
成し、酸素原子でアルキレン基を錯体形成原子に
結合するようにし得る。これらの2つの例におい
て、第3の原子価は他のいずれの有機基により満
たされてもよい。 結合化合物は1つより多くの金属錯体形成部分
を有し得る。これは例えば燐原子における多座配
位化合物であつてよく、例えば2つまたは3つの
燐原子を有した2または3座配位化合物であり得
る。これは混合錯体形成原子例えば1つの燐原子
と砒素原子または2つの燐原子と1つの窒素原子
等を有し得る。 3価窒素原子はアミン即ち第一、第二、第三、
第四アミンまたはピリジンまたはジアニドとして
存在するであろう。3価燐はホスフイン(R3P)、
ホスフイニツト(ROPR2)、ホスホニツト
(RO)2PRおよびホスフイツト(RO3P)として存
在するであろう。同様に、3価砒素は、アルシ
ン、アルシニツト、アルソニツトおよびアルセニ
ツトとして;3価ビスマスはビスムシン、ビスム
シニツト、ビスムソニツト、およびビスムシツト
として;3価アンチモンはスチビン、スチビニツ
ト、スチボニツトおよびスチビツトとして利用可
能であろう。好適な錯体形成原子は燐と窒素であ
る。第三アミン、ホスフイン、アルシンおよびス
チビンおよびビスムシンは金属と非イオン錯体を
形成する顕著な傾向を有する。 結合化合物がイオン化可能なヘテロ原子におけ
る多座配位化合物である場合には、第四級化また
はプロトン化によりイオン化原子が統計的に分布
するであろうと理解される。例えば、3つのアミ
ン基を含む結合化合物の1モルをHCl2モルでプ
ロトン化すると、結合化合物の分子の幾つかは3
つの第四級化アミン基を有し、ある分子は2つお
よびある分子は1つの第四級化アミン基を有し、
但し平均すると1分子当り2つの第四級化アミノ
基があるであろう。有機化学の一般原理から、第
四級化およびプロトン化により生ずる単位電荷は
結合化合物分子中の幾つかのヘテロ原子上に部分
電荷として分布され得ることがさらに理解され
る。 かように、本発明の組成物中で反応せしめられ
た結合化合物は少なくとも1つのプロトン化また
は第四級化ヘテロ原子および遷移金属と錯体形成
した少なくとも1つのヘテロ原子を有するであろ
う。本発明の組成物の製造に用いられる適切な結
合化合物の例としては次のものが挙げられるが、
但しこれらの例に限定されない:トリス(ジメチ
ルアミノ)ホスフイン、トリス(ジエチルアミ
ノ)ホスフイン、トリス(ジ−イソプロピルアミ
ノ)ホスフイン、トリス(メチルエチルアミノ)
ホスフイン、トリス(p−ジメチルアミノフエニ
ル)ホスフイン、トリス(p−ジエチルアミノフ
エニル)ホスフイン、トリス(p−メチルエチル
アミノフエニル)ホスフイン、トリス(o−ジメ
チルアミノフエニル)ホスフイン、トリス(m−
ジメチルアミノフエニル)ホスフイン、トリス
(ジメチルアミノエチル)ホスフイン、エチル−
ビス(ジフエニルホスフイノエチル)アミン。 前記の化合物におけるホスフインをホスフイニ
ツト、ホスホニツト、ホスフイツトに、およびア
ルシン、アルシニツト、アルソニツト、アルセニ
ツト、ビスムジン、ビスムシニツト、ビスムソニ
ツト、ビスムシツト、スチビン、スチビニツト、
スチボニツト、スチビツトおよびアミンと置換す
ると本発明の組成物の製造に有用な結合化合物が
得られる。他の適切な化合物としては次のものが
挙げられる:2−(p,p−ジフエニルホスフイ
ノ)安息香酸、トリス(ベータ−アミノエチル)
アミン、ニコチン酸、イソニコチン酸、2−クロ
ロニコチン酸、1,1−ジメチル−4−フエニル
ピペラジニウム塩、2,2′−アルキルアルシノ−
1,1′−ジフエニルアミン、2−(p,p−ジシ
クロヘキシルホスフイノ)安息香酸、ベータ−
(ジシクロヘキシルホスフイノ)プロピオン酸、
1,4−(p,p−ジフエニルホスフイノ)ベン
ゼン、2−ジフエニルホスフイノ−3−カルボキ
シ−2−ブテン、2−(p,p−ジフエニルホス
フイノ)ベンゼンスルホン酸、2−アミノ−s−
トリアジン、1−ジフエニルホスフイノ−2−ジ
フエニルホスフイノエタン、ビス−(ジフエニル
ホスフイノエチル)エチルアミン、3−(ジアル
キルホスフイノ)ベンゼンホスホン酸。 結合化合物と錯体形成する好適な金属は周期表
第B、B、B、B、、BおよびB
族のうちテクネチウム以外の遷移元素から選択さ
れる。これらの金属は次のものである。
て遷移金属に配位結合した配位子を有するイオン
交換樹脂を含む、有機反応における不均質触媒と
して使用するに適する錯体組成物に関する。 均質触媒に比較して、不均質触媒を用いると、
固定床の使用が可脳能であること、生成物からの
触媒分離が簡単であること、および触媒回収再生
が容易であること等の如き幾つかの長所が得られ
る。 慣用的には、遷移金属シリーズの金属から不均
質触媒を製造するためには、これらの金属はアル
ミナまたはシリカの如き不活性担体上に沈着せし
められた。最近では金属触媒は、ポリマーに直接
結合し金属に配位結合したジフエニルホスフイン
または他の配位子を用いて、不活性樹脂主鎖に結
合せしめられる。この種の代表例は米国特許第
3998864号およびPittman etal.、Chem−tech.、
第560−566頁、1973年に記されている。 今や、(a)イオン交換樹脂、(b)遷移金属、および
(c)該イオン交換樹脂にイオン結合した少なくとも
1つの部分およびさらに該金属に配位結合した少
なくとも1つの部分を有する有機結合化合物
(organic linking compound)、を含む新規な種
類の不均質触媒として使用するに適する錯体組成
物が発見された。 本発明の組成物において、金属は配位子に配位
結合し、配位子はイオン交換樹脂にイオン結合し
ている。本発明の材料は、工業的に入手可能な化
合物を用いて比較的簡単に製造でき、この製造に
は特別変つた条件は必要とされず、そしてしばし
ば水性溶剤系内で製造を実施でき、そして金属の
単離および触媒再生のために金属および配位子を
容易に樹脂から分離し得るという幾つかの長所を
有する。本発明の樹脂系触媒はそれらの均質同族
物と比較すると独特な選択性−反応性を有する。 本発明の組成物中に用いられるイオン交換樹脂
は当業界に周知であり工業的に容易に入手可能で
ある。これらはゲル状でありまたは巨大孔質であ
りそして強酸性、弱酸性、強塩基性、中程度塩基
性、弱塩基性または混合酸性−塩基性型である。
強酸性樹脂は代表的には結合した官能スルホン酸
基またはホスホン酸基を有する、架橋スチレン、
スチレン−ジビニルベンゼン、フエノール−ホル
ムアルデヒド、ベンゼン−ホルムアルデヒドの樹
脂である。また例えばE.I.Du Pont de Nemours
により供給されるNAFION型樹脂の如き−
CFSO3H基含有の弗素化アルキルスルホン酸樹脂
も適切である。弱酸性樹脂はカルボン酸基を有す
る樹脂であり、代表的にはアクリル酸誘導体例え
ばメタクリル酸とジビニルベンゼンの共重合によ
り製造される樹脂である。他の弱酸性樹脂として
は、極めて低いPHにてアニオン交換体として作用
し得るイミノジ酢酸官能基含有のスチレン−ジビ
ニルベンゼンコポリマーであるキレート型が挙げ
られる。塩基性樹脂は代表的には、結合した第
一、第二、第三または第四官能アミン基またはピ
リジニウム基を有する、架橋スチレン、スチレン
−ジビニルベンゼン、フエノール−ホルムアルデ
ヒド、ベンゼン−ホルムアルデヒド、エポキシ−
ポリアミン、フエノール−ポリアミンの樹脂であ
る。工業的に供給される適切な樹脂の代表例は
Bio−Rad Laboratories Catalogue、
Chromatography、Electrophases、
Immunochemistry and Membrane Filtration、
Price List C、March、1977の表1に記されて
いる。 本発明の組成物のための好適な樹脂は、結合化
合物上に用いられる特定のイオン結合可能な部分
および組成物の特定用途に依存して選択される。
例えば組成物を液相触媒反応に用いるとすれば、
用いるべき好適な樹脂は液体の組成およびPHによ
り決定されるであろう。 結合化合物はヒドロカルビル即ちアルキル、ア
リールまたはアリールとアルキルとの混合物であ
り、このアルキルは炭素原子数1−100好ましく
は3−80でありそして炭素以外の原子を含む少な
くとも2つの部分を有する環式または非環式また
はその混合形態のものであり得る。 結合化合物の少なくとも1つの部分はイオン形
態またはイオン化可能形態にありそしてイオン交
換樹脂上の交換基と適合性である。即ち交換基が
酸性である場合には結合化合物上の樹脂適合性イ
オン部分は塩基に基づくものである。塩基性型樹
脂については、樹脂適合性イオン部分はカルボン
酸(RCO- 2)、ホスホン酸(PRO(OH)O-)、ホ
スフイン酸(R2POO-)、スルフエン酸(RSO-)、
スルフイン酸(RSOO-)、スルホン酸
(RSO2O-)、ボロニツクアシツド(RB(OH)
O-)、ボロナスアシツド(RBO-)から誘導され
る。酸性型樹脂については、樹脂適合性イオン部
分はモノヒドロカルビルアンモニウム
(RN+H3)、ジヒドロカルビルアンモニウム
(R2N+H2)、トリヒドロカルビルアンモニウム
(R3N+H)、第四級アンモニウム(R4N+)、ピリ
ジニウム(RC5H4N+R1)、ホスホニウム
(R4P+)、アルソニウム(R4As+)、およびスルホ
ニウム(R3S+)である。 結合化合物は1つより多くのイオン部分を有し
得る。これは例えばカルボキシレートイオン、ホ
スホネートイオン、スルホネートイオン、第四ア
ンモニウムイオンまたはピリジニウムにおいて多
官能性であり得る。多官能基は同一または異なり
得る。 結合化合物の他の少なくとも1つの部分は遷移
金属と錯体を形成し得る原子を有し、そして3価
の窒素、3価の燐、3価の砒素、3価のビスマ
ス、および3価のアンチモンからなる。 錯体形成原子の3つの原子価はいずれかの有機
基即ち、飽和または不飽和の脂肪族基および/ま
たは飽和または不飽和の複素環式基および/また
は芳香族基により満たされ得る。これらの基は、
いずれかの官能基例えばカルボニル、ニトロ、お
よびヒドロキシ基および飽和または不飽和のアル
キル基を含んでよく、そして炭素−錯体形成原子
結合により直接的にまたは電気陰性原子例えば酸
素または硫黄を通じて錯体形成原子に結合され得
る。 錯体形成原子の1つより多くの原子価を簡単な
有機基が満たし、斯くして3価の錯体形成原子を
有した複素環式化合物を形成するのも適切であ
る。例えば原子価のうちの2つをアルキレン基で
満たして環式化合物を形成し得る。他の例として
はアルキレンジオキシ基を用いて環式化合物を形
成し、酸素原子でアルキレン基を錯体形成原子に
結合するようにし得る。これらの2つの例におい
て、第3の原子価は他のいずれの有機基により満
たされてもよい。 結合化合物は1つより多くの金属錯体形成部分
を有し得る。これは例えば燐原子における多座配
位化合物であつてよく、例えば2つまたは3つの
燐原子を有した2または3座配位化合物であり得
る。これは混合錯体形成原子例えば1つの燐原子
と砒素原子または2つの燐原子と1つの窒素原子
等を有し得る。 3価窒素原子はアミン即ち第一、第二、第三、
第四アミンまたはピリジンまたはジアニドとして
存在するであろう。3価燐はホスフイン(R3P)、
ホスフイニツト(ROPR2)、ホスホニツト
(RO)2PRおよびホスフイツト(RO3P)として存
在するであろう。同様に、3価砒素は、アルシ
ン、アルシニツト、アルソニツトおよびアルセニ
ツトとして;3価ビスマスはビスムシン、ビスム
シニツト、ビスムソニツト、およびビスムシツト
として;3価アンチモンはスチビン、スチビニツ
ト、スチボニツトおよびスチビツトとして利用可
能であろう。好適な錯体形成原子は燐と窒素であ
る。第三アミン、ホスフイン、アルシンおよびス
チビンおよびビスムシンは金属と非イオン錯体を
形成する顕著な傾向を有する。 結合化合物がイオン化可能なヘテロ原子におけ
る多座配位化合物である場合には、第四級化また
はプロトン化によりイオン化原子が統計的に分布
するであろうと理解される。例えば、3つのアミ
ン基を含む結合化合物の1モルをHCl2モルでプ
ロトン化すると、結合化合物の分子の幾つかは3
つの第四級化アミン基を有し、ある分子は2つお
よびある分子は1つの第四級化アミン基を有し、
但し平均すると1分子当り2つの第四級化アミノ
基があるであろう。有機化学の一般原理から、第
四級化およびプロトン化により生ずる単位電荷は
結合化合物分子中の幾つかのヘテロ原子上に部分
電荷として分布され得ることがさらに理解され
る。 かように、本発明の組成物中で反応せしめられ
た結合化合物は少なくとも1つのプロトン化また
は第四級化ヘテロ原子および遷移金属と錯体形成
した少なくとも1つのヘテロ原子を有するであろ
う。本発明の組成物の製造に用いられる適切な結
合化合物の例としては次のものが挙げられるが、
但しこれらの例に限定されない:トリス(ジメチ
ルアミノ)ホスフイン、トリス(ジエチルアミ
ノ)ホスフイン、トリス(ジ−イソプロピルアミ
ノ)ホスフイン、トリス(メチルエチルアミノ)
ホスフイン、トリス(p−ジメチルアミノフエニ
ル)ホスフイン、トリス(p−ジエチルアミノフ
エニル)ホスフイン、トリス(p−メチルエチル
アミノフエニル)ホスフイン、トリス(o−ジメ
チルアミノフエニル)ホスフイン、トリス(m−
ジメチルアミノフエニル)ホスフイン、トリス
(ジメチルアミノエチル)ホスフイン、エチル−
ビス(ジフエニルホスフイノエチル)アミン。 前記の化合物におけるホスフインをホスフイニ
ツト、ホスホニツト、ホスフイツトに、およびア
ルシン、アルシニツト、アルソニツト、アルセニ
ツト、ビスムジン、ビスムシニツト、ビスムソニ
ツト、ビスムシツト、スチビン、スチビニツト、
スチボニツト、スチビツトおよびアミンと置換す
ると本発明の組成物の製造に有用な結合化合物が
得られる。他の適切な化合物としては次のものが
挙げられる:2−(p,p−ジフエニルホスフイ
ノ)安息香酸、トリス(ベータ−アミノエチル)
アミン、ニコチン酸、イソニコチン酸、2−クロ
ロニコチン酸、1,1−ジメチル−4−フエニル
ピペラジニウム塩、2,2′−アルキルアルシノ−
1,1′−ジフエニルアミン、2−(p,p−ジシ
クロヘキシルホスフイノ)安息香酸、ベータ−
(ジシクロヘキシルホスフイノ)プロピオン酸、
1,4−(p,p−ジフエニルホスフイノ)ベン
ゼン、2−ジフエニルホスフイノ−3−カルボキ
シ−2−ブテン、2−(p,p−ジフエニルホス
フイノ)ベンゼンスルホン酸、2−アミノ−s−
トリアジン、1−ジフエニルホスフイノ−2−ジ
フエニルホスフイノエタン、ビス−(ジフエニル
ホスフイノエチル)エチルアミン、3−(ジアル
キルホスフイノ)ベンゼンホスホン酸。 結合化合物と錯体形成する好適な金属は周期表
第B、B、B、B、、BおよびB
族のうちテクネチウム以外の遷移元素から選択さ
れる。これらの金属は次のものである。
【表】
さらに好適な金属は第B、B、および
B族のものである。錯体形成金属は種々の酸化状
態であり得る。錯体については、“Complexes of
the Transition Metals with Phosphines、
Arsines and Stibines”by G.Booth、Adv.
Inorg.Nucl.Chem.、第6巻、1−69(1964)を参
照されたい。例えばBoothはホスフインと錯体形
成する金属について次の酸化状態を引用してい
る。
B族のものである。錯体形成金属は種々の酸化状
態であり得る。錯体については、“Complexes of
the Transition Metals with Phosphines、
Arsines and Stibines”by G.Booth、Adv.
Inorg.Nucl.Chem.、第6巻、1−69(1964)を参
照されたい。例えばBoothはホスフインと錯体形
成する金属について次の酸化状態を引用してい
る。
【表】
【表】
金属とアミンとの錯体形成については次の文献
に記されている:“Inorganic Complexes”、
Jorgensen、C.K.、Academic Press1963、
Chapter 4 and“Chemistry Coordination
Compounds”、Bailer(Ed.)、Am.Chem.Soc.
Monograph Series131、1956。これらの文献に
はアミンと錯体形成する金属について次の酸化状
態が引用されている。
に記されている:“Inorganic Complexes”、
Jorgensen、C.K.、Academic Press1963、
Chapter 4 and“Chemistry Coordination
Compounds”、Bailer(Ed.)、Am.Chem.Soc.
Monograph Series131、1956。これらの文献に
はアミンと錯体形成する金属について次の酸化状
態が引用されている。
【表】
本発明の組成物は1つより多くの存在する遷移
金属を有し得る。組成物はまた結合化合物に加え
て他の配位子と共同錯体化される金属をも有し得
る。例えば前記のBoothの文献から、組成物の金
属と錯体形成する部分は次の形態を有することが
でき、但しこの場合も本発明の範囲に入る: MYMZ′OAHBXC(CN-)D(CO)E(NO)F(Cp)G
(Py)H(Acac)I(AsR3)J(NR3)K(PR3)L
(SnX3 -)M(GeX3 -)M(Carb)NPQ MY=表または表に示される酸化状態の金属 Y=零〜nの単核ないし多核クラスター MZ′=前記の酸化状態の金属 Z=零〜nの単核または混合金属多核クラスター (式中、nはY>零およびZ>零の場合に零より
大きな整数である) O=酸素、A=零〜n H=水素、B=零〜n X=ハライド、F、Cl、Br、I;式中、C=零
〜5 (CN-)=シアニド;式中、Y+Z=1の時D=
零〜5、Y+Z>1の時D=1〜n (CO)=カルボニル;式中、Y+Z=1の時E=
零〜5、Y+Z>1の時E=1〜n (NO)=ニトロシル;式中、Y+Z=1の時F
=零〜5、Y+Z>1の時F=1〜n Cp=シクロペンタジエニル;式中、Y+Z=1
の時G=零〜3、Y+Z>1の時G=1〜n Py=ピリジン;式中、Y+Z=1の時H=零〜
5、Y+Z>1の時H=1〜n Acac=アセチルアセトネート;式中、Y+Z=
1の時I=零〜3、Y+Z>1の時I=1〜n (AsR3)=アルシン;式中、R=H、アルキルま
たはアリール、そしてY+Z=1の時J=零〜
5、Y+Z>1の時J=1〜n アルシンはまたキレート型のものであつても
よくまたは混合供与原子を含むことができる。
例えば;
金属を有し得る。組成物はまた結合化合物に加え
て他の配位子と共同錯体化される金属をも有し得
る。例えば前記のBoothの文献から、組成物の金
属と錯体形成する部分は次の形態を有することが
でき、但しこの場合も本発明の範囲に入る: MYMZ′OAHBXC(CN-)D(CO)E(NO)F(Cp)G
(Py)H(Acac)I(AsR3)J(NR3)K(PR3)L
(SnX3 -)M(GeX3 -)M(Carb)NPQ MY=表または表に示される酸化状態の金属 Y=零〜nの単核ないし多核クラスター MZ′=前記の酸化状態の金属 Z=零〜nの単核または混合金属多核クラスター (式中、nはY>零およびZ>零の場合に零より
大きな整数である) O=酸素、A=零〜n H=水素、B=零〜n X=ハライド、F、Cl、Br、I;式中、C=零
〜5 (CN-)=シアニド;式中、Y+Z=1の時D=
零〜5、Y+Z>1の時D=1〜n (CO)=カルボニル;式中、Y+Z=1の時E=
零〜5、Y+Z>1の時E=1〜n (NO)=ニトロシル;式中、Y+Z=1の時F
=零〜5、Y+Z>1の時F=1〜n Cp=シクロペンタジエニル;式中、Y+Z=1
の時G=零〜3、Y+Z>1の時G=1〜n Py=ピリジン;式中、Y+Z=1の時H=零〜
5、Y+Z>1の時H=1〜n Acac=アセチルアセトネート;式中、Y+Z=
1の時I=零〜3、Y+Z>1の時I=1〜n (AsR3)=アルシン;式中、R=H、アルキルま
たはアリール、そしてY+Z=1の時J=零〜
5、Y+Z>1の時J=1〜n アルシンはまたキレート型のものであつても
よくまたは混合供与原子を含むことができる。
例えば;
【式】
(NR3)=アミン;式中、R=H、アルキルまた
はアリール、そしてY+Z=1の時K=零〜
5、Y+Z>1の時K=1〜n アルシンの場合と同様にキレート型または混
合ドーナーキレート型配位子を用い得る。 (PR3)=ホスフイン;式中、R=H、アルキル
またはアリール、そしてY+Z=1の時L=零
〜5、Y+Z>1の時L=1〜n アルシンおよびアミンの場合と同様に、キレ
ート型配位子を用い得る。 (SnX3 -)または(GeX3 -)=トリハロスタニル
またはトリハロゲミル;式中、X=F、Cl、
Br、I、そしてY+Z=1の時M=零〜5、
Y+Z>1の時M=1〜n (Carb)=カルボキシレート;式中、Y+Z=1
の時N=零〜5、Y+Z>1の時N=1〜n P=金属と樹脂担体との間のブリツジ部分/配位
子、Q=1〜n 本発明の組成物は多くの化学工程において触媒
としての用途を有する。例としてはヒドロホルミ
ル化、カルボニル化、水素添加、異性化、および
フイツシヤートロプシユ反応にロジウムまたはル
テニウム触媒含有組成物を用い得る。コバルト錯
体含有組成物はヒドロホルミル化、カルボニル
化、水素添加および異性化反応に有用である。モ
リブデン錯体含有組成物は不均化(複分解)およ
び異性化反応に有用である。パラジウムおよび白
金錯体含有組成物はヒドロホルミル化、カルボニ
ル化、異性化、水素添加、およびオリゴマー化/
ダイマー化反応に有用である。ニツケル錯体含有
組成物はオリゴマー化/ダイマー化反応に有用で
ある。タングステンまたはレニウム錯体含有組成
物は複分解反応に有用である。 下記の触媒製造手順は窒素充填乾燥箱内で実施
した。溶剤ベンゼンはCaH2上で蒸留することに
より精製し、他の全ての溶剤は試薬等級のもので
あり供給された状態のままで用いられた。金属錯
体〔Rh(CO)2Cl〕2、Rh(PPh3)3Cl、H2O中のRh
(NO3)3、CO2(CO)8、Ru(PPh3)3Cl2、Mo
(NO)2Cl2、PtCl2(PPh3)2、〔PtCl2(PBu3)〕2、Pd
(C6H5CN)2Cl2、PdCl2(PPh3)2、〔Pd(allyl)
Cl〕2およびPd(OAc)2、および化合物CH3Br、
SnCl2、2H2O、イソ−ニコチン酸、およびホス
フイン〔(CH3)N〕3P、〔(CH3)2NC6H4〕3P、
〔(CH3)2NCH2CH2O〕3Pは供給されたままの形で
用いた。第四級化アミノホスフインは、室温にて
トルエン溶液中のアミノホスフインと1当量の
CH3Brとを反応させて得られた。第四級化アミ
ノホスフインはトルエン溶液から容易に沈殿し
た。錯体Ru(CO)3(PPh3)2(J.Chem.Soc.Dalton、
399(1976))、PtH(SnCl3)(PPh3)2およびPtH
(SnCl3)(CO)(PPh3)2(J.Am.Chem.Soc.第97
巻、3553(1975))は文献に記載される如くにして
製造した。樹脂は(樹脂主鎖)−(交換基)により
示した。例えばスルホン化スチレンジビニルベン
ゼン樹脂は(スチレン−ジビニルベンゼン)−
(SO3 -)とに表わされる。Ph、C6H5およびφは
フエニルの略語として用いられる;−φ−および
C6H4はp−置換ベンゼン部分を示す。 樹脂−結合化合物部分の製造 例 1 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2N〕3P化合物の製造 250mlの丸底フラスコ内の175mlのアセトンにア
ミノホスフイン〔(CH3)2N〕3P(0.98g、60ミリ
モル)を溶かした。前もつて充分に脱イオン水で
洗浄され乾燥された5.0gのRohm and Haas
XN1010H+樹脂(酸性型:巨大網状スルホン化
スチレン−ジビニルベンゼン、3.3meq./g)を
フラスコに添加した。次に混合物を、樹脂磨砕防
止のためにフラスコの側から48時間磁気撹拌し
た。樹脂を吸引過しアセトン3×50mlで洗浄し
真空オーブン(50℃)内で一晩乾燥した。分析に
より、生成物は近似式(スチレン−ジビニルベン
ゼン)−(SO3 -)1.5〔(〔(CH3)2N〕3P)(H+)1.5
〕に
て示されることが判明した。 例 2 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NC6H4〕3P化合物の製造 1000mlの温ベンゼンにアミノホスフイン
〔(CH3)2NC6H4〕3P(14.0g、35.8ミリモル)を溶
かし、室温に冷却し迅速に2リツトル丸底フラス
コ中へ過した。10.0gのXN1010H+イオン交換
樹脂を添加し、混合物をフラスコの側から72時間
磁気撹拌した。次に樹脂を過しベンゼンで洗浄
しオーブン(40℃)中で真空乾燥した。分析によ
り生成物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼ
ン)−(SO3 -)1.5〔(〔CH3)2NC6H4〕3P)(H+)1.5
〕
にて示されることが判明した。 例 3 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P化合物の製造 例1と同様にし但し3.54g(12.0ミリモル)の
アミノホスフイン〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P、
10.0gのXN1010H+樹脂、300mlのアセトンを用
いてこの材料を製造した。分析により生成物は近
似式(スチレン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)1.5
〔(〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P)(H+)1.5〕にて示さ
れることが判明した。 例 4 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(φ2PCH2CH2)2NCH2CH3〕化合物の製造 この材料を、例1と同様にして但し2.82g(6
ミリモル)のアミノホスフイン
(φ2PCH2CH2)2NCH2CH3および200mlのアセト
ンを用いて製造した。分析により生成物は近似式
(スチレン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)1.5
〔(〔(C6H5)2PCH2CH2〕2NCH2CH3)(H+)1.5〕に
て示されることが判明した。 例 5 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化〔(CH3)2N〕3P化合物の製造 第四級化アミノホスフイン(〔(CH3)2N〕3P)
(CH3 +)Br-(7.0g、湿潤)を500ml丸底フラスコ
内の350mlの脱イオン水に溶かした。10.0gの
XN1010Naイオン交換樹脂(10リツトルのIN
NaClを用いてまたは流出洗浄液のPHが中性であ
る時にXN1010H+を完全にイオン交換して製造
された)を添加した。混合物を48時間側面撹拌
し、吸引過し、樹脂を脱イオン水5×100mlで
洗浄し次にオーブン(45℃)内で一晩真空乾燥し
た。分析により生成物は近似式(スチレン−ジビ
ニルベンゼン)−(SO3 -)〔(〔(CH3)2N〕3P)
(CH3 +)〕にて示されることが判明した。 例 6 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化(〔(CH3)2NC6H4〕3P)化合
物の製造 この材料を、例5と同様にし但し10.4g(21.1
ミリモル)の第四級化アミノホスフイン、12.0g
のXN1010Naおよび1900mlのアセトン/H2O
(12:7V/V)溶液を用いて製造した。分析によ
り生成物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼ
ン)−(SO3 -)〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕
にて示されることが判明した。 例 7 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P化
合物の製造 この材料を、例5と同様にして但し5.6g
(14.4ミリモル)の第四級化アミノホスフイン、
8.0gのXN1010Na、400mlのH2Oを用いて製造し
た。分析により、生成物は近似式(スチレン−ジ
ビニルベンゼン)−(SO3 -)
〔(〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P)(CH3 +)〕にて示さ
れることが判明した。 例 8 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化
(〔(C6H5)2PCH2CH2〕2NCH2CH3)化合物の製
造 この材料を、例5と同様にして但し2.0g(3.5
ミリモル)の第四級化アミノホスフイン、4.0g
のXN1010Na、200mlの脱イオン水を用いて製造
した。分析により生成物は近似式(スチレン−ジ
ビニルベンゼン)−(SO3 -)
〔(〔(C6H5)2PCH2CH2〕2NCH2CH3)(CH3 +)〕に
て示されることが判明した。 例 9 スルホン化スチレン樹脂/
〔(CH3)2NC6H4〕3P化合物の製造 この材料を、例2と同様にして但しDow MSC
−/H+樹脂(スルホン化ポリスチレン、巨大網
状、1.6meq./g)を用いて製造した。分析によ
り生成物は近似式(スチレン)−(SO3 -)1.5
〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(H+)1.5〕にて示されるこ
とが判明した。 例 10 スルホン化スチレン樹脂/メチル−第四級化
(〔(CH3)2NC6H4〕3P)化合物の製造 50gの水素型のBioRad AG50w−XI(スルホ
ン化ポリスチレン、5.0meq./g)を粗孔ガラス
過器に入れ、次に1リツトルのIN NaClのア
リコート中溶液がゆつくりと樹脂内を通過するよ
うに添加することによつてNa−交換した。次に
樹脂を2リツトルの脱イオン水で同様にして洗つ
た。次にアセトン洗浄し樹脂を約40℃にて2日間
真空オーブン中で乾燥した。乾燥したNa型の樹
脂の5.0g部分を、第四級化アミノホスフイン
(2.0g、4.1ミリモル)含有のアセトン−水溶液
(1:1v/v)2リツトルに添加し、N2下に一晩
撹拌した。次に材料を過しアセトン溶液、水溶
液で洗い空気乾燥した。分析により生成物は近似
式(スチレン)−(SO3 -)〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)
(CH3 +)〕にて示されることが判明した。 例 11 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化(〔(CH3)2NC6H4〕3P)の製
造 この材料を、例10と同様にし但し5.0gのBio−
Rex63(微細網状Cゲル)、ホスホン化物、
6.6meq./g)を用いて製造した。分析により生
成物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)−
(PO3 -)〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕にて示
されることが判明した。 例 12 カルボキシ化アクリル樹脂/メチル−第四級化
(〔(CH3)2NC6H4〕3P)の製造 この材料を、例10と同様にして但し5.0gのBio
−Rex70(アクリルポリマー、カルボン酸−交換
基、10.2meq./g)を用いて製造した。分析によ
り生成物は近似式(アクリル)−(CO2 -)
〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕にて示される
ことが判明した。 例 13 ビニルピリジニウム樹脂/〔o−-O2CC6H5P
(C6H5)2〕化合物の製造 Bio−Rex9(100−200メツシユ、重合ビニルピ
リジン、ピリジニウム型、3.7meq./g)の10g
部分を粗孔ガラス過器内に入れ、例10の如くに
して1リツトルの0.1N HClで処理した。次に樹
脂を2リツトルの脱イオン水で洗い最後にアセト
ンで洗つた。次に樹脂を約40℃にて真空オーブン
中で2日間乾燥した。 樹脂の5.0g部分を丸底フラスコ中の約500mlの
H2Oに添加した。0.15gの溶解NaOHを含む
H2O/アセトン(5.0gのH2O、5.0mlのアセト
ン)の小フラスコ内に1.29g(3.8ミリモル)の
ジフエニル(2−カルボキシフエニル)ホスフイ
ンを入れた。ホスフインが溶けた後に、ホスフイ
ン溶液を樹脂含有溶液に添加した。これをN2雰
囲気下に一晩撹拌した。材料を過しアセトン/
水の50−50v/v混合物でおよび最後にアセトン
で洗つた。分析により生成物は近似式(エチレ
ン)−(ピリジニウム+)−〔o−O2CC6H5P
(C6H5)2 -〕にて示されることが判明した。 例 14 第四級アンモニウムスチレン−ジビニルベンゼ
ン樹脂/(HO2CC5H4N)化合物の製造 150mlの脱イオン水中の水酸化ナトリウム溶液
(1.5g)に4.6g(38.4ミリモル)のイソ−ニコチ
ン酸を添加した、生じた溶液に6.0gのBio−Rad
AG−1(スチレン−ジビニルベンゼン微細網状
アニオン−交換樹脂、CI型、20−50メツシユ、
3.2meq./g)を添加し2時間側面撹拌し、吸引
過した。樹脂材料を次にアセトン3×50mlで洗
い真空オーブン(45℃)中で乾燥した。分析によ
り生成物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼ
ン)−〔CH2N+(CH3)3〕(-O2CC5H4N)にて示さ
れることが判明した。 例 15 第四級アンモニウムスチレン樹脂/
(HO2CC5H4N)の製造 この材料を、例14と同様にし但し5.9g(48.0
ミリモル)のイソ−ニコチン酸および6.0gの
Dow MSA−1(巨大網状ポリスチレン塩基−第
四級交換基、4.0meq./g)樹脂を用いて製造し
た。分析により生成物は近似式(スチレン)−
〔CH2N+(CH3)3〕(-O2CC5H4N)にて示される
ことが判明した。 樹脂−結合化合物−金属錯体組成物の製造 例 16 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2N〕3P/ロジウム錯体組成物の製造 ロジウムダイマー〔Rh(CO)2Cl〕2(0.66g、1.7
ミリモル)を100ml丸底フラスコ中の85mlのベン
ゼンに溶かし、例1の如くに製造した1.5gの樹
脂材料を添加した。混合物を1.5時間側面から磁
気撹拌し、吸引過し、樹脂をベンゼン3×50ml
で洗つた。生じた組成物を真空下にオーブン(45
℃)中で乾燥して、中性子活性化による分析で
Rh8.4重量%およびP2.9重量%を有することが判
明した材料を得た。分析により組成物は近似式
(スチレン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)1.5
〔(〔(CH3)2N〕3P)(H+)1.5〕〔Rh(CO)2Cl〕0.9
にて
示されることが判明した。 例 17 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NC6H4〕3P/ロジウム錯体組成物の製
造 例2にて製造されたアミノホスフイン樹脂材料
の2.0g試料を500mlのフラスコ中の約25mlの乾燥
ベンゼンに添加した。この混合物に0.12g(0.31
ミリモル)の(Rh(CO)2Cl)2を添加した。全反
応手順をヘリウム充填乾燥箱中で実施した。 混合物を1.5時間撹拌し過して組成物を集め、
これを乾燥ベンゼンで洗つて乾燥させた。使用前
に組成物を乾燥箱中のふたをしつかりしたびんの
中で撹拌した。分析により組成物は近似式(スチ
レン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)1.5
〔(〔(CH3)2NC6H4〕3)(H+)1.5〕〔Rh(CO)2Cl〕
0.4
にて示されることが判明した。 例 18 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NC6H4〕3P/ロジウム錯体組成物の製
造 例2にて製造されたアミノホスフイン/樹脂材
料の0.3g試料を例17と同様に処理し、但し金属
源として0.28g(0.3ミリモル)のRh(φ3P)3Clを
用いた。分析により組成物は近似式(スチレン−
ジビニルベンゼン)−(SO3 -)
〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)x(H+)1.5〕〔RhClφ3P〕3
-
x)0.04(式中x=1−3である。何故ならばアミ
ノホスフインは金属錯体上の1、2または3のト
リフエニルホスフイン配位子を置換できるからで
ある。)にて示されることが判明した。 例 19 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P/ロジウム錯体組成物
の製造 この材料を、例16と同様にして、但し0.61g
(1.6ミリモル)のロジウムダイマー(Rh
(CO)2Cl)2および例3にて製造されたアミノホス
フイン/樹脂材料を用いて製造した。分析により
組成物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)
−(SO3 -)1.5〔(〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P)(H+)1.
5〕〔Rh(CO)2Cl〕0.8にて示されることが判明した。 例 20 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔φ2PCH2CH2)2NCH2CH3〕/ロジウム錯体組
成物の製造 この材料を、例16と同様にして、但し0.48g
(1.23ミリモル)の〔Rh(CO)2Cl〕2および例4に
て製造されたアミノホスフイン樹脂組成物を用い
て製造した。分析により組成物は近似式(スチレ
ン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)1.5
〔(〔(C6H5)2PCH2CH2〕NCH2CH3)(H+)1.5〕
〔Rh(CO)2Cl〕0.3にて示されることが判明した。 例 21 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化〔(CH3)2N〕3P/ロジウム錯
体組成物の製造 この材料を例16と同様にして、但し0.68g
(1.7ミリモル)の〔Rh(CO)2Cl〕2および3.0gの
例5にて製造されたアミノホスフイン樹脂材料を
用いて製造した。分析により組成物は近似式(ス
チレン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)
〔(〔(CH3)2N〕3P)(CH3 +)〕〔Rh(CO)2Cl〕1.4
にて
示されることが判明した。 例 22 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化〔(CH3)2NC6H4〕3P/ロジ
ウム錯体組成物の製造 例6にて製造されたアミノホスフイン/樹脂材
料(2.0g)を、例17の如くにヘリウム充填乾燥
箱中でベンゼン溶液中の0.17g(0.43ミリモル)
の〔Rh(CO)2Cl〕2で処理した。 分析により、組成物は近似式(スチレン−ジビ
ニルベンゼン)−(SO3 -)〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)
(CH3 +)〕〔Rh(CO)2Cl〕0.5にて示されることが判
明した。 例 23 スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/メチル−第
四級化〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P/ロジウム錯
体組成物の製造 この材料を、例16と同様にして、但し0.08g
(0.21ミリモル)の〔Rh(CO)2Cl〕2および例7に
て製造されたアミノホスフイン樹脂組成物を用い
て製造した。分析により組成物は近似式(スチレ
ン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)
〔(〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P)(CH3 +)〕〔Rh
(CO)2Cl〕6にて示されることが判明した。 例 24 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化
(〔(C6H5)2PCH2CH2〕2NCH2CH3)/ロジウム
錯体組成物の製造 この材料を例16と同様にして、但し0.45g
(1.2ミリモル)の〔Rh(CO)2Cl〕2ロジウムおよび
1.2gの例8にて製造されたアミノホスフイン/
樹脂材料を用いて製造した。分析により組成物は
近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)
〔(〔(C6H5)2PCH2CH2〕2NCH2CH3)(CH3 +)〕
〔Rh(CO)2Cl〕0.5にて示されることが判明した。 例 25 スルホン化スチレン樹脂/メチル−第四級化
(〔(CH3)2NC6H4〕3P)/ロジウム錯体組成物
の製造 この材料を例19と同様にして、但し0.26g
(0.68ミリモル)の〔Rh(CO)2Cl〕2および1.2gの
例10にて製造されたアミノホスフイン/樹脂材料
を用いて製造した。分析により組成物は近似式
(スチレン)−(SO3 -)〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)
(CH3 +)〕〔Rh(CO)2Cl〕0.01にて示されることが判
明した。 例 26 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化(〔(CH3)2NC6H4〕3P)/ロ
ジウム錯体組成物の製造 例17の如くにして、例11にて製造されたアミノ
ホスフイン/樹脂材料の4.5g試料を0.26g(0.68
ミリモル)の〔Rh(CO)2Cl〕2で処理した。分析
により組成物は近似式(スチレン−ジビニルベン
ゼン)−(PO3 -)〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)
〕
〔Rh(CO)2Cl〕0.1にて示されることが判明した。 例 27 カルボキシ化アクリル樹脂/メチル−第四級化
(〔(CH3)2NC6H4〕3P)/ロジウム錯体組成物
の製造 例17の如くにして、例12にて製造されたアミノ
ホスフイン/樹脂材料の4.5g試料を0.26g(0.68
ミリモル)の〔Rh(CO)2Cl〕2で処理した。分析
により組成物は近似式(アクリル)−(CO2 -)
〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕〔Rh(CO)2Cl〕
0.
01にて示されることが判明した。 例 28 ビニルピリジウム樹脂/〔o−-O2CC6H5P
(C6H5)2〕/ロジウム錯体組成物の製造 例17の如くにして、例13にて製造されたホスフ
イノ安息香酸/樹脂材料の2.4g試料を0.14g
(0.34ミリモル)の〔Rh(CO)2Cl〕2で処理した。
分析により組成物は近似式(エチレン)−(ピリジ
ニウム+)〔o−-O2CC6H5P(C6H5)2〕〔Rh
(CO)2Cl〕0.05にて示されることが判明した。 例 29 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化(〔(CH3)2NC6H4〕3P)/ロ
ジウム錯体組成物の製造 例17の如くにして、例6にて製造されたアミノ
ホスフイン/樹脂材料の0.5g試料を0.44g(0.48
ミリモル)のRh(φ3P)3Clで処理した。分析によ
り組成物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼ
ン)−(SO3 -)x〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕
x
(RhCl〔P(C6H5)3〕3-x)0.05(式中x=1、2また
は3)にて示されることが判明した。 例 30 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2N〕3P/コバルト錯体組成物の製造 この材料を、例16と同様にして、但しロジウム
ダイマーの代りにコバルトダイマーCO2(CO)8
(0.58g、1.7ミリモル)を用いて製造した。分析
により組成物は近似式(スチレン−ジビニルベン
ゼン)−(SO3 -)1.5〔(〔(CH3)N〕3P)(H+)1.5
〕
〔Co(CO)4〕0.5にて示されることが判明した。 例 31 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NC6H4〕3P/コバルト錯体組成物の製
造 この材料を、例17と同様にして、但し錯体ジコ
バルトオクタカルボニル(0.5g、1.45ミリモル)
および2.0gの例2にて製造されたアミノホスフ
イン/樹脂材料を用いて製造した。分析により組
成物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)−
(SO3 -)1.5〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(H+)1.5〕〔C
o
(CO)4〕0.8にて示されることが判明した。 例 32 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P/コバルト錯体組成物
の製造 この材料を例19と同様にして、但し錯体Co2
(CO)8(0.54g、1.6ミリモル)を用いて製造した。
分析により組成物は近似式(スチレン−ジビニル
ベンゼン)−(SO3 -)1.5
〔(〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P)(H+)1.5〕〔Co
(CO)4〕0.3にて示されることが判明した。 例 33 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(φ2PCH2CH2)2NCH2CH3〕/コバルト錯体
組成物の製造 この材料を例20と同様にして、但し錯体Co2
(CO)8(0.42g、1.3ミリモル)を用いて製造した。
分析により組成物は近似式(スチレン−ジビニル
ベンゼン)−(SO3 -)1.5
〔(〔(C6H5)2PCH2CH2〕2NCH2CH3)(H+)1.5〕
〔Co(CO)4〕0.2にて示されることが判明した。 例 34 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化〔(CH3)2N〕3Pコバルト錯体
組成物の製造 この材料を例21と同様にして但し錯体Co2
(CO)8(0.6g、1.7ミリモル)および24gの例5の
如くに製造されたアミノホスフイン/樹脂材料を
用いて製造した。分析により組成物は近似式(ス
チレン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)
〔(〔(CH3)2N〕3P)(CH3 +)〕〔Co(CO)4〕0.8に
て示
されることが判明した。 例 35 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化(〔(CH3)2NC6H4〕3P)コバ
ルト錯体組成物の製造 この材料を例22と同様にして但し錯体Co
(CO)8(0.14g、0.4ミリモル)および20gの例6
の如くに製造されたアミノホスフイン樹脂材料を
用いて製造した。分析により組成物は近似式(ス
チレン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)
〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕〔Co(CO)4〕1.
8
にて示されることが判明した。 例 36 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P/
コバルト錯体組成物の製造 この材料を例23と同様にして、但し錯体Co
(CO)8(0.07g、0.2ミリモル)を用いて製造した。
分析により組成物は近似式(スチレン−ジビニル
ベンゼン)−(SO3 -)〔(〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P)
(CH3 +)〕〔Co(CO)4〕2にて示されることが判明し
た。 例 37 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化
(〔(C6H5)2PCH2CH2〕2NCH2CH3)/コバルト
錯体組成物の製造 この材料を例24と同様にして但し錯体Co
(CO)8(0.4g、1.2ミリモル)を用いて製造した。
分析により組成物は近似式(スチレン−ジビニル
ベンゼン)−(SO3 -)
〔(〔(C6H5)2PCH2CH2〕2NCH2CH3)(CH3 +)〕
〔Co(CO)4〕0.3にて示されることが判明した。 例 38 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NC6H4〕3P/ルテニウム錯体組成物の
製造 この材料を例17と同様にして、但しルテニウム
錯体Ru(φ3P)3Cl2(1.0g、1.1ミリモル)および
1.0gの例2の如くに製造されたアミノホスフイ
ン/樹脂材料を用いて製造した。分析により組成
物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)−
(SO3 -)1.5x〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)x(H+)1.5x〕
(RuCl2〔P(C6H5)3〕3-x)0.2(式中x=1、2また
は3)にて示されることが判明した。 例 39 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化(〔(CH3)2NC6H4〕3P)/ル
テニウム錯体組成物の製造 この材料を例22と同様にして但しルテニウム錯
体Ru(φ3P3)3Cl2(0.19g、0.2ミリモル)および1.0
gの例6の如くに製造されたアミノホスフイン/
樹脂材料を用いて製造した。分析により組成物は
近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)
x〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕x(RuCl2〔P
(C6H5)3〕3-x)0.05(式中x=1、2または3)に
て示されることが判明した。 例 40 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2N〕3P/ルテニウム錯体組成物の製造 この材料を例16と同様にして、但しルテニウム
錯体Ru(CO)3(φ3P)2(1.1g、1.6ミリモル)を用
いて製造した。分析により組成物は近似式(スチ
レン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)1.5x
〔(〔(CH3)2N〕3P)x(H+)1.5x〕(Ru(CO)3〔P
(C6H5)3〕2-x)0.05(式中x=1または2)にて示
されることが判明した。 例 41 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化(〔(CH3)2NC6H4〕3P)/ル
テニウム錯体組成物の製造 この材料を例39と同様にして、但しルテニウム
錯体Ru(CO)3(φ3P)2(0.77g、1.1ミリモル)を用
いて製造した。分析により組成物は近似式(スチ
レン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)x
〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕x(Ru(CO)3〔
P
(C6H5)3〕2-x)0.04(式中x=1または2)にて示
されることが判明した。 例 42 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P/ルテニウム錯体組成
物の製造 この材料を例19と同様にして、但しルテニウム
錯体Ru(CO)3(φ3P)2(0.15g、0.21ミリモル)を
用いて製造した。分析により組成物は近似式(ス
チレン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)1.5x
〔(〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P)x(H+)1.5x〕(Ru
(CO)3〔P(C6H5)3〕2-x)0.04(式中x=1または
2)にて示されることが判明した。 例 43 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(φ2PCH2CH2)2NCH2CH3〕/ルテニウム錯
体組成物の製造 この材料を例20と同様にして、但しルテニウム
錯体Ru(CO)3(φ3P)2(0.87g、1.2ミリモル)を用
いて製造した。分析により組成物は近似式(スチ
レン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)x
〔(〔(C6H5)2PCH2CH2〕2NCH2CH3)(H+)〕x(Ru
(CO)3〔P(C6H5)3〕2-x)0.04(式中x=1または
2)により示されることが判明した。 例 44 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化〔(CH3)2N〕3P/ルテニウム
錯体組成物の製造 この材料を例21と同様にして、但しルテニウム
錯体Ru(CO)3(φ3P)2(1.23g、1.7ミリモル)を用
いて製造した。分析により組成物は近似式(スチ
レン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)x
〔(〔(CH3)2N〕3P)(CH3 +)〕x(Ru(CO)3〔P
(C6H5)3〕2-x)0.04(式中x=1または2)により
示されることが判明した。 例 45 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化〔(CH3)2NC6H4〕3P/ルテ
ニウム錯体組成物の製造 この材料を例22と同様にして、但しルテニウム
錯体Ru(CO)3)(Pφ3)2(0.14g、0.2ミリモル)お
よび1.0gの例6の如くに製造されたアミノホス
フイン樹脂材料を用いて製造した。分析により組
成物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)−
(SO3 -)x〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕x(Ru
(CO)3〔P(C6H5)3〕3-x)0.01(式中x=1または
2)にて示されることが判明した。 例 46 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P/
ルテニウム錯体組成物の製造 この材料を、例23と同様にして、但しルテニウ
ム錯体Ru(CO)3(φ3P)2(0.15g、0.2ミリモル)を
用いて製造した。分析により組成物は近似式(ス
チレン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)
〔(〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P)(CH3 +)〕x(Ru
(CO)3〔P(C6H5)3〕2-x)0.01(式中x=1または
2)にて示されることが判明した。 例 47 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化
(〔(C6H5)2PCH2CH2〕2NCH2CH3)/ルテニウ
ム錯体組成物の製造 この材料を例24と同様にして、但しルテニウム
錯体Ru(CO)3(φ3P)2(0.82g、1.2ミリモル)を用
いて製造した。分析により組成物は近似式(スチ
レン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)x
〔(〔(C6H5)2PCH2CH2〕2NCH2CH3)(CH3 +)〕x
(Ru(CO)3〔P(C6H5)3〕2-x)0.01(式中x=1ま
た
は2)にて示されることが判明した。 例 48 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化(〔(CH3)2NC6H4〕3P/モリ
ブデン錯体組成物の製造 1リツトルのフラスコに1.73gのMo
(NO)2Cl2、50mlのメタノール、15gの例6の如
くに製造されたアミノホスフイン/樹脂材料を添
加した。混合物を24時間撹拌し、固体を過しメ
タノールで洗い真空下に乾燥させた。分析により
組成物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)
−(SO3 -)x〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕x
(Mo(NO)2-xCl0.4〕0.3(式中x=1または2)に
より示されることが判明した。 例 49 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NC6H4〕3P/パラジウム錯体組成物の
製造 例2にて製造されたアミノホスフイン/樹脂材
料(0.3g)を例17の如くにして0.12g(0.3ミリ
モル)のPd(φCN)2Cl2で処理した。分析により
組成物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)
−(SO3 -)1.5x〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)x(H+)1.5x
〕
〔Pd(C6H5CN)2-xCl2〕0.5(式中x=1または2)
により示されることが判明した。 例 50 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化〔(CH3)2NC6H4〕3P/パラ
ジウム錯体組成物の製造 例6にて製造されたアミノホスフイン/樹脂材
料(0.5g)を例17の如くにして0.18g(0.48ミリ
モル)のPd(φCN)2Cl2で処理した。分析により
組成物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)
−(SO3 -)x〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕x
〔Pd(C6H5CN)2-xCl2〕0.5(式中x=1または2)
により示されることが判明した。 例 51 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NC6H4〕3P/パラジウム錯体組成物の
製造 70.0mlのCHCl3に0.73g(1.0ミリモル)の
PdCl2(φ3P)2を溶かした溶液に、例2の如くに製
造されたアミノホスフイン/樹脂材料2.0gを添
加した。混合物を1時間撹拌し過しCHCl3で洗
い真空下に乾燥した。生じた組成物をメチルエチ
ルケトンで4時間ソツクスレー抽出し、約40℃に
て真空オーブン中で乾燥した。分析により組成物
は近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)−
(SO3 -)1.5x〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)x(H+)1.5x〕
(PdCl2〔P(C6H5)3〕2-x)0.2(式中x=1または
2)にて示されることが判明した。 例 52 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NC6H4〕3P/パラジウム−錫錯体組成
物の製造 例51の如くに製造されたアミノホスフイン/樹
脂材料(ソツクスレー抽出前)2.0gを、200mlの
アセトンに1.2g(5.2ミリモル)のSnCl2・2H2O
を溶かし過した溶液に添加した。混合物を1時
間側面撹拌し、過しアセトン洗浄し真空乾燥
し、メチルエチルケトンで4時間ソツクスレー抽
出し、40℃にて真空下に乾燥した。分析により組
成物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)−
(SO3 -)1.5x〔(〔(CH3)2MC6H4〕3P)x(H+)1.5x〕
(SnCl2)0.2x(PdCl2〔P(C6H5)3〕2-x)0.2(式中
x=
1または2)にて示されることが判明した。 例 53 スルホン化スチレンジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NC6H4〕3P/パラジウム錯体組成物の
製造 パラジウムダイマー〔Pd(allyl)Cl〕2(1.36g、
3.5ミリモル)を50mlのトルエンに溶かし、例2
の如くに製造されたアミノホスフイン/樹脂材料
5.0gと一晩撹拌した。生じた組成物を次に過
しトルエン洗浄し、トルエンで4時間ソツクスレ
ー抽出し50℃にて真空乾燥した。分析により組成
物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)−
(SO3 -)1.5x〔(〔(CH3)2NC6H4〕P3)x(H+)1.5x〕
〔PdCl(C3H5)2-x)0.2(式中x=1または2)にて
示されることが判明した。 例 54 第四級アンモニウムスチレン−ジビニルベンゼ
ン樹脂/(HO2CC5H4N)/パラジウム錯体組
成物の製造 酢酸パラジウム(1.0g、4.4ミリモル)のトル
エン溶液に、例14の如くに製造されたイソ−ニコ
チン酸/樹脂材料6gを添加した。材料を一晩側
面から撹拌し過し、生じた組成物をトルエンで
5時間ソツクスレー抽出した。材料を次に真空オ
ーブン中で一晩(45℃)乾燥した。分析により組
成物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)−
〔CH2N+(CH3)3〕(-O2CC5H4N)〔Pd
(O2CCH3)2〕0.1にて示されることが判明した。 例 55 第四級アンモニウムスチレン−ジビニルベンゼ
ン樹脂/(HO2CC5H4N)/パラジウム錯体組
成物の製造 この材料を例54と同様にして、但し例15の如く
にして製造されたアミノホスフイン/樹脂材料を
用いて製造した。分析により組成物は近似式(ス
チレン−ジビニルベンゼン)−〔CH2N+(CH3)3〕
(-O2CC5H4N)〔Pd(O2CCH3)2〕0.1にて示される
ことが判明した。 例 56 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NC6H4〕3P/白金−錫錯体組成物の製
造 白金錯体PtH(SnCl3)(φ3P)2(1.2g、1.2ミリ
モル)のアセトン溶液90mlに、例2の如くに製造
されたアミノホスフイン/樹脂材料2.0gを添加
し、1.5時間側面から電磁撹拌し、過し、生じ
た組成物をアセトン洗浄し45℃にて真空乾燥し
た。分析により組成物は近似式(スチレン−ジビ
ニルベンゼン)−(SO3 -)1.5x
〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(H+)〕1.5x(PtH(SnCl3
)
〔P(C6H5)3〕2-x)0.1(式中x=1または2)にて
示されることが判明した。 例 57 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化(〔(CH3)2NC6H4〕3P/白金
−錫錯体組成物の製造 この材料を例56と同様にして、但し0.17g
(0.18ミリモル)の白金錯体および1.0gの例6の
如くに製造されたアミノホスフイン/樹脂材料を
用いて製造した。分析により組成物は近似式(ス
チレン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)x
〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕x(PtH(SnCl3)
〔P(C6H5)3〕2-x)0.04(式中x=1または2)によ
り示されることが判明した。 例 58 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化(〔(CH3)2NC6H4〕3P)/白
金−錫錯体組成物の製造 この材料を例56と同様にして、但し代りに白金
錯体PtH(CO)(SnCl3)(φ2P)2を用い200mlのア
セトンを用いて製造した。分析により組成物は近
似式(スチレン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)1.5
x〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕1.5x(PtH
(SnCl3)〔P(C6H5)3〕2-x)0.04(式中x=1また
は
2)にて示されることが判明した。 例 59 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NC6H4〕3P/白金−錫錯体組成物の製
造 〔PtCl2(Bu3P)〕2(1.2g、1.2ミリモル)のベン
ゼン溶液50mlに、例2の如くに製造されたアミノ
ホスフイン/樹脂材料2.0gを添加し、混合物を
1.5時間電磁側面撹拌し過した。生じた液を
紙上の樹脂材料中を3回重力通過させ、過し
次にベンゼン洗浄し真空乾燥した。樹脂材料を次
にSnCl2−2H2O(2.5g)のアセトン溶液400mlに
添加し、40分側面撹拌し、アセトン洗浄し真空乾
燥した。分析により組成物は式(スチレン−ジビ
ニルベンゼン)−(SO3 -)1.5
〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(H+)1.5〕(SnCl2)0.2
〔PtCl2(n−C4H10)3P〕)0.2により示されることが
判明した。 例 60 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化(〔(CH3)2NC6H4〕3P)/白
金−錫錯体組成物の製造 この材料を例59と同様にして製造し、但し0.33
g(0.36ミリモル)の〔PtCl2(Bu3P)〕2を用いそ
して次に例6の如くにアミノホスフイン/樹脂材
料を製造した。分析により組成物は式(スチレン
−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)
〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕(SnCl2)0.2PtC
l2
〔(n−C4H10)3P〕)0.05にて示されることが判明し
た。 本発明の組成物の使用法 例 61 ヒドロホルミル化法 300mlssマグネドライブ(Magnedrive)オート
クレーブに70mlのベンゼン、2.0mlのn−デカン
(インターナルスタンダード)、20.0ml(160ミリ
モル)の1−ヘキセン、および0.5gの例31に記
載の樹脂/配位子/コバルト触媒を添加した。溶
液を窒素で脱酸素化した。次に合成ガス(CO/
H2、1:1、1200psig)を反応器に充填し、反
応器を120℃に加熱した。20時間後にガスクロマ
トグラフイ分析により次の結果を得た。 転化率(モル%) 47 C7−アルデヒドへの選択性(モル%) 99 ヘキサンへの選択性(モル%) 1 C7−アルデヒドの直線性 71 反応速度(モル/モル/h) 24 例 62 水素添加法 300mlssマグネドライブオートクレーブに80ml
のトルエン、2.0mlのn−デカン(インターナル
スタンダード)、10.0ml(80ミリモル)の1−ヘ
キセン、および1.7gの例17に記載の樹脂/配位
子/ロジウム触媒を添加した。溶液を窒素で脱酸
素化し、500psigの水素を反応器に充填した。次
に反応器を100℃に加熱した。1時間後にガスク
ロマトグラフイ分析により次の結果を得た。 転化率(モル%) 67 n−ヘキサンへの選択性(モル%) 97 反応速度(モル/モル/h) 170 例 63 オレフイン複分解(不均化)法 4mlのクロロベンゼン、2mlの1−ヘキサン、
1.0gの例48に記載の如くに製造された樹脂/配
位子/モリブデン組成物の混合物にヘキサン中25
%Al2(CH3)3Cl3の200mlを添加した。混合物を室
温にて2時間撹拌した。分析により2時間後に
4.7%収率のデセンが示された。
はアリール、そしてY+Z=1の時K=零〜
5、Y+Z>1の時K=1〜n アルシンの場合と同様にキレート型または混
合ドーナーキレート型配位子を用い得る。 (PR3)=ホスフイン;式中、R=H、アルキル
またはアリール、そしてY+Z=1の時L=零
〜5、Y+Z>1の時L=1〜n アルシンおよびアミンの場合と同様に、キレ
ート型配位子を用い得る。 (SnX3 -)または(GeX3 -)=トリハロスタニル
またはトリハロゲミル;式中、X=F、Cl、
Br、I、そしてY+Z=1の時M=零〜5、
Y+Z>1の時M=1〜n (Carb)=カルボキシレート;式中、Y+Z=1
の時N=零〜5、Y+Z>1の時N=1〜n P=金属と樹脂担体との間のブリツジ部分/配位
子、Q=1〜n 本発明の組成物は多くの化学工程において触媒
としての用途を有する。例としてはヒドロホルミ
ル化、カルボニル化、水素添加、異性化、および
フイツシヤートロプシユ反応にロジウムまたはル
テニウム触媒含有組成物を用い得る。コバルト錯
体含有組成物はヒドロホルミル化、カルボニル
化、水素添加および異性化反応に有用である。モ
リブデン錯体含有組成物は不均化(複分解)およ
び異性化反応に有用である。パラジウムおよび白
金錯体含有組成物はヒドロホルミル化、カルボニ
ル化、異性化、水素添加、およびオリゴマー化/
ダイマー化反応に有用である。ニツケル錯体含有
組成物はオリゴマー化/ダイマー化反応に有用で
ある。タングステンまたはレニウム錯体含有組成
物は複分解反応に有用である。 下記の触媒製造手順は窒素充填乾燥箱内で実施
した。溶剤ベンゼンはCaH2上で蒸留することに
より精製し、他の全ての溶剤は試薬等級のもので
あり供給された状態のままで用いられた。金属錯
体〔Rh(CO)2Cl〕2、Rh(PPh3)3Cl、H2O中のRh
(NO3)3、CO2(CO)8、Ru(PPh3)3Cl2、Mo
(NO)2Cl2、PtCl2(PPh3)2、〔PtCl2(PBu3)〕2、Pd
(C6H5CN)2Cl2、PdCl2(PPh3)2、〔Pd(allyl)
Cl〕2およびPd(OAc)2、および化合物CH3Br、
SnCl2、2H2O、イソ−ニコチン酸、およびホス
フイン〔(CH3)N〕3P、〔(CH3)2NC6H4〕3P、
〔(CH3)2NCH2CH2O〕3Pは供給されたままの形で
用いた。第四級化アミノホスフインは、室温にて
トルエン溶液中のアミノホスフインと1当量の
CH3Brとを反応させて得られた。第四級化アミ
ノホスフインはトルエン溶液から容易に沈殿し
た。錯体Ru(CO)3(PPh3)2(J.Chem.Soc.Dalton、
399(1976))、PtH(SnCl3)(PPh3)2およびPtH
(SnCl3)(CO)(PPh3)2(J.Am.Chem.Soc.第97
巻、3553(1975))は文献に記載される如くにして
製造した。樹脂は(樹脂主鎖)−(交換基)により
示した。例えばスルホン化スチレンジビニルベン
ゼン樹脂は(スチレン−ジビニルベンゼン)−
(SO3 -)とに表わされる。Ph、C6H5およびφは
フエニルの略語として用いられる;−φ−および
C6H4はp−置換ベンゼン部分を示す。 樹脂−結合化合物部分の製造 例 1 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2N〕3P化合物の製造 250mlの丸底フラスコ内の175mlのアセトンにア
ミノホスフイン〔(CH3)2N〕3P(0.98g、60ミリ
モル)を溶かした。前もつて充分に脱イオン水で
洗浄され乾燥された5.0gのRohm and Haas
XN1010H+樹脂(酸性型:巨大網状スルホン化
スチレン−ジビニルベンゼン、3.3meq./g)を
フラスコに添加した。次に混合物を、樹脂磨砕防
止のためにフラスコの側から48時間磁気撹拌し
た。樹脂を吸引過しアセトン3×50mlで洗浄し
真空オーブン(50℃)内で一晩乾燥した。分析に
より、生成物は近似式(スチレン−ジビニルベン
ゼン)−(SO3 -)1.5〔(〔(CH3)2N〕3P)(H+)1.5
〕に
て示されることが判明した。 例 2 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NC6H4〕3P化合物の製造 1000mlの温ベンゼンにアミノホスフイン
〔(CH3)2NC6H4〕3P(14.0g、35.8ミリモル)を溶
かし、室温に冷却し迅速に2リツトル丸底フラス
コ中へ過した。10.0gのXN1010H+イオン交換
樹脂を添加し、混合物をフラスコの側から72時間
磁気撹拌した。次に樹脂を過しベンゼンで洗浄
しオーブン(40℃)中で真空乾燥した。分析によ
り生成物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼ
ン)−(SO3 -)1.5〔(〔CH3)2NC6H4〕3P)(H+)1.5
〕
にて示されることが判明した。 例 3 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P化合物の製造 例1と同様にし但し3.54g(12.0ミリモル)の
アミノホスフイン〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P、
10.0gのXN1010H+樹脂、300mlのアセトンを用
いてこの材料を製造した。分析により生成物は近
似式(スチレン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)1.5
〔(〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P)(H+)1.5〕にて示さ
れることが判明した。 例 4 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(φ2PCH2CH2)2NCH2CH3〕化合物の製造 この材料を、例1と同様にして但し2.82g(6
ミリモル)のアミノホスフイン
(φ2PCH2CH2)2NCH2CH3および200mlのアセト
ンを用いて製造した。分析により生成物は近似式
(スチレン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)1.5
〔(〔(C6H5)2PCH2CH2〕2NCH2CH3)(H+)1.5〕に
て示されることが判明した。 例 5 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化〔(CH3)2N〕3P化合物の製造 第四級化アミノホスフイン(〔(CH3)2N〕3P)
(CH3 +)Br-(7.0g、湿潤)を500ml丸底フラスコ
内の350mlの脱イオン水に溶かした。10.0gの
XN1010Naイオン交換樹脂(10リツトルのIN
NaClを用いてまたは流出洗浄液のPHが中性であ
る時にXN1010H+を完全にイオン交換して製造
された)を添加した。混合物を48時間側面撹拌
し、吸引過し、樹脂を脱イオン水5×100mlで
洗浄し次にオーブン(45℃)内で一晩真空乾燥し
た。分析により生成物は近似式(スチレン−ジビ
ニルベンゼン)−(SO3 -)〔(〔(CH3)2N〕3P)
(CH3 +)〕にて示されることが判明した。 例 6 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化(〔(CH3)2NC6H4〕3P)化合
物の製造 この材料を、例5と同様にし但し10.4g(21.1
ミリモル)の第四級化アミノホスフイン、12.0g
のXN1010Naおよび1900mlのアセトン/H2O
(12:7V/V)溶液を用いて製造した。分析によ
り生成物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼ
ン)−(SO3 -)〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕
にて示されることが判明した。 例 7 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P化
合物の製造 この材料を、例5と同様にして但し5.6g
(14.4ミリモル)の第四級化アミノホスフイン、
8.0gのXN1010Na、400mlのH2Oを用いて製造し
た。分析により、生成物は近似式(スチレン−ジ
ビニルベンゼン)−(SO3 -)
〔(〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P)(CH3 +)〕にて示さ
れることが判明した。 例 8 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化
(〔(C6H5)2PCH2CH2〕2NCH2CH3)化合物の製
造 この材料を、例5と同様にして但し2.0g(3.5
ミリモル)の第四級化アミノホスフイン、4.0g
のXN1010Na、200mlの脱イオン水を用いて製造
した。分析により生成物は近似式(スチレン−ジ
ビニルベンゼン)−(SO3 -)
〔(〔(C6H5)2PCH2CH2〕2NCH2CH3)(CH3 +)〕に
て示されることが判明した。 例 9 スルホン化スチレン樹脂/
〔(CH3)2NC6H4〕3P化合物の製造 この材料を、例2と同様にして但しDow MSC
−/H+樹脂(スルホン化ポリスチレン、巨大網
状、1.6meq./g)を用いて製造した。分析によ
り生成物は近似式(スチレン)−(SO3 -)1.5
〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(H+)1.5〕にて示されるこ
とが判明した。 例 10 スルホン化スチレン樹脂/メチル−第四級化
(〔(CH3)2NC6H4〕3P)化合物の製造 50gの水素型のBioRad AG50w−XI(スルホ
ン化ポリスチレン、5.0meq./g)を粗孔ガラス
過器に入れ、次に1リツトルのIN NaClのア
リコート中溶液がゆつくりと樹脂内を通過するよ
うに添加することによつてNa−交換した。次に
樹脂を2リツトルの脱イオン水で同様にして洗つ
た。次にアセトン洗浄し樹脂を約40℃にて2日間
真空オーブン中で乾燥した。乾燥したNa型の樹
脂の5.0g部分を、第四級化アミノホスフイン
(2.0g、4.1ミリモル)含有のアセトン−水溶液
(1:1v/v)2リツトルに添加し、N2下に一晩
撹拌した。次に材料を過しアセトン溶液、水溶
液で洗い空気乾燥した。分析により生成物は近似
式(スチレン)−(SO3 -)〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)
(CH3 +)〕にて示されることが判明した。 例 11 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化(〔(CH3)2NC6H4〕3P)の製
造 この材料を、例10と同様にし但し5.0gのBio−
Rex63(微細網状Cゲル)、ホスホン化物、
6.6meq./g)を用いて製造した。分析により生
成物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)−
(PO3 -)〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕にて示
されることが判明した。 例 12 カルボキシ化アクリル樹脂/メチル−第四級化
(〔(CH3)2NC6H4〕3P)の製造 この材料を、例10と同様にして但し5.0gのBio
−Rex70(アクリルポリマー、カルボン酸−交換
基、10.2meq./g)を用いて製造した。分析によ
り生成物は近似式(アクリル)−(CO2 -)
〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕にて示される
ことが判明した。 例 13 ビニルピリジニウム樹脂/〔o−-O2CC6H5P
(C6H5)2〕化合物の製造 Bio−Rex9(100−200メツシユ、重合ビニルピ
リジン、ピリジニウム型、3.7meq./g)の10g
部分を粗孔ガラス過器内に入れ、例10の如くに
して1リツトルの0.1N HClで処理した。次に樹
脂を2リツトルの脱イオン水で洗い最後にアセト
ンで洗つた。次に樹脂を約40℃にて真空オーブン
中で2日間乾燥した。 樹脂の5.0g部分を丸底フラスコ中の約500mlの
H2Oに添加した。0.15gの溶解NaOHを含む
H2O/アセトン(5.0gのH2O、5.0mlのアセト
ン)の小フラスコ内に1.29g(3.8ミリモル)の
ジフエニル(2−カルボキシフエニル)ホスフイ
ンを入れた。ホスフインが溶けた後に、ホスフイ
ン溶液を樹脂含有溶液に添加した。これをN2雰
囲気下に一晩撹拌した。材料を過しアセトン/
水の50−50v/v混合物でおよび最後にアセトン
で洗つた。分析により生成物は近似式(エチレ
ン)−(ピリジニウム+)−〔o−O2CC6H5P
(C6H5)2 -〕にて示されることが判明した。 例 14 第四級アンモニウムスチレン−ジビニルベンゼ
ン樹脂/(HO2CC5H4N)化合物の製造 150mlの脱イオン水中の水酸化ナトリウム溶液
(1.5g)に4.6g(38.4ミリモル)のイソ−ニコチ
ン酸を添加した、生じた溶液に6.0gのBio−Rad
AG−1(スチレン−ジビニルベンゼン微細網状
アニオン−交換樹脂、CI型、20−50メツシユ、
3.2meq./g)を添加し2時間側面撹拌し、吸引
過した。樹脂材料を次にアセトン3×50mlで洗
い真空オーブン(45℃)中で乾燥した。分析によ
り生成物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼ
ン)−〔CH2N+(CH3)3〕(-O2CC5H4N)にて示さ
れることが判明した。 例 15 第四級アンモニウムスチレン樹脂/
(HO2CC5H4N)の製造 この材料を、例14と同様にし但し5.9g(48.0
ミリモル)のイソ−ニコチン酸および6.0gの
Dow MSA−1(巨大網状ポリスチレン塩基−第
四級交換基、4.0meq./g)樹脂を用いて製造し
た。分析により生成物は近似式(スチレン)−
〔CH2N+(CH3)3〕(-O2CC5H4N)にて示される
ことが判明した。 樹脂−結合化合物−金属錯体組成物の製造 例 16 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2N〕3P/ロジウム錯体組成物の製造 ロジウムダイマー〔Rh(CO)2Cl〕2(0.66g、1.7
ミリモル)を100ml丸底フラスコ中の85mlのベン
ゼンに溶かし、例1の如くに製造した1.5gの樹
脂材料を添加した。混合物を1.5時間側面から磁
気撹拌し、吸引過し、樹脂をベンゼン3×50ml
で洗つた。生じた組成物を真空下にオーブン(45
℃)中で乾燥して、中性子活性化による分析で
Rh8.4重量%およびP2.9重量%を有することが判
明した材料を得た。分析により組成物は近似式
(スチレン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)1.5
〔(〔(CH3)2N〕3P)(H+)1.5〕〔Rh(CO)2Cl〕0.9
にて
示されることが判明した。 例 17 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NC6H4〕3P/ロジウム錯体組成物の製
造 例2にて製造されたアミノホスフイン樹脂材料
の2.0g試料を500mlのフラスコ中の約25mlの乾燥
ベンゼンに添加した。この混合物に0.12g(0.31
ミリモル)の(Rh(CO)2Cl)2を添加した。全反
応手順をヘリウム充填乾燥箱中で実施した。 混合物を1.5時間撹拌し過して組成物を集め、
これを乾燥ベンゼンで洗つて乾燥させた。使用前
に組成物を乾燥箱中のふたをしつかりしたびんの
中で撹拌した。分析により組成物は近似式(スチ
レン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)1.5
〔(〔(CH3)2NC6H4〕3)(H+)1.5〕〔Rh(CO)2Cl〕
0.4
にて示されることが判明した。 例 18 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NC6H4〕3P/ロジウム錯体組成物の製
造 例2にて製造されたアミノホスフイン/樹脂材
料の0.3g試料を例17と同様に処理し、但し金属
源として0.28g(0.3ミリモル)のRh(φ3P)3Clを
用いた。分析により組成物は近似式(スチレン−
ジビニルベンゼン)−(SO3 -)
〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)x(H+)1.5〕〔RhClφ3P〕3
-
x)0.04(式中x=1−3である。何故ならばアミ
ノホスフインは金属錯体上の1、2または3のト
リフエニルホスフイン配位子を置換できるからで
ある。)にて示されることが判明した。 例 19 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P/ロジウム錯体組成物
の製造 この材料を、例16と同様にして、但し0.61g
(1.6ミリモル)のロジウムダイマー(Rh
(CO)2Cl)2および例3にて製造されたアミノホス
フイン/樹脂材料を用いて製造した。分析により
組成物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)
−(SO3 -)1.5〔(〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P)(H+)1.
5〕〔Rh(CO)2Cl〕0.8にて示されることが判明した。 例 20 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔φ2PCH2CH2)2NCH2CH3〕/ロジウム錯体組
成物の製造 この材料を、例16と同様にして、但し0.48g
(1.23ミリモル)の〔Rh(CO)2Cl〕2および例4に
て製造されたアミノホスフイン樹脂組成物を用い
て製造した。分析により組成物は近似式(スチレ
ン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)1.5
〔(〔(C6H5)2PCH2CH2〕NCH2CH3)(H+)1.5〕
〔Rh(CO)2Cl〕0.3にて示されることが判明した。 例 21 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化〔(CH3)2N〕3P/ロジウム錯
体組成物の製造 この材料を例16と同様にして、但し0.68g
(1.7ミリモル)の〔Rh(CO)2Cl〕2および3.0gの
例5にて製造されたアミノホスフイン樹脂材料を
用いて製造した。分析により組成物は近似式(ス
チレン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)
〔(〔(CH3)2N〕3P)(CH3 +)〕〔Rh(CO)2Cl〕1.4
にて
示されることが判明した。 例 22 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化〔(CH3)2NC6H4〕3P/ロジ
ウム錯体組成物の製造 例6にて製造されたアミノホスフイン/樹脂材
料(2.0g)を、例17の如くにヘリウム充填乾燥
箱中でベンゼン溶液中の0.17g(0.43ミリモル)
の〔Rh(CO)2Cl〕2で処理した。 分析により、組成物は近似式(スチレン−ジビ
ニルベンゼン)−(SO3 -)〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)
(CH3 +)〕〔Rh(CO)2Cl〕0.5にて示されることが判
明した。 例 23 スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/メチル−第
四級化〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P/ロジウム錯
体組成物の製造 この材料を、例16と同様にして、但し0.08g
(0.21ミリモル)の〔Rh(CO)2Cl〕2および例7に
て製造されたアミノホスフイン樹脂組成物を用い
て製造した。分析により組成物は近似式(スチレ
ン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)
〔(〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P)(CH3 +)〕〔Rh
(CO)2Cl〕6にて示されることが判明した。 例 24 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化
(〔(C6H5)2PCH2CH2〕2NCH2CH3)/ロジウム
錯体組成物の製造 この材料を例16と同様にして、但し0.45g
(1.2ミリモル)の〔Rh(CO)2Cl〕2ロジウムおよび
1.2gの例8にて製造されたアミノホスフイン/
樹脂材料を用いて製造した。分析により組成物は
近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)
〔(〔(C6H5)2PCH2CH2〕2NCH2CH3)(CH3 +)〕
〔Rh(CO)2Cl〕0.5にて示されることが判明した。 例 25 スルホン化スチレン樹脂/メチル−第四級化
(〔(CH3)2NC6H4〕3P)/ロジウム錯体組成物
の製造 この材料を例19と同様にして、但し0.26g
(0.68ミリモル)の〔Rh(CO)2Cl〕2および1.2gの
例10にて製造されたアミノホスフイン/樹脂材料
を用いて製造した。分析により組成物は近似式
(スチレン)−(SO3 -)〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)
(CH3 +)〕〔Rh(CO)2Cl〕0.01にて示されることが判
明した。 例 26 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化(〔(CH3)2NC6H4〕3P)/ロ
ジウム錯体組成物の製造 例17の如くにして、例11にて製造されたアミノ
ホスフイン/樹脂材料の4.5g試料を0.26g(0.68
ミリモル)の〔Rh(CO)2Cl〕2で処理した。分析
により組成物は近似式(スチレン−ジビニルベン
ゼン)−(PO3 -)〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)
〕
〔Rh(CO)2Cl〕0.1にて示されることが判明した。 例 27 カルボキシ化アクリル樹脂/メチル−第四級化
(〔(CH3)2NC6H4〕3P)/ロジウム錯体組成物
の製造 例17の如くにして、例12にて製造されたアミノ
ホスフイン/樹脂材料の4.5g試料を0.26g(0.68
ミリモル)の〔Rh(CO)2Cl〕2で処理した。分析
により組成物は近似式(アクリル)−(CO2 -)
〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕〔Rh(CO)2Cl〕
0.
01にて示されることが判明した。 例 28 ビニルピリジウム樹脂/〔o−-O2CC6H5P
(C6H5)2〕/ロジウム錯体組成物の製造 例17の如くにして、例13にて製造されたホスフ
イノ安息香酸/樹脂材料の2.4g試料を0.14g
(0.34ミリモル)の〔Rh(CO)2Cl〕2で処理した。
分析により組成物は近似式(エチレン)−(ピリジ
ニウム+)〔o−-O2CC6H5P(C6H5)2〕〔Rh
(CO)2Cl〕0.05にて示されることが判明した。 例 29 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化(〔(CH3)2NC6H4〕3P)/ロ
ジウム錯体組成物の製造 例17の如くにして、例6にて製造されたアミノ
ホスフイン/樹脂材料の0.5g試料を0.44g(0.48
ミリモル)のRh(φ3P)3Clで処理した。分析によ
り組成物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼ
ン)−(SO3 -)x〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕
x
(RhCl〔P(C6H5)3〕3-x)0.05(式中x=1、2また
は3)にて示されることが判明した。 例 30 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2N〕3P/コバルト錯体組成物の製造 この材料を、例16と同様にして、但しロジウム
ダイマーの代りにコバルトダイマーCO2(CO)8
(0.58g、1.7ミリモル)を用いて製造した。分析
により組成物は近似式(スチレン−ジビニルベン
ゼン)−(SO3 -)1.5〔(〔(CH3)N〕3P)(H+)1.5
〕
〔Co(CO)4〕0.5にて示されることが判明した。 例 31 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NC6H4〕3P/コバルト錯体組成物の製
造 この材料を、例17と同様にして、但し錯体ジコ
バルトオクタカルボニル(0.5g、1.45ミリモル)
および2.0gの例2にて製造されたアミノホスフ
イン/樹脂材料を用いて製造した。分析により組
成物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)−
(SO3 -)1.5〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(H+)1.5〕〔C
o
(CO)4〕0.8にて示されることが判明した。 例 32 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P/コバルト錯体組成物
の製造 この材料を例19と同様にして、但し錯体Co2
(CO)8(0.54g、1.6ミリモル)を用いて製造した。
分析により組成物は近似式(スチレン−ジビニル
ベンゼン)−(SO3 -)1.5
〔(〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P)(H+)1.5〕〔Co
(CO)4〕0.3にて示されることが判明した。 例 33 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(φ2PCH2CH2)2NCH2CH3〕/コバルト錯体
組成物の製造 この材料を例20と同様にして、但し錯体Co2
(CO)8(0.42g、1.3ミリモル)を用いて製造した。
分析により組成物は近似式(スチレン−ジビニル
ベンゼン)−(SO3 -)1.5
〔(〔(C6H5)2PCH2CH2〕2NCH2CH3)(H+)1.5〕
〔Co(CO)4〕0.2にて示されることが判明した。 例 34 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化〔(CH3)2N〕3Pコバルト錯体
組成物の製造 この材料を例21と同様にして但し錯体Co2
(CO)8(0.6g、1.7ミリモル)および24gの例5の
如くに製造されたアミノホスフイン/樹脂材料を
用いて製造した。分析により組成物は近似式(ス
チレン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)
〔(〔(CH3)2N〕3P)(CH3 +)〕〔Co(CO)4〕0.8に
て示
されることが判明した。 例 35 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化(〔(CH3)2NC6H4〕3P)コバ
ルト錯体組成物の製造 この材料を例22と同様にして但し錯体Co
(CO)8(0.14g、0.4ミリモル)および20gの例6
の如くに製造されたアミノホスフイン樹脂材料を
用いて製造した。分析により組成物は近似式(ス
チレン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)
〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕〔Co(CO)4〕1.
8
にて示されることが判明した。 例 36 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P/
コバルト錯体組成物の製造 この材料を例23と同様にして、但し錯体Co
(CO)8(0.07g、0.2ミリモル)を用いて製造した。
分析により組成物は近似式(スチレン−ジビニル
ベンゼン)−(SO3 -)〔(〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P)
(CH3 +)〕〔Co(CO)4〕2にて示されることが判明し
た。 例 37 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化
(〔(C6H5)2PCH2CH2〕2NCH2CH3)/コバルト
錯体組成物の製造 この材料を例24と同様にして但し錯体Co
(CO)8(0.4g、1.2ミリモル)を用いて製造した。
分析により組成物は近似式(スチレン−ジビニル
ベンゼン)−(SO3 -)
〔(〔(C6H5)2PCH2CH2〕2NCH2CH3)(CH3 +)〕
〔Co(CO)4〕0.3にて示されることが判明した。 例 38 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NC6H4〕3P/ルテニウム錯体組成物の
製造 この材料を例17と同様にして、但しルテニウム
錯体Ru(φ3P)3Cl2(1.0g、1.1ミリモル)および
1.0gの例2の如くに製造されたアミノホスフイ
ン/樹脂材料を用いて製造した。分析により組成
物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)−
(SO3 -)1.5x〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)x(H+)1.5x〕
(RuCl2〔P(C6H5)3〕3-x)0.2(式中x=1、2また
は3)にて示されることが判明した。 例 39 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化(〔(CH3)2NC6H4〕3P)/ル
テニウム錯体組成物の製造 この材料を例22と同様にして但しルテニウム錯
体Ru(φ3P3)3Cl2(0.19g、0.2ミリモル)および1.0
gの例6の如くに製造されたアミノホスフイン/
樹脂材料を用いて製造した。分析により組成物は
近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)
x〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕x(RuCl2〔P
(C6H5)3〕3-x)0.05(式中x=1、2または3)に
て示されることが判明した。 例 40 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2N〕3P/ルテニウム錯体組成物の製造 この材料を例16と同様にして、但しルテニウム
錯体Ru(CO)3(φ3P)2(1.1g、1.6ミリモル)を用
いて製造した。分析により組成物は近似式(スチ
レン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)1.5x
〔(〔(CH3)2N〕3P)x(H+)1.5x〕(Ru(CO)3〔P
(C6H5)3〕2-x)0.05(式中x=1または2)にて示
されることが判明した。 例 41 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化(〔(CH3)2NC6H4〕3P)/ル
テニウム錯体組成物の製造 この材料を例39と同様にして、但しルテニウム
錯体Ru(CO)3(φ3P)2(0.77g、1.1ミリモル)を用
いて製造した。分析により組成物は近似式(スチ
レン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)x
〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕x(Ru(CO)3〔
P
(C6H5)3〕2-x)0.04(式中x=1または2)にて示
されることが判明した。 例 42 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P/ルテニウム錯体組成
物の製造 この材料を例19と同様にして、但しルテニウム
錯体Ru(CO)3(φ3P)2(0.15g、0.21ミリモル)を
用いて製造した。分析により組成物は近似式(ス
チレン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)1.5x
〔(〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P)x(H+)1.5x〕(Ru
(CO)3〔P(C6H5)3〕2-x)0.04(式中x=1または
2)にて示されることが判明した。 例 43 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(φ2PCH2CH2)2NCH2CH3〕/ルテニウム錯
体組成物の製造 この材料を例20と同様にして、但しルテニウム
錯体Ru(CO)3(φ3P)2(0.87g、1.2ミリモル)を用
いて製造した。分析により組成物は近似式(スチ
レン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)x
〔(〔(C6H5)2PCH2CH2〕2NCH2CH3)(H+)〕x(Ru
(CO)3〔P(C6H5)3〕2-x)0.04(式中x=1または
2)により示されることが判明した。 例 44 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化〔(CH3)2N〕3P/ルテニウム
錯体組成物の製造 この材料を例21と同様にして、但しルテニウム
錯体Ru(CO)3(φ3P)2(1.23g、1.7ミリモル)を用
いて製造した。分析により組成物は近似式(スチ
レン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)x
〔(〔(CH3)2N〕3P)(CH3 +)〕x(Ru(CO)3〔P
(C6H5)3〕2-x)0.04(式中x=1または2)により
示されることが判明した。 例 45 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化〔(CH3)2NC6H4〕3P/ルテ
ニウム錯体組成物の製造 この材料を例22と同様にして、但しルテニウム
錯体Ru(CO)3)(Pφ3)2(0.14g、0.2ミリモル)お
よび1.0gの例6の如くに製造されたアミノホス
フイン樹脂材料を用いて製造した。分析により組
成物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)−
(SO3 -)x〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕x(Ru
(CO)3〔P(C6H5)3〕3-x)0.01(式中x=1または
2)にて示されることが判明した。 例 46 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P/
ルテニウム錯体組成物の製造 この材料を、例23と同様にして、但しルテニウ
ム錯体Ru(CO)3(φ3P)2(0.15g、0.2ミリモル)を
用いて製造した。分析により組成物は近似式(ス
チレン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)
〔(〔(CH3)2NCH2CH2O〕3P)(CH3 +)〕x(Ru
(CO)3〔P(C6H5)3〕2-x)0.01(式中x=1または
2)にて示されることが判明した。 例 47 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化
(〔(C6H5)2PCH2CH2〕2NCH2CH3)/ルテニウ
ム錯体組成物の製造 この材料を例24と同様にして、但しルテニウム
錯体Ru(CO)3(φ3P)2(0.82g、1.2ミリモル)を用
いて製造した。分析により組成物は近似式(スチ
レン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)x
〔(〔(C6H5)2PCH2CH2〕2NCH2CH3)(CH3 +)〕x
(Ru(CO)3〔P(C6H5)3〕2-x)0.01(式中x=1ま
た
は2)にて示されることが判明した。 例 48 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化(〔(CH3)2NC6H4〕3P/モリ
ブデン錯体組成物の製造 1リツトルのフラスコに1.73gのMo
(NO)2Cl2、50mlのメタノール、15gの例6の如
くに製造されたアミノホスフイン/樹脂材料を添
加した。混合物を24時間撹拌し、固体を過しメ
タノールで洗い真空下に乾燥させた。分析により
組成物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)
−(SO3 -)x〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕x
(Mo(NO)2-xCl0.4〕0.3(式中x=1または2)に
より示されることが判明した。 例 49 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NC6H4〕3P/パラジウム錯体組成物の
製造 例2にて製造されたアミノホスフイン/樹脂材
料(0.3g)を例17の如くにして0.12g(0.3ミリ
モル)のPd(φCN)2Cl2で処理した。分析により
組成物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)
−(SO3 -)1.5x〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)x(H+)1.5x
〕
〔Pd(C6H5CN)2-xCl2〕0.5(式中x=1または2)
により示されることが判明した。 例 50 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化〔(CH3)2NC6H4〕3P/パラ
ジウム錯体組成物の製造 例6にて製造されたアミノホスフイン/樹脂材
料(0.5g)を例17の如くにして0.18g(0.48ミリ
モル)のPd(φCN)2Cl2で処理した。分析により
組成物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)
−(SO3 -)x〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕x
〔Pd(C6H5CN)2-xCl2〕0.5(式中x=1または2)
により示されることが判明した。 例 51 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NC6H4〕3P/パラジウム錯体組成物の
製造 70.0mlのCHCl3に0.73g(1.0ミリモル)の
PdCl2(φ3P)2を溶かした溶液に、例2の如くに製
造されたアミノホスフイン/樹脂材料2.0gを添
加した。混合物を1時間撹拌し過しCHCl3で洗
い真空下に乾燥した。生じた組成物をメチルエチ
ルケトンで4時間ソツクスレー抽出し、約40℃に
て真空オーブン中で乾燥した。分析により組成物
は近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)−
(SO3 -)1.5x〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)x(H+)1.5x〕
(PdCl2〔P(C6H5)3〕2-x)0.2(式中x=1または
2)にて示されることが判明した。 例 52 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NC6H4〕3P/パラジウム−錫錯体組成
物の製造 例51の如くに製造されたアミノホスフイン/樹
脂材料(ソツクスレー抽出前)2.0gを、200mlの
アセトンに1.2g(5.2ミリモル)のSnCl2・2H2O
を溶かし過した溶液に添加した。混合物を1時
間側面撹拌し、過しアセトン洗浄し真空乾燥
し、メチルエチルケトンで4時間ソツクスレー抽
出し、40℃にて真空下に乾燥した。分析により組
成物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)−
(SO3 -)1.5x〔(〔(CH3)2MC6H4〕3P)x(H+)1.5x〕
(SnCl2)0.2x(PdCl2〔P(C6H5)3〕2-x)0.2(式中
x=
1または2)にて示されることが判明した。 例 53 スルホン化スチレンジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NC6H4〕3P/パラジウム錯体組成物の
製造 パラジウムダイマー〔Pd(allyl)Cl〕2(1.36g、
3.5ミリモル)を50mlのトルエンに溶かし、例2
の如くに製造されたアミノホスフイン/樹脂材料
5.0gと一晩撹拌した。生じた組成物を次に過
しトルエン洗浄し、トルエンで4時間ソツクスレ
ー抽出し50℃にて真空乾燥した。分析により組成
物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)−
(SO3 -)1.5x〔(〔(CH3)2NC6H4〕P3)x(H+)1.5x〕
〔PdCl(C3H5)2-x)0.2(式中x=1または2)にて
示されることが判明した。 例 54 第四級アンモニウムスチレン−ジビニルベンゼ
ン樹脂/(HO2CC5H4N)/パラジウム錯体組
成物の製造 酢酸パラジウム(1.0g、4.4ミリモル)のトル
エン溶液に、例14の如くに製造されたイソ−ニコ
チン酸/樹脂材料6gを添加した。材料を一晩側
面から撹拌し過し、生じた組成物をトルエンで
5時間ソツクスレー抽出した。材料を次に真空オ
ーブン中で一晩(45℃)乾燥した。分析により組
成物は近似式(スチレン−ジビニルベンゼン)−
〔CH2N+(CH3)3〕(-O2CC5H4N)〔Pd
(O2CCH3)2〕0.1にて示されることが判明した。 例 55 第四級アンモニウムスチレン−ジビニルベンゼ
ン樹脂/(HO2CC5H4N)/パラジウム錯体組
成物の製造 この材料を例54と同様にして、但し例15の如く
にして製造されたアミノホスフイン/樹脂材料を
用いて製造した。分析により組成物は近似式(ス
チレン−ジビニルベンゼン)−〔CH2N+(CH3)3〕
(-O2CC5H4N)〔Pd(O2CCH3)2〕0.1にて示される
ことが判明した。 例 56 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NC6H4〕3P/白金−錫錯体組成物の製
造 白金錯体PtH(SnCl3)(φ3P)2(1.2g、1.2ミリ
モル)のアセトン溶液90mlに、例2の如くに製造
されたアミノホスフイン/樹脂材料2.0gを添加
し、1.5時間側面から電磁撹拌し、過し、生じ
た組成物をアセトン洗浄し45℃にて真空乾燥し
た。分析により組成物は近似式(スチレン−ジビ
ニルベンゼン)−(SO3 -)1.5x
〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(H+)〕1.5x(PtH(SnCl3
)
〔P(C6H5)3〕2-x)0.1(式中x=1または2)にて
示されることが判明した。 例 57 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化(〔(CH3)2NC6H4〕3P/白金
−錫錯体組成物の製造 この材料を例56と同様にして、但し0.17g
(0.18ミリモル)の白金錯体および1.0gの例6の
如くに製造されたアミノホスフイン/樹脂材料を
用いて製造した。分析により組成物は近似式(ス
チレン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)x
〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕x(PtH(SnCl3)
〔P(C6H5)3〕2-x)0.04(式中x=1または2)によ
り示されることが判明した。 例 58 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化(〔(CH3)2NC6H4〕3P)/白
金−錫錯体組成物の製造 この材料を例56と同様にして、但し代りに白金
錯体PtH(CO)(SnCl3)(φ2P)2を用い200mlのア
セトンを用いて製造した。分析により組成物は近
似式(スチレン−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)1.5
x〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕1.5x(PtH
(SnCl3)〔P(C6H5)3〕2-x)0.04(式中x=1また
は
2)にて示されることが判明した。 例 59 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
〔(CH3)2NC6H4〕3P/白金−錫錯体組成物の製
造 〔PtCl2(Bu3P)〕2(1.2g、1.2ミリモル)のベン
ゼン溶液50mlに、例2の如くに製造されたアミノ
ホスフイン/樹脂材料2.0gを添加し、混合物を
1.5時間電磁側面撹拌し過した。生じた液を
紙上の樹脂材料中を3回重力通過させ、過し
次にベンゼン洗浄し真空乾燥した。樹脂材料を次
にSnCl2−2H2O(2.5g)のアセトン溶液400mlに
添加し、40分側面撹拌し、アセトン洗浄し真空乾
燥した。分析により組成物は式(スチレン−ジビ
ニルベンゼン)−(SO3 -)1.5
〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(H+)1.5〕(SnCl2)0.2
〔PtCl2(n−C4H10)3P〕)0.2により示されることが
判明した。 例 60 スルホン化スチレン−ジビニルベンゼン樹脂/
メチル−第四級化(〔(CH3)2NC6H4〕3P)/白
金−錫錯体組成物の製造 この材料を例59と同様にして製造し、但し0.33
g(0.36ミリモル)の〔PtCl2(Bu3P)〕2を用いそ
して次に例6の如くにアミノホスフイン/樹脂材
料を製造した。分析により組成物は式(スチレン
−ジビニルベンゼン)−(SO3 -)
〔(〔(CH3)2NC6H4〕3P)(CH3 +)〕(SnCl2)0.2PtC
l2
〔(n−C4H10)3P〕)0.05にて示されることが判明し
た。 本発明の組成物の使用法 例 61 ヒドロホルミル化法 300mlssマグネドライブ(Magnedrive)オート
クレーブに70mlのベンゼン、2.0mlのn−デカン
(インターナルスタンダード)、20.0ml(160ミリ
モル)の1−ヘキセン、および0.5gの例31に記
載の樹脂/配位子/コバルト触媒を添加した。溶
液を窒素で脱酸素化した。次に合成ガス(CO/
H2、1:1、1200psig)を反応器に充填し、反
応器を120℃に加熱した。20時間後にガスクロマ
トグラフイ分析により次の結果を得た。 転化率(モル%) 47 C7−アルデヒドへの選択性(モル%) 99 ヘキサンへの選択性(モル%) 1 C7−アルデヒドの直線性 71 反応速度(モル/モル/h) 24 例 62 水素添加法 300mlssマグネドライブオートクレーブに80ml
のトルエン、2.0mlのn−デカン(インターナル
スタンダード)、10.0ml(80ミリモル)の1−ヘ
キセン、および1.7gの例17に記載の樹脂/配位
子/ロジウム触媒を添加した。溶液を窒素で脱酸
素化し、500psigの水素を反応器に充填した。次
に反応器を100℃に加熱した。1時間後にガスク
ロマトグラフイ分析により次の結果を得た。 転化率(モル%) 67 n−ヘキサンへの選択性(モル%) 97 反応速度(モル/モル/h) 170 例 63 オレフイン複分解(不均化)法 4mlのクロロベンゼン、2mlの1−ヘキサン、
1.0gの例48に記載の如くに製造された樹脂/配
位子/モリブデン組成物の混合物にヘキサン中25
%Al2(CH3)3Cl3の200mlを添加した。混合物を室
温にて2時間撹拌した。分析により2時間後に
4.7%収率のデセンが示された。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 (a)イオン交換樹脂、(b)遷移金属、および(c)該
イオン交換樹脂にイオン結合した少なくとも1つ
の部分およびさらに該金属に配位結合した少なく
とも1つの部分を有する有機結合化合物、を含
む、不均質触媒として使用するに適する錯体組成
物。 2 イオン交換樹脂が、強酸性、弱酸性または混
合酸性−塩基性型のものであり、結合化合物が炭
素原子数1−約100のものであり、結合化合物の
イオン結合部分が、モノヒドロカルビルアンモニ
ウム、ジヒドロカルビルアンモニウム、トリヒド
ロカルビルアンモニウム、第四級アンモニウム、
ピリジニウム、ホスホニウム、アルソニウムおよ
びスルホニウムイオンからなる群から選択され、
配位結合部分が3価の窒素、3価の燐、3価の砒
素、3価のビスマスおよび3価のアンチモンから
なる群から選択されるヘテロ原子を含む、特許請
求の範囲第1項記載の組成物。 3 イオン交換樹脂の官能基がスルホン酸、弗素
化アルキル硫酸、ホスホン酸、カルボン酸または
イミノカルボン酸から誘導される、特許請求の範
囲第2項記載の組成物。 4 イオン交換樹脂がポリスチレン、ジビニルベ
ンゼンと架橋結合したポリスチレン、フエノール
−ホルムアルデヒド縮合物、ベンゼン−ホルムア
ルデヒド縮合物、ポリアクリル酸またはポリメタ
クリル酸の主鎖を有する、特許請求の範囲第3項
記載の組成物。 5 イオン交換樹脂が塩基性型樹脂であり、結合
化合物が炭素原子数1−約100のものであり、結
合化合物のイオン結合部分が、カルボン酸、燐
酸、ホスフイン酸、スルフエン酸、スルフイン
酸、スルホン酸、ボロニツクアシツドおよびボロ
ナスアシツドからなる群から誘導され、配位結合
部分が3価の窒素、3価の燐、3価の砒素、3価
のビスマスおよび3価のアンチモンからなる群か
ら選択されるヘテロ原子を含む、特許請求の範囲
第1項記載の組成物。 6 イオン交換樹脂の官能基が第一、第二、第
三、第四アミンおよびピリジニウムからなる群か
ら選択される、特許請求の範囲第5項記載の組成
物。 7 イオン交換樹脂がポリスチレン、ジビニルベ
ンゼンと架橋結合したポリスチレン、フエノール
−ホルムアルデヒド縮合物、ベンゼン−ホルムア
ルデヒド縮合物、エポキシポリアミンおよびフエ
ノール性ポリアミンの主鎖を有する、特許請求の
範囲第6項記載の組成物。 8 遷移金属が第B、B、またはB族の
ものである、特許請求の範囲第1−7項のいずれ
かに記載の組成物。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/861,916 US4179403A (en) | 1977-12-19 | 1977-12-19 | Resin-ligand-metal complex compositions |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5487692A JPS5487692A (en) | 1979-07-12 |
| JPS6315018B2 true JPS6315018B2 (ja) | 1988-04-02 |
Family
ID=25337096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14734178A Granted JPS5487692A (en) | 1977-12-19 | 1978-11-30 | Resinnligand transition metalcomplex composition and its use as catalyst |
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| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0002557B1 (ja) |
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