JPS6315348B2 - - Google Patents
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- JPS6315348B2 JPS6315348B2 JP55032517A JP3251780A JPS6315348B2 JP S6315348 B2 JPS6315348 B2 JP S6315348B2 JP 55032517 A JP55032517 A JP 55032517A JP 3251780 A JP3251780 A JP 3251780A JP S6315348 B2 JPS6315348 B2 JP S6315348B2
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- Japan
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- electric field
- gas
- forming
- deposition chamber
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/517—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using a combination of discharges covered by two or more of groups C23C16/503 - C23C16/515
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、グロー放電を利用して、例えば光導
電膜、半導体膜、無機絶縁膜或いは有機樹脂を形
成するに有効な膜形成法に関する。
電膜、半導体膜、無機絶縁膜或いは有機樹脂を形
成するに有効な膜形成法に関する。
膜形成用のガスを減圧にし得る堆積室内に導入
しグロー放電によるプラズマ現象を利用して所定
の支持体上に所望の特性を有する膜を形成しよう
とする場合、殊に、大面積の膜の場合には、全面
積に亘つてその膜厚並びに、電気的、光学的或い
は光電的等の物理特性の均一化及び品質の均一化
を計り乍ら、その膜形成速度を増大させることに
は、通常の真空蒸着法に較べて非常に困難が附纒
う。
しグロー放電によるプラズマ現象を利用して所定
の支持体上に所望の特性を有する膜を形成しよう
とする場合、殊に、大面積の膜の場合には、全面
積に亘つてその膜厚並びに、電気的、光学的或い
は光電的等の物理特性の均一化及び品質の均一化
を計り乍ら、その膜形成速度を増大させることに
は、通常の真空蒸着法に較べて非常に困難が附纒
う。
例えば、SiH4ガスを放電エネルギーを使つて
分解し支持体上にアモルフアス水素化シリコン
（以後、ａ―Si：Ｈと記す）膜を形成して、この
膜の電気物性を利用し様とする場合、この膜の電
気特性が膜形成時の放電強度に大きく依存する
為、膜の全領域における電気物性の均一性を得る
には、膜形成の全領域において放電強度の均一化
を計る必要があり、この放電強度の均一化を計る
と共に、膜形成速度を向上させなければ再現性及
び生産性、量産性の点において充分満足され得る
ものではなく工業化を計ることは出来ない。
分解し支持体上にアモルフアス水素化シリコン
（以後、ａ―Si：Ｈと記す）膜を形成して、この
膜の電気物性を利用し様とする場合、この膜の電
気特性が膜形成時の放電強度に大きく依存する
為、膜の全領域における電気物性の均一性を得る
には、膜形成の全領域において放電強度の均一化
を計る必要があり、この放電強度の均一化を計る
と共に、膜形成速度を向上させなければ再現性及
び生産性、量産性の点において充分満足され得る
ものではなく工業化を計ることは出来ない。
ところでこの放電強度の均一性は、電界強度、
ガス流量、ガス圧、ガスの導入位置と排出位置の
配置、放電電極の形状や配置等の要素に主に依存
し、従来より提案されている膜形成法では、上記
の諸要素を一義的に決定して、膜形成条件が最適
となる様な均一な放電強度を得ることは出来ず、
ある程度の条件緩和の下で膜形成を行なつている
のが現状である。
ガス流量、ガス圧、ガスの導入位置と排出位置の
配置、放電電極の形状や配置等の要素に主に依存
し、従来より提案されている膜形成法では、上記
の諸要素を一義的に決定して、膜形成条件が最適
となる様な均一な放電強度を得ることは出来ず、
ある程度の条件緩和の下で膜形成を行なつている
のが現状である。
殊に、電界強度は、形成される堆積膜の特性の
均一化に大いに影響を与えるものであるが、この
電界強度は、膜作成条件の他の要素に左右される
ことが大であつて、電界強度の不均一性、その強
度の経時的変化及び強度の大きさは、形成される
膜の特性に大きな影響を与える要因になつてい
る。例えば、従来より行なわれている放電用の電
界としては、直流電界又は高周波電界が利用され
ており、膜形成速度を上げる為に電界強度を高め
ることが試みられているが、直流電界法の場合に
は、高周波電界法に基づく実効的電界は強いが、
膜形成時のガス圧に強く依存し、低圧になるに従
つて、放電の低下、強いては放電停止を果たす。
又、逆に、ガス圧が高圧になるに従つて、放電を
形成する空間領域の中央寄りになるに従つて、電
界強度が急激に弱まり、低圧の場合と同様の現象
を引起して不都合である。
均一化に大いに影響を与えるものであるが、この
電界強度は、膜作成条件の他の要素に左右される
ことが大であつて、電界強度の不均一性、その強
度の経時的変化及び強度の大きさは、形成される
膜の特性に大きな影響を与える要因になつてい
る。例えば、従来より行なわれている放電用の電
界としては、直流電界又は高周波電界が利用され
ており、膜形成速度を上げる為に電界強度を高め
ることが試みられているが、直流電界法の場合に
は、高周波電界法に基づく実効的電界は強いが、
膜形成時のガス圧に強く依存し、低圧になるに従
つて、放電の低下、強いては放電停止を果たす。
又、逆に、ガス圧が高圧になるに従つて、放電を
形成する空間領域の中央寄りになるに従つて、電
界強度が急激に弱まり、低圧の場合と同様の現象
を引起して不都合である。
この様に、直流電界法においては、グロー放電
可能なガス圧の許容範囲が極めて狭く、又、ガス
圧の変動に大きく影響を受ける為に、均一特性の
膜を高速で作成するには不向きの面が多々存する
ものである。
可能なガス圧の許容範囲が極めて狭く、又、ガス
圧の変動に大きく影響を受ける為に、均一特性の
膜を高速で作成するには不向きの面が多々存する
ものである。
他方、高周波電界法の場合は、その放電は直流
電界法に比してガス圧の変動に対して安定性があ
り、この点においては、利点を有するが、直流電
界法に較べて実効電界強度が低く、従つて、膜形
成速度をそれ程高めることは出来ないという欠点
を有する。例えば、本発明者等の実験によれば、
精々７Å／sec程度である。従つて、例えばａ―
Si：Ｈ膜等の極めて膜成長速度の小さい膜を作成
する場合には、膜作成に長時間を要し、生産性、
量産性には不向きである。
電界法に比してガス圧の変動に対して安定性があ
り、この点においては、利点を有するが、直流電
界法に較べて実効電界強度が低く、従つて、膜形
成速度をそれ程高めることは出来ないという欠点
を有する。例えば、本発明者等の実験によれば、
精々７Å／sec程度である。従つて、例えばａ―
Si：Ｈ膜等の極めて膜成長速度の小さい膜を作成
する場合には、膜作成に長時間を要し、生産性、
量産性には不向きである。
本発明は上記の諸点に鑑み成されたものであつ
て、大面積に亘つて均一特性の膜を高効率で製造
し得る膜形成法を提案することを目的とする。
て、大面積に亘つて均一特性の膜を高効率で製造
し得る膜形成法を提案することを目的とする。
本発明の膜形成法は、減圧にし得る堆積室内に
堆積膜形成用のガスを導入してグロー放電を生起
させて前記ガスのプラズマ雰囲気を形成して、前
記堆積室内に予め設置されてある膜形成用の支持
体上に堆積膜を形成する膜形成法において、前記
プラズマ雰囲気の形成を直流電場と交番電場の共
存下において行なう事を特徴とするものである。
この様な特徴を有する本発明の膜形成法によれば
従来法に較べて著しく高効率・高速度で物理的特
性、光学的特性及び光電的特性に優れ、然も形成
される膜の全領域においてそれ等の特性及び膜厚
が均一で且つ大面積のものが容易に形成し得るも
のである。殊に、本発明の膜形成法は、電気的及
び光電的に優れたａ―Si：Ｈ膜が容易に再現性良
く高速度で形成し得るもので例えば、従来のグロ
ー放電法に較べ、少なくとも５〜10倍の膜形成速
度で光電的・電気的特性に優れたものが得られる
ものである。
堆積膜形成用のガスを導入してグロー放電を生起
させて前記ガスのプラズマ雰囲気を形成して、前
記堆積室内に予め設置されてある膜形成用の支持
体上に堆積膜を形成する膜形成法において、前記
プラズマ雰囲気の形成を直流電場と交番電場の共
存下において行なう事を特徴とするものである。
この様な特徴を有する本発明の膜形成法によれば
従来法に較べて著しく高効率・高速度で物理的特
性、光学的特性及び光電的特性に優れ、然も形成
される膜の全領域においてそれ等の特性及び膜厚
が均一で且つ大面積のものが容易に形成し得るも
のである。殊に、本発明の膜形成法は、電気的及
び光電的に優れたａ―Si：Ｈ膜が容易に再現性良
く高速度で形成し得るもので例えば、従来のグロ
ー放電法に較べ、少なくとも５〜10倍の膜形成速
度で光電的・電気的特性に優れたものが得られる
ものである。
本発明において交番電界としては好ましく採用
されるのは、交流電界であつて、電界の形成には
インダクテイブ法及びキヤパシテイブ法のいずれ
も採用し得る。
されるのは、交流電界であつて、電界の形成には
インダクテイブ法及びキヤパシテイブ法のいずれ
も採用し得る。
この様な交番電界の形成に要する電気エネルギ
ーとしては、インダクテイブ法の場合には、通常
は50W〜2KW、好適には100W〜1KWとされ、
キヤパシテイブ法の場合には、通常は、5W〜
500W、好適には10W〜100Wとされるのが望まし
いものである。
ーとしては、インダクテイブ法の場合には、通常
は50W〜2KW、好適には100W〜1KWとされ、
キヤパシテイブ法の場合には、通常は、5W〜
500W、好適には10W〜100Wとされるのが望まし
いものである。
周波数としては、高い方が、本発明の目的を一
層効果的に達成され得るものであるが実用性の点
より、通常採用されているRF（radio frequency）
領域の周波数が好適に採用され、例えば13.56Mz
は好都合である。
層効果的に達成され得るものであるが実用性の点
より、通常採用されているRF（radio frequency）
領域の周波数が好適に採用され、例えば13.56Mz
は好都合である。
直流電界の形成に要する電気エネルギーとして
は、直流電界の形成に要する電極の電極間電位差
の絶対値が、通常0.1V〜1KV、好適には1V〜
500Vとされるのが望ましい。
は、直流電界の形成に要する電極の電極間電位差
の絶対値が、通常0.1V〜1KV、好適には1V〜
500Vとされるのが望ましい。
本発明においては、堆積膜形成用の支持体は、
プラズマ雰囲気の形成されている空間領域の内或
いは何れの空間領域に設置されても良いものであ
るが、形成する堆積膜の種類によつて、より一層
高効率で膜形成が成され、且つ特性が均一で優れ
ている膜の得られる設置は決定される。
プラズマ雰囲気の形成されている空間領域の内或
いは何れの空間領域に設置されても良いものであ
るが、形成する堆積膜の種類によつて、より一層
高効率で膜形成が成され、且つ特性が均一で優れ
ている膜の得られる設置は決定される。
通常の場合、この支持体の設置位置は直流電界
を形成する電極の何れか一方の側とされ、好まし
くは、一方の電極に接触する位置、又はその近傍
の位置が選択される。
を形成する電極の何れか一方の側とされ、好まし
くは、一方の電極に接触する位置、又はその近傍
の位置が選択される。
例えばａ―Si：Ｈ膜を形成するのであれば、直
流電界形成用の電極の陰極側に設置される方が総
合的な観点より好ましいものである。
流電界形成用の電極の陰極側に設置される方が総
合的な観点より好ましいものである。
以下、本発明を図面に従つて具体的に説明す
る。
る。
第１図は、本発明の膜形成法を具現化する堆積
装置の好適な例の１つを示す模式的説明図であ
る。第１図に示される堆積装置１００は、堆積室
１０１の内部にプラズマを形成する為電界も形成
する為の電極１０７―１，１０７―２、RFコイ
ル１１０、及び電極１０７―１側に堆積膜形成用
の支持体１０９が各々設けてある。
装置の好適な例の１つを示す模式的説明図であ
る。第１図に示される堆積装置１００は、堆積室
１０１の内部にプラズマを形成する為電界も形成
する為の電極１０７―１，１０７―２、RFコイ
ル１１０、及び電極１０７―１側に堆積膜形成用
の支持体１０９が各々設けてある。
堆積室１０１には、該室１０１内を排気する為
の排気用パイプ１１２、堆積膜形成用のガスを導
入する為のガス導入パイプ１０６が接続されてい
る。電極１０７―１，１０７―２には、リード線
１１３―１，１１３―２を通じて外部にある直流
電源１０８より電圧が印加され、又、RFコイル
１１０にはリード線１１４を通じて外部のRF電
源１１１より所定の電力が投入される。第１図に
示す装置１００によつて膜形成するには、先ず、
ガス流量調節バルブ１０４を閉じ、メインバルブ
１０３を全開して排気装置１０２によつて、堆積
室１０１内を排気して、所定の真空度にする。堆
積室１０１内が所望の真空度になつた時点で、必
要に応じて、支持体１０９を、適当な手段、例え
ばヒータ、赤外線ランプ等で所定の温度まで加熱
する。堆積室１０１内が、膜形成の為の準備が成
された時点において、３つのバルブ１１５―１，
１１５―２，１１５―３の中の所望のバルブを全
開しガス流量調節バルブ１０４を徐々に開いて、
所望のガスボンベ１０５より所望のガスを堆積室
１０１内に導入する。
の排気用パイプ１１２、堆積膜形成用のガスを導
入する為のガス導入パイプ１０６が接続されてい
る。電極１０７―１，１０７―２には、リード線
１１３―１，１１３―２を通じて外部にある直流
電源１０８より電圧が印加され、又、RFコイル
１１０にはリード線１１４を通じて外部のRF電
源１１１より所定の電力が投入される。第１図に
示す装置１００によつて膜形成するには、先ず、
ガス流量調節バルブ１０４を閉じ、メインバルブ
１０３を全開して排気装置１０２によつて、堆積
室１０１内を排気して、所定の真空度にする。堆
積室１０１内が所望の真空度になつた時点で、必
要に応じて、支持体１０９を、適当な手段、例え
ばヒータ、赤外線ランプ等で所定の温度まで加熱
する。堆積室１０１内が、膜形成の為の準備が成
された時点において、３つのバルブ１１５―１，
１１５―２，１１５―３の中の所望のバルブを全
開しガス流量調節バルブ１０４を徐々に開いて、
所望のガスボンベ１０５より所望のガスを堆積室
１０１内に導入する。
ガスの導入によつて、堆積室１０１内が所望の
真空度になつた時点で、電極１０７―１，１０７
―２間に所定の電位差が形成される様に、電極１
０７に直流電源１０２より電圧を印加すると共
に、RF電源１１１よりRFコイル１１０に交番電
力を投入して、電極１０７―１，１０７―２内に
グロー放電を生起させて、堆積膜形成用のガスの
プラズマ雰囲気を形成する。プラズマ雰囲気の維
持は、好ましくは、膜形成終了まで連続的に持続
するのが均一特性の膜を形成するのに良いもので
ある。
真空度になつた時点で、電極１０７―１，１０７
―２間に所定の電位差が形成される様に、電極１
０７に直流電源１０２より電圧を印加すると共
に、RF電源１１１よりRFコイル１１０に交番電
力を投入して、電極１０７―１，１０７―２内に
グロー放電を生起させて、堆積膜形成用のガスの
プラズマ雰囲気を形成する。プラズマ雰囲気の維
持は、好ましくは、膜形成終了まで連続的に持続
するのが均一特性の膜を形成するのに良いもので
ある。
電極１０７―１，１０７―２間の距離は、形成
する膜の種類、大きさ、堆積装置１００の大きさ
等によつて任意に設定されるものであるが、例え
ば、ａ―Si：Ｈ膜を70cm角の平面積に形成するの
であれば３〜５cmの間に設定される。
する膜の種類、大きさ、堆積装置１００の大きさ
等によつて任意に設定されるものであるが、例え
ば、ａ―Si：Ｈ膜を70cm角の平面積に形成するの
であれば３〜５cmの間に設定される。
次に、第１図に示されるのと同様の装置によつ
て、ａ―Si：Ｈ膜を形成した例を示す。
て、ａ―Si：Ｈ膜を形成した例を示す。
前述の様にして、堆積室１０１内の膜形成の準
備を計つた後、バルブ１１５―１，１１５―２を
混合比が９：１に成る様に開き、ガス流量調節バ
ルブ１０４を徐々に開いて、50SCCMの流量で
H2とSiH4の混合ガスを堆積室１０１に導入した。
この時、メインバルブ１０３の開閉量を調節して
堆積室１０１内の真空度が１〜10Torrの範囲に
なる様にした。
備を計つた後、バルブ１１５―１，１１５―２を
混合比が９：１に成る様に開き、ガス流量調節バ
ルブ１０４を徐々に開いて、50SCCMの流量で
H2とSiH4の混合ガスを堆積室１０１に導入した。
この時、メインバルブ１０３の開閉量を調節して
堆積室１０１内の真空度が１〜10Torrの範囲に
なる様にした。
この時の装置各部の寸法、被処理材の寸法及び
材質は以下のようであつた。
材質は以下のようであつた。
電極の寸法 120×120mm
電極間距離 50mm
被処理材の寸法 100×100mm
被処理材の材質 コーニング7059ガラス
この状態で電源１０８をON状態にして電極１
０７―１，１０７―２間に電位差50Vを形成し
た。又、RF電源１１１をON状態にしてRFコイ
ル１１０に13.56Mzで10Wの電力の投入を継続し
た。この場合、電極１０７―１，１０７―２間に
グロー放電が生起されてプラズマ雰囲気が形成さ
れ、支持体１０９上にａ―Si：Ｈ膜が形成され
た。
０７―１，１０７―２間に電位差50Vを形成し
た。又、RF電源１１１をON状態にしてRFコイ
ル１１０に13.56Mzで10Wの電力の投入を継続し
た。この場合、電極１０７―１，１０７―２間に
グロー放電が生起されてプラズマ雰囲気が形成さ
れ、支持体１０９上にａ―Si：Ｈ膜が形成され
た。
この時、膜厚が10μ迄は、略々30Å／secの堆積
速度で膜形成が成され、更に膜厚が50μになつて
も堆積速度は約20Å／secであり、極めて、高効
率・高速度でａ―Si：Ｈ膜が形成されることが判
かつた。
速度で膜形成が成され、更に膜厚が50μになつて
も堆積速度は約20Å／secであり、極めて、高効
率・高速度でａ―Si：Ｈ膜が形成されることが判
かつた。
又、得られたａ―Si：Ｈ膜は、全面積にわたり
その膜厚分布が５％以内である極めて均一な膜厚
を有していた。
その膜厚分布が５％以内である極めて均一な膜厚
を有していた。
さらに、その暗抵抗値は10-12Ωcm前後の値を
示し、室内光により数桁の抵抗値変化を示すな
ど、均一で良好な光導電体としての優れた特性を
有するものであつた。
示し、室内光により数桁の抵抗値変化を示すな
ど、均一で良好な光導電体としての優れた特性を
有するものであつた。
第２図は、電子写真感光体用の基体の様に円筒
状の膜形成用の支持体の上に膜形成する為の電極
の配置を示した模式的一部破断斜視図である。膜
形成用の円筒状支持体２０１は、直流電界形成用
の一方の電極も兼ねて、RFコイル２０２の内側
に、配置される。電極兼用支持体２０１と対向す
る直流電界形成用の他方の電極２０３は、RFコ
イル２０２の外側に図に示す様に配置される。
状の膜形成用の支持体の上に膜形成する為の電極
の配置を示した模式的一部破断斜視図である。膜
形成用の円筒状支持体２０１は、直流電界形成用
の一方の電極も兼ねて、RFコイル２０２の内側
に、配置される。電極兼用支持体２０１と対向す
る直流電界形成用の他方の電極２０３は、RFコ
イル２０２の外側に図に示す様に配置される。
堆積膜形成用のガスの堆積室内への導入は、第
２図の装置の場合、RFコイル２０２中を通つて、
RFコイル２０２に設けられた微細な孔である多
数のガス放出口２０４より成される。
２図の装置の場合、RFコイル２０２中を通つて、
RFコイル２０２に設けられた微細な孔である多
数のガス放出口２０４より成される。
RFコイル２０２は、不図示のRF電源に結像さ
れ、又電極２０３、支持体２０１は、直流電界形
成用の電源（不図示）に各々電気的に接続されて
いる。この第２図の例の場合には、直流電界形成
用の一方の電極として膜形成用の支持体で兼用す
る為、電極の汚染、部品設置の為の空間的節約が
出来ると共に、RFコイル２０２を通じて膜形成
用のガスを堆積室内に導入するので、ガス分布の
一層の均一化を計ることが出来、極めて経済的且
つ量産的である。
れ、又電極２０３、支持体２０１は、直流電界形
成用の電源（不図示）に各々電気的に接続されて
いる。この第２図の例の場合には、直流電界形成
用の一方の電極として膜形成用の支持体で兼用す
る為、電極の汚染、部品設置の為の空間的節約が
出来ると共に、RFコイル２０２を通じて膜形成
用のガスを堆積室内に導入するので、ガス分布の
一層の均一化を計ることが出来、極めて経済的且
つ量産的である。
第１図は、本発明の膜形成法を具現化する堆積
装置の好適な例の１つを示す模式的説明図、第２
図は、他の例の１つを示す模式的一部破断斜視図
である。 １００…堆積装置、１０１…堆積室、１０２…
排気装置、１０３…メインバルブ、１０４…ガス
流量調節バルブ、１０５…ガスボンベ、１０６…
ガス導入パイプ、１０７…電極、１０８…直流電
源、１０９…支持体、１１０…RFコイル、１１
１…RF電源、１１２…排気パイプ、１１３，１
１４…リード線、１１５…バルブ、２０１…円筒
状支持体、２０２…RFコイル、２０３…電極、
２０４…ガス放出口。
装置の好適な例の１つを示す模式的説明図、第２
図は、他の例の１つを示す模式的一部破断斜視図
である。 １００…堆積装置、１０１…堆積室、１０２…
排気装置、１０３…メインバルブ、１０４…ガス
流量調節バルブ、１０５…ガスボンベ、１０６…
ガス導入パイプ、１０７…電極、１０８…直流電
源、１０９…支持体、１１０…RFコイル、１１
１…RF電源、１１２…排気パイプ、１１３，１
１４…リード線、１１５…バルブ、２０１…円筒
状支持体、２０２…RFコイル、２０３…電極、
２０４…ガス放出口。
Claims (1)
- １ 減圧にし得る堆積室内に堆積膜形成用のガス
を導入してグロー放電を生起させて前記ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成して、前記堆積室内に予め設
置されてある膜形成用の支持体上に堆積膜を形成
する膜形成法において、前記プラズマ雰囲気の形
成を直流電場と交番電場の共存下において行なう
事を特徴とする膜形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3251780A JPS56130465A (en) | 1980-03-14 | 1980-03-14 | Film forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3251780A JPS56130465A (en) | 1980-03-14 | 1980-03-14 | Film forming method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56130465A JPS56130465A (en) | 1981-10-13 |
| JPS6315348B2 true JPS6315348B2 (ja) | 1988-04-04 |
Family
ID=12361153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3251780A Granted JPS56130465A (en) | 1980-03-14 | 1980-03-14 | Film forming method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56130465A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS571231A (en) * | 1980-06-04 | 1982-01-06 | Res Dev Corp Of Japan | Plasma chemical vapour deposition cvd device |
| JPS58118111A (ja) * | 1982-01-07 | 1983-07-14 | Ulvac Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS5997514A (ja) * | 1982-11-22 | 1984-06-05 | Agency Of Ind Science & Technol | 太陽電池の製造法 |
| JPS6167923A (ja) * | 1984-09-12 | 1986-04-08 | Fujitsu Ltd | プラズマ化学気相成長方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5368171A (en) * | 1976-11-30 | 1978-06-17 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for plasma treatment |
| JPS6035059B2 (ja) * | 1977-12-22 | 1985-08-12 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体およびその製造方法 |
| JPS5521515A (en) * | 1978-07-31 | 1980-02-15 | Oyo Kagaku Kenkyusho | Surface treatment |
-
1980
- 1980-03-14 JP JP3251780A patent/JPS56130465A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56130465A (en) | 1981-10-13 |
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