JPS6317190B2 - - Google Patents
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- JPS6317190B2 JPS6317190B2 JP55010299A JP1029980A JPS6317190B2 JP S6317190 B2 JPS6317190 B2 JP S6317190B2 JP 55010299 A JP55010299 A JP 55010299A JP 1029980 A JP1029980 A JP 1029980A JP S6317190 B2 JPS6317190 B2 JP S6317190B2
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- test
- circuit
- power supply
- defective
- semiconductor integrated
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/316—Testing of analog circuits
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、試料の2個もしくはそれ以上の同時
並列測定(以下マルチ測定という)において、フ
アースト・フエイル・ストツプ機能が可能となる
半導体集積回路試験評価装置(以下ICテスタと
いう)に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention provides a semiconductor integrated circuit test and evaluation device (hereinafter referred to as IC tester) that enables a first-fail-stop function in simultaneous parallel measurement of two or more samples (hereinafter referred to as multi-measurement). ).
一般に半導体集積回路(以下ICという)の評
価試験においては、直流特性試験(以下DCテス
トという)、機能試験及び交流特性試験(以下AC
テストという)等が、ありこれらの各試験項目に
おいて、前記ICテスタの電源回路や駆動回路を
保護するためあるいは試験時間の短縮化を図るた
めに、不良が発生した以後の試験は行わず、フア
ースト・フエイル・ストツプとする方法が用いら
れる。 In general, evaluation tests for semiconductor integrated circuits (hereinafter referred to as IC) include direct current characteristics tests (hereinafter referred to as DC tests), functional tests, and alternating current characteristics tests (hereinafter referred to as AC
In each of these test items, in order to protect the power supply circuit and drive circuit of the IC tester, or to shorten the test time, tests are not performed after a failure occurs, and tests are performed first. - A fail-stop method is used.
このフアースト・フエイル・ストツプは、前記
試験項目の機能試験においては、パターン走行中
不良が検出された時点で以後のパターン走行を中
断し、次の試験項目へと進む(以下NGPモード
という)ものと、各試験単位において(本機能試
験では全パターン走行終了までを試験単位とい
う)不良が検出された時点で被試験体の評価試験
を終了とする(以下NGSモードという)2つの
モードにより構成され、DCテストあるいはACテ
スト等においては、NGSモードのみでフアース
ト・フエイル・ストツプとしている。 This first fail stop means that in the functional test for the above test item, when a defect is detected during pattern running, the subsequent pattern running is interrupted and the process proceeds to the next test item (hereinafter referred to as NGP mode). , consists of two modes (hereinafter referred to as NGS mode) in which the evaluation test of the test object ends when a defect is detected in each test unit (in this functional test, the test unit is the period until the end of all pattern running), For DC tests, AC tests, etc., only NGS mode is used as first fail stop.
前記フアースト・フエイル・ストツプは被試験
体が1個の場合(以下シングル測定という)は、
一般的に良く使用されている。 The above-mentioned first fail stop is performed when there is only one test object (hereinafter referred to as single measurement).
Commonly used.
一般的にシングル測定やマルチ測定が可能な
ICテスタは、被試験体の入力端子が、被試験体
内部で電源に接続されているもの、あるいはグラ
ンドに接続されているもの等の不良の被試験体を
無差別に試験しなくてはならないためにその保護
が十分でなくてはならない。 Single measurement or multiple measurements are generally possible.
The IC tester must indiscriminately test defective test objects, such as those whose input terminals are connected to the power supply inside the test object or connected to the ground. Therefore, the protection must be sufficient.
前記シングル測定においてはフアースト・フエ
イル・ストツプ機能によりその保護がなされてい
るが、前記マルチ測定が可能なICテスタは2個
以上の特性状態の異なる被試験体を同時に測定す
るため、被試験体が不良である側の電源回路や、
駆動回路に対して保護が十分でなくてはならな
い。 The single measurement described above is protected by the first-fail-stop function, but the IC tester capable of multi-measurement measures two or more devices under test with different characteristic states at the same time. The power supply circuit on the side that is defective,
There must be sufficient protection for the drive circuit.
しかし、従来のICテスタのマルチ測定におい
ては、例えば2個のマルチ測定においてフアース
ト・フエイル・ストツプ機能がないために、測定
中の2個の被試験体に対してどちらか一方あるい
は両方の被試験体の不良が検出されたとしても、
全項目試験終了まで電源および駆動パルスが印加
されるために、不良である被試験体によつては、
過電流が流れたりあるいは過電圧状態になり、そ
のためICテスタの構成部品、特に電源回路及び
駆動回路の部品の劣化を早め故障の原因となつて
た。 However, in multi-measurement using conventional IC testers, for example, there is no fast-fail-stop function in multi-measurement of two devices. Even if a physical defect is detected,
Because power and drive pulses are applied until all tests are completed, some test objects may be defective.
Overcurrent or overvoltage conditions occur, which accelerates the deterioration of IC tester components, especially those in the power supply circuit and drive circuit, leading to failures.
更に、ICテスタ以外の構成部品、特にウエハ
ー測定において、過電流等によりプローブ・カー
ド上の針が酸化し、接触不良をひきおこし、ひい
ては良品の試料を不良品にする原因となつてい
た。 Furthermore, when measuring component parts other than IC testers, especially wafers, the needles on the probe card oxidize due to overcurrent, etc., causing poor contact and, in turn, turning good samples into defective ones.
第1図は、従来の半導体集積回路評価試験装置
の1例の回路図である。 FIG. 1 is a circuit diagram of an example of a conventional semiconductor integrated circuit evaluation test device.
この試験装置は被試験体2個を同時並列に測定
することのできるマルチ測定可能な装置である。
被試験体13に対しては、電源回路1により電圧
が全項目試験終了まで印加される。 This test device is a multi-measurement device that can simultaneously measure two test objects in parallel.
Voltage is applied to the test object 13 by the power supply circuit 1 until all tests are completed.
まづ、試験項目が機能試験の場合はリレー11
を閉じリレー12を開くことにより、機能試験ル
ープが構成され、パターン・メモリ4とI/Oメ
モリ5の情報により駆動制御回路7で論理“1”
か“0”を判断し、更に入力状態(Iモード)か
出力状態(Oモード)かを判断することにより、
駆動回路8から入力データ・レベル電源3で、指
定された電圧を被試験体13へ供給することによ
り前記試料13の出力は比較回路10へ入力さ
れ、出力データ・レベル電源2と比較され、比較
制御回路9へ入力される。 First, if the test item is a functional test, relay 11
By closing the relay 12 and opening the relay 12, a functional test loop is configured, and the drive control circuit 7 outputs logic “1” based on the information in the pattern memory 4 and I/O memory 5.
or "0", and further determines whether it is an input state (I mode) or an output state (O mode).
By supplying a specified voltage from the drive circuit 8 to the test object 13 using the input data level power supply 3, the output of the sample 13 is input to the comparator circuit 10, where it is compared with the output data level power supply 2, and the comparison is performed. The signal is input to the control circuit 9.
比較制御回路9ではパターン・メモリ4の期待
パターンとマスク・メモリ6からの出力の判定
(Care)/非判定(Don′t Care)情報により良、
不良の判定を行い、その結果をテスト・エンド制
御回路14へ伝達し、たとえ不良があつたとして
も、パターン・エンドを検出するまで全パターン
を測定し、次の試験項目へと進む。 The comparison control circuit 9 uses the expected pattern in the pattern memory 4 and the judgment (Care)/non-judgment (Don't Care) information of the output from the mask memory 6 to
A defect is determined and the result is transmitted to the test end control circuit 14. Even if a defect occurs, all patterns are measured until the pattern end is detected and the process proceeds to the next test item.
更に、CDテストの場合も同様に、機能試験で
使用されるリレー11が開かれ、リレー12を閉
じることによりDCテスト・ループが構成され、
DC測定器15により電流印加電圧測定(以下
IFMという)、電圧印加電流測定(以下VFMと
いう)や電圧測定(以下VMという)が行われ、
たとえ不良が発生しても全項目試験終了まで、測
定が経続される。従つて、不良の被試験体側の電
源回路1や駆動回路8の互いの短絡やグランドと
の短絡等に対しなんら保護されていない欠点があ
つた。 Furthermore, in the case of the CD test, the relay 11 used in the functional test is opened and the DC test loop is configured by closing the relay 12.
Current applied voltage measurement (hereinafter referred to as DC measuring device 15)
voltage applied current measurement (hereinafter referred to as VFM) and voltage measurement (hereinafter referred to as VM).
Even if a defect occurs, measurement will continue until all item tests are completed. Therefore, there was a drawback that the power supply circuit 1 and drive circuit 8 on the side of the defective test object were not protected against short circuits with each other or with the ground.
また、不良の被試験体の状態によつては過電流
が流れたり、過電圧状態になり、そのためICテ
スタの構成部品の劣化を早め、ICテストの故障
の原因となるなどの欠点があつた。 In addition, depending on the condition of the defective test object, an overcurrent or overvoltage state may occur, which may accelerate the deterioration of the IC tester's components and cause IC test failures.
更にまた、ウエハー測定においては上記過電流
等により、プローブ・カード上の針を酸化し、接
触不良を起すなどの欠点があつた。 Furthermore, in wafer measurement, the above-mentioned overcurrent etc. oxidizes the needles on the probe card, resulting in poor contact.
本発明は上記欠点を除き、フアースト・フエイ
ル・ストツプ機能を付加することによつて、マル
チ測定における試験装置を保護し、試験時間の短
縮をはかれる半導体集積回路試験評価装置を提供
するものである。 The present invention eliminates the above-mentioned drawbacks and provides a semiconductor integrated circuit test and evaluation device that protects the test device in multiple measurements and shortens test time by adding a first-fail stop function.
本発明は、その目的を達成するため、被試験体
の判定結果である判定信号とフアースト・フエイ
ル・ストツプ機能の指定信号とから各々独立に被
試験体のインヒビツト信号を作りだすことにより
不良の被試験体に対してのみ電源をオープンと
し、更に駆動回路を出力モードとすることによ
り、被試験体の入力ピンに対して、すべて高イン
ピーダンス状態となり、過電流および過電圧に対
する前記電源回路、駆動回路および、プローブ・
カード上の針に対して保護すると共に被試験体
が、2個共に同時あるいは時間を前後して不良と
なつた場合に全項目試験終了前に測定を止めるこ
とにより試験時間の短縮化をはかるものである。 In order to achieve the object, the present invention creates an inhibit signal for the test object independently from a judgment signal that is the judgment result of the test object and a designation signal of the first fail stop function, thereby detecting a defective test object. By opening the power supply only to the device under test and setting the drive circuit to output mode, all input pins of the device under test are in a high impedance state, and the power supply circuit, drive circuit, and probe·
This protects against the needle on the card and shortens the test time by stopping measurement before the end of all tests if two test objects become defective at the same time or around the same time. It is.
本発明は、2個以上の被試験体を同時並列測定
する半導体集積回路試験評価装置において、前記
被試験体の出力波形と基準電源及びパターン発生
器による期待波形とを比較判定する機能試験手段
と、該機能試験による判定信号を直流特性試験及
び交流特性試験において各々独立に2系統以上の
判定信号に分割する手段と、分割された判定信号
によつて、不良と判定された被試験体に対しての
み、前記試験評価装置の電源回路及び駆動回路の
出力状態を高インピーダンスにする手段と、他の
被試験体は試験を続行できる手段とを具備するこ
とを特徴とする。 The present invention provides a semiconductor integrated circuit test and evaluation apparatus for simultaneously measuring two or more test objects in parallel, and a function test means for comparing and determining the output waveform of the test object and the expected waveform from a reference power source and a pattern generator. , means for dividing the judgment signal from the functional test into two or more systems of judgment signals independently in the DC characteristic test and the AC characteristic test, and for the test object judged to be defective by the divided judgment signals. The present invention is characterized in that the present invention is characterized in that the present invention is characterized by comprising means for setting the output state of the power supply circuit and drive circuit of the test evaluation apparatus to a high impedance, and means for allowing other test objects to continue testing.
本発明を実施例により説明する。 The present invention will be explained by examples.
第2図は本発明の1実施例の半導体集積回路試
験評価装置の回路図である。 FIG. 2 is a circuit diagram of a semiconductor integrated circuit test and evaluation apparatus according to an embodiment of the present invention.
1乃至15までは従来と全く同じ構成要素であ
り、16はフアースト・フエイル・ストツプ制御
回路、17は論理オア・ゲート、18はフアース
ト・フエイル・ストツプ信号である。 Components 1 to 15 are exactly the same as those of the prior art, and 16 is a first fail stop control circuit, 17 is a logic OR gate, and 18 is a first fail stop signal.
まず、フアースト・フエイル・ストツプ信号1
8によりフアースト・フエイル・ストツプ・機能
を認識すると、機能試験の判定結果である比較制
御回路9の判定信号やDCテストの判定結果であ
るDC測定器15の判定信号をフアースト・フエ
イル・ストツプ制御回路16で2系統のインヒビ
ツト信号に分割することにより、不良の被試験体
13に接続されている電源回路1を全項目試験終
了まで開放とする。駆動制御回路7の出力信号で
あるI/0信号と前記インヒビツト信号を論理オ
ア・ゲート17でオアをとることにより機能試験
中に不良が発生したら駆動回路8の入力モードを
直ちに次のパターンから全項目試験終了まで、出
力モードとすることにより不良の側の駆動回路8
を高インピーダンスとすることが可能となり、更
にDCテスト中に不良が発生しても、不良の側の
DC測定系でIFM、VFM、VM等のDCテストを
試験終了まで行わないようにする。 First, first fail stop signal 1
When the first fail stop function is recognized by 8, the judgment signal of the comparison control circuit 9 which is the judgment result of the function test and the judgment signal of the DC measuring device 15 which is the judgment result of the DC test are sent to the first fail stop control circuit. By dividing the inhibit signal into two systems at step 16, the power supply circuit 1 connected to the defective test object 13 is kept open until all item tests are completed. By ORing the I/0 signal, which is the output signal of the drive control circuit 7, and the above-mentioned inhibit signal with the logic OR gate 17, if a failure occurs during the functional test, the input mode of the drive circuit 8 is immediately changed to the next pattern. The drive circuit 8 on the defective side remains in output mode until the item test is completed.
This makes it possible to have high impedance, and even if a defect occurs during a DC test, the defective side
Do not perform DC tests such as IFM, VFM, and VM on the DC measurement system until the end of the test.
また、時間を同時あるいは前後して2個の被試
験体13が共に不良となつた場合は、フアース
ト・フエイル・制御回路16により全項目試験終
了とする。 In addition, if both test objects 13 become defective at the same time or at different times, the first fail control circuit 16 terminates the test for all items.
以上詳細に説明したように、本発明によれば、
マルチ測定を行う半導体集積回路試験評価装置に
フアースト・フエイル・ストツプ機能を付したこ
とにより、不良の被試験体側の装置の電源回路や
駆動回路を保護し、かつ試験時間を短縮できるの
でその効果は大きい。 As explained in detail above, according to the present invention,
By adding a first fail stop function to the semiconductor integrated circuit test and evaluation equipment that performs multiple measurements, it is possible to protect the power supply circuit and drive circuit of the device on the side of the defective device under test, and to shorten the test time. big.
第1図は従来の半導体集積回路試験評価装置の
1例の回路図、第2図は本発明の1実施例の半導
体集積回路試験評価装置の回路図である。
1……電源回路、2……出力データ・レベル電
源、3……入力データ・レベル電源、4……パタ
ーン・メモリ、5……I/Oメモリ、6……マス
ク・メモリ、7……駆動制御回路、8……駆動回
路、9……比較制御回路、10……比較回路、1
1……リレー、12……リレー、13……被試験
体、14……テスト・エンド制御回路、15……
DC測定器、16……フアースト・フエイル・ス
トツプ制御回路、17……論理オア・ゲート、1
8……フアースト・フエイル信号。
FIG. 1 is a circuit diagram of an example of a conventional semiconductor integrated circuit test and evaluation device, and FIG. 2 is a circuit diagram of a semiconductor integrated circuit test and evaluation device according to an embodiment of the present invention. 1...Power supply circuit, 2...Output data level power supply, 3...Input data level power supply, 4...Pattern memory, 5...I/O memory, 6...Mask memory, 7...Drive Control circuit, 8... Drive circuit, 9... Comparison control circuit, 10... Comparison circuit, 1
1... Relay, 12... Relay, 13... Test object, 14... Test end control circuit, 15...
DC measuring instrument, 16...First fail stop control circuit, 17...Logic OR gate, 1
8...First fail signal.
Claims (1)
体集積回路試験評価装置において、前記被試験体
の出力波形と基準電源及びパターン発生器により
期待波形とを比較判定する機能試験手段と、該機
能試験により判定信号を直流特性試験及び交流特
性試験において各々独立に2系統以上の判定信号
に分割する手段と、分割された判定信号によつ
て、不良と判定された被試験体に対してのみ、前
記試験評価装置の電源回路及び駆動回路の出力状
態を高インピーダンスにする手段と、他の被試験
体は試験を続行できる手段とを有することを特徴
とする半導体集積回路試験評価装置。1. In a semiconductor integrated circuit test and evaluation device that measures two or more test objects simultaneously in parallel, a functional test means for comparing and determining the output waveform of the test object and an expected waveform using a reference power supply and a pattern generator; Means for independently dividing a judgment signal into two or more systems of judgment signals in a DC characteristic test and an AC characteristic test, and only for a test object judged to be defective by the divided judgment signals. A semiconductor integrated circuit test and evaluation device comprising means for setting the output state of a power supply circuit and a drive circuit of the test and evaluation device to high impedance, and means for allowing other test objects to continue testing.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1029980A JPS56107174A (en) | 1980-01-31 | 1980-01-31 | Test evaluation device for semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1029980A JPS56107174A (en) | 1980-01-31 | 1980-01-31 | Test evaluation device for semiconductor integrated circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56107174A JPS56107174A (en) | 1981-08-25 |
| JPS6317190B2 true JPS6317190B2 (en) | 1988-04-12 |
Family
ID=11746378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1029980A Granted JPS56107174A (en) | 1980-01-31 | 1980-01-31 | Test evaluation device for semiconductor integrated circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56107174A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59228177A (en) * | 1983-06-10 | 1984-12-21 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | Test head with dc measuring function for ic tester |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5098677A (en) * | 1973-12-30 | 1975-08-05 | ||
| JPS6021356B2 (en) * | 1977-07-18 | 1985-05-27 | 九州日本電気株式会社 | Integrated circuit measurement equipment |
-
1980
- 1980-01-31 JP JP1029980A patent/JPS56107174A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56107174A (en) | 1981-08-25 |
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