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JPS6319958B2 - - Google Patents
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JPS6319958B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6319958B2
JPS6319958B2 JP57035082A JP3508282A JPS6319958B2 JP S6319958 B2 JPS6319958 B2 JP S6319958B2 JP 57035082 A JP57035082 A JP 57035082A JP 3508282 A JP3508282 A JP 3508282A JP S6319958 B2 JPS6319958 B2 JP S6319958B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
external device
bubble memory
generation circuit
read
flip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP57035082A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS58153291A (en
Inventor
Keiichi Kaneko
Katsunori Tanaka
Toshimitsu Minemura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS58153291A publication Critical patent/JPS58153291A/en
Publication of JPS6319958B2 publication Critical patent/JPS6319958B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Description

【発明の詳細な説明】 (1) 発明の技術分野 本発明は電子計算装置等の記憶装置として用い
られる磁気バブルメモリの制御方式に関するもの
である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (1) Technical Field of the Invention The present invention relates to a control method for a magnetic bubble memory used as a storage device for electronic computing devices and the like.

(2) 技術の背景 磁気バブルを利用して情報の蓄積、論理演算等
を行なう磁気バブル利用装置は不揮発性、高記憶
密度及び低消費電力であり、さらには機械的要素
を全く含まない固体素子であることから非常に高
い信頼性を有している等種々の特徴をもつている
ため大容量メモリとして将来が期待されている。
(2) Background of the technology Magnetic bubble utilization devices that use magnetic bubbles to store information, perform logical operations, etc. are nonvolatile, have high storage density, and low power consumption, and are solid-state devices that do not contain any mechanical elements. Because of its various characteristics, such as extremely high reliability, it is expected to have a promising future as a large-capacity memory.

この磁気バブルメモリの素子は例えばガトリウ
ム・ガリウム・ガーネツト単結晶基板の上に液相
エピタキシアル成長法により磁性ガーネツトの薄
膜を形成し、その上にパーマロイ薄膜によりテイ
ーバーあるいはハーフデイスク等のパターンを行
列させたバブル伝播路を形成させたものであり、
バブル発生器により発生させたバブルを伝播路に
導き、そのパターンにバブルがある場合を“1”、
ない場合を“0”として情報を記憶するようにな
つている。
This magnetic bubble memory element is made by forming a thin film of magnetic garnet by liquid phase epitaxial growth on a Gatrium/Gallium/Garnet single crystal substrate, and then forming a pattern such as a Taber or a half-disk in a matrix using a permalloy thin film. This creates a bubble propagation path.
The bubbles generated by the bubble generator are guided to the propagation path, and if there are bubbles in the pattern, it is “1”.
If there is no such information, the information is stored as "0".

従来この情報が誤りなく読み出されたかどうか
をチエツクするためパリテイチエツク方式が用い
られている。このパリテイチエツク方式とは例え
ば8ビツトインターフエイスの場合であると偶数
パリテイと奇数パリテイとがあり、パリテイビツ
トを1ビツト加え、計9ビツトの中で偶数パリテ
イならば1が偶数個あれば正常と判定し、奇数パ
リテイならば1が奇数個あれば正常と判定する方
式である。
Conventionally, a parity check method has been used to check whether this information has been read without error. For example, in the case of an 8-bit interface, this parity check method includes even number parity and odd number parity. One parity bit is added, and if the parity is even among the total 9 bits, it is considered normal if there is an even number of 1s. If the parity is odd, then if there is an odd number of 1's, it is determined to be normal.

(3) 従来技術と問題点 第1図は従来の磁気バブルメモリ制御方式を説
明するための図である。同図において1は
BUST(動作状態表示信号)発生回路、2はRDA
(データリード許可信号)発生回路、3はTDRA
(ライトデータ許可信号)発生回路、4は(コマ
ンドエンド)発生回路、5はチエツクビツト発生
回路、6は上記インターフエイスレジスタを備え
たバブルメモリコントローラ、7は外部装置、8
は外部装置内のパリテイチエツク回路をそれぞれ
示している。
(3) Prior Art and Problems FIG. 1 is a diagram for explaining a conventional magnetic bubble memory control system. In the same figure, 1 is
BUST (operating status display signal) generation circuit, 2 is RDA
(Data read permission signal) generation circuit, 3 is TDRA
(Write data permission signal) generation circuit, 4 is a (command end) generation circuit, 5 is a check bit generation circuit, 6 is a bubble memory controller equipped with the above interface register, 7 is an external device, 8
1 and 2 show parity check circuits in the external device, respectively.

このような従来のバブルメモリコントローラの
ステイタスレジスタにおいて、RDA,TDRA,
CME,BUSY等の信号は外部装置とは非同期に
発生している。
In the status register of such a conventional bubble memory controller, RDA, TDRA,
Signals such as CME and BUSY are generated asynchronously with external devices.

第2図は第1図のバブルメモリコントローラに
おけるタイムチヤートを示した図である。同図に
おいてAはリード信号、BはBUSY等の外部へ
の出力信号、Cはパリテイチエツク信号、矢印P
は検査点をそれぞれ示している。
FIG. 2 is a diagram showing a time chart in the bubble memory controller of FIG. 1. In the figure, A is a read signal, B is an external output signal such as BUSY, C is a parity check signal, and arrow P
indicates each inspection point.

第2図の如く検査点Pにおいてデータが変化し
た場合、そのデータによつて作成されるパリテイ
ビツトはデイレイによつて多少遅れて送出され
る。このため従来の制御方式ではパリテイチエツ
クエラーを起す場合があつた。
When the data changes at the inspection point P as shown in FIG. 2, the parity bit created based on the data is sent out with a slight delay due to the delay. For this reason, conventional control systems sometimes cause parity check errors.

(4) 発明の目的 本発明は上記従来の欠点に鑑み、パリテイチエ
ツクの誤動作を防止した磁気バブルメモリ制御方
式を提供することを目的とするものである。
(4) Object of the Invention In view of the above-mentioned conventional drawbacks, it is an object of the present invention to provide a magnetic bubble memory control system that prevents parity check malfunctions.

(5) 発明の構成 そしてこの目的は本発明によれば、外部装置と
のインターフエイスレジスタを備えた磁気バブル
メモリ制御装置において、前記インターフエイス
レジスタの出力側に外部装置のリード信号によつ
て作動するフリツプフロツプ回路を挿入し、該イ
ンターフエイスレジスタのリードデータを外部装
置に同期して、且つリード中にデータが変化しな
いように出力することを特徴とする磁気バブルメ
モリ制御方式を提供することによつて構成され
る。
(5) Structure of the Invention According to the present invention, in a magnetic bubble memory control device equipped with an interface register with an external device, the output side of the interface register is activated by a read signal from the external device. By providing a magnetic bubble memory control method, the read data of the interface register is output in synchronization with an external device so that the data does not change during read. It is composed of

(6) 発明の実施例 以下本発明実施例を図面によつて詳述する。(6) Examples of the invention Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第3図は本発明による磁気バブルメモリ制御方
式を説明するための図である。同図において11
はBUSY(動作状態表示信号)発生回路、12は
RDA(データリード許可信号)発生回路、13は
TDRA(ライトデータ許可信号)発生回路、14
はCME(コマンドエンド)発生回路、15〜18
はそれぞれ上記回路に接続されたフリツプフロツ
プ回路、19はチエツクビツト発生回路、20は
上記インターフエイスレジスタを備えたバブルメ
モリコントローラ、24は外部装置、22は外部
装置内のパリテイチエツク回路をそれぞれ示して
いる。
FIG. 3 is a diagram for explaining the magnetic bubble memory control method according to the present invention. In the same figure, 11
is the BUSY (operating status display signal) generation circuit, and 12 is the
RDA (data read permission signal) generation circuit, 13
TDRA (write data permission signal) generation circuit, 14
are CME (command end) generation circuits, 15 to 18
19 is a flip-flop circuit connected to the above circuit, 19 is a check bit generation circuit, 20 is a bubble memory controller equipped with the above interface register, 24 is an external device, and 22 is a parity check circuit in the external device. .

図に示す如く本発明のバブルメモリ制御方式を
実施できるバブルメモリコントローラはBUSY
発生回路11、RDA発生回路12、TDRA発生
回路13、CME発生回路14等のインターフエ
イスレジスタのそれぞれ出力側に外部装置21の
リード信号によつて作動するフリツプフロツプ回
路15〜18を挿入している。
As shown in the figure, the bubble memory controller that can implement the bubble memory control method of the present invention is BUSY.
Flip-flop circuits 15 to 18 which are activated by a read signal from an external device 21 are inserted on the output side of each of the interface registers such as the generation circuit 11, the RDA generation circuit 12, the TDRA generation circuit 13, and the CME generation circuit 14.

第4図は第3図におけるタイムチヤートを示し
た図である。同図において、Aはリード信号、B
はBUSY発生回路等からフリツプフロツプ回路
への入力、CはBUSY発生回路等からフリツプ
フロツプ回路を介して外部装置に送出される出
力、Dはパリテイビツト、矢印Pは検査点をそれ
ぞれ示している。
FIG. 4 is a diagram showing a time chart in FIG. 3. In the same figure, A is a read signal and B is a read signal.
denotes an input from the BUSY generating circuit etc. to the flip-flop circuit, C denotes an output sent from the BUSY generating circuit etc. to an external device via the flip-flop circuit, D denotes a parity bit, and arrow P denotes a test point.

第4図において、リード時にデータの状態が変
化する可能性のある信号をフリツプフロツプ回路
を通して出力すると、そのフリツプフロツプ回路
は外部装置からのリード信号Aの先頭aで作動す
る。従つてリード中は検査点Pでデータが変化し
てもBUSY発生回路等からの外部出力C及びパ
リテイビツトDは変化しない。従つてパリテイチ
エツクの誤動作は防止される。
In FIG. 4, when a signal whose data state may change during reading is output through a flip-flop circuit, the flip-flop circuit is activated at the beginning a of a read signal A from an external device. Therefore, during reading, even if the data changes at the inspection point P, the external output C and parity bit D from the BUSY generating circuit do not change. Malfunctions of the parity check are therefore prevented.

第5図は本発明による磁気バブルメモリ制御方
式の他の実施例を説明するための図である。同図
において第3図と同一部分は同一符号を付して示
した。本実施例が前実施例と異なるところは前実
施例がフリツプフロツプ回路の動作に外部装置の
リード信号を使用しているのに対し本実施例は外
部装置の同期クロツク信号を使用したものであ
る。
FIG. 5 is a diagram for explaining another embodiment of the magnetic bubble memory control method according to the present invention. In this figure, the same parts as in FIG. 3 are designated by the same reference numerals. This embodiment differs from the previous embodiment in that the previous embodiment uses a read signal from an external device to operate the flip-flop circuit, whereas this embodiment uses a synchronous clock signal from an external device.

第6図は第5図におけるタイムチヤートを示し
た図である。同図において、Aはリード信号、B
は外部装置のクロツク信号、CはBUSY発生回
路等からフリツプフロツプ回路への入力、Dは
BUSY発生回路等からフリツプフロツプ回路を
介して外部装置に送出される出力、Pは検査点を
それぞれ示している。
FIG. 6 is a diagram showing a time chart in FIG. 5. In the same figure, A is a read signal and B is a read signal.
is the clock signal of the external device, C is the input from the BUSY generation circuit etc. to the flip-flop circuit, and D is the input to the flip-flop circuit.
The outputs sent from the BUSY generating circuit etc. to the external device via the flip-flop circuit, and P indicate the inspection points, respectively.

本実施例も検査点Pにおいてフリツプフロツプ
回路への入力Cが変化しても出力Dは変化しない
ため前実施例と同様にパリテイチエツクの誤動作
は防止される。
In this embodiment as well, even if the input C to the flip-flop circuit changes at the test point P, the output D does not change, so malfunction of the parity check is prevented as in the previous embodiment.

(7) 発明の効果 以上、詳細に説明したように本発明の磁気バブ
ルメモリ制御方式はインターフエイスレジスタの
リードデータを外部装置に同期して出力すること
によりパリテイチエツクの誤動作を防止可能とし
たものであり、磁気バブルメモリ装置の信頼性の
向上に寄与するといつた効果大なるものである。
(7) Effects of the Invention As explained above in detail, the magnetic bubble memory control method of the present invention makes it possible to prevent parity check malfunctions by outputting the read data of the interface register in synchronization with the external device. This has a great effect in that it contributes to improving the reliability of magnetic bubble memory devices.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の磁気バブルメモリ制御方式を説
明するための図、第2図はそのタイムチヤート
図、第3図は本発明による磁気バブルメモリ制御
方式を説明するための図、第4図はそのタイムチ
ヤート図、第5図は本発明による磁気バブルメモ
リ制御方式の他の実施例を説明するための図、第
6図はそのタイムチヤート図である。 図面において、11はBUSY発生回路、12
はRDA発生回路、13はTDRA発生回路、14
はCME発生回路、15〜18はフリツプフロツ
プ回路、19はチエツクビツト発生回路、20は
バブルメモリコントローラ、21は外部装置、2
2はパリテイチエツク回路をそれぞれ示す。
FIG. 1 is a diagram for explaining the conventional magnetic bubble memory control method, FIG. 2 is a time chart thereof, FIG. 3 is a diagram for explaining the magnetic bubble memory control method according to the present invention, and FIG. 4 is a diagram for explaining the magnetic bubble memory control method according to the present invention. FIG. 5 is a diagram for explaining another embodiment of the magnetic bubble memory control method according to the present invention, and FIG. 6 is a time chart thereof. In the drawing, 11 is a BUSY generation circuit, 12
is the RDA generation circuit, 13 is the TDRA generation circuit, 14
15 to 18 are flip-flop circuits; 19 is a check bit generation circuit; 20 is a bubble memory controller; 21 is an external device;
2 indicates a parity check circuit, respectively.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 外部装置とのインターフエイスレジスタを備
えた磁気バブルメモリ制御装置において、前記イ
ンターフエイスレジスタの出力側に外部装置のリ
ード信号によつて作動するフリツプフロツプ回路
を挿入し、該インターフエイスレジスタのリード
データを外部装置に同期して、且つリード中にデ
ータが変化しないように出力することを特徴とす
る磁気バブルメモリ制御方式。
1. In a magnetic bubble memory control device equipped with an interface register with an external device, a flip-flop circuit activated by a read signal from the external device is inserted on the output side of the interface register, and the read data of the interface register is read. A magnetic bubble memory control method characterized by outputting data in synchronization with an external device so that data does not change during reading.
JP57035082A 1982-03-08 1982-03-08 System for controlling magnetic bubble memory Granted JPS58153291A (en)

Priority Applications (1)

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JPS58153291A JPS58153291A (en) 1983-09-12
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