JPS6320447B2 - - Google Patents
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- JPS6320447B2 JPS6320447B2 JP4081584A JP4081584A JPS6320447B2 JP S6320447 B2 JPS6320447 B2 JP S6320447B2 JP 4081584 A JP4081584 A JP 4081584A JP 4081584 A JP4081584 A JP 4081584A JP S6320447 B2 JPS6320447 B2 JP S6320447B2
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Description
〔発明の技術分野〕
この発明は相溶性に優れ、しかも硬化後、耐湿
性にも優れ、内部応力の低い半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物に関する。 〔従来技術〕 現在、ICやLSIなどの半導体素子をシリコン樹
脂あるいはエポキシ樹脂などを用いて封止する樹
脂封止法が広く採用され、これらの中でもエポキ
シ樹脂は比較的すぐれた気密性を持ち、かつ安価
であることから半導体封止用樹脂として汎用され
ている。 しかしながら、従来の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物には未解決の問題が残されている。第１
に、樹脂の硬化による内部応力によつて、半導体
素子の配線、ボンデイング線の変形、ズレ、断線
などが起る。第２に、この内部応力が低下させる
ための、可とう性樹脂の配合、繊維状物質の配
合、無機質充てん剤の増量などの工夫は、ガラス
転移点の低下、耐湿性の低下、配線の変形や断線
を招く。特開昭55−3412号公報などで検討されて
いるが、近年ますます大型化、高集積度化されつ
つあるICやLSI用の封止樹脂として適当な樹脂が
得られるに至つていない。 例えば、内部応力を低下させることのできるシ
リコン化合物は、エポキシ樹脂と非相溶性である
ので、エポキシ樹脂とシリコン化合物各々に相溶
性のある第２級アミンをエポキシ樹脂およびシリ
コン化合物に単純に加えても得られた樹脂組成物
は相分離する。 〔発明の概要〕 この発明は上記従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、エポキシ樹脂100重量部(イ)、
これの硬化剤(ロ)、並びに下記に示されるシリコン
化合物と下記に示される第２級アミンの反応物50
重量部以下(ハ)を含有するものであり、シリコン化
合物は一般式 （式中、R1はエポキシ基を含み、Ｒはフエニル
基、ビニル基、および炭素数１〜３のアルキル
基、R2は水素、並びにｘ、ｙは正の整数で分子
量を後記のように設定する値である。）で示され
る分子量300〜12000の範囲のものである。 第２級アミンは、イミダゾール化合物、ピペラ
ジン、ピペリジンおよびモルホリンの内の少なく
とも一種である。 又、この発明の別の発明は、エポキシ樹脂100
重量部(イ)、これの硬化剤(ロ)、並びに下記に示され
るシリコン化合物と下記に示される第２級アミン
の反応物50重量部以下(ハ)を含有するものであり、
シリコン化合物は一般式 （式中、R1はエポキシ基を含み、Ｒはフエニル
基、ビニル基、および炭素数１〜３のアルキル
基、並びにｚは正の整数で分子量を後記のように
設定する値である。）で示される分子量300〜6500
の範囲のものである。 第２級アミンは、イミダゾール化合物、ピペラ
ジン、ピペリジンおよびモルホリンの内の少なく
とも一種である。上記のものを用いることによ
り、相溶性に優れ、しかも硬化後、ガラス転移点
の低下などの樹脂物性の低下を伴わずに耐湿性に
も優れ、内部応力の低い半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を提供することを目的とする。 〔発明の実施例〕 この発明の一実施例に用いるエポキシ樹脂とし
ては、例えばノボラツク系エポキシ樹脂、ビスフ
エノールＡ系エポキシ樹脂および脂環系エポキシ
樹脂など種々のタイプのものが挙げられ、これら
のエポキシ樹脂は単独もしくは２種以上の使用も
可能である。また、これらのエポキシ樹脂ととも
に、必要に応じて臭素化ビスフエノールＡ系エポ
キシ樹脂も用いることができる。中でも高温特性
にもすぐれたノボラツク系エポキシ樹脂の使用が
好ましい。 この発明の一実施例に用いるエポキシ樹脂の硬
化剤としては例えば一般に知られるアミン類、酸
無水物類およびフエノール類の使用が可能である
が、この発明の目的である高い信頼性のある半導
体封止用としては、例えば酸無水物類およびフエ
ノール類を用いるのが好ましい。 酸無水物類としては、例えば無水フタル酸、無
水テトラハイドロフタル酸、無水ヘキサハイドロ
フタル酸、無水メチルテトラハイドロフタル酸、
無水メチルヘキサハイドロフタル酸、無水マレイ
ン酸および無水ヘキサクロロエンドメチレンテト
ラハイドロフタル酸などが使用できる。しかし、
高温特性、常圧注入性にすぐれた無水ヘキサハイ
ドロフタル酸および無水テトラハイドロフタル酸
の使用が好ましい。これらの酸無水物は単独およ
び２種以上の使用が可能で、その使用量はエポキ
シ樹脂１当量に対して通常0.4〜1.2当量、好適に
は0.6〜1.0当量の範囲である。0.4当量より少ない
と充分に硬化せず機械的特性に劣り、熱変形温度
および耐湿性の低下をきたす。また1.2当量より
多くなると、過剰の酸無水物が耐湿性を低下させ
る。 フエノール類としては、ビスフエノールＡ、ト
リメチロールアリルオキシフエノール、低重合度
のフエノールノボラツク樹脂、エポキシ化および
ブチル化フエノール樹脂並びに“Supper
Beekacite”1001（日本ライヒホールド化学工業
(株)製）、“Hitanol”4010（(株)日立製作所製）、
Scado form2.9（オランダScado Zwoll社製）、
Methylor75108（米国ゼネラルエレクトリツク社
製）などの商品名で知られているフエノール樹脂
などがある。使用量については酸無水物類と同様
である。フエノール類硬化系は耐湿性については
酸無水物類硬化系より優れているが、樹脂組成物
の粘度上昇を起こす。高耐湿性とともに低内部応
力、高作業性の得るためには酸無水物類との複合
硬化系の使用も可能である。 この発明の一実施例に用いるシリコン化合物と
しては、一般式 （式中、R1はエポキシ基を含み、Ｒはフエニル
基、ビニル基、および炭素数１〜３のアルキル
基、R2は水素、並びにｘ、ｙは正の整数で分子
量を後記のように設定する値である。）で示され
る分子量300〜12000の範囲の、例えばシリコンオ
イルやシリコンゴムなどである。 又、この発明の他の発明の一実施例に用いるシ
リコン化合物としては、一般式 （式中、R1はエポキシ基を含み、Ｒはフエニル
基、ビニル基、および炭素数１〜３のアルキル
基、R2は水素、並びにｚは正の整数で分子量を
後記のように設定する値である。）で示される分
子量300〜6500の範囲の例えばシリコンオイルや
シリコンゴムである。 この発明の一実施例に用いる第２級アミンとし
ては、例えば２―エチル―４―メチルイミダゾー
ル、２―メチル―イミダゾール、ベンズイミダゾ
ールおよびＮ―アルキル―イミダゾールなどのイ
ミダゾール化合物が好ましく、Ｎ―メチルピペラ
ジン、ヒドロキシエチルピペラジン、ピペリジン
およびモルホリンなどもある。 なお上記この発明に係わるシリコン化合物を、
硬化促進剤である第２級アミンとあらかじめ反応
させることにより、エポキシ樹脂中にシリコン化
合物を均一かつ安定に分散させることができるの
であり、この反応は室温から100℃までの比較的
低温で容易に進行し、トルエンや他の有機溶媒で
反応の制御をすることができる。又、第２級アミ
ンとシリコン化合物の使用量は、第２級アミン
1molに対しシリコン化合物のエポキシ基0.6〜
1.5molが好ましく、中でも0.8〜1.2がより好まし
い。エポキシ基が0.6mol以下の場合硬化後の耐
湿性が低下し、エポキシ基が1.5mol以上の場合
分散性が低下する。 さらに上記第２級アミンは上記エポキシ樹脂
100重量部に対して10重量％以下が好ましい。10
重量％以上では耐湿性が低下する。 次に、上記のようにして得たシリコン化合物と
第２級アミンの反応物は、エポキシ樹脂100重量
部に対し50重量部以下が好ましく、中でも３〜30
重量％が好ましい。50重量％以上では硬化後機械
的強度が低下する。 なお、この発明の組成物には必要に応じて、結
晶性シリカ、溶融シリカ、アルミナ、三酸化アン
チモンなどの無機充填剤や、カーボンブラツクな
どの着色剤、カルナウバワツクス、ポリエチレン
ワツクスなどの離型剤や難燃剤が含まれることも
可能である。 この発明の組成物は従来のエポキシ樹脂、シリ
コン樹脂の調製などに使用されている公知の混合
装置、例えばロール、ニーダ、ライカイ機などを
用いることによつて容易に調製できる。 以下、実施例、比較例をあげてこの発明を説明
する。実施例１〜９および比較例３〜10は、硬化
促進剤とシリコン化合物（後記の表１）を60℃で
撹拌し反応させた。実施例１〜９および比較例１
〜10は、表２（後記）および表３（後記）に示す割
合で、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、シリ
コン化合物、無機充てん剤、着色剤、離型剤を配
合し、ニーダを用いて温度40℃で10分間真空混合
してエポキシ樹脂組成物を得た。上記のようにし
て得られた組成物の安定性および180℃で16時間
硬化後の耐クラツク性、耐湿性を調べ、結果を表
４および表５に示した。 即ち、安定性については、40℃で静置し、目視
して相分離の有無により評価した。耐クラツク性
については、オリフアントワツシヤを埋め込んだ
時のクラツク発生温度で評価した。耐湿性と低応
力性についての評価は、耐湿性評価用半導体素子
を真空注型成形し、121℃、２気圧、相対湿度100
％の条件でPCT（Pressure Cooker Test）を行
ない、不良発生時間を調べた。また、260℃のは
んだ浴に浸漬後も同様の試験を行なつた。 その結果を表４（後記）および表５（後記）に示
す。それによると、この発明の一実施例の樹脂組
成物は全て安定である。又、この発明の一実施例
の樹脂組成物の耐湿性評価用半導体素子の不良発
生時間は、はんだ浸漬しない場合も、260℃のは
んだ浴に浸漬した後も同様に遅く、その差も小さ
い。一方、比較例の樹脂組成物の耐湿性評価用半
導体素子の不良発生時間は、はんだ浸漬しない場
合でも速く、260℃のはんだ浴に浸漬した後はそ
の時間は更に急激に速くなり、その差も大きくな
る。このことから、この発明の一実施例の樹脂組
成物は耐湿性に優れ、しかも内部応力が低下して
いることが解る。さらに、この発明の一実施例の
樹脂組成物のクラツク発生温度は低く、耐クラツ
ク性に優れていることが解る。なお、比較例の樹
脂組成物には耐クラツク性に優れたものもある
が、その場合、上記他の物性に劣るという結果と
なつた。なお、実施例６のガラス転位点は153℃
で、シリコン化合物の添加によるガラス転位点の
低下は見られず、従来製品に比べても問題はな
い。
性にも優れ、内部応力の低い半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物に関する。 〔従来技術〕 現在、ICやLSIなどの半導体素子をシリコン樹
脂あるいはエポキシ樹脂などを用いて封止する樹
脂封止法が広く採用され、これらの中でもエポキ
シ樹脂は比較的すぐれた気密性を持ち、かつ安価
であることから半導体封止用樹脂として汎用され
ている。 しかしながら、従来の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物には未解決の問題が残されている。第１
に、樹脂の硬化による内部応力によつて、半導体
素子の配線、ボンデイング線の変形、ズレ、断線
などが起る。第２に、この内部応力が低下させる
ための、可とう性樹脂の配合、繊維状物質の配
合、無機質充てん剤の増量などの工夫は、ガラス
転移点の低下、耐湿性の低下、配線の変形や断線
を招く。特開昭55−3412号公報などで検討されて
いるが、近年ますます大型化、高集積度化されつ
つあるICやLSI用の封止樹脂として適当な樹脂が
得られるに至つていない。 例えば、内部応力を低下させることのできるシ
リコン化合物は、エポキシ樹脂と非相溶性である
ので、エポキシ樹脂とシリコン化合物各々に相溶
性のある第２級アミンをエポキシ樹脂およびシリ
コン化合物に単純に加えても得られた樹脂組成物
は相分離する。 〔発明の概要〕 この発明は上記従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、エポキシ樹脂100重量部(イ)、
これの硬化剤(ロ)、並びに下記に示されるシリコン
化合物と下記に示される第２級アミンの反応物50
重量部以下(ハ)を含有するものであり、シリコン化
合物は一般式 （式中、R1はエポキシ基を含み、Ｒはフエニル
基、ビニル基、および炭素数１〜３のアルキル
基、R2は水素、並びにｘ、ｙは正の整数で分子
量を後記のように設定する値である。）で示され
る分子量300〜12000の範囲のものである。 第２級アミンは、イミダゾール化合物、ピペラ
ジン、ピペリジンおよびモルホリンの内の少なく
とも一種である。 又、この発明の別の発明は、エポキシ樹脂100
重量部(イ)、これの硬化剤(ロ)、並びに下記に示され
るシリコン化合物と下記に示される第２級アミン
の反応物50重量部以下(ハ)を含有するものであり、
シリコン化合物は一般式 （式中、R1はエポキシ基を含み、Ｒはフエニル
基、ビニル基、および炭素数１〜３のアルキル
基、並びにｚは正の整数で分子量を後記のように
設定する値である。）で示される分子量300〜6500
の範囲のものである。 第２級アミンは、イミダゾール化合物、ピペラ
ジン、ピペリジンおよびモルホリンの内の少なく
とも一種である。上記のものを用いることによ
り、相溶性に優れ、しかも硬化後、ガラス転移点
の低下などの樹脂物性の低下を伴わずに耐湿性に
も優れ、内部応力の低い半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を提供することを目的とする。 〔発明の実施例〕 この発明の一実施例に用いるエポキシ樹脂とし
ては、例えばノボラツク系エポキシ樹脂、ビスフ
エノールＡ系エポキシ樹脂および脂環系エポキシ
樹脂など種々のタイプのものが挙げられ、これら
のエポキシ樹脂は単独もしくは２種以上の使用も
可能である。また、これらのエポキシ樹脂ととも
に、必要に応じて臭素化ビスフエノールＡ系エポ
キシ樹脂も用いることができる。中でも高温特性
にもすぐれたノボラツク系エポキシ樹脂の使用が
好ましい。 この発明の一実施例に用いるエポキシ樹脂の硬
化剤としては例えば一般に知られるアミン類、酸
無水物類およびフエノール類の使用が可能である
が、この発明の目的である高い信頼性のある半導
体封止用としては、例えば酸無水物類およびフエ
ノール類を用いるのが好ましい。 酸無水物類としては、例えば無水フタル酸、無
水テトラハイドロフタル酸、無水ヘキサハイドロ
フタル酸、無水メチルテトラハイドロフタル酸、
無水メチルヘキサハイドロフタル酸、無水マレイ
ン酸および無水ヘキサクロロエンドメチレンテト
ラハイドロフタル酸などが使用できる。しかし、
高温特性、常圧注入性にすぐれた無水ヘキサハイ
ドロフタル酸および無水テトラハイドロフタル酸
の使用が好ましい。これらの酸無水物は単独およ
び２種以上の使用が可能で、その使用量はエポキ
シ樹脂１当量に対して通常0.4〜1.2当量、好適に
は0.6〜1.0当量の範囲である。0.4当量より少ない
と充分に硬化せず機械的特性に劣り、熱変形温度
および耐湿性の低下をきたす。また1.2当量より
多くなると、過剰の酸無水物が耐湿性を低下させ
る。 フエノール類としては、ビスフエノールＡ、ト
リメチロールアリルオキシフエノール、低重合度
のフエノールノボラツク樹脂、エポキシ化および
ブチル化フエノール樹脂並びに“Supper
Beekacite”1001（日本ライヒホールド化学工業
(株)製）、“Hitanol”4010（(株)日立製作所製）、
Scado form2.9（オランダScado Zwoll社製）、
Methylor75108（米国ゼネラルエレクトリツク社
製）などの商品名で知られているフエノール樹脂
などがある。使用量については酸無水物類と同様
である。フエノール類硬化系は耐湿性については
酸無水物類硬化系より優れているが、樹脂組成物
の粘度上昇を起こす。高耐湿性とともに低内部応
力、高作業性の得るためには酸無水物類との複合
硬化系の使用も可能である。 この発明の一実施例に用いるシリコン化合物と
しては、一般式 （式中、R1はエポキシ基を含み、Ｒはフエニル
基、ビニル基、および炭素数１〜３のアルキル
基、R2は水素、並びにｘ、ｙは正の整数で分子
量を後記のように設定する値である。）で示され
る分子量300〜12000の範囲の、例えばシリコンオ
イルやシリコンゴムなどである。 又、この発明の他の発明の一実施例に用いるシ
リコン化合物としては、一般式 （式中、R1はエポキシ基を含み、Ｒはフエニル
基、ビニル基、および炭素数１〜３のアルキル
基、R2は水素、並びにｚは正の整数で分子量を
後記のように設定する値である。）で示される分
子量300〜6500の範囲の例えばシリコンオイルや
シリコンゴムである。 この発明の一実施例に用いる第２級アミンとし
ては、例えば２―エチル―４―メチルイミダゾー
ル、２―メチル―イミダゾール、ベンズイミダゾ
ールおよびＮ―アルキル―イミダゾールなどのイ
ミダゾール化合物が好ましく、Ｎ―メチルピペラ
ジン、ヒドロキシエチルピペラジン、ピペリジン
およびモルホリンなどもある。 なお上記この発明に係わるシリコン化合物を、
硬化促進剤である第２級アミンとあらかじめ反応
させることにより、エポキシ樹脂中にシリコン化
合物を均一かつ安定に分散させることができるの
であり、この反応は室温から100℃までの比較的
低温で容易に進行し、トルエンや他の有機溶媒で
反応の制御をすることができる。又、第２級アミ
ンとシリコン化合物の使用量は、第２級アミン
1molに対しシリコン化合物のエポキシ基0.6〜
1.5molが好ましく、中でも0.8〜1.2がより好まし
い。エポキシ基が0.6mol以下の場合硬化後の耐
湿性が低下し、エポキシ基が1.5mol以上の場合
分散性が低下する。 さらに上記第２級アミンは上記エポキシ樹脂
100重量部に対して10重量％以下が好ましい。10
重量％以上では耐湿性が低下する。 次に、上記のようにして得たシリコン化合物と
第２級アミンの反応物は、エポキシ樹脂100重量
部に対し50重量部以下が好ましく、中でも３〜30
重量％が好ましい。50重量％以上では硬化後機械
的強度が低下する。 なお、この発明の組成物には必要に応じて、結
晶性シリカ、溶融シリカ、アルミナ、三酸化アン
チモンなどの無機充填剤や、カーボンブラツクな
どの着色剤、カルナウバワツクス、ポリエチレン
ワツクスなどの離型剤や難燃剤が含まれることも
可能である。 この発明の組成物は従来のエポキシ樹脂、シリ
コン樹脂の調製などに使用されている公知の混合
装置、例えばロール、ニーダ、ライカイ機などを
用いることによつて容易に調製できる。 以下、実施例、比較例をあげてこの発明を説明
する。実施例１〜９および比較例３〜10は、硬化
促進剤とシリコン化合物（後記の表１）を60℃で
撹拌し反応させた。実施例１〜９および比較例１
〜10は、表２（後記）および表３（後記）に示す割
合で、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、シリ
コン化合物、無機充てん剤、着色剤、離型剤を配
合し、ニーダを用いて温度40℃で10分間真空混合
してエポキシ樹脂組成物を得た。上記のようにし
て得られた組成物の安定性および180℃で16時間
硬化後の耐クラツク性、耐湿性を調べ、結果を表
４および表５に示した。 即ち、安定性については、40℃で静置し、目視
して相分離の有無により評価した。耐クラツク性
については、オリフアントワツシヤを埋め込んだ
時のクラツク発生温度で評価した。耐湿性と低応
力性についての評価は、耐湿性評価用半導体素子
を真空注型成形し、121℃、２気圧、相対湿度100
％の条件でPCT（Pressure Cooker Test）を行
ない、不良発生時間を調べた。また、260℃のは
んだ浴に浸漬後も同様の試験を行なつた。 その結果を表４（後記）および表５（後記）に示
す。それによると、この発明の一実施例の樹脂組
成物は全て安定である。又、この発明の一実施例
の樹脂組成物の耐湿性評価用半導体素子の不良発
生時間は、はんだ浸漬しない場合も、260℃のは
んだ浴に浸漬した後も同様に遅く、その差も小さ
い。一方、比較例の樹脂組成物の耐湿性評価用半
導体素子の不良発生時間は、はんだ浸漬しない場
合でも速く、260℃のはんだ浴に浸漬した後はそ
の時間は更に急激に速くなり、その差も大きくな
る。このことから、この発明の一実施例の樹脂組
成物は耐湿性に優れ、しかも内部応力が低下して
いることが解る。さらに、この発明の一実施例の
樹脂組成物のクラツク発生温度は低く、耐クラツ
ク性に優れていることが解る。なお、比較例の樹
脂組成物には耐クラツク性に優れたものもある
が、その場合、上記他の物性に劣るという結果と
なつた。なお、実施例６のガラス転位点は153℃
で、シリコン化合物の添加によるガラス転位点の
低下は見られず、従来製品に比べても問題はな
い。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
以上説明したとうり、この発明はエポキシ樹脂
100重量部(イ)、これの硬化剤(ロ)、並びに下記に示
されるシリコン化合物と下記に示される第２級ア
ミンの反応物50重量部以下(ハ)を含有するものであ
り、シリコン化合物は一般式 （式中、R1はエポキシ基を含み、Ｒはフエニル
基、ビニル基、および炭素数１〜３のアルキル
基、R2は水素、並びにｘ，ｙは正の整数で分子
量を後記のように設定する値である。）で示され
る分子量300〜12000の範囲のものである。 第２級アミンは、イミダゾール化合物、ピペラ
ジン、ピペリジンおよびモルホリンの内の少なく
とも一種である。 又、この発明の他の発明は、エポキシ樹脂100
重量部(イ)、これの硬化剤(ロ)、並びに下記に示され
るシリコン化合物と下記に示される第２級アミン
の反応物50重量部以下(ハ)を含有するものであり、
シリコン化合物は一般式 （式中、R1はエポキシ基を含み、Ｒはフエニル
基、ビニル基、および炭素数１〜３のアルキル
基、並びにｚは正の整数で分子量を後記のように
設定する値である。）で示される分子量300〜6500
の範囲のものである。 第２級アミンは、イミダゾール化合物、ピペラ
ジン、ピペリジンおよびモルホリンの内の少なく
とも一種である。 上記のものを用いることにより、相溶性に優
れ、しかも硬化後、ガラス転移点の低下など樹脂
物性の低下を伴わずに、耐湿性にも優れ、内部応
力の低い半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得る
ことができ、例えばLSIおよびVLSIの封止樹脂
として極めて有用である。
100重量部(イ)、これの硬化剤(ロ)、並びに下記に示
されるシリコン化合物と下記に示される第２級ア
ミンの反応物50重量部以下(ハ)を含有するものであ
り、シリコン化合物は一般式 （式中、R1はエポキシ基を含み、Ｒはフエニル
基、ビニル基、および炭素数１〜３のアルキル
基、R2は水素、並びにｘ，ｙは正の整数で分子
量を後記のように設定する値である。）で示され
る分子量300〜12000の範囲のものである。 第２級アミンは、イミダゾール化合物、ピペラ
ジン、ピペリジンおよびモルホリンの内の少なく
とも一種である。 又、この発明の他の発明は、エポキシ樹脂100
重量部(イ)、これの硬化剤(ロ)、並びに下記に示され
るシリコン化合物と下記に示される第２級アミン
の反応物50重量部以下(ハ)を含有するものであり、
シリコン化合物は一般式 （式中、R1はエポキシ基を含み、Ｒはフエニル
基、ビニル基、および炭素数１〜３のアルキル
基、並びにｚは正の整数で分子量を後記のように
設定する値である。）で示される分子量300〜6500
の範囲のものである。 第２級アミンは、イミダゾール化合物、ピペラ
ジン、ピペリジンおよびモルホリンの内の少なく
とも一種である。 上記のものを用いることにより、相溶性に優
れ、しかも硬化後、ガラス転移点の低下など樹脂
物性の低下を伴わずに、耐湿性にも優れ、内部応
力の低い半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得る
ことができ、例えばLSIおよびVLSIの封止樹脂
として極めて有用である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ エポキシ樹脂100重量部(イ)、これの硬化剤(ロ)、
並びに下記に示されるシリコン化合物と下記に示
される第２級アミンの反応物50重量部以下(ハ)を含
有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 シリコン化合物は 一般式 （式中、R1はエポキシ基を含み、Ｒはフエニル
基、ビニル基、および炭素数１〜３のアルキル
基、R2は水素、並びにｘ、ｙは正の整数で分子
量を後記のように設定する値である。）で示され
る分子量300〜12000の範囲のものである。 第２級アミンは、イミダゾール化合物、ピペラ
ジン、ピペリジンおよびモルホリンの内の少なく
とも一種である。 ２ エポキシ樹脂100重量部(イ)、これの硬化剤(ロ)、
並びに下記に示されるシリコン化合物と下記に示
される第２級アミンの反応物50重量部以下(ハ)を含
有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 シリコン化合物は 一般式 （式中、R1はエポキシ基を含み、Ｒはフエニル
基、ビニル基、および炭素数１〜３のアルキル
基、並びにｚは正の整数で分子量を後記のように
設定する値である。）で示される分子量300〜6500
の範囲のものである。 第２級アミンは、イミダゾール化合物、ピペラ
ジン、ピペリジンおよびモルホリンの内の少なく
とも一種である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4081584A JPS60184517A (ja) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4081584A JPS60184517A (ja) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60184517A JPS60184517A (ja) | 1985-09-20 |
| JPS6320447B2 true JPS6320447B2 (ja) | 1988-04-27 |
Family
ID=12591143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4081584A Granted JPS60184517A (ja) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60184517A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4624998A (en) * | 1985-12-30 | 1986-11-25 | Dow Corning Corporation | Silicone-modified epoxy resins having improved impact resistance |
-
1984
- 1984-03-02 JP JP4081584A patent/JPS60184517A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60184517A (ja) | 1985-09-20 |
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