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JPS6323655B2 - - Google Patents
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JPS6323655B2 - - Google Patents

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JPS6323655B2
JPS6323655B2 JP13399887A JP13399887A JPS6323655B2 JP S6323655 B2 JPS6323655 B2 JP S6323655B2 JP 13399887 A JP13399887 A JP 13399887A JP 13399887 A JP13399887 A JP 13399887A JP S6323655 B2 JPS6323655 B2 JP S6323655B2
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JP
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wafer
adhesive sheet
semiconductor
handling ring
semiconductor chip
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JP13399887A
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Masayuki Tatewaki
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Sony Corp
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  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ダイシングされたウエハを個々の半
導体チツプに分割した後の半導体素子の処理方法
に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for processing semiconductor devices after dividing a diced wafer into individual semiconductor chips.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明は、粘着シート上に載置されるウエハー
を個々の半導体チツプに分割した後、上記粘着シ
ートを延伸するとともに上記ウエハと相似形状を
有し段階的に規定されるウエハ基準サイズのいず
れか一つと一致する外形寸法を有する取扱いリン
グに貼着し、前記ウエハ用治具により上記取扱い
リングを保持して上記半導体チツプを処理するこ
とによつてダイシングから洗浄、剥離及びダイボ
ンデイング等の処理を簡単に行うことができるよ
うにしたものである。
In the present invention, after dividing a wafer placed on an adhesive sheet into individual semiconductor chips, the adhesive sheet is stretched and one of the wafer standard sizes having a similar shape to the wafer and defined in stages is used. The wafer is attached to a handling ring having external dimensions that match that of the semiconductor chip, and the handling ring is held by the wafer jig to process the semiconductor chip, thereby performing processes such as dicing, cleaning, peeling, and die bonding. This is designed to be easy to do.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

今日IC、LSI等の半導体技術の進歩により、エ
レクトロニクス産業が飛躍的に発展し、産業の高
度化や豊かな経済社会の形成に大いに寄与してい
る。これらICやLSI等は、電子計算機に用いられ
るばかりでなく、身近な例ではテレビ、ラジオ、
時計、オーデイオそれからカメラ、自動車等にも
利用されている。さらに、これらの応用のされ方
もいろいろであり、ロジツク(論理回路)とし
て、メモリ(記憶素子)として、イメージヤ(撮
像素子)として、増幅用として、さらにはマイク
ロコンピユータとしてシステム機能を持たせて総
合的に機器を制御するため等に用いられている。
Today, advances in semiconductor technology such as IC and LSI have led to rapid development of the electronics industry, greatly contributing to the advancement of industry and the creation of a prosperous economic society. These ICs and LSIs are not only used in electronic computers, but also include familiar examples such as televisions, radios, etc.
It is also used in watches, audio, cameras, cars, etc. Furthermore, these applications can be applied in a variety of ways, such as as logic circuits, memory (storage elements), imagers (imaging devices), amplification, and even microcomputers with system functions. It is used to comprehensively control equipment.

ところで、これらICやLSI等として用いられる
半導体素子は、種々の製造工程を経て製造されて
いる。すなわち、基板となるウエハの製造、この
ウエハ上にエツチング、不純物拡散、イオン注
入、気相酸化膜被着や電極用金属蒸着を施すこと
による半導体チツプの形成、上記半導体チツプの
ダイシングによる分離及びボンデイング、モール
デイング等の組立て工程等である。
Incidentally, these semiconductor elements used as ICs, LSIs, etc. are manufactured through various manufacturing processes. That is, manufacturing a wafer to serve as a substrate, forming semiconductor chips on this wafer by subjecting the wafer to etching, impurity diffusion, ion implantation, vapor phase oxide film deposition, and metal vapor deposition for electrodes, and separating and bonding the semiconductor chips by dicing. , assembly processes such as molding, etc.

ここで、特に上記半導体チツプの分離工程につ
いて着目してみると、上記分離工程では、ウエハ
をダイヤモンドカツタ等を用いてダイシング、す
なわち切断して各半導体チツプを分離し、この半
導体チツプを個々に取出してリードフレームの所
定の位置に移送し固定する必要があつた。このた
め、従来では、ダイシングにより中途部まで切込
みを入れたウエハを2枚のシート内に包装した後
にローラをかけて分割し、上記上側のシートを剥
して分割された個々の半導体チツプを真空ピンセ
ツト等を用いてリードフレームへ移送するという
手段が用いられている。
Here, if we pay particular attention to the above-mentioned semiconductor chip separation process, in the above-mentioned separation process, the wafer is diced or cut using a diamond cutter or the like to separate each semiconductor chip, and the semiconductor chips are individually taken out. It was necessary to transport the lead frame to a predetermined position and fix it. For this reason, in the past, a wafer that had been cut halfway through dicing was packaged in two sheets, separated by rollers, and then the upper sheet was peeled off and the separated semiconductor chips were separated into individual semiconductor chips using vacuum tweezers. A method of transferring the lead frame to the lead frame using, for example, is used.

しかしながら、上記従来の方法では、ウエハの
厚みの中途部まで切込みを入れ、残存部をローラ
の圧力により分割するため、各半導体チツプの外
周縁が破損しやすく、また分割時にウエハの成分
であるケイ素の微粉末が発生して半導体チツプの
表面に付着する等の悪影響を及ぼす虞れがあつ
た。さらに、上記分割時には、いちいちウエハを
取外してシートに包装するというように作業性が
極めて悪いものであつた。
However, in the conventional method described above, the cut is made halfway through the wafer's thickness and the remaining part is divided by the pressure of a roller, so the outer periphery of each semiconductor chip is likely to be damaged. There was a risk that fine powder would be generated and adhere to the surface of the semiconductor chip, causing adverse effects. Furthermore, when dividing the wafer, the workability is extremely poor, as each wafer must be removed and packaged in a sheet.

そこで、さらに従来は、ウエハを粘着シートの
上面に粘着固定し、ダイシング時に各半導体チツ
プ間を完全に切断し、その後上記粘着シートを延
伸して分割された各半導体チツプ間に間隔を設
け、これら各半導体チツプを真空ピンセツト等を
用いて上記粘着テープから剥すと同時に移送する
という方法が知られている。上記方法では、半導
体チツプに損傷を生ずることはなく、また作業性
も良好なものとなつている。
Therefore, in the past, the wafer was adhesively fixed to the upper surface of an adhesive sheet, the semiconductor chips were completely cut during dicing, and then the adhesive sheet was stretched to create a gap between the divided semiconductor chips. A method is known in which each semiconductor chip is peeled off from the adhesive tape using vacuum tweezers or the like and transferred at the same time. The above method does not cause damage to the semiconductor chip and has good workability.

ところで、上述のようなダイシング方法では、
ウエハを形成しているケイ素(シリコン)を切断
して行くために、切断されたシリコンの微粉末が
半導体チツプ表面に残るので、ダイシング及び延
伸剤半導体チツプを洗浄する必要が生ずる。この
とき、上記半導体チツプを粘着した粘着シートを
何らかの方法で保持して洗浄工程等に移行するこ
とができれば、上記半導体チツプの取り扱いが容
易となり、作業性も良好なものとなる。
By the way, in the above-mentioned dicing method,
Since the silicon that forms the wafer is cut, fine powder of the cut silicon remains on the surface of the semiconductor chips, making it necessary to clean the semiconductor chips with dicing and stretching agents. At this time, if the adhesive sheet to which the semiconductor chip is adhered can be held in some way during the cleaning process, the semiconductor chip will be easier to handle and workability will be improved.

そこで、従来は、第4図に示すように、合成樹
脂等により形成され、その外周面上の径方向に凹
溝を有するようなプラスチツクリング100に、
上半導体チツプ101を貼着し、延伸された粘着
シート102を重ね、このシート102の外周部
を凹溝に巻き込んで、金具103で締める方法を
採つている。
Therefore, conventionally, as shown in FIG. 4, a plastic ring 100 made of synthetic resin or the like and having a concave groove in the radial direction on its outer circumferential surface,
A method is adopted in which an upper semiconductor chip 101 is attached, a stretched adhesive sheet 102 is layered, the outer periphery of this sheet 102 is rolled into a groove, and then tightened with a metal fitting 103.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかしながら、上述のような従来の方法では、
上記プラスチツクリング100に金具103を取
り付ける必要があるため、作業性が著しく悪いと
ともに、洗浄工程等のダイシング後の工程に移行
する場合、洗浄機等の各装置に上記プラスチツク
リング100を保持する特別な治具を設ける必要
があり、非常に扱い難く、コストも多大なものと
なつている。
However, in the conventional method as mentioned above,
Since it is necessary to attach the metal fitting 103 to the plastic ring 100, workability is extremely poor, and when moving to a process after dicing such as a cleaning process, special equipment is required to hold the plastic ring 100 in each device such as a cleaning machine. It is necessary to provide a jig, which is very difficult to handle and costs a lot.

そこで本発明は、上記従来の技術が有する問題
点を解決するために提案されたものであり、従来
の技術のような金具を必要とせず、ダイシング後
の工程も簡単に行うことができるとともに、特別
の治具を設けることなく従来の設備を流用するこ
とができ、且つ、コストも軽減することができる
半導体素子処理方法を提供することを目的とする
ものである。
Therefore, the present invention was proposed in order to solve the problems of the above-mentioned conventional techniques, and does not require metal fittings like the conventional techniques, and can easily perform the process after dicing. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device processing method that can utilize conventional equipment without providing special jigs and can reduce costs.

〔作用〕[Effect]

本発明において、分割された半導体チツプは粘
着シートに貼着されるとともに、標準サイズに対
応した半導体素子取扱リングに固定された状態で
処理工程に移行される。
In the present invention, the divided semiconductor chips are attached to an adhesive sheet and transferred to a processing step while being fixed to a semiconductor element handling ring corresponding to a standard size.

したがつて上記半導体チツプは、洗浄処理やダ
イボンデイング処理等の処理を施す際に従来の設
備を流用してウエハと同様に扱われる。
Therefore, the semiconductor chips are treated in the same way as wafers, using conventional equipment when performing cleaning, die bonding, and other treatments.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明に係る半導体素子処理方法の具体
的な実施例について、図面を参照しながら各工程
順に説明する。
Hereinafter, specific embodiments of the semiconductor device processing method according to the present invention will be described in order of each step with reference to the drawings.

所定の集積回路が形成された半導体素子に対し
て洗浄、ダイボンデイング等の処理を施すには、
先ず、第1図に示すように、前記集積回路が多数
形成されたウエハ1を図示しないダイシング装置
に取付けダイヤモンドブレードによつて完全に切
断し、各集積回路に対応する半導体チツプ2に分
割する。上記ウエハ1はケイ素(シリコン)の単
結晶により形成したものであり、また、上記半導
体チツプ2は、エツチングや不純物拡散、イオン
注入、気相酸化膜被着及び電極用金属蒸着等の工
程を経て表面に所定の上記半導体チツプ2が形成
されたものである。そして上記ウエハ1は、ダイ
シングするために、粘着シート3の上面に載置さ
れ、さらに、この粘着シート3の外周部がリング
状のダイサフレーム4により支持されている。
To perform processing such as cleaning and die bonding on a semiconductor element on which a predetermined integrated circuit is formed,
First, as shown in FIG. 1, a wafer 1 on which a large number of integrated circuits have been formed is mounted on a dicing machine (not shown) and completely cut by a diamond blade to divide it into semiconductor chips 2 corresponding to each integrated circuit. The wafer 1 is formed from a single crystal of silicon, and the semiconductor chip 2 is formed through processes such as etching, impurity diffusion, ion implantation, vapor phase oxide film deposition, and metal vapor deposition for electrodes. The predetermined semiconductor chip 2 described above is formed on the surface. The wafer 1 is placed on the upper surface of an adhesive sheet 3 for dicing, and the outer periphery of the adhesive sheet 3 is supported by a ring-shaped dicer frame 4.

次に、上述のようにダイサフレーム4によつて
支持された粘着シート3上で図示しないダイヤモ
ンドブレードによつて完全に切断された半導体チ
ツプ2を、上記粘着シート3に貼着したままの状
態で延伸機に移送し延伸させる。上記延伸機は、
第3図及び第4図に示すように、フレーム受け台
5及び上下動自在な可動受け台6から構成されて
いる。上記可動受け台6の上面にはリング状に凹
溝が設けられており、この凹溝2内に上記ウエハ
1よりやや大口径な金属製の半導体素子取扱リン
グ7が嵌合されている。この半導体素子取扱リン
グ7はリング状となされ一端部7Aが切欠かれ
て、その外周形状は上記ウエハ1と相似形状とな
つている。
Next, the semiconductor chip 2, which has been completely cut by a diamond blade (not shown) on the adhesive sheet 3 supported by the dicer frame 4 as described above, is left attached to the adhesive sheet 3. Transfer to a stretching machine and stretch. The above stretching machine is
As shown in FIGS. 3 and 4, it is comprised of a frame pedestal 5 and a movable pedestal 6 that can be moved up and down. A ring-shaped groove is provided on the upper surface of the movable pedestal 6, and a semiconductor element handling ring 7 made of metal and having a diameter slightly larger than that of the wafer 1 is fitted into the groove 2. This semiconductor element handling ring 7 is formed into a ring shape, with one end 7A cut out, and its outer circumferential shape is similar to that of the wafer 1 described above.

ここで、半導体ウエハはその外形寸法が規格化
されており、段階的に外形寸法の異なる複数種類
の標準ウエハが規定されている。そして、上記取
扱リング7の外周形状は、これらのウエハ基準サ
イズのいずれかに一致するように形成されてい
る。
Here, the external dimensions of semiconductor wafers are standardized, and a plurality of types of standard wafers having gradually different external dimensions are defined. The outer peripheral shape of the handling ring 7 is formed to match one of these wafer reference sizes.

そして、例えば上記ウエハ1に直径が3インチ
の場合には上記取扱リング7の直径が4インチの
ものを用い、ウエハ1の直径が4インチの場合に
は取扱リング7の直径が5インチのものを用いる
というように、ウエハ1の大きさよりひとまわり
大きな標準ウエハと同一寸法形状の半導体取扱リ
ング7を使用するようになされている。上記半導
体素子取扱リング7の上面は、可動受け台6の上
面よりも若干下つた位置となつており、さらに、
上記取扱リング7の上面には両面テープ8が貼着
されている。
For example, if the diameter of the wafer 1 is 3 inches, use the handling ring 7 with a diameter of 4 inches, and if the diameter of the wafer 1 is 4 inches, use the handling ring 7 with a diameter of 5 inches. A semiconductor handling ring 7 having the same size and shape as a standard wafer, which is slightly larger than the wafer 1, is used. The upper surface of the semiconductor element handling ring 7 is located at a position slightly lower than the upper surface of the movable pedestal 6, and further,
A double-sided tape 8 is attached to the upper surface of the handling ring 7.

一方、上述した延伸機のフレーム受け台5に
は、上記ウエハ1を貼着したダイサフレーム4が
固定されている。このとき、上記延伸機のフレー
ム受け台5の上面と可動受け台6の上面とは同一
平面を形成しており、上記ウエハー1を貼着した
シート3は可動受け台6の上面に載置されるよう
になつている。その後、上記可動受け台6を第3
図Bに示すように上昇させて粘着シート3を延伸
する。これにより、上記粘着シート3が伸びると
ともに、上記ダイシングされたウエハ1の各半導
体チツプ2の間隔が開き、各半導体チツプ2の分
割が完了する。
On the other hand, the dicer frame 4 to which the wafer 1 is attached is fixed to the frame holder 5 of the stretching machine described above. At this time, the upper surface of the frame holder 5 of the stretching machine and the upper surface of the movable holder 6 form the same plane, and the sheet 3 to which the wafer 1 is attached is placed on the upper surface of the movable holder 6. It is becoming more and more common. After that, move the movable cradle 6 to the third
The adhesive sheet 3 is stretched by raising it as shown in Figure B. As a result, the adhesive sheet 3 is stretched, and the intervals between the semiconductor chips 2 of the diced wafer 1 are widened, and the division of the semiconductor chips 2 is completed.

さらに、上記延伸後、可動受け台6上の凹溝に
配設された半導体素子取扱リング7を空気圧等の
手法により粘着シート3の裏面に押し付け、上記
取扱リング7の上面に設けられた両面テープ8に
より、取扱リング7と粘着シート3を貼着固定す
る。
Furthermore, after the stretching, the semiconductor element handling ring 7 disposed in the groove on the movable holder 6 is pressed against the back surface of the adhesive sheet 3 using a method such as air pressure, and the double-sided tape provided on the upper surface of the handling ring 7 is pressed. 8, the handling ring 7 and the adhesive sheet 3 are adhered and fixed.

そして、次に、上記半導体チツプ2を貼着した
粘着シート3を上記取扱リング7に沿つて切り取
り、水洗による洗浄工程に移行する。このとき、
上記取扱リング7の外周形状が標準ウエハと同一
になされているので、図示しない洗浄装置にウエ
ハと同様に簡単に取り付けることができる。すな
わち、上記取扱リング7は、標準ウエハを保持す
るための治具で保持することができ、特殊な治具
を用いる必要がない。そして、この主の標準ウエ
ハ用治具は、一般に広く用いられているので簡単
に利用することができる。
Then, the adhesive sheet 3 to which the semiconductor chip 2 is attached is cut out along the handling ring 7, and the process proceeds to a cleaning process by washing with water. At this time,
Since the outer peripheral shape of the handling ring 7 is the same as that of a standard wafer, it can be easily attached to a cleaning device (not shown) in the same way as a wafer. That is, the handling ring 7 can be held with a jig for holding standard wafers, and there is no need to use a special jig. This standard wafer jig is generally widely used and can be easily used.

さらに、上記取扱リング7を、半導体チツプ剥
離装置に移送させ、上記粘着シート3上の各半導
体チツプ2を剥離し、ダイボンデイング等の組立
て工程に移行させる。このときも、上記取扱リン
グ7は、図示しない剥離装置に同様に簡単に取付
けることができる。
Further, the handling ring 7 is transferred to a semiconductor chip peeling device to peel off each semiconductor chip 2 on the adhesive sheet 3, and then proceed to an assembly process such as die bonding. At this time, the handling ring 7 can be similarly easily attached to a peeling device (not shown).

上記実施例においては、分割された半導体チツ
プ2をウエハと同様に取り扱うことができ、ま
た、半導体素子取扱リング7の形状が標準ウエハ
と同一であるために、洗浄装置等に簡単に取付け
ることが可能となつている。さらに、ダイシング
から洗浄、剥離及びダイボンデイングまでを一貫
した自動システムとすることが可能となつてい
る。
In the above embodiment, the divided semiconductor chips 2 can be handled in the same way as wafers, and since the shape of the semiconductor element handling ring 7 is the same as that of a standard wafer, it can be easily attached to a cleaning device, etc. It's becoming possible. Furthermore, it has become possible to create an integrated automated system for everything from dicing to cleaning, peeling, and die bonding.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、分割された各半導体チツプを
粘着シートに固定したまま標準ウエハサイズに対
応した半導体素子取扱いリングに貼着して取り扱
うようにしているので、これら各半導体チツプを
洗浄工程等のダイシング後の処理工程に移行する
場合、洗浄機等の各装置に特別な治具を設ける必
要がなく従来の設備を流用することができる。
According to the present invention, each divided semiconductor chip is handled by being fixed to an adhesive sheet and attached to a semiconductor element handling ring corresponding to a standard wafer size. When proceeding to the processing step after dicing, there is no need to provide special jigs for each device such as a washing machine, and conventional equipment can be used.

したがつて、分割された半導体チツプをウエハ
と同様に取り扱うことができ作業性を向上するこ
とができるとともに、設備投資の面においても有
利である。
Therefore, the divided semiconductor chips can be handled in the same manner as wafers, which improves work efficiency and is also advantageous in terms of equipment investment.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はウエハを粘着シートに貼着した状態を
示す外観斜視図、第2図は本発明において使用さ
れる半導体素子取扱リングの外観斜視図、第3図
A及び第3図Bは粘着シートの延伸工程を示すも
のであり、第3図Aは延伸前の平面図、第3図B
は第3図AのA−A線における延伸後の縦断面図
である。第4図は従来使用されている半導体素子
取扱いリングの一例を示す縦断面図である。 1……ウエハ、2……半導体チツプ、3……粘
着シート、7……半導体素子取扱リング。
Fig. 1 is an external perspective view showing a wafer attached to an adhesive sheet, Fig. 2 is an external perspective view of a semiconductor element handling ring used in the present invention, and Figs. 3A and 3B are adhesive sheets. Figure 3A is a plan view before stretching, Figure 3B is a drawing process.
is a longitudinal cross-sectional view taken along the line A-A in FIG. 3A after stretching. FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing an example of a conventionally used semiconductor element handling ring. 1... Wafer, 2... Semiconductor chip, 3... Adhesive sheet, 7... Semiconductor element handling ring.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 粘着シート上に載置されるウエハを個々の半
導体チツプに切断した後、 上記粘着シートを延伸するとともに、上記ウエ
ハと相似形状を有し段階的に規定されるウエハ基
準サイズのいずれか一つと一致する外形寸法を有
する取扱いリングに貼着し、 前記ウエハ基準サイズに対応する標準ウエハ用
治具により上記取扱いリングを保持して上記半導
体チツプを処理することを特徴とする半導体素子
処理方法。
[Claims] 1. After cutting a wafer placed on an adhesive sheet into individual semiconductor chips, the adhesive sheet is stretched, and a wafer standard having a shape similar to the wafer and defined in stages is set. The semiconductor chip is attached to a handling ring having external dimensions matching one of the wafer reference sizes, and the semiconductor chip is processed by holding the handling ring with a standard wafer jig corresponding to the wafer reference size. Semiconductor device processing method.
JP62133998A 1987-05-29 1987-05-29 Processing of semiconductor element Granted JPS6323334A (en)

Priority Applications (1)

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