JPS6325476B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6325476B2 JPS6325476B2 JP11894782A JP11894782A JPS6325476B2 JP S6325476 B2 JPS6325476 B2 JP S6325476B2 JP 11894782 A JP11894782 A JP 11894782A JP 11894782 A JP11894782 A JP 11894782A JP S6325476 B2 JPS6325476 B2 JP S6325476B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radio wave
- branch path
- sealing device
- branch
- path
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 28
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高周波加熱装置の改良された電波シ
ール装置に関する。
ール装置に関する。
従来の高周波加熱装置の代表例である電子レン
ジは、加熱室開口周辺部と出入れ扉とがつくる間
隙(以下電波通路と呼ぶ)からの電波漏洩を防止
する手段として、導電性ガスケツトを用いた接触
方式,電波吸収材を用いた方式,共振を利用した
チヨーク方式などが提案され、夫々の組み合わせ
で実用化されている。
ジは、加熱室開口周辺部と出入れ扉とがつくる間
隙(以下電波通路と呼ぶ)からの電波漏洩を防止
する手段として、導電性ガスケツトを用いた接触
方式,電波吸収材を用いた方式,共振を利用した
チヨーク方式などが提案され、夫々の組み合わせ
で実用化されている。
これらの方式の中で性能面,信頼性の面等を考
慮すると共振を利用したチヨーク方式が最良方式
と考えられる。しかしながらこのチヨーク方式は
共振を利用するがために、必然的に電波通路を伝
播し漏洩しようとする電波波長に関与した構造寸
法が必要である。
慮すると共振を利用したチヨーク方式が最良方式
と考えられる。しかしながらこのチヨーク方式は
共振を利用するがために、必然的に電波通路を伝
播し漏洩しようとする電波波長に関与した構造寸
法が必要である。
従来のチヨーク方式構成を第1図を参照して説
明する。第1図aは構成図、同図bはその等価回
路、同図cは同図aのy方向平面図である。
明する。第1図aは構成図、同図bはその等価回
路、同図cは同図aのy方向平面図である。
この電波シール装置は、加熱室開口フランジ1
と出入れ扉2とがつくる電波通路3とチヨーク空
洞4から構成されている。電波通路3の入り口A
からチヨーク空洞の入り口Bに至る長さを漏洩電
波波長の1/4なる寸法にすることにより電波通路
の入り口Aに電波的に見たインピーダンスが零の
壁を形成して電波シールが達成される。しかしな
がらこのような構成であるが故に装置本体外方向
であるZ方向の寸法は漏洩電波波長の少なくとも
1/4の寸法が必要でありZ方向寸法のコンパクト
化が難しい第1の欠点を有する。このような電波
シール装置の等価回路は第1図bで示される。こ
こでZBは点Bよりチヨーク空洞側を見た時のイン
ピーダンス、ZLは電波通路3の終端部Cから本体
外を見たインピーダンス、lは点Aから点Bまで
の寸法である。
と出入れ扉2とがつくる電波通路3とチヨーク空
洞4から構成されている。電波通路3の入り口A
からチヨーク空洞の入り口Bに至る長さを漏洩電
波波長の1/4なる寸法にすることにより電波通路
の入り口Aに電波的に見たインピーダンスが零の
壁を形成して電波シールが達成される。しかしな
がらこのような構成であるが故に装置本体外方向
であるZ方向の寸法は漏洩電波波長の少なくとも
1/4の寸法が必要でありZ方向寸法のコンパクト
化が難しい第1の欠点を有する。このような電波
シール装置の等価回路は第1図bで示される。こ
こでZBは点Bよりチヨーク空洞側を見た時のイン
ピーダンス、ZLは電波通路3の終端部Cから本体
外を見たインピーダンス、lは点Aから点Bまで
の寸法である。
点Aより電波シール機構を見た時のインピーダ
ンスは(ZL+ZB)+jtanβl/1+j(ZL+ZB)tanβl
で与えられる。
ンスは(ZL+ZB)+jtanβl/1+j(ZL+ZB)tanβl
で与えられる。
ここでβ=2π/λg,λgは漏洩電波波長である。
なお各インピーダンスは正規化している。
なお各インピーダンスは正規化している。
Z方向に漏洩しようとする電波に対してはl
λg/4,ZB=無限大より点Aより電波シール機
構を見たインピーダンスはほぼ零になる。
λg/4,ZB=無限大より点Aより電波シール機
構を見たインピーダンスはほぼ零になる。
ところがこの電波シール機構は漏洩しようとす
る電波の進行方向をZ方向に規制する手段がない
ため、第1図cに示すようにZ方向に対して任意
の角度θでもつて進む漏洩電波に対して以下の問
題点を有する。
る電波の進行方向をZ方向に規制する手段がない
ため、第1図cに示すようにZ方向に対して任意
の角度θでもつて進む漏洩電波に対して以下の問
題点を有する。
すなわち点Aから点Bに至る長さlは角度θに
より種々な寸法になるため点Aから角度θでもつ
て入射する電波に対しては点Aにインピーダンス
零の壁を形成することができずシール性能が低下
する欠点がある。
より種々な寸法になるため点Aから角度θでもつ
て入射する電波に対しては点Aにインピーダンス
零の壁を形成することができずシール性能が低下
する欠点がある。
本発明はかかる従来の問題を解消するものであ
り、電波シール装置に入射するあらゆる方向の電
波は高性能に漏洩抑止するとともにコンパクトな
構成からなる新規な電波シール装置を提供するこ
とを目的とする。
り、電波シール装置に入射するあらゆる方向の電
波は高性能に漏洩抑止するとともにコンパクトな
構成からなる新規な電波シール装置を提供するこ
とを目的とする。
上記問題点を解決するために本発明の電波シー
ル装置は、短絡終端された分岐路を有する伝送線
路を周期配列した新規概念の構成からなり、この
分岐路に所定の厚みを有する誘電体を装荷した構
成からなる。
ル装置は、短絡終端された分岐路を有する伝送線
路を周期配列した新規概念の構成からなり、この
分岐路に所定の厚みを有する誘電体を装荷した構
成からなる。
本発明は上記した構成によつて、漏洩しようと
する電波の進行方向は伝送線路に沿つた方向に規
制される。このため伝送線路の構成を最適化する
ことによりあらゆる方向の電波を漏洩抑止でき
る。さらに最適構成の分岐路を設けることにより
伝送線路の伝送長手方向寸法の小形化がはかれる
とともに分岐路に誘電体を装荷することにより、
分岐路の長手方向構成を小形化できるので電波シ
ール装置全体の小形化がはかれる。
する電波の進行方向は伝送線路に沿つた方向に規
制される。このため伝送線路の構成を最適化する
ことによりあらゆる方向の電波を漏洩抑止でき
る。さらに最適構成の分岐路を設けることにより
伝送線路の伝送長手方向寸法の小形化がはかれる
とともに分岐路に誘電体を装荷することにより、
分岐路の長手方向構成を小形化できるので電波シ
ール装置全体の小形化がはかれる。
以下、本発明を図面を参照して説明する。
第2図は本発明の電波シール装置の基本構成図
であり、第2図aが構成図、同図bがその等価回
路である。図中第1図と照合するところは同一番
号で示す。
であり、第2図aが構成図、同図bがその等価回
路である。図中第1図と照合するところは同一番
号で示す。
加熱室開口フランジ1に対向して本体外方向に
伸びる伝送線路群5a,5b,5cが周期配設さ
れている。この伝送線路は近接の伝送線路とすき
ま間隔Sでもつて配設されその輻寸法はWであ
る。
伸びる伝送線路群5a,5b,5cが周期配設さ
れている。この伝送線路は近接の伝送線路とすき
ま間隔Sでもつて配設されその輻寸法はWであ
る。
近接した伝送線路との間にすきまを設けること
により第1図cに示したZ方向に対して角度θで
もつて入射する電波の進行を抑制している。
により第1図cに示したZ方向に対して角度θで
もつて入射する電波の進行を抑制している。
この伝送線路のZ方向の構成および作用につい
て伝送線路群を代表させて伝送線路5aに基づき
以下に説明する。
て伝送線路群を代表させて伝送線路5aに基づき
以下に説明する。
伝送線路5aは、電波通路3の入力端Aから分
岐路6が形成されるところまでの寸法がl1、分岐
路の深さ寸法はl2、また分岐路から電波通路の終
端Cに至る寸法がl3で構成されている。
岐路6が形成されるところまでの寸法がl1、分岐
路の深さ寸法はl2、また分岐路から電波通路の終
端Cに至る寸法がl3で構成されている。
このような伝送線路の等価回路はマイクロ波工
学で周知のように第2図bのように表わされる。
学で周知のように第2図bのように表わされる。
ここで第1図bとの大きな違いは、伝送熱路の
幅が規定されているので電波通路、分岐路は伝送
線路として位置づけることができるので分岐点に
誘導性、容量性のパラメータを介在させた等価回
路表現が可能となる。またこれらのパラメータ値
算出に当つては「Waveguide Handbook」M.I.
T.Radiation Laboratory P.337に詳しく説明し
てある。
幅が規定されているので電波通路、分岐路は伝送
線路として位置づけることができるので分岐点に
誘導性、容量性のパラメータを介在させた等価回
路表現が可能となる。またこれらのパラメータ値
算出に当つては「Waveguide Handbook」M.I.
T.Radiation Laboratory P.337に詳しく説明し
てある。
点Aから電波シール装置側を見たインピーダン
スZAは等価回路bの各パラメータを用いて関係
づけられる。この得られたインピーダンスZAを
ZA=R+jXとし、点Aより加熱室側を見たイン
ピーダンスをZpvとすると電波シール装置に入射
するマイクロ波パワーPioに対して点Cより本体
外へ漏洩するマイクロ波パワーPLは次式で関係
づけられることを本発明者らは実験的に確認して
いる。
スZAは等価回路bの各パラメータを用いて関係
づけられる。この得られたインピーダンスZAを
ZA=R+jXとし、点Aより加熱室側を見たイン
ピーダンスをZpvとすると電波シール装置に入射
するマイクロ波パワーPioに対して点Cより本体
外へ漏洩するマイクロ波パワーPLは次式で関係
づけられることを本発明者らは実験的に確認して
いる。
RL∝R・Zpv/(Zpv+R)2+X2・Pio
この実験によつて裏づけられた関係式を用い
て、Pio一定の条件下でシミユレーシヨンを行な
つた結果l1が小さいほど漏洩するマイクロ波パワ
ーPLが少ない結果を得た。これを実証すべくl1寸
法30mm,12mmに対する電波シール装置の減衰特性
を実測したところl1=12mmの方がl1=30mmに比し
て1/2〜1/3低い電波漏洩量の結果を得た。なお実
測時の主要構成寸法は以下のとおりである。加熱
室開口フランジと電波シール装置とのすきま寸法
1mmおよび4mm,分岐路の対向寸法8mm,分岐路
の深さl2=32mm,l1=12mmのときl3=10mm,l1=30
mmの時l3=12mm,伝送線路の幅W=10mm,すきま
S=10mm。
て、Pio一定の条件下でシミユレーシヨンを行な
つた結果l1が小さいほど漏洩するマイクロ波パワ
ーPLが少ない結果を得た。これを実証すべくl1寸
法30mm,12mmに対する電波シール装置の減衰特性
を実測したところl1=12mmの方がl1=30mmに比し
て1/2〜1/3低い電波漏洩量の結果を得た。なお実
測時の主要構成寸法は以下のとおりである。加熱
室開口フランジと電波シール装置とのすきま寸法
1mmおよび4mm,分岐路の対向寸法8mm,分岐路
の深さl2=32mm,l1=12mmのときl3=10mm,l1=30
mmの時l3=12mm,伝送線路の幅W=10mm,すきま
S=10mm。
計算上l1寸法は小さいほどよい結果を得るが、
電波シール装置のZ方向に対して角度θで入射す
る電波のθ方向伝送を阻止するために、l1寸法は
加熱室開口フランジと対向するための少なからず
の寸法を設けるべきである。実構成を考えればl1
=12mmはl1のほゞ最小寸法に値すると考えられ
る。
電波シール装置のZ方向に対して角度θで入射す
る電波のθ方向伝送を阻止するために、l1寸法は
加熱室開口フランジと対向するための少なからず
の寸法を設けるべきである。実構成を考えればl1
=12mmはl1のほゞ最小寸法に値すると考えられ
る。
この結果、従来周知の事実として用いられてい
たチヨーク方式における電波の入り口からチヨー
ク空胴に至る寸法を1/4波長とする事実が、本発
明基本構成に示すように、チヨーク空胴に対応す
る分岐路を有する伝送線路をすきまSを介して周
期的に配列した電波シール装置構成を採ることに
より、その分岐路に至るまでの長さを1/4波長よ
りも十分小さい寸法にて構成できるため、z方向
の電波シール装置寸法を従来のチヨーク方式に比
してよりコンパクトに構成することができる特長
が示された。
たチヨーク方式における電波の入り口からチヨー
ク空胴に至る寸法を1/4波長とする事実が、本発
明基本構成に示すように、チヨーク空胴に対応す
る分岐路を有する伝送線路をすきまSを介して周
期的に配列した電波シール装置構成を採ることに
より、その分岐路に至るまでの長さを1/4波長よ
りも十分小さい寸法にて構成できるため、z方向
の電波シール装置寸法を従来のチヨーク方式に比
してよりコンパクトに構成することができる特長
が示された。
そしてこの電波シール装置は、分岐路の深さを
漏洩電波波長のほゞ1/4にとればよいことから、
誘電材を分岐路内に介在して分岐路における漏洩
電波波長の圧縮化を行ない、分岐路の実寸法(第
2図aのy方向寸法)のコンパクト化をはかるの
が本発明の原点である。
漏洩電波波長のほゞ1/4にとればよいことから、
誘電材を分岐路内に介在して分岐路における漏洩
電波波長の圧縮化を行ない、分岐路の実寸法(第
2図aのy方向寸法)のコンパクト化をはかるの
が本発明の原点である。
第3図は本発明の電波シール装置の概念構成図
である。
である。
aは分岐路6を空気層7のみで構成した図であ
り、分岐路の深さl2は漏洩電波波長の約1/4であ
る。この分岐路内を1例として比誘電率が4なる
誘電体層8で満たせば、分岐路内を伝搬する波長
は1/2に圧縮されるため分岐路の深さl4はa図構
成に比して1/2でよいことになる。これを示した
のが第3図bである。
り、分岐路の深さl2は漏洩電波波長の約1/4であ
る。この分岐路内を1例として比誘電率が4なる
誘電体層8で満たせば、分岐路内を伝搬する波長
は1/2に圧縮されるため分岐路の深さl4はa図構
成に比して1/2でよいことになる。これを示した
のが第3図bである。
なお第3図において第2図と照合する部分は同
一番号で示す。
一番号で示す。
ところでこの分岐路内に誘電材を挿入して分岐
路の電波に対する実効長は同じで、実寸法を小さ
くする機構は、第3図に示すように理論的には簡
単明瞭であるが実設計に対しては以下のような困
難さが生ずる。
路の電波に対する実効長は同じで、実寸法を小さ
くする機構は、第3図に示すように理論的には簡
単明瞭であるが実設計に対しては以下のような困
難さが生ずる。
成形された誘電材を分岐路内へ挿入装荷する組
立てにおいては、分岐路を構成する導体と誘電材
との間に少なからずのすきま(空気層)を生ず
る。
立てにおいては、分岐路を構成する導体と誘電材
との間に少なからずのすきま(空気層)を生ず
る。
また分岐路導体を金型として樹脂を流し込む成
形構成においても、樹脂収縮のために金型である
導体と収縮後の樹脂(誘電材)の間に少なからず
のすきまが生じ得る。
形構成においても、樹脂収縮のために金型である
導体と収縮後の樹脂(誘電材)の間に少なからず
のすきまが生じ得る。
このすきま(空気層)の影響を第4図,第5図
を参照して説明する。
を参照して説明する。
第4図は、本発明の電波シール装置の分岐路に
おける空気層の影響を説明する図であり、第5図
は、誘電体層と空気層とを組み合わせた時の分岐
路における実効誘電率特性を示すものである。
おける空気層の影響を説明する図であり、第5図
は、誘電体層と空気層とを組み合わせた時の分岐
路における実効誘電率特性を示すものである。
第4図aは本発明の電波シール装置における電
界分布を示すものである。
界分布を示すものである。
Aより入力された高周波は図に示すように分岐
路6内へ伝搬される。この図において線路導体は
9、接地導体は10である。分岐路中、円11で
囲む部分を拡大した図が第4図bである。
路6内へ伝搬される。この図において線路導体は
9、接地導体は10である。分岐路中、円11で
囲む部分を拡大した図が第4図bである。
第4図bにおいて、接地導体10と線路導体9
とは所望の比誘電率をもつ厚さhの誘電体層12
と厚さgの空気層13とを仲介としてdなる間隔
で隔てられている。図中矢印は電界の方向を示
す。
とは所望の比誘電率をもつ厚さhの誘電体層12
と厚さgの空気層13とを仲介としてdなる間隔
で隔てられている。図中矢印は電界の方向を示
す。
このような2層構造からなる分岐路の漏洩電波
実効波長を知るためには、この誘電体層12と空
気層13を合成した分岐路における実効誘電率を
知らねばならない。この実効誘電率εeffは、第4
図cに第4図bの等価回路を示すように誘電体層
の容量c1と空気層の容量c2の直列接続の合成容量
より求められる。すなわち c1=ε0・εr・s/h,c2=ε0s/g ε0・εeff・s/d=1/1/C1+1/C2 ε0は真空の誘電率、sは単位対向面積より εeff=d/h/εr+g ……(1) で与えられる。なお空気層の比誘電率は1とし
た。式(1)よりh=3mm,εr=4とした時のgと
εeffの特性を示したものが第5図である。
実効波長を知るためには、この誘電体層12と空
気層13を合成した分岐路における実効誘電率を
知らねばならない。この実効誘電率εeffは、第4
図cに第4図bの等価回路を示すように誘電体層
の容量c1と空気層の容量c2の直列接続の合成容量
より求められる。すなわち c1=ε0・εr・s/h,c2=ε0s/g ε0・εeff・s/d=1/1/C1+1/C2 ε0は真空の誘電率、sは単位対向面積より εeff=d/h/εr+g ……(1) で与えられる。なお空気層の比誘電率は1とし
た。式(1)よりh=3mm,εr=4とした時のgと
εeffの特性を示したものが第5図である。
第5図からわかることは、3mm厚で成形された
比誘電率4の誘電材を分岐路内へ挿入する時、こ
の誘電材と分岐路導体(線路導体あるいは接地導
体)とのすきまが0.2mmあつたとすると分岐路の
実効誘電率は約3.4となり、分岐路を伝搬する漏
洩電波波長はすきまが零の場合と比べて約10%長
くなる。
比誘電率4の誘電材を分岐路内へ挿入する時、こ
の誘電材と分岐路導体(線路導体あるいは接地導
体)とのすきまが0.2mmあつたとすると分岐路の
実効誘電率は約3.4となり、分岐路を伝搬する漏
洩電波波長はすきまが零の場合と比べて約10%長
くなる。
この波長が10%長くなる影響を第6図に示す本
発明の電波シール装置の分岐路長l2に対する電波
減衰量特性図を用いて説明する。
発明の電波シール装置の分岐路長l2に対する電波
減衰量特性図を用いて説明する。
図中14で示す曲線が分岐路を空気層のみで構
成した時の理論曲線であり黒丸が実測値である。
なお用いた周波数は2450MHzである。
成した時の理論曲線であり黒丸が実測値である。
なお用いた周波数は2450MHzである。
この分岐路を比誘電率4の誘電体で完全充てん
した時の理論曲線が15である。いま空気層0.2
mmが存在すると、約10%波長が長くなることから
電波シール装置の減衰量は10dB以上も悪化する
ことになる。このため分岐路の深さの実寸法を実
質的に最小にすべく分岐路内へ誘電体を完全充て
ん挿入する手段は、実設計において精度の高い管
理が派生しかつ性能バラツキが大きくなりやすい
欠点を奏する。
した時の理論曲線が15である。いま空気層0.2
mmが存在すると、約10%波長が長くなることから
電波シール装置の減衰量は10dB以上も悪化する
ことになる。このため分岐路の深さの実寸法を実
質的に最小にすべく分岐路内へ誘電体を完全充て
ん挿入する手段は、実設計において精度の高い管
理が派生しかつ性能バラツキが大きくなりやすい
欠点を奏する。
この空気層の影響を逆に利用したのが本発明で
ある。
ある。
第7図は本発明一実施例を示す電波シール装置
の構成図である。図中第2図と照合する部分は同
一番号にて示す。
の構成図である。図中第2図と照合する部分は同
一番号にて示す。
分岐路6の接地導体10と線路導体9とは厚み
h(mm)の誘電体層12と予じめ積極的に設けた
厚みg(mm)からなる空気層13の二層にて隔て
られ、さらに接地導体10と線路導体10は分岐
路終端にて短絡されている。
h(mm)の誘電体層12と予じめ積極的に設けた
厚みg(mm)からなる空気層13の二層にて隔て
られ、さらに接地導体10と線路導体10は分岐
路終端にて短絡されている。
いま1例として比誘電率4の誘電体層の厚みh
を3mmとし、空気層の厚みgを1.5mmとすると、
理想的には実効誘電率εeffは2となり、電波減衰
量特性は第6図の16で示す曲線になる。
を3mmとし、空気層の厚みgを1.5mmとすると、
理想的には実効誘電率εeffは2となり、電波減衰
量特性は第6図の16で示す曲線になる。
空気層の厚みgが±0.2mmばらつくとすると、
実効誘電率εeffは1.9〜2.1となる。この結果、減衰
量は高々3dBほど劣化するだけとなり十分に製造
バラツキを吸収した高性能かつコンパクトな電波
シール装置を提供することができる。
実効誘電率εeffは1.9〜2.1となる。この結果、減衰
量は高々3dBほど劣化するだけとなり十分に製造
バラツキを吸収した高性能かつコンパクトな電波
シール装置を提供することができる。
なお以上の説明においては数値の明白化を示す
べく誘電材の比誘電率として4を代表例に述べた
が、比誘電率が高い誘電材ほど本発明の効用は助
長されたとえばアルミナを用いれば、本発明の効
用は一層助長されるとともに分岐路寸法のよりコ
ンパクト化が達成できる。
べく誘電材の比誘電率として4を代表例に述べた
が、比誘電率が高い誘電材ほど本発明の効用は助
長されたとえばアルミナを用いれば、本発明の効
用は一層助長されるとともに分岐路寸法のよりコ
ンパクト化が達成できる。
以上本発明は、短絡終端された分岐路を有する
伝送線路を加熱室開口周辺部と出入れ扉とがつく
る電波通路の装置本体外方向に周期配列した高周
波加熱装置の電波シール装置において、分岐路は
所望の比誘電率を有する所定厚みの誘電体層と所
定厚みの空気層の二層にて線路導体と接地導体と
を隔てた構成の電波シール装置を提供するもので
あり、 (1) 分岐路の誘電体層により効用を把握しやすく
設計および製造管理が容易である。
伝送線路を加熱室開口周辺部と出入れ扉とがつく
る電波通路の装置本体外方向に周期配列した高周
波加熱装置の電波シール装置において、分岐路は
所望の比誘電率を有する所定厚みの誘電体層と所
定厚みの空気層の二層にて線路導体と接地導体と
を隔てた構成の電波シール装置を提供するもので
あり、 (1) 分岐路の誘電体層により効用を把握しやすく
設計および製造管理が容易である。
(2) 誘電体を装荷することにより機構のコンパク
ト化がはかれる。
ト化がはかれる。
(3) 誘電材と分岐路材との製造バラツキが、両者
の組み合わせで吸収できる。
の組み合わせで吸収できる。
等の効果を奏する。
第1図は従来の電波シール装置であり、aは構
成図、bはその等価回路、cはa図のy方向平面
図、第2図は本発明の電波シール装置の基本構成
図でありaが構成図、bがその等価回路、第3図
は本発明の電波シール装置の概念構成図、第4図
は本発明の電波シール装置の分岐路における空気
層の影響を説明する図、第5図は分岐路における
空気層に対する実効誘電率特性図、第6図は本発
明の電波シール装置の分岐路長に対する電波減衰
量特性図、第7図は本発明一実施例を示す電波シ
ール装置の構成図である。 1……加熱室開口フランジ(加熱室開口周辺
部)、2……出入れ扉、3……電波通路、5a,
5b,5c……伝送線路、6……短絡終端された
分岐路、9……線路導体、10……接地導体、1
2……誘電体層、13……空気層。
成図、bはその等価回路、cはa図のy方向平面
図、第2図は本発明の電波シール装置の基本構成
図でありaが構成図、bがその等価回路、第3図
は本発明の電波シール装置の概念構成図、第4図
は本発明の電波シール装置の分岐路における空気
層の影響を説明する図、第5図は分岐路における
空気層に対する実効誘電率特性図、第6図は本発
明の電波シール装置の分岐路長に対する電波減衰
量特性図、第7図は本発明一実施例を示す電波シ
ール装置の構成図である。 1……加熱室開口フランジ(加熱室開口周辺
部)、2……出入れ扉、3……電波通路、5a,
5b,5c……伝送線路、6……短絡終端された
分岐路、9……線路導体、10……接地導体、1
2……誘電体層、13……空気層。
Claims (1)
- 1 加熱室開口周辺部と出入れ扉とがつくる電波
通路の装置本体外方向に短絡終端された分岐路を
有する伝送線路を周期配列し、前記分岐路は、所
定の厚みを有する誘電体層と所定の厚みを有する
空気層の二層にて線路導体と接地導体とを隔てた
構成とした電波シール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57118947A JPS599895A (ja) | 1982-07-07 | 1982-07-07 | 電波シ−ル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57118947A JPS599895A (ja) | 1982-07-07 | 1982-07-07 | 電波シ−ル装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS599895A JPS599895A (ja) | 1984-01-19 |
| JPS6325476B2 true JPS6325476B2 (ja) | 1988-05-25 |
Family
ID=14749184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57118947A Granted JPS599895A (ja) | 1982-07-07 | 1982-07-07 | 電波シ−ル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS599895A (ja) |
-
1982
- 1982-07-07 JP JP57118947A patent/JPS599895A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS599895A (ja) | 1984-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4254318A (en) | Door seal arrangement for high-frequency heating apparatus | |
| US8987610B2 (en) | Vent structure for electromagnetic shielding | |
| KR950000247B1 (ko) | 전자레인지의 고주파 누설 방지장치 | |
| KR100192562B1 (ko) | 유전체 선로 | |
| EP0116648B1 (en) | Radio-wave sealing device | |
| KR890004507B1 (ko) | 전자레인지의 전자파 에너지 누설방지장치 | |
| EP3435739B1 (en) | High frequency heating device | |
| CA2694158C (en) | Wide waveguide applicator | |
| US20140159832A1 (en) | Choke for an oven | |
| JPS6325476B2 (ja) | ||
| US3511959A (en) | Microwave cavity having a varied impedance transmission line microwave energy seal around the access door opening | |
| KR950008085Y1 (ko) | 전자레인지의 고주파 누설 차폐 장치 | |
| JPS628915B2 (ja) | ||
| CN1047057C (zh) | 微波炉中用以屏蔽高频波泄漏的装置 | |
| JPS6331916B2 (ja) | ||
| JPS6331917B2 (ja) | ||
| JPS6144398B2 (ja) | ||
| KR940008014Y1 (ko) | 전자레인지의 전파 차폐장치 | |
| JPS60216492A (ja) | 高周波加熱装置用ドアシール装置 | |
| JPS5844698A (ja) | 高周波加熱器のシ−ル装置 | |
| JPH08124674A (ja) | 高周波加熱装置 | |
| RU143579U1 (ru) | Дроссельное соединение свч (варианты) | |
| Oliner | Leakage, crosstalk and package effects in millimeter-wave integrated circuits | |
| JPH04366319A (ja) | 電波シール装置 | |
| JPS6235233B2 (ja) |