JPS6325692B2 - - Google Patents
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- JPS6325692B2 JPS6325692B2 JP54018564A JP1856479A JPS6325692B2 JP S6325692 B2 JPS6325692 B2 JP S6325692B2 JP 54018564 A JP54018564 A JP 54018564A JP 1856479 A JP1856479 A JP 1856479A JP S6325692 B2 JPS6325692 B2 JP S6325692B2
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- Japan
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- coil
- section
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
- G01R33/28—Details of apparatus provided for in groups G01R33/44 - G01R33/64
- G01R33/38—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field
- G01R33/387—Compensation of inhomogeneities
- G01R33/3875—Compensation of inhomogeneities using correction coil assemblies, e.g. active shimming
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
- G01R33/28—Details of apparatus provided for in groups G01R33/44 - G01R33/64
- G01R33/38—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field
- G01R33/381—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field using electromagnets
- G01R33/3815—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field using electromagnets with superconducting coils, e.g. power supply therefor
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/825—Apparatus per se, device per se, or process of making or operating same
- Y10S505/842—Measuring and testing
- Y10S505/843—Electrical
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S505/843—Electrical
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10S505/825—Apparatus per se, device per se, or process of making or operating same
- Y10S505/879—Magnet or electromagnet
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、超伝導ソレノイドコイルおよびそれ
を用いた核磁気共鳴分光計に関する。より詳細に
は、主巻線部とそれに対して中心に位置する追加
的な巻線部とを有する超伝導ソレノイドコイルお
よびそれを用いた核磁気共鳴分光計に関する。こ
の追加的な巻線部は、主巻線部による磁場の軸方
向勾配を補償するものである。
を用いた核磁気共鳴分光計に関する。より詳細に
は、主巻線部とそれに対して中心に位置する追加
的な巻線部とを有する超伝導ソレノイドコイルお
よびそれを用いた核磁気共鳴分光計に関する。こ
の追加的な巻線部は、主巻線部による磁場の軸方
向勾配を補償するものである。
核磁気共鳴(NMR)分光計においては、分析
すべきサンプル中に一様な磁場を発生させること
が望まれる。代表的には、サンプルは、磁場中に
挿入されたバイアル(vial)内に位置される。こ
の磁場は、サンプルの全長にわたつて一様である
ことが望ましい。ある分光計においては、超伝導
ソレノイドコイルによつて磁場を発生させ、この
ソレノイドコイルの内部にバイアル及びサンプル
を位置する。ソレノイドの内部磁場をソレノイド
縦軸線に沿つて一様にするために、従来、種々な
コイルの巻き方が試みられてきた。
すべきサンプル中に一様な磁場を発生させること
が望まれる。代表的には、サンプルは、磁場中に
挿入されたバイアル(vial)内に位置される。こ
の磁場は、サンプルの全長にわたつて一様である
ことが望ましい。ある分光計においては、超伝導
ソレノイドコイルによつて磁場を発生させ、この
ソレノイドコイルの内部にバイアル及びサンプル
を位置する。ソレノイドの内部磁場をソレノイド
縦軸線に沿つて一様にするために、従来、種々な
コイルの巻き方が試みられてきた。
ソレノイド内部のサンプル領域における磁場
H0は、ソレノイド縦軸方向の成分のみを有し、
径方向成分や回転成分を有しない。磁場H0の強
度は、空間に依存し、以下の式で表すことができ
る。
H0は、ソレノイド縦軸方向の成分のみを有し、
径方向成分や回転成分を有しない。磁場H0の強
度は、空間に依存し、以下の式で表すことができ
る。
H0=a+bz+cz2+dz3+ez4+fz5+
gz6+hz7+iz8+…
ここに、zはソレノイドの中央からソレノイド
縦軸線方向に測つた距離でありa〜iは定数係数
である。磁場H0を位置によらず一様とするため
に、b〜iを零にすることが望ましい。ソレノイ
ドの巻き方をソレノイド中央面について完全に左
右対称にすれば、H0は偶関数となり、zの奇数
次項の係数b,d,f及びhは零となる。従つ
て、残りの偶数次項の係数c,e,g及びiを零
にすることができる。もしこれらの係数c,e,
g及びiが零でないとすると、磁場H0は軸方向
位置に依存して変化することになり、この勾配を
軸方向勾配と呼ぶ。また、bz,cz2,dz3,ez4,
fz5,gz6,hz7及びiz8による磁場勾配をそれぞれ
第1次、第2次〜第8次の軸方向勾配と呼ぶ。
縦軸線方向に測つた距離でありa〜iは定数係数
である。磁場H0を位置によらず一様とするため
に、b〜iを零にすることが望ましい。ソレノイ
ドの巻き方をソレノイド中央面について完全に左
右対称にすれば、H0は偶関数となり、zの奇数
次項の係数b,d,f及びhは零となる。従つ
て、残りの偶数次項の係数c,e,g及びiを零
にすることができる。もしこれらの係数c,e,
g及びiが零でないとすると、磁場H0は軸方向
位置に依存して変化することになり、この勾配を
軸方向勾配と呼ぶ。また、bz,cz2,dz3,ez4,
fz5,gz6,hz7及びiz8による磁場勾配をそれぞれ
第1次、第2次〜第8次の軸方向勾配と呼ぶ。
核磁気共鳴超伝導ソレノイドコイルにより発生
される磁場を実質的に一様にするための従来装置
を記す文献の例として、米国特許第3287630号、
第3419904号、第3564398号及び第3577067号を挙
げるとができる。米国特許第3287630号において
は、磁場の第1次、第2次及び第3次の軸方向勾
配が補償されている。この補償は、サンプル保持
バイアルに極めて接近して巻かれた主ソレノイド
の内部に取付けられたコイル組立体と、主ソレノ
イドの外方円筒表面に近接して取付けられた補正
用シムコイルとを組合わせて用いることにより、
達成される。コイル組立体は、同軸的に配列され
た4つのグループのコイルから成つて、主ソレノ
イドの軸方向勾配の第1次、第2次及び第3次成
分の補正をもたらすものである。主ソレノイドコ
イルの横軸に関しての主コイルの磁場変動を補償
するために、円形コイルが用いられた。この円形
コイルの縦軸は、主コイルの横軸に一致してい
る。従来技術におけるこれらのコイルの各組に流
れる電流は、別個独立に制御されていた。すなわ
ち、異なるコイルは、直流電源からの異なる電流
によつて付勢される。
される磁場を実質的に一様にするための従来装置
を記す文献の例として、米国特許第3287630号、
第3419904号、第3564398号及び第3577067号を挙
げるとができる。米国特許第3287630号において
は、磁場の第1次、第2次及び第3次の軸方向勾
配が補償されている。この補償は、サンプル保持
バイアルに極めて接近して巻かれた主ソレノイド
の内部に取付けられたコイル組立体と、主ソレノ
イドの外方円筒表面に近接して取付けられた補正
用シムコイルとを組合わせて用いることにより、
達成される。コイル組立体は、同軸的に配列され
た4つのグループのコイルから成つて、主ソレノ
イドの軸方向勾配の第1次、第2次及び第3次成
分の補正をもたらすものである。主ソレノイドコ
イルの横軸に関しての主コイルの磁場変動を補償
するために、円形コイルが用いられた。この円形
コイルの縦軸は、主コイルの横軸に一致してい
る。従来技術におけるこれらのコイルの各組に流
れる電流は、別個独立に制御されていた。すなわ
ち、異なるコイルは、直流電源からの異なる電流
によつて付勢される。
米国特許第3564398号に開示されたコイルにお
いて、主コイルの内側の異なつた位置に、複数の
補正用コイルが縦軸方向に位置づけられている。
これらの個々の補正用コイルは、空間的に独立で
ある。米国特許第3419904号及び第3577067号に開
示されたコイルにおいては、個々のコイルに異な
つた電流が供給されて、所望の補正が達成されて
いる。
いて、主コイルの内側の異なつた位置に、複数の
補正用コイルが縦軸方向に位置づけられている。
これらの個々の補正用コイルは、空間的に独立で
ある。米国特許第3419904号及び第3577067号に開
示されたコイルにおいては、個々のコイルに異な
つた電流が供給されて、所望の補正が達成されて
いる。
超伝導コイルの付勢を容易にするためには、全
てのコイルに同一の電流を流すことが望まれる。
超伝導磁石装置のコイルのうち異なる巻線部分に
異なる電流を供給することは、困難である。何故
ならば、コイルは、電源からみて接続しにくい位
置にあるからである。すなわち、デユワーびんの
内部は、4.2〓程度の低温に維持されている。さ
らに、デユワーびんの外部からコイルへの伝熱を
減少させるために、コイルをデユワーびんの外部
環境へ接続するリード線の本数を最小にすること
が望ましい。
てのコイルに同一の電流を流すことが望まれる。
超伝導磁石装置のコイルのうち異なる巻線部分に
異なる電流を供給することは、困難である。何故
ならば、コイルは、電源からみて接続しにくい位
置にあるからである。すなわち、デユワーびんの
内部は、4.2〓程度の低温に維持されている。さ
らに、デユワーびんの外部からコイルへの伝熱を
減少させるために、コイルをデユワーびんの外部
環境へ接続するリード線の本数を最小にすること
が望ましい。
従来技術の構造にはその他の不利点も存在して
いた。特に、コイルの各々に供給すべき補正電流
を決定するために、予め実験をすることが通常要
求されていた。従来のコイルのあるものは、軸方
向磁場の非一様性(第5次の軸方向勾配まで)を
補正した。しかし、ある種の目的のためには、第
7次までの軸方向勾配の補正が必要とされてい
た。
いた。特に、コイルの各々に供給すべき補正電流
を決定するために、予め実験をすることが通常要
求されていた。従来のコイルのあるものは、軸方
向磁場の非一様性(第5次の軸方向勾配まで)を
補正した。しかし、ある種の目的のためには、第
7次までの軸方向勾配の補正が必要とされてい
た。
本発明の一目的は、新規で改良された超伝導ソ
レノイドコイルを提供することである。
レノイドコイルを提供することである。
他の目的は、主コイルの磁場勾配のうち第1〜
7次の軸方向勾配を補正する超伝導ソレノイドコ
イルを提供することである。
7次の軸方向勾配を補正する超伝導ソレノイドコ
イルを提供することである。
他の目的は、全ての巻線部分が直列に接続され
ておりそれらに同一の電流を流すことにより容易
に付勢され得る超伝導ソレノイドコイルを提供す
ることである。
ておりそれらに同一の電流を流すことにより容易
に付勢され得る超伝導ソレノイドコイルを提供す
ることである。
他の目的は、異なつたコイル部分に供給すべき
付勢電流の絶対値を決定するための実験分析を要
しない超伝導ソレノイドコイルを提供することで
ある。
付勢電流の絶対値を決定するための実験分析を要
しない超伝導ソレノイドコイルを提供することで
ある。
さらに他の目的は、コイル付勢用電流のための
リード線がコイルの一面にのみ結線される超伝導
ソレノイドコイルを提供することである。
リード線がコイルの一面にのみ結線される超伝導
ソレノイドコイルを提供することである。
本発明の他の目的は、上記のような軸方向勾配
を補正する超伝導ソレノイドコイルを用いた核磁
気共鳴分光計を提供することである。
を補正する超伝導ソレノイドコイルを用いた核磁
気共鳴分光計を提供することである。
比較的小径の超伝導コアまたはストランドとそ
れを包囲する銅とからできた、長方形断面の超伝
導線が知られている。この超伝導線は、断面が円
形ではなく長方形であることから、隣り合う線間
の隙間なくびつしりと円筒面上においてらせん形
に巻くことができる。1段目または1層目を巻き
終わると、その外と表面はやはり円筒面になり、
その上に2段目または2層目を巻くことができ
る。このようにして、何層でも巻くことができ
る。しかも各層の巻き線ピツチを一様にすること
ができる。これに対し、円形断面を有する超伝導
線の場合には、ピツチが非一様となる。長方形断
面の超伝導線による場合には、隣り合うらせん層
のピツチを一様にできるので、ソレノイドコイル
の内部における径方向磁場勾配および回転方向磁
場勾配を実質的に零にすることができる。径方向
磁場勾配および回転方向磁場勾配を除去してはじ
めて、超伝導ソレノイドの磁場内に第6次および
第7次の軸方向勾配が実質的に存在することが確
認された。
れを包囲する銅とからできた、長方形断面の超伝
導線が知られている。この超伝導線は、断面が円
形ではなく長方形であることから、隣り合う線間
の隙間なくびつしりと円筒面上においてらせん形
に巻くことができる。1段目または1層目を巻き
終わると、その外と表面はやはり円筒面になり、
その上に2段目または2層目を巻くことができ
る。このようにして、何層でも巻くことができ
る。しかも各層の巻き線ピツチを一様にすること
ができる。これに対し、円形断面を有する超伝導
線の場合には、ピツチが非一様となる。長方形断
面の超伝導線による場合には、隣り合うらせん層
のピツチを一様にできるので、ソレノイドコイル
の内部における径方向磁場勾配および回転方向磁
場勾配を実質的に零にすることができる。径方向
磁場勾配および回転方向磁場勾配を除去してはじ
めて、超伝導ソレノイドの磁場内に第6次および
第7次の軸方向勾配が実質的に存在することが確
認された。
本発明に従つて長方形断面の超伝導線を以下の
ように巻くことによつて、第6次および第7次の
勾配を除去することができる。すなわち、主ソレ
ノイド巻線部をN1回巻き、一対の補助ソレノイ
ド巻線部をN2巻き、一対の補足ソレノイド巻線
部をN3回巻き、そして追加的巻線部をN4回巻
く。ただし、N1はN2より大きく、N2はN3より
大きく、かつN3はN4より大きいものとする。主
ソレノイド巻線部は、、縦軸と中央に位置する横
軸とを有し、また第1および第2の対向する端部
部分と中央部分とを有する。第1および第2補助
ソレノイド巻線部は主巻線部に同軸であり、それ
らの端部はそれぞれ主巻線部の2つの端部部分に
整合している。補助ソレノイド巻線部は、主巻線
部の磁場を増大するように、巻かれ、接続されか
つ位置づけられている。補助巻線部は、主巻線部
の外方円筒表面上に巻かれる。2つの補足巻線部
はやはり主巻線部に同軸であり、それらの端部は
それぞれ主巻線部の2つの端部部分に整合してい
る。補足巻線部は、端部近傍における主巻線部の
磁場を増大するように、巻かれ、接続されかつ位
置づけられている。補足巻線部は、主巻線部の内
方円筒表面上に巻かれる。補助および補足巻線部
は、主巻線部による磁場の第2次および第4次の
軸方向勾配を補償するように、巻かれ位置づけら
れている。
ように巻くことによつて、第6次および第7次の
勾配を除去することができる。すなわち、主ソレ
ノイド巻線部をN1回巻き、一対の補助ソレノイ
ド巻線部をN2巻き、一対の補足ソレノイド巻線
部をN3回巻き、そして追加的巻線部をN4回巻
く。ただし、N1はN2より大きく、N2はN3より
大きく、かつN3はN4より大きいものとする。主
ソレノイド巻線部は、、縦軸と中央に位置する横
軸とを有し、また第1および第2の対向する端部
部分と中央部分とを有する。第1および第2補助
ソレノイド巻線部は主巻線部に同軸であり、それ
らの端部はそれぞれ主巻線部の2つの端部部分に
整合している。補助ソレノイド巻線部は、主巻線
部の磁場を増大するように、巻かれ、接続されか
つ位置づけられている。補助巻線部は、主巻線部
の外方円筒表面上に巻かれる。2つの補足巻線部
はやはり主巻線部に同軸であり、それらの端部は
それぞれ主巻線部の2つの端部部分に整合してい
る。補足巻線部は、端部近傍における主巻線部の
磁場を増大するように、巻かれ、接続されかつ位
置づけられている。補足巻線部は、主巻線部の内
方円筒表面上に巻かれる。補助および補足巻線部
は、主巻線部による磁場の第2次および第4次の
軸方向勾配を補償するように、巻かれ位置づけら
れている。
第6次の軸方向勾配を補償するために、追加的
巻線部主巻線部に同軸的に巻かれ、主巻線部の中
央部分に位置している。追加的巻線部はある程度
の軸長を有するが、補助巻線部や補助巻線部のど
の部分とも重なつていない。追加的巻線部は、主
巻線部による中央部分近傍の磁場を減少するよう
に、位置され、巻かれかつ接続されている。
巻線部主巻線部に同軸的に巻かれ、主巻線部の中
央部分に位置している。追加的巻線部はある程度
の軸長を有するが、補助巻線部や補助巻線部のど
の部分とも重なつていない。追加的巻線部は、主
巻線部による中央部分近傍の磁場を減少するよう
に、位置され、巻かれかつ接続されている。
奇数次項の軸方向勾配を除去するために、主巻
線部および追加的巻線部が、中央の横軸に関し対
称に配置されている。また、主巻線部の両端にお
ける補助および補足巻線部についても対称性が保
たれている。上記対称性は、次のように達成され
る。(1)主巻線部および追加的巻線部は、横軸の両
側において実質的に同数だけ巻かれる。(2)主巻線
部の両端部において補助巻線部が同数だけ巻かれ
る。(3)主巻線部の両端部において補助巻線部が同
数だけ巻かれる。
線部および追加的巻線部が、中央の横軸に関し対
称に配置されている。また、主巻線部の両端にお
ける補助および補足巻線部についても対称性が保
たれている。上記対称性は、次のように達成され
る。(1)主巻線部および追加的巻線部は、横軸の両
側において実質的に同数だけ巻かれる。(2)主巻線
部の両端部において補助巻線部が同数だけ巻かれ
る。(3)主巻線部の両端部において補助巻線部が同
数だけ巻かれる。
本発明の一特徴において、全ての巻線部は直列
に巻かれ、それによりそれらを通して同一の電流
が流れる。従つて、通電すべきリード線は2本だ
けあれば良い。これらの2本のリード線は、コイ
ルを包むデユワーびんの外部環境からかなり小径
のチユーブを通つて伸び、以て外部環境から超伝
導コイルが位置する低温環境への伝熱を最小にす
る。
に巻かれ、それによりそれらを通して同一の電流
が流れる。従つて、通電すべきリード線は2本だ
けあれば良い。これらの2本のリード線は、コイ
ルを包むデユワーびんの外部環境からかなり小径
のチユーブを通つて伸び、以て外部環境から超伝
導コイルが位置する低温環境への伝熱を最小にす
る。
本発明の他の特徴において、ソレノイドコイル
の両端子はコイルを巻くボビンの一端側にあつ
て、しかも交差せずコイル厚さを増すことがな
い。この結果は、以下のような構成により達成さ
れる。すなわち、補足巻線部の一方を主巻線部の
内方円筒表面上に位置し、奇数回巻いて、補足巻
線部と追加的巻線部とを互いにリード線により結
線する。このリード線は、主巻線部の縦軸に沿つ
た一対のスロツトを通つて、軸方向に伸びてい
る。
の両端子はコイルを巻くボビンの一端側にあつ
て、しかも交差せずコイル厚さを増すことがな
い。この結果は、以下のような構成により達成さ
れる。すなわち、補足巻線部の一方を主巻線部の
内方円筒表面上に位置し、奇数回巻いて、補足巻
線部と追加的巻線部とを互いにリード線により結
線する。このリード線は、主巻線部の縦軸に沿つ
た一対のスロツトを通つて、軸方向に伸びてい
る。
また、上記のような軸方向勾配を補正する超伝
導ソレノイドコイルを用いて、高精度の核磁気共
鳴分光計を構成することができる。
導ソレノイドコイルを用いて、高精度の核磁気共
鳴分光計を構成することができる。
図面第1図を参照すれば、超伝導磁石装置を利
用した核磁気共鳴分光計が示されている。NMR
特性を調べるべきサンプル11が、バイアル
(vial)12の内部に配置されている。バイアル
12は、超伝導ソレノイド13の内部またはその
中心コアで発生された一様磁場H0中に位置され
る。一対の送信コイル14が、ソレノイド13の
コア内のバイアル12を跨いでいる。コイル14
の軸は、互いに実質的に一致し、磁場H0に直角
である。送信コイル14は、無線周波送信機15
によつて得られる無線周波エネルギーに応答し
て、サンプル11に無線周波エネルギーを適用す
る。ソレノイド13のコア内部においてバイアル
12に近接して位置された受信コイル16の軸
は、コイル14の軸および磁場H0の方向に対し
てともに直角である。受信コイル16は、無線周
波受信機17へ入力信号を供給する。
用した核磁気共鳴分光計が示されている。NMR
特性を調べるべきサンプル11が、バイアル
(vial)12の内部に配置されている。バイアル
12は、超伝導ソレノイド13の内部またはその
中心コアで発生された一様磁場H0中に位置され
る。一対の送信コイル14が、ソレノイド13の
コア内のバイアル12を跨いでいる。コイル14
の軸は、互いに実質的に一致し、磁場H0に直角
である。送信コイル14は、無線周波送信機15
によつて得られる無線周波エネルギーに応答し
て、サンプル11に無線周波エネルギーを適用す
る。ソレノイド13のコア内部においてバイアル
12に近接して位置された受信コイル16の軸
は、コイル14の軸および磁場H0の方向に対し
てともに直角である。受信コイル16は、無線周
波受信機17へ入力信号を供給する。
超伝導コイル13は、デユワーびん20内の比
較的狭いスリーブを貫通するリード線19を介し
て、直流電源18によつて付勢される。リード線
19は、ソレノイド13を付勢するために、図示
のようにデユワーびんを貫通してソレノイド13
に接続している。電源18からの付勢電流に応答
して、コイル13は、サンプル11の体積中を貫
く比較的高い強度の一様直流磁場H0を発生させ
る。代表的には、50〜60アンペアの付勢電流が超
伝導ソレノイド13中を流れ、100キロガウス程
度の直流磁場H0を発生する。超伝導ソレノイド
を用いる現代のNMR分光計において従来から知
られるように、いつたんソレノイド13が電源1
8によつて付勢されると、特殊な状況を除き、ソ
レノイド13は電源から切り離される。
較的狭いスリーブを貫通するリード線19を介し
て、直流電源18によつて付勢される。リード線
19は、ソレノイド13を付勢するために、図示
のようにデユワーびんを貫通してソレノイド13
に接続している。電源18からの付勢電流に応答
して、コイル13は、サンプル11の体積中を貫
く比較的高い強度の一様直流磁場H0を発生させ
る。代表的には、50〜60アンペアの付勢電流が超
伝導ソレノイド13中を流れ、100キロガウス程
度の直流磁場H0を発生する。超伝導ソレノイド
を用いる現代のNMR分光計において従来から知
られるように、いつたんソレノイド13が電源1
8によつて付勢されると、特殊な状況を除き、ソ
レノイド13は電源から切り離される。
サンプル11のNMR特性を走査して調べるた
めに、送信機15はコイル14へ無線周波エネル
ギーの複数のパルスを供給する。これらパルス
は、サンプルによつて選択的に吸収される。ピツ
クアツプコイル16が、サンプル11から再放射
されたエネルギーを変換して、送信機17へスペ
クトル信号を供給する。受信機17はフーリエ変
換計算装置を含み、サンプル11のNMR特性の
トレース(trace)を得て、X―Y記録器21で
表示することができる。
めに、送信機15はコイル14へ無線周波エネル
ギーの複数のパルスを供給する。これらパルス
は、サンプルによつて選択的に吸収される。ピツ
クアツプコイル16が、サンプル11から再放射
されたエネルギーを変換して、送信機17へスペ
クトル信号を供給する。受信機17はフーリエ変
換計算装置を含み、サンプル11のNMR特性の
トレース(trace)を得て、X―Y記録器21で
表示することができる。
コイル13は、4.2〓程度の液体ヘリウム温度
に維持される。好適実施例においては、ソレノイ
ドコイル13の低温はデユワーびん20によつて
達成される。デユワーびん20は外部アルミニウ
ム殻21を有し、その中にアルミニウム缶22が
位置される。アルミニウム缶22は、約77〓の液
体窒素を保持する。液体窒素缶22の内側には、
更に、液体ヘリウムが充填された缶23がある。
缶23は、超伝導コイル13が位置しているシリ
ンダーを包囲する。缶23の壁24と缶22の床
25との間、壁24とアルミニウム熱シールド2
8の側壁26および床27との間において、代表
的には約10-5トールに排気される。缶23の直近
外側において、さらにアルミニウム熱シールド2
9が配される。シールド28の壁26および床2
7と殻21との間、缶22の屋根31および側壁
32との間においても、排気される。この排気さ
れた空間において、他の熱シールド33が位置さ
れる。デユワーびん20の外部から超伝導コイル
13への熱の流れを最小にするために、シールド
33、屋根31、床25およびシールド29に
は、それぞれスリーブ34,35および36がも
たらされる。これらスリーブの全ては、缶23の
内部を貫通するボア37に同心である。ボア37
は、デユワーびん20の両端に亙つて延びるスリ
ーブ38に同心的である。コイル13はスリーブ
34〜36に同心であり、磁場H0はスリーブの
共通縦軸と同一方向に延びる。
に維持される。好適実施例においては、ソレノイ
ドコイル13の低温はデユワーびん20によつて
達成される。デユワーびん20は外部アルミニウ
ム殻21を有し、その中にアルミニウム缶22が
位置される。アルミニウム缶22は、約77〓の液
体窒素を保持する。液体窒素缶22の内側には、
更に、液体ヘリウムが充填された缶23がある。
缶23は、超伝導コイル13が位置しているシリ
ンダーを包囲する。缶23の壁24と缶22の床
25との間、壁24とアルミニウム熱シールド2
8の側壁26および床27との間において、代表
的には約10-5トールに排気される。缶23の直近
外側において、さらにアルミニウム熱シールド2
9が配される。シールド28の壁26および床2
7と殻21との間、缶22の屋根31および側壁
32との間においても、排気される。この排気さ
れた空間において、他の熱シールド33が位置さ
れる。デユワーびん20の外部から超伝導コイル
13への熱の流れを最小にするために、シールド
33、屋根31、床25およびシールド29に
は、それぞれスリーブ34,35および36がも
たらされる。これらスリーブの全ては、缶23の
内部を貫通するボア37に同心である。ボア37
は、デユワーびん20の両端に亙つて延びるスリ
ーブ38に同心的である。コイル13はスリーブ
34〜36に同心であり、磁場H0はスリーブの
共通縦軸と同一方向に延びる。
本発明に従つて、ソレノイド13は、サンプル
11を通る非常に一様な磁場H0を発生させる。
ソレノイドコイル13は、第8次のコイルである
と考えることができる。すなわち、コイル13
は、多項式次数1〜7について縦軸に沿つて平坦
な磁場特性をもたらす。加えて、磁場H0は、サ
ンプル11が位置される領域において、回転(ま
たはらせん)成分または径方向成分を事実上有し
ない。すなわち、サンプル11を通る磁場の全て
の成分は、事実上ソレノイド13の縦軸に一致す
る。
11を通る非常に一様な磁場H0を発生させる。
ソレノイドコイル13は、第8次のコイルである
と考えることができる。すなわち、コイル13
は、多項式次数1〜7について縦軸に沿つて平坦
な磁場特性をもたらす。加えて、磁場H0は、サ
ンプル11が位置される領域において、回転(ま
たはらせん)成分または径方向成分を事実上有し
ない。すなわち、サンプル11を通る磁場の全て
の成分は、事実上ソレノイド13の縦軸に一致す
る。
上記目的のために、ソレノイドコイル13が、
主巻線部41、一対の補助巻線部42および4
3、一対の補足巻線部44および45、ならびに
追加巻線部46を有する(第2図参照)。巻線部
41〜46の各々は、コイル13の縦軸47に同
軸である。巻線部41〜46の全ては、円筒形の
非磁性ボビン48上に巻かれ、互いに直列に接続
されている。それにより、ボビン48一端におけ
る共通面61を貫くリード線49および50を流
れる電流によつて、コイル13が付勢される。
主巻線部41、一対の補助巻線部42および4
3、一対の補足巻線部44および45、ならびに
追加巻線部46を有する(第2図参照)。巻線部
41〜46の各々は、コイル13の縦軸47に同
軸である。巻線部41〜46の全ては、円筒形の
非磁性ボビン48上に巻かれ、互いに直列に接続
されている。それにより、ボビン48一端におけ
る共通面61を貫くリード線49および50を流
れる電流によつて、コイル13が付勢される。
巻線部41〜46の全てが、日本国特許出願昭
和54年第18563号に記載したように、長方形断面
を有する超伝導線で巻かれている。好適には、超
伝導線は、長方形断面の銅製シース(sheath)に
よつて包囲された円形断面のニオビウム―チタニ
ウム合金のコアから成る、単一フイラメント構造
である。代表的には、銅シースの長方形の底辺の
長さは0.016インチ(約0.4mm)、高さは0.013イン
チ(約0.3mm)である。コアの直径は、この場合、
0.01インチ(約0.25mm)である。しかしながら、
その超伝導体を流れる電流によつて生じた磁場が
線の断面に比して一様な位置を取りうるほどに線
断面が十分小さいという条件さえ満たせば、超伝
導線の長方形断面は、任意の寸法でよい。
和54年第18563号に記載したように、長方形断面
を有する超伝導線で巻かれている。好適には、超
伝導線は、長方形断面の銅製シース(sheath)に
よつて包囲された円形断面のニオビウム―チタニ
ウム合金のコアから成る、単一フイラメント構造
である。代表的には、銅シースの長方形の底辺の
長さは0.016インチ(約0.4mm)、高さは0.013イン
チ(約0.3mm)である。コアの直径は、この場合、
0.01インチ(約0.25mm)である。しかしながら、
その超伝導体を流れる電流によつて生じた磁場が
線の断面に比して一様な位置を取りうるほどに線
断面が十分小さいという条件さえ満たせば、超伝
導線の長方形断面は、任意の寸法でよい。
巻線部41〜46の各々は、長方形断面の超伝
導線を円筒面上にびつしりと緊密にらせんに巻い
た層の複数から成る。まず第1層として円筒面上
に長方形断面の線を隙間なく巻き終わると、この
第1層の外表面も円筒面になる。そして次に第1
層の上に第2層をやはり同様に緊密に巻いて行く
ことができる。第2層の外表面もまた円筒面とな
る。各層は、軸線47に同軸である。これららせ
ん層のうち隣接する層は、互いに逆向きのピツチ
となる。隣接するらせん層の間には、マイラーで
できた薄い誘電シース(図示せず)を介在させ
て、もし隣接層の超伝導コアが常伝導状態になつ
た場合にも両層を互いに電気的に絶縁する。超伝
導動作中において、超伝導コアのインピーダンス
に対する銅シースのインピーダンスは、非常に大
きい。それにより、銅は開回路と同様になる。一
方、超伝導コアが常伝導状態になつたときには、
銅シースは、常伝導になつたコア部分に対して分
路をもたらす。これにより、わずかな部分が常伝
導になつた場合でも、常伝導状態が全コイルに波
及する可能性を避ける。
導線を円筒面上にびつしりと緊密にらせんに巻い
た層の複数から成る。まず第1層として円筒面上
に長方形断面の線を隙間なく巻き終わると、この
第1層の外表面も円筒面になる。そして次に第1
層の上に第2層をやはり同様に緊密に巻いて行く
ことができる。第2層の外表面もまた円筒面とな
る。各層は、軸線47に同軸である。これららせ
ん層のうち隣接する層は、互いに逆向きのピツチ
となる。隣接するらせん層の間には、マイラーで
できた薄い誘電シース(図示せず)を介在させ
て、もし隣接層の超伝導コアが常伝導状態になつ
た場合にも両層を互いに電気的に絶縁する。超伝
導動作中において、超伝導コアのインピーダンス
に対する銅シースのインピーダンスは、非常に大
きい。それにより、銅は開回路と同様になる。一
方、超伝導コアが常伝導状態になつたときには、
銅シースは、常伝導になつたコア部分に対して分
路をもたらす。これにより、わずかな部分が常伝
導になつた場合でも、常伝導状態が全コイルに波
及する可能性を避ける。
超伝導線の断面が長方形であるので、ソレノイ
ドコイル13の隣接して逆向きに巻かれた各層
は、その全長に亙つて一定のピツチを有する真の
らせんとなる。互いに隣接するらせん層の隣接面
は、誘電シースによつてのみ電気的に分離され
る。各隣接層は、実質的に一定径の円筒外表面を
有する。これに対し、円形断面の線で巻いた場合
には、らせんの径が変動してしまう。
ドコイル13の隣接して逆向きに巻かれた各層
は、その全長に亙つて一定のピツチを有する真の
らせんとなる。互いに隣接するらせん層の隣接面
は、誘電シースによつてのみ電気的に分離され
る。各隣接層は、実質的に一定径の円筒外表面を
有する。これに対し、円形断面の線で巻いた場合
には、らせんの径が変動してしまう。
超伝導線は上記のように巻かれるので、長方形
形状の短い方の面が縦軸47に対して直角をな
し、長い方の面が縦軸47に平行に延びる。超伝
導線の長方形形状の面をこのように配置すること
により、前に巻いたらせん層に対して、次に巻く
らせん層が弛むということがない。
形状の短い方の面が縦軸47に対して直角をな
し、長い方の面が縦軸47に平行に延びる。超伝
導線の長方形形状の面をこのように配置すること
により、前に巻いたらせん層に対して、次に巻く
らせん層が弛むということがない。
もしソレノイド13を構成するのが主巻線部4
1であるならば、サンプルを位置すべき巻線部内
部の磁場は、一様にならず、以下のように空間に
依存することになる。
1であるならば、サンプルを位置すべき巻線部内
部の磁場は、一様にならず、以下のように空間に
依存することになる。
H0=a+bz+cz2+dz3+ez4+fz5+
gz6+hz7+iz8+…
ここにH0は、ソレノイド内の磁場である。z
は、中央横軸53から測つた縦軸47方向の距離
である。a,b,c,d,e,f,g,hおよび
iは、定数係数である。係数a〜iの値は、一般
に減少して行くので、ソレノイド13のコアの中
央部分内部において、軸47に沿つた第8次以上
の磁場勾配は無視できるほど小さい。
は、中央横軸53から測つた縦軸47方向の距離
である。a,b,c,d,e,f,g,hおよび
iは、定数係数である。係数a〜iの値は、一般
に減少して行くので、ソレノイド13のコアの中
央部分内部において、軸47に沿つた第8次以上
の磁場勾配は無視できるほど小さい。
本発明に従つて、係数b〜hが零になるよう
に、巻線部42〜46を配置する。それにより、
ソレノイド13内部の磁場は、以下の式で表せる
ことになる。
に、巻線部42〜46を配置する。それにより、
ソレノイド13内部の磁場は、以下の式で表せる
ことになる。
H0=a+iz8+…
iおよびそれ以上の高次の項の係数は、比較的小
さいので、ソレノイド13のコア内部の磁場は、
極めて一様になる。このような式で表せるコイル
を第8次ソレノイドコイルと呼ぶ。
さいので、ソレノイド13のコア内部の磁場は、
極めて一様になる。このような式で表せるコイル
を第8次ソレノイドコイルと呼ぶ。
この目的のために、補助巻線部等42,43,
44,45および46による磁場が、主巻線部1
4による磁場に加えられる。巻線部42〜45
が、第2次および第4次の係数を除去する。すな
わち、上記式のcおよびeの値を零にする。一
方、追加的巻線部46が、第6次の効果を除去す
る。すなわち、係数gを零にする。巻線部41〜
46が中央横軸53に関して対称的に巻かれてい
るので、上記式の奇数項成分が除去される。すな
わち、係数b,d,fおよびhの値が零となる。
この対称性は、以下のようにして達成される。す
なわち、主巻線部41および追加巻線部46の巻
数を横軸53の両側において同数とし、補助巻線
部42および43の巻数を等しくし、補足巻線部
44および45の巻数を等しくすることによつ
て、達成される。
44,45および46による磁場が、主巻線部1
4による磁場に加えられる。巻線部42〜45
が、第2次および第4次の係数を除去する。すな
わち、上記式のcおよびeの値を零にする。一
方、追加的巻線部46が、第6次の効果を除去す
る。すなわち、係数gを零にする。巻線部41〜
46が中央横軸53に関して対称的に巻かれてい
るので、上記式の奇数項成分が除去される。すな
わち、係数b,d,fおよびhの値が零となる。
この対称性は、以下のようにして達成される。す
なわち、主巻線部41および追加巻線部46の巻
数を横軸53の両側において同数とし、補助巻線
部42および43の巻数を等しくし、補足巻線部
44および45の巻数を等しくすることによつ
て、達成される。
主巻線部41によつて発生される磁場は、他の
全ての巻線部42〜46によつて発生される磁場
の総和より大きい。補助巻線部42および43に
よつて発生される磁場の和は、補足巻線部44お
よび45によつて発生される磁場の和よりも大き
い。追加巻線部46によつて発生される磁場は、
他の巻線部41〜45によつて発生される磁場の
いずれよりも小さい。この目的のために、各巻線
部のアンペア×巻数に以下のような関係がある。
全ての巻線部42〜46によつて発生される磁場
の総和より大きい。補助巻線部42および43に
よつて発生される磁場の和は、補足巻線部44お
よび45によつて発生される磁場の和よりも大き
い。追加巻線部46によつて発生される磁場は、
他の巻線部41〜45によつて発生される磁場の
いずれよりも小さい。この目的のために、各巻線
部のアンペア×巻数に以下のような関係がある。
N1I1>N2I2>N3I3>N4I4
ここに、
N1=主巻線部41の巻数
N2=補助巻線部42および43の巻数の和
N3=補足巻線部44および45の巻数の和
N4=追加巻線部46の巻数
I1=主巻線部41に供給される電流
I2=補助巻線部42および43に供給される電
流 I3=補足巻線部44および45に供給される電
流 I4=追加巻線部46に供給される電流 巻線部41〜46は、直列に結線されているの
で、 I1=I2=I3=I4 すなわち、 N1>N2>N3>N4> 補助巻線部42および43は主巻線部41の外
方円筒表面上に巻かれ、縦軸に沿つて実質的な長
さを有する。補足巻線部44および45は主巻線
部41の内方円筒面の内部に巻かれる。巻線部4
2〜45は主巻線部41の端部に整合されてい
る。しかしながら、補足巻線部44および45の
軸長は、補助巻線部42および43の軸長よりも
短く、第6次の磁場勾配を減少させている。巻線
部41の第1の端面が、巻線部42および44の
第1の端面72および73に一致する。一方、主
巻線部41の第2の端面74が、巻線部43およ
び45の端面75および76に一致する。巻線部
44および45の第2の端面79および80は、
巻線部42および43の第2の端面77および7
8よりも、中央横軸53から離れている。追加巻
線部46は、主巻線部41の内壁上に位置され
る。好適実施例においては、第8次ソレノイドコ
イルを達成するために、以下のような構成をとつ
た。巻線部42および43は各々、10層を含み、
主巻線部41の26.68%の軸長を有する。巻線部
44および45の各々は、5層を含み、主巻線部
41の23.58%の軸長を有する。追加巻線部46
は単一層であり、主巻線部41の37.37%の軸長
を有するものとした。
流 I3=補足巻線部44および45に供給される電
流 I4=追加巻線部46に供給される電流 巻線部41〜46は、直列に結線されているの
で、 I1=I2=I3=I4 すなわち、 N1>N2>N3>N4> 補助巻線部42および43は主巻線部41の外
方円筒表面上に巻かれ、縦軸に沿つて実質的な長
さを有する。補足巻線部44および45は主巻線
部41の内方円筒面の内部に巻かれる。巻線部4
2〜45は主巻線部41の端部に整合されてい
る。しかしながら、補足巻線部44および45の
軸長は、補助巻線部42および43の軸長よりも
短く、第6次の磁場勾配を減少させている。巻線
部41の第1の端面が、巻線部42および44の
第1の端面72および73に一致する。一方、主
巻線部41の第2の端面74が、巻線部43およ
び45の端面75および76に一致する。巻線部
44および45の第2の端面79および80は、
巻線部42および43の第2の端面77および7
8よりも、中央横軸53から離れている。追加巻
線部46は、主巻線部41の内壁上に位置され
る。好適実施例においては、第8次ソレノイドコ
イルを達成するために、以下のような構成をとつ
た。巻線部42および43は各々、10層を含み、
主巻線部41の26.68%の軸長を有する。巻線部
44および45の各々は、5層を含み、主巻線部
41の23.58%の軸長を有する。追加巻線部46
は単一層であり、主巻線部41の37.37%の軸長
を有するものとした。
リード線が巻線部上で交差してコイルの厚さを
増すことのないように、ボビンの端部プレート6
1からリード線49および50(図示せず)を引
き出すために、また1本の線で巻いてゆき巻線部
を互いに直列に接続するために、巻線部を以下の
要領で巻く。まず始めに、円筒形のボビン部51
の回りに奇数(たとえば、5層)のらせん層を巻
いて、巻線部44を形成する。巻線部44の最後
の1巻きは、最外層であり、第2の端面79に隣
接する。線は次に、縦軸47まで径方向に引か
れ、チユーブ52を通つてプレート61から離れ
る方向に引かれる。チユーブ52は、ボビン48
を通つて軸47上で縦方向に延びている。それか
ら、線は、追加巻線部46を形成するために、径
方向外方に引かれる。巻線部46の最後の1巻き
から、チユーブ83へと径方向内方に引かれる。
チユーブ83は、ボビン48を通つて軸47上で
縦方向に延びている。線は次に、チユーブ83を
通つて、プレート61から離れる方向に引かれ
る。さらに、径方向外方に引かれ、巻線部45が
円筒ボビン54の回りに巻かれる。巻線部45が
終わると、その最後の1巻きは、巻線部45の最
外層で端面76のところである。主巻線部41
は、奇数層のらせん層として巻かれ、それによつ
て巻線部41の最後の1巻は、端面71における
最外層となる。
増すことのないように、ボビンの端部プレート6
1からリード線49および50(図示せず)を引
き出すために、また1本の線で巻いてゆき巻線部
を互いに直列に接続するために、巻線部を以下の
要領で巻く。まず始めに、円筒形のボビン部51
の回りに奇数(たとえば、5層)のらせん層を巻
いて、巻線部44を形成する。巻線部44の最後
の1巻きは、最外層であり、第2の端面79に隣
接する。線は次に、縦軸47まで径方向に引か
れ、チユーブ52を通つてプレート61から離れ
る方向に引かれる。チユーブ52は、ボビン48
を通つて軸47上で縦方向に延びている。それか
ら、線は、追加巻線部46を形成するために、径
方向外方に引かれる。巻線部46の最後の1巻き
から、チユーブ83へと径方向内方に引かれる。
チユーブ83は、ボビン48を通つて軸47上で
縦方向に延びている。線は次に、チユーブ83を
通つて、プレート61から離れる方向に引かれ
る。さらに、径方向外方に引かれ、巻線部45が
円筒ボビン54の回りに巻かれる。巻線部45が
終わると、その最後の1巻きは、巻線部45の最
外層で端面76のところである。主巻線部41
は、奇数層のらせん層として巻かれ、それによつ
て巻線部41の最後の1巻は、端面71における
最外層となる。
巻線部41を巻いた後に、巻線部42および4
3を巻く。完成した巻線部42および43は、と
もに偶数層を含む。しかしながら、巻線部42を
巻いてゆくときには、最後の1層を残して止め、
巻線部45へと移る。巻線部42の最後の1つ手
前の層は、端面77で終わる。そこから線がリー
ド線64として軸47に平行に縦方向に引かれ、
第2図および第3図に示すように、予め敷設して
おいた誘電テープの層63の上を通り、巻線部4
3の最内層へと導かれる。次に巻線部43が、偶
数層のらせん層を含むものとして、巻かれる。そ
れにより、巻線部43の最後の1巻きは、端面7
8のところの最外層になる。線は次に、リード線
65として縦軸47に平行に、層63の上を延
び、巻線部42に至る。最後に、巻線部42の最
外層が巻かれ、プレート61内の適切な孔を通つ
て、引き出される。
3を巻く。完成した巻線部42および43は、と
もに偶数層を含む。しかしながら、巻線部42を
巻いてゆくときには、最後の1層を残して止め、
巻線部45へと移る。巻線部42の最後の1つ手
前の層は、端面77で終わる。そこから線がリー
ド線64として軸47に平行に縦方向に引かれ、
第2図および第3図に示すように、予め敷設して
おいた誘電テープの層63の上を通り、巻線部4
3の最内層へと導かれる。次に巻線部43が、偶
数層のらせん層を含むものとして、巻かれる。そ
れにより、巻線部43の最後の1巻きは、端面7
8のところの最外層になる。線は次に、リード線
65として縦軸47に平行に、層63の上を延
び、巻線部42に至る。最後に、巻線部42の最
外層が巻かれ、プレート61内の適切な孔を通つ
て、引き出される。
上述の実施例は、本発明を限定するものではな
く、本発明の真の範囲を外れることなく、多くの
修正や変形を為しうる。
く、本発明の真の範囲を外れることなく、多くの
修正や変形を為しうる。
[発明の効果]
本発明の超伝導ソレノイドコイルは、上記のご
とく構成したので、軸方向磁場の非一様性を第7
次まで補正することが可能である。また、このよ
うなコイルを用いて構成した核磁気共鳴分光計
は、サンプルの全長にわたつて磁場の一様性が第
7次まで保たれるのできわめて高精度の分光を行
うことができる。
とく構成したので、軸方向磁場の非一様性を第7
次まで補正することが可能である。また、このよ
うなコイルを用いて構成した核磁気共鳴分光計
は、サンプルの全長にわたつて磁場の一様性が第
7次まで保たれるのできわめて高精度の分光を行
うことができる。
第1図は、本発明の超伝導コイルを含んだ
NMR分光計の縦断面図を示している。第2図
は、本発明の1実施例に従つた超伝導コイルの部
分的縦断面図である。第3図は、第2図の3―3
線に沿つて取つた横断面図である。 主要符号の説明、11…サンプル、12…バイ
アル、13…超伝導ソレノイド、14…送信コイ
ル、15…送信機、16…受信コイル、17…受
信機、18…直流電源、19…リード線、20…
デユワーびん、21…アルミニウム殻、22,2
3…アルミニウム缶、24…壁、25…床、26
…側壁、27…床、28,29…アルミニウム熱
シールド、31…屋根、32…側壁、33…熱シ
ールド、34〜36…スリーブ、37…ボア、3
8…スリーブ、41…主巻線部、42,43…補
助巻線部、44,45…補足巻線部、46…追加
巻線部、47…縦軸、48…ボビン、49,50
…リード線、51…ボビン部、52,83…チユ
ーブ、53…中央軸線、54…ボビン、61…共
通面、63…誘電テープ層、64,65…リード
線、72〜80…端面。
NMR分光計の縦断面図を示している。第2図
は、本発明の1実施例に従つた超伝導コイルの部
分的縦断面図である。第3図は、第2図の3―3
線に沿つて取つた横断面図である。 主要符号の説明、11…サンプル、12…バイ
アル、13…超伝導ソレノイド、14…送信コイ
ル、15…送信機、16…受信コイル、17…受
信機、18…直流電源、19…リード線、20…
デユワーびん、21…アルミニウム殻、22,2
3…アルミニウム缶、24…壁、25…床、26
…側壁、27…床、28,29…アルミニウム熱
シールド、31…屋根、32…側壁、33…熱シ
ールド、34〜36…スリーブ、37…ボア、3
8…スリーブ、41…主巻線部、42,43…補
助巻線部、44,45…補足巻線部、46…追加
巻線部、47…縦軸、48…ボビン、49,50
…リード線、51…ボビン部、52,83…チユ
ーブ、53…中央軸線、54…ボビン、61…共
通面、63…誘電テープ層、64,65…リード
線、72〜80…端面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 超伝導線が、縦軸および複螺旋層を持つソレ
ノイドコイルとして巻かれており、該層のうち隣
接した層は、実質的に相互に接触する面を持つて
おり、且つピツチが反対方向であり; 該ソレノイドコイルは、縦軸、中央横軸、第1
および第2の相対する端部および中央部を持つ主
ソレノイド巻線部分を含み、さらにその主巻線部
は、横軸の両側に実質的に同数の巻数を含み、且
つソレノイドの内部に縦方向の磁界をつくるとこ
ろの超伝導線と; 第1および第2の補助巻線部が、実質的に主巻
線部の第1および第2の端部と整合しており、当
該補助巻線部は、端部の近接部で主巻線部の磁界
を増すため巻かれ、結線され、且つ位置決めされ
ており該第1および第2の補助巻線部は、実質的
に同数の巻き数を持つており、横軸よりほぼ等距
離で、縦軸に沿つて位置決めされているところの
主巻線部と同軸の第1および第2補助ソレノイド
巻線部と; 第1および第2の補足巻線部が、主巻線部の第
1および第2の端部とそれぞれ且つ実質的に整合
しており、該補足巻線部は、端部の近接部で、主
巻線部の磁界を増すため巻かれ、位置決められ且
つ結線されており、該第1および第2の補足巻線
部は、実質的に同数の巻数を持つており、横軸よ
りほぼ等距離で、縦軸に沿つて位置決めされてい
るところの、主巻線部と同軸の第1および第2の
補足巻線部と; 前記補助および補足巻線部が主巻線部の第2次
および第4次の磁場勾配を補正することと; 巻線部が、主巻線部と同軸で主巻線部の中心部
と整合しており、該巻線部の軸範囲のいかなる部
分も、前記補助巻線部または補足巻線部のいかな
る部分とも重なつていない限度までとなつてお
り、該巻線部は、横軸の両側に実質的に同数の巻
数を持つており、該巻線部は主巻線部の中心部の
近接部に、主巻線部の磁界を増やすために位置決
められ、巻かれ且つ結線されているところの、追
加的巻線部と; からなる第1ないし7次の勾配を補償する機能
を持つた超伝導ソレノイドコイル。 2 特許請求の範囲第1項のコイルにおいて、巻
線部が以下のように巻かれ且つ外部電源よりの電
流により励磁されるコイル: N1I1>N2I2>N3I3>N4I4 N1=主巻線部の巻数 N2=補助巻線部の巻数の和 N3=補足巻線部の巻数の和 N4=追加的巻線部の巻数 I1=主巻線部に流される電流 I2=補助巻線部両方に流される電流 I3=補足巻線部両方に流される電流 I4=追加的巻線部に流される電流。 3 特許請求の範囲第1項のコイルにおいて、該
巻線部の全ては、直列巻きされており、そのた
め、同じ電流が巻線部の全てに流れるようになつ
ているコイル。 4 特許請求の範囲第3項のコイルにおいて、巻
線部はN1>N2>N3>N4となるよう巻かれてお
り、その場合において、 N1=主巻線部の巻数 N2=補助巻線部の巻数の和 N3=補足巻線部の巻数の和 N4=追加的巻線部の巻数 であるようなコイル。 5 特許請求の範囲第3項のコイルにおいて、主
巻線部は、内方および外方円筒形表面を含み、追
加的巻線部および補足巻線部は、前記内方表面の
内側に位置決めされ、補助巻線部は、前記外方表
面の外側に位置決めされている、ようなコイル。 6 特許請求の範囲第5項のコイルにおいて、第
1の補足巻線部および第1の補助巻線部は、主巻
線部の第1端面と整合した端面と、主巻線部第1
端面より離れた第2面とを持つており、第2の補
足巻線部および第2補助巻線部には、主巻線部の
第2端面と整合した端面と、主巻線部の第2端面
より離れた第2端面とを持つており、第1の補助
巻線部を追加的巻線部に結線し、また、追加的巻
線部を第2補足巻線部に結線する導線とを持つて
おり、これにより、電流は、第1の巻線部の第2
面上の最外部巻き部より、追加的巻線部の第1端
上およびその近接部の巻き部に向かつて、および
追加的巻線部の第2端上の巻き部より、第2の補
足巻線部の第2面上の最内部巻き部に向かつて、
流れる、ようになつているコイル。 7 特許請求の範囲第6項のコイルにおいて、前
記導線は、補足巻線部と追加的巻線部との間の縦
軸に沿つて延長している、ようになつているコイ
ル。 8 特許請求の範囲第6項のコイルにおいて、補
足巻線部の各々は、奇数数量の層を含んでいる、
ようになつているコイル。 9 特許請求の範囲第6項のコイルにおいて、第
2の補足巻線部の第1面上の最外部巻き部は、主
巻線部の第2面上の最内部巻き部に結線されてお
り、主巻線部の第1面上の最外部の巻き部は、第
1の補助巻線部の第1面上の最内部巻き部に結線
されており一つの導線は、第1の補助巻線部の第
2面上の最外部巻き部と、第2補助巻線部の第2
面上の最内部巻き部とを結線しており、第2の導
線は、第2の補助巻線部の第2面上の最外部巻き
部と、第1の補助巻線部の第2面上の最外部巻き
部とを結線しており、さらにもう一つの導線は、
第1の補助巻線部の第1面上の巻き部と、主巻線
部の第1面に近接した第1コイル端子とを結線し
ており、主巻線部の第1面に近接した第2コイル
端子は、補足巻線部の第一面上の最内部の巻き部
に結線しており当該補足巻線部は両方とも、奇数
層を持つており、該主巻線部と、該補助巻線部の
両方は、偶数層を持つている、ようになつている
コイル。 10 特許請求の範囲第1項のコイルにおいて、
該超伝導線は長方形断面を持つているところのコ
イル。 11 核磁気共鳴分光のための試験用のサンプル
取付けに適した内部心線を持つているところの超
伝導ソレノイドコイルと; 超伝導ソレノイドコイルを低温、超伝導温度に
保つためのデユワーびんと; サンプルを核磁気共鳴の状態に励磁するための
無線周波電源と無線周波コイルの励磁の結果とし
てサンプルから得られる無線周波エネルギーを検
知し、超伝導コイルに電流を検知するためのピツ
ク・アツプコイルと; から成り、 該コイルは、長方形断面を持つた超伝導線によ
り形成されており、該線は縦軸を持つたソレノイ
ドとして複層のらせん層に巻かれており、該層の
隣接層は、実質的に相互に接触する面を持ち、ピ
ツチが反対であり、さらに、該ソレノイドコイル
は先ず、縦軸、中央横軸、第1および第2の相対
端部および中央部を持つ主ソレノイド巻線部を持
ち、該主巻線部は横軸の両側に実質的に同数の巻
数を持ち、ソレノイドの内部に縦方向の磁界を造
つており、該縦方向の磁界はコイルの内部でサン
プルに供給されており; 主巻線部と同軸にある第1および第2の補助ソ
レノイド巻線部を有し、該第1および第2の補助
巻線部は、それぞれ、且つ実質的に、主巻線部の
第1および第2の端部に整合しており該補助巻線
部は、端部の近接部で、主巻線部の磁界を増すた
めに巻かれ、結線され、且つ位置決められてお
り、該第1および第2の補助巻線部は、実質的に
同数の巻数を持つており、横軸よりほぼ等距離
で、縦軸に沿つて位置が決められており; 主巻線部と同軸である第1および第2の補足巻
線部を有し、該第1および第2の補足巻線部は、
それぞれ且つ実質的に、主巻線部の第1および第
2の端部に整合しており、該補足巻線部はほぼ同
数の巻き線を持ち、横軸よりほぼ等距離に縦軸に
沿つて位置決められており、該補足巻線部は、端
部の近接部で、主巻線部の磁界を減少させるため
に巻かれ、位置決められ、且つ、結線されてお
り; 前記補助巻線部および補足巻線部が、主巻線部
の第2次および第4次の軸勾配を補償するために
位置決められ、且つ、巻かれており; 主巻線部と同軸であり、主巻線部の中心部に実
質的に整合されている、追加的巻線部を持ち、該
追加的巻線部の軸限度は、同部のいかなる部分も
補助巻線部または補足巻線部のいかなる部分とも
重なつていないところまでであり、該追加的巻線
部は横軸の両側に実質的に同数の巻数を持つてお
り、更に追加的巻線部は主巻線部の中心部の近接
部で、主巻線部の磁界を減少させるために位置決
めされ、巻かれ且つ結線されてある、ところの核
磁気共鳴分光計。 12 特許請求の範囲第11項の分光計におい
て、前記ソレノイドコイルの巻線部は、 N1I1>N2I2>N3I3>N4I4 N1=主巻線部の巻数 N2=補助巻線部の巻数の和 N3=補足巻線部の巻数の和 N4=追加的巻線部の巻数 I1=主巻線部に流される電流 I2=補助巻線部両方に流される電流 I3=補足巻線部両方に流される電流 I4=追加的巻線部に流される電流 となるように巻かれ、且つ外部電源よりの電流に
より励磁されている; ところの分光計。 13 特許請求の範囲第11項の分光計におい
て、前記ソレノイドコイルの巻線部の全ては、直
列に巻かれ、これにより、同じ電流が巻線部の全
てに流れるようになつている; ところの分光計。 14 特許請求の範囲第13項の分光計におい
て、前記ソレノイドコイルの巻線部は、 N1>N2>N3>N4 N1=主巻線部の巻数 N2=補助巻線部の巻数の和 N3=補足巻線部の巻数の和 N4=追加的巻線部の巻数 となるように巻かれている; ところの分光計。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/879,298 US4180769A (en) | 1978-02-21 | 1978-02-21 | Superconducting solenoid with compensation for axial gradients |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54126092A JPS54126092A (en) | 1979-09-29 |
| JPS6325692B2 true JPS6325692B2 (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=25373852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1856479A Granted JPS54126092A (en) | 1978-02-21 | 1979-02-21 | Superconductive solenoid with axis inclination correcting function |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4180769A (ja) |
| JP (1) | JPS54126092A (ja) |
| CH (1) | CH649647A5 (ja) |
| DE (1) | DE2905993A1 (ja) |
| FR (1) | FR2417832B1 (ja) |
| GB (1) | GB2015259B (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| IL68138A (en) * | 1983-03-15 | 1988-01-31 | Elscint Ltd | Cryogenic magnet system |
| US4536728A (en) * | 1983-10-03 | 1985-08-20 | International Telephone & Telegraph Corp. | Valve solenoid windings |
| US4587492A (en) * | 1984-03-02 | 1986-05-06 | Varian Associates, Inc. | Thermal barrier for variable temperature NMR |
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| US4506247A (en) * | 1984-05-23 | 1985-03-19 | General Electric Company | Axisymmetric correction coil system for NMR magnets |
| JPS61113218A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | 超電導マグネツト |
| US4647858A (en) * | 1985-07-29 | 1987-03-03 | General Electric Company | Methods for overcoming transient magnetic field inhomogeneity in nuclear magnetic resonance imaging |
| DE3628161A1 (de) * | 1986-08-20 | 1988-02-25 | Spectrospin Ag | Vorrichtung zum kompensieren von zeitvarianten feldstoerungen in magnetfeldern |
| DE4018657A1 (de) * | 1990-06-11 | 1991-12-12 | Bruker Analytische Messtechnik | Probenkopf fuer kernresonanz-spektrometer |
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| DE19940694C1 (de) * | 1999-08-27 | 2001-07-26 | Bruker Ag Faellanden | Aktiv abgeschirmte supraleitende Magnetanordnung mit Z·2·-Shim |
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| JP2017011236A (ja) * | 2015-06-26 | 2017-01-12 | 株式会社神戸製鋼所 | 多層磁気シールド |
| GB2608409B (en) * | 2021-06-30 | 2026-03-18 | Oxford Nanoscience Ltd | Magnet System |
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| US3450952A (en) * | 1965-08-30 | 1969-06-17 | Varian Associates | Superconducting magnet apparatus |
| US3419904A (en) * | 1966-05-05 | 1968-12-31 | Varian Associates | Superconductive solenoid having winding segments additionally energized for gradient control |
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-
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- 1978-02-21 US US05/879,298 patent/US4180769A/en not_active Expired - Lifetime
-
1979
- 1979-02-15 GB GB7905460A patent/GB2015259B/en not_active Expired
- 1979-02-16 DE DE2905993A patent/DE2905993A1/de active Granted
- 1979-02-19 FR FR7904111A patent/FR2417832B1/fr not_active Expired
- 1979-02-21 CH CH1695/79A patent/CH649647A5/de not_active IP Right Cessation
- 1979-02-21 JP JP1856479A patent/JPS54126092A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2015259A (en) | 1979-09-05 |
| FR2417832B1 (fr) | 1986-03-21 |
| DE2905993A1 (de) | 1979-09-27 |
| GB2015259B (en) | 1982-04-07 |
| US4180769A (en) | 1979-12-25 |
| DE2905993C2 (ja) | 1990-01-18 |
| FR2417832A1 (fr) | 1979-09-14 |
| CH649647A5 (de) | 1985-05-31 |
| JPS54126092A (en) | 1979-09-29 |
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