JPS6327796B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6327796B2 JPS6327796B2 JP56099760A JP9976081A JPS6327796B2 JP S6327796 B2 JPS6327796 B2 JP S6327796B2 JP 56099760 A JP56099760 A JP 56099760A JP 9976081 A JP9976081 A JP 9976081A JP S6327796 B2 JPS6327796 B2 JP S6327796B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic bubble
- bubble memory
- data
- information
- external device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はメジヤーマイナー方式(主にブロツク
レプリケートトランスフア方式)の磁気バブルメ
モリ装置の情報転送方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an information transfer method for a major-minor type (mainly block replicate transfer type) magnetic bubble memory device.
磁気バブルメモリのデータ入出力方式として、
メジヤーマイナー方式が用いられており、特にリ
ードメジヤラインおよびライトメジヤラインを有
して転送速度の比較的大きいブロツクレプリケー
トトランスフア方式が用にられている。このよう
なメジヤーマイナ方式の磁気バブルメモリには、
不良ループ(マイナループ)の存在は現状では避
けられない。従つて、磁気バブルメモリと外部装
置との間で情報転送を行う場合には、上述の不良
ループをマスクするためにバツフアが必要不可欠
であり、従来、バツフアとしてシフトレジスタ、
あるいはFIFO(フアーストイン、フアーストアウ
ト)等が用いられている。
As a data input/output method for magnetic bubble memory,
A major/minor system is used, and in particular, a block replicate transfer system that has a read major line and a write major line and has a relatively high transfer rate is used. This type of major-minor magnetic bubble memory has
The existence of defective loops (minor loops) is unavoidable under current circumstances. Therefore, when transferring information between a magnetic bubble memory and an external device, a buffer is essential to mask the above-mentioned defective loop, and conventionally, a shift register,
Alternatively, FIFO (first-in, first-out) is used.
並列情報転送を行う場合には、主にシフトレジ
スタを用いて並直列変換あるいはその逆変換を行
う。しかしながら、この場合には、シフトレジス
タが満杯もしくは空になるまでの周期がその周期
に存在する不良ループの数に左右されて情報(ワ
ード単位)の転送周期が一定でないという問題点
がある。また、直列情報転送を行う場合には、不
良ループの存在のために、入出力のシフトクロツ
クが共通なシフトレジスタを用いることはできな
いので、入出力クロツクが異なるFIFOを用いて
いる。しかしながら、この場合でも、FIFOが1
ページ分のビツト数を有せば始めの1ページ内に
おいては、情報(ワード単位)の転送周期を一定
にすることは可能であるが、多ページに渡る場合
には、1ページのビツト長、不良ループの数、1
ワードのビツト数、1ページのワード数等によつ
て影響されて、ページの継ぎ目では情報(ワー
ド)の間隔は保障されないという問題点である。
すなわち、いずれの場合にあつても、1ページ当
りの情報(ワード)数を2nにしようとするもので
あつて、情報(ワード)の時間間隔が重要な意味
を有するデータたとえば磁気テープに記憶された
データを磁気バブルメモリの多ページに渡つて記
録することは困難である。
When performing parallel information transfer, a shift register is mainly used to perform parallel-to-serial conversion or its inverse conversion. However, in this case, there is a problem that the period until the shift register becomes full or empty depends on the number of defective loops that exist in that period, and the transfer period of information (in word units) is not constant. Furthermore, when performing serial information transfer, it is not possible to use a shift register with a common input and output shift clock due to the presence of defective loops, so a FIFO with different input and output clocks is used. However, even in this case, the FIFO is 1
If the information has the number of bits for a page, it is possible to keep the transfer cycle of information (in word units) constant within the first page, but if it spans multiple pages, the bit length of one page, Number of bad loops, 1
This problem is affected by the number of bits in a word, the number of words in one page, etc., and the spacing between information (words) cannot be guaranteed at the joints of pages.
In other words, in any case, the number of information (words) per page is intended to be 2 n , and the time interval between information (words) is important, such as data stored on magnetic tape. It is difficult to record the data over multiple pages of magnetic bubble memory.
本発明の目的は、磁気バブルメモリの駆動周波
数に同期させて一定周期の有効情報とこの有効情
報間の無効情報とを、入出力が独立に制御できる
データバツフアたとえばFIFOによつて磁気バブ
ルメモリの良ループおよび不良ループに対応する
ように情報転送を行うという構想にもとづき、情
報(ワード)の時間間隔が重要な意味を有するデ
ータを磁気バブルメモリの多ページに渡つて記録
することを可能にする。
An object of the present invention is to improve magnetic bubble memory by using a data buffer such as FIFO that can input and output independently control valid information of a fixed period and invalid information between the valid information in synchronization with the drive frequency of the magnetic bubble memory. Based on the concept of transferring information in response to loops and defective loops, it is possible to record data in which the time interval of information (words) is important over multiple pages of magnetic bubble memory.
以下、図面により本発明の実施例を説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例としての磁気バブル
メモリ装置のブロツク回路図である。第1図にお
いて、1は磁気バブルメモリ、2は入出力の制御
が独立で行えるデータバツフアたとえばFIFO、
3はデータバツフア2の入力クロツク信号CKIお
よび出力クロツク信号CKOを発生するための制
御回路であつて、この制御回路3には磁気バブル
メモリ1の不良ループNoおよび外部装置の有効
データ周期T1、無効データ周期T2が予め記憶さ
れている。また、スイツチSW1は、外部装置(図
示せず)からのデータDioをデータバツフア2を
介して磁気バブルメモリ1に書込みデータWDと
して入力するための書込み動作(W)と、磁気バ
ブルメモリ1からの読出しデータRDをデータバ
ツフア2を介して出力データDputとして外部装置
に送出する読出し動作とを切換えるためのもので
あり、制御回路3によつて制御される。 FIG. 1 is a block circuit diagram of a magnetic bubble memory device as an embodiment of the present invention. In FIG. 1, 1 is a magnetic bubble memory, 2 is a data buffer, such as a FIFO, whose input and output can be controlled independently.
3 is a control circuit for generating the input clock signal CKI and the output clock signal CKO of the data buffer 2, and this control circuit 3 has the following information: the defective loop number of the magnetic bubble memory 1, the valid data period T 1 of the external device, and the invalid data period T 1 of the external device. The data period T 2 is stored in advance. The switch SW 1 also performs a write operation (W) for inputting data D io from an external device (not shown) to the magnetic bubble memory 1 as write data WD via the data buffer 2, and a write operation (W) for inputting data D io from an external device (not shown) to the magnetic bubble memory 1 as write data WD. This is for switching between a read operation in which the read data RD is sent to an external device as output data D put via the data buffer 2, and is controlled by the control circuit 3.
第1図の制御回路3の一例は、第4図に示され
る。第4図において、31は不良ループNo格納
用メモリ、32は該メモリのアドレスを発生する
アドレス走査用カウンタ、33は有効データ周期
T1、無効データ周期T2を設定する周期設定カウ
ンタ、34は書込み動作/読出し動作制御回路で
ある。また、スイツチSW2は、第1図のスイツチ
SW1と同一構成をなすものであり、書込み時/読
出し時に応じてクロツク信号CKI,CKOを切替
えるものである。 An example of the control circuit 3 of FIG. 1 is shown in FIG. In FIG. 4, 31 is a memory for storing the defective loop number, 32 is an address scanning counter that generates the address of the memory, and 33 is a valid data cycle.
T 1 is a period setting counter for setting the invalid data period T 2 , and 34 is a write operation/read operation control circuit. In addition, switch SW 2 is the switch shown in Figure 1.
It has the same configuration as SW 1 , and switches the clock signals CKI and CKO depending on writing/reading.
第2図a〜eを参照して第1図の回路の書込み
動作について説明する。この場合、各スイツチ
SW1,SW2は、上側端子Wに傾倒される。第2図
aに示す磁気バブルメモリ1の駆動パルス信号
CLK(基準クロツク)に同期して外部装置からデ
ータバツフア2にデータDioが転送されてくる。
このデータDioは、第2図bに示すように、有効
データ(周期T1)と無効データ(周期T2)とを
対とする一定周期Tで転送されてくる。この周期
T1,T2は予め周期設定カウンタ33に設定され
ている。従つて、制御回路3は、第2図cに示す
ように、第2図aの基準クロツクに同期し且つ周
期T1範囲内で有効データをサンプリングするた
めのクロツク信号CKI(これをCKI(W)とする)
をデータバツフア2に発生する。この結果、有効
データのみがデータバツフア2に格納されること
になる。他方、データバツフア2にある程度デー
タが蓄積されると、制御回路3は、第2図dに示
すように、第2図aの基準クロツクに同期し且つ
磁気バブルメモリ1の良ループ(マイナループ)
に対応する時刻にクロツク信号CKO(これを
CKO(W)とする)を発生する。たとえば、この
場合、ループ“0”、“1”、“3”、“4”、“5”
、
“7”、…が良ループであり、ループ“2”、“6”
が不良ループである。この結果、第2図eの書込
みデータWDに示すように、外部装置からの有効
データは不良ループに書込まれることなく、良ル
ープのみに書込まれることになる。言い換える
と、データDioのうちで一定間隔で挿入された無
効データは磁気バブルメモリ1の不良ループに書
込まれたことに相当する。 The write operation of the circuit of FIG. 1 will be explained with reference to FIGS. 2a to 2e. In this case, each switch
SW 1 and SW 2 are tilted toward the upper terminal W. Drive pulse signal of the magnetic bubble memory 1 shown in FIG. 2a
Data Dio is transferred from an external device to the data buffer 2 in synchronization with CLK (reference clock).
As shown in FIG. 2b, this data D io is transferred at a constant period T in which valid data (period T 1 ) and invalid data (period T 2 ) are paired. this cycle
T 1 and T 2 are set in the cycle setting counter 33 in advance. Therefore, as shown in FIG. 2c, the control circuit 3 outputs a clock signal CKI (which is synchronized with the reference clock shown in FIG . ))
is generated in the data buffer 2. As a result, only valid data will be stored in the data buffer 2. On the other hand, when a certain amount of data is accumulated in the data buffer 2, the control circuit 3 synchronizes with the reference clock shown in FIG. 2a, as shown in FIG.
The clock signal CKO (this
CKO (W)) occurs. For example, in this case, the loop “0”, “1”, “3”, “4”, “5”
,
“7”, … are good loops, and loops “2”, “6”
is a bad loop. As a result, as shown by write data WD in FIG. 2e, valid data from the external device is not written into the bad loop, but only into the good loop. In other words, invalid data inserted at regular intervals among the data D io corresponds to being written into a defective loop of the magnetic bubble memory 1 .
次に、第3図を参照して第1図の回路の読出し
動作について説明する。この場合、各スイツチ
SW1,SW2は、下側に傾倒される。磁気バブルメ
モリ1から読出しデータRDは第3図aに示す基
準クロツクCLKに同期して読出される。しかし、
この場合、前述のように、ループ“0”、“1”、
“3”、“4”、“5”、…が良ループであり、ループ
“2”、“6”、…が不良ループである。従つて、制
御回路3は第3図cに示すクロツク信号CKI(こ
れをCKI(R)とする)によつて良ループのみの
データをサンプリングしてデータバツフア2に格
納する。他方、データバツフア2にある程度デー
タが蓄積されると、制御回路3は第3図dに示す
クロツクCKO(これをCKO(R)とする)を発生
する。このクロツクCKO(R)は所定の有効デー
タ周期T1と無効データ周期T2とを繰返し含んで
いる。従つて、第3図eの出力データDputに示す
ように、データバツフア2からのデータRDは有
効データ周期T1として送出され、各有効データ
周期には無効データ周期T2が付随している。 Next, the read operation of the circuit shown in FIG. 1 will be explained with reference to FIG. In this case, each switch
SW 1 and SW 2 are tilted downward. The read data RD is read from the magnetic bubble memory 1 in synchronization with the reference clock CLK shown in FIG. 3a. but,
In this case, as mentioned above, the loop “0”, “1”,
"3", "4", "5", . . . are good loops, and loops "2", "6", . . . are bad loops. Therefore, the control circuit 3 samples the data of only good loops and stores them in the data buffer 2 using the clock signal CKI (hereinafter referred to as CKI(R)) shown in FIG. On the other hand, when a certain amount of data is accumulated in the data buffer 2, the control circuit 3 generates the clock CKO (hereinafter referred to as CKO(R)) shown in FIG. 3d. This clock CKO(R) repeatedly includes a predetermined valid data period T1 and an invalid data period T2 . Therefore, as shown in output data D put in FIG. 3e, data RD from data buffer 2 is sent out as valid data periods T 1 and each valid data period is accompanied by an invalid data period T 2 .
このように、書込み動作時にあつては、クロツ
ク信号CKIは外部データDioの形式、すなわち、
周期設定カウンタ33の出力に合わされ、また、
クロツク信号CKOは磁気バブルメモリ1の良ル
ープ、すなわち不良ループNo格納用メモリ31
の出力に合わされる。逆に、読出し動作時にあつ
ては、クロツク信号CKIは磁気バブルメモリ1の
良ループすなわち不良ループNo格納用メモリ3
1の出力に合わされ、また、クロツク信号CKO
は外部データDputの形式、すなわち、周期設定カ
ウンタ33の出力に合わせられる。従つて、有効
データと無効データとの和を1ページ分の容量の
因数となるように設定しておけば、データバツフ
ア2は満杯になることもなく且つ空になることも
なく、多ページに渡つてデータの転送が可能とな
る。なお、ここで、1ページとは、通常、マイナ
ループの数を言い、たとえば512であれば、512=
29であるので、その因数とは2、4、8、16、
…、256である。 Thus, during a write operation, the clock signal CKI is in the form of external data Dio , that is,
It is matched with the output of the cycle setting counter 33, and
The clock signal CKO is the memory 31 for storing the good loop number of the magnetic bubble memory 1, that is, the bad loop number.
is adjusted to the output of Conversely, during a read operation, the clock signal CKI is applied to the memory 3 for storing the good loop or bad loop number of the magnetic bubble memory 1.
1 output, and the clock signal CKO
is matched with the format of the external data D put , that is, the output of the cycle setting counter 33. Therefore, if the sum of valid data and invalid data is set as a factor of the capacity for one page, the data buffer 2 will never become full or empty, and will be able to pass through multiple pages. Then data transfer becomes possible. Note that one page here usually refers to the number of minor loops; for example, if it is 512, 512=
2 9 , so the factors are 2, 4, 8, 16,
..., 256.
なお、上述の実施例においては、磁気バブルメ
モリ装置と外部装置との間の情報転送を直列形式
で行つているが、有効データを並列データに変換
して直列データの1ブロツク送り時間毎に並列形
式で外部装置に転送し、且つ外部装置からの転送
データに対しては上述の逆変換をしても、本発明
の効果を失うことはない。 In the above embodiment, information is transferred between the magnetic bubble memory device and the external device in a serial format, but valid data is converted to parallel data and data is transferred in parallel at each block transfer time of serial data. Even if the data is transferred to an external device in this format and the data transferred from the external device is subjected to the above-mentioned inverse conversion, the effects of the present invention will not be lost.
以上説明したように本発明によれば、情報(ワ
ード)の間隔が重要な意味を有する大規模なデー
タを磁気バブルメモリに記録することが可能とな
る。また、通常、メジヤーマイナ方式の磁気バブ
ルメモリ装置においては、不良ループ位置はデバ
イス毎に異なるために不良ループ用予備デバイス
がないと並列動作は行えないが、本発明によれ
ば、不良ループが等間隔の無効データに変換され
るので余分な予備用デバイスを用いることなく並
列動作が可能となり、且つデータ転送速度を向上
させることもでき、さらに、この場合、ワード
長、1ページの長さ(ページギヤツプ)およびデ
バイス数を考慮することによりワード間隔を一定
に保つこともできる。さらに、多数のデバイスを
1個づつ切目なく切換えることにより長時間の記
録をすることも可能である。
As described above, according to the present invention, it is possible to record large-scale data in which the intervals between information (words) have important meanings in a magnetic bubble memory. Furthermore, normally, in a major-minor type magnetic bubble memory device, the position of the defective loop differs from device to device, so parallel operation cannot be performed without a spare device for the defective loop. Since the data is converted into invalid data, parallel operation is possible without using extra spare devices, and the data transfer speed can also be improved. It is also possible to keep the word interval constant by considering the number of devices and the number of devices. Furthermore, it is also possible to record for a long time by seamlessly switching between a large number of devices one by one.
第1図は本発明の一実施例としての磁気バブル
メモリ装置のブロツク回路図、第2図、第3図は
第1図の回路動作を説明するためのタイミング
図、第4図は第1図の制御回路の一例を示す回路
図である。
1……磁気バブルメモリ、2……データバツフ
ア(FIFO)、3……制御装置、WD……書込みデ
ータ、RD……読出しデータ、CKI……FIFO2の
入力クロツク信号、CKO……FIFO2の出力クロ
ツク信号。
FIG. 1 is a block circuit diagram of a magnetic bubble memory device as an embodiment of the present invention, FIGS. 2 and 3 are timing diagrams for explaining the circuit operation of FIG. 1, and FIG. 4 is a diagram of the circuit shown in FIG. FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a control circuit of FIG. 1...Magnetic bubble memory, 2...Data buffer (FIFO), 3...Control device, WD...Write data, RD...Read data, CKI...FIFO2 input clock signal, CKO...FIFO2 output clock signal .
Claims (1)
の入出力情報を一時的に蓄積し且つ入出力が独立
に制御可能なデータバツフア2とを具備するメジ
ヤーマイナー方式の磁気バブルメモリ装置におい
て、 前記データバツフアと外部装置との間では、前
記磁気バブルメモリの駆動クロツクCLKに同期
し且つ一定周期Tの前記外部装置の有効情報T1
および無効情報T2の該有効情報T1に同期したク
ロツクCKI(W),CKO(R)でデータ転送を行
い、 前記データバツフアと前記磁気バブルメモリと
の間では、前記磁気バブルメモリの駆動クロツク
CLKに同期し且つ前記磁気バブルメモリの1ペ
ージT′の良マイナループに同期したクロツク
CKO(W),CKI(R)でデータ転送を行い、 前記外部装置の無効情報を前記磁気バブルメモ
リの不良マイナループに対応せしめた磁気バブル
メモリ装置の情報転送方法。 2 前記外部装置の有効情報T1および無効情報
T2の一定周期Tに含まれる前記磁気バブルメモ
リの駆動クロツクCLKの数を前記磁気バブルメ
モリの1ページT′相当の該メモリの駆動クロツ
クCLKの数の因数とした特許請求の範囲第1項
に記載の磁気バブルメモリ装置の情報転送方法。[Claims] 1. A major-minor type magnetic bubble memory comprising a magnetic bubble memory 1 and a data buffer 2 that temporarily stores input/output information of the magnetic bubble memory and can control input/output independently. In the device, between the data buffer and the external device, effective information T1 of the external device is synchronized with the drive clock CLK of the magnetic bubble memory and has a constant period T.
Data is transferred using clocks CKI (W) and CKO (R) synchronized with valid information T 1 of invalid information T 2 , and between the data buffer and the magnetic bubble memory, a driving clock of the magnetic bubble memory is used.
A clock that is synchronized with CLK and synchronized with the good minor loop of page 1 T' of the magnetic bubble memory.
An information transfer method for a magnetic bubble memory device, in which data is transferred using CKO (W) and CKI (R), and invalid information of the external device is made to correspond to a defective minor loop of the magnetic bubble memory. 2 Valid information T1 and invalid information of the external device
Claim 1: The number of driving clocks CLK of the magnetic bubble memory included in a constant period T of T2 is a factor of the number of driving clocks CLK of the memory corresponding to one page T' of the magnetic bubble memory. The information transfer method of the magnetic bubble memory device described in .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56099760A JPS581880A (en) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | Information transfer system for magnetic bubble memory |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56099760A JPS581880A (en) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | Information transfer system for magnetic bubble memory |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS581880A JPS581880A (en) | 1983-01-07 |
| JPS6327796B2 true JPS6327796B2 (en) | 1988-06-06 |
Family
ID=14255929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56099760A Granted JPS581880A (en) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | Information transfer system for magnetic bubble memory |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS581880A (en) |
-
1981
- 1981-06-29 JP JP56099760A patent/JPS581880A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS581880A (en) | 1983-01-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0147500A2 (en) | Semiconductor memory device | |
| JPS6216294A (en) | Memory device | |
| JPS6327796B2 (en) | ||
| KR100282519B1 (en) | Data read speed improvement circuit of flash memory | |
| JPS6373323A (en) | Buffer device | |
| JPS6323581B2 (en) | ||
| JPH10340596A (en) | Data storage device and semiconductor storage device | |
| JPH04360425A (en) | semiconductor storage device | |
| JP2567982B2 (en) | Bus trace control method | |
| KR0148182B1 (en) | Quadruple Bank Memory Controller | |
| SU1624534A1 (en) | Buffer memory unit | |
| JP2704063B2 (en) | CCD image sensor control circuit | |
| JP2570986B2 (en) | Data transfer control device and method | |
| JPS6041098A (en) | Voice editing controller | |
| JPS63300289A (en) | Image memory | |
| JPH01112449A (en) | Speed converting memory device | |
| JPH07123450A (en) | Time division switch memory with block access function | |
| JPS5854458A (en) | Controlling system for history memory | |
| JPS61153730A (en) | data buffer device | |
| JPH06295261A (en) | Data transfer device of storage device | |
| JPH01212911A (en) | timing generator | |
| JPS63136884A (en) | Video signal processor | |
| JPH022236B2 (en) | ||
| JPH0564369B2 (en) | ||
| JPH0457589A (en) | Time division switch memory writer |