JPS6328516B2 - - Google Patents
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- JPS6328516B2 JPS6328516B2 JP56187186A JP18718681A JPS6328516B2 JP S6328516 B2 JPS6328516 B2 JP S6328516B2 JP 56187186 A JP56187186 A JP 56187186A JP 18718681 A JP18718681 A JP 18718681A JP S6328516 B2 JPS6328516 B2 JP S6328516B2
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- Japan
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- superconducting circuit
- superconductor layer
- layer
- grounding
- superconductor
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/12—Josephson-effect devices
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、接地用超伝導体層上に層間絶縁層を
形成し、且つその層間絶縁層上に超伝導回路を構
成している超伝導回路構成部が、基板上に形成さ
れている構成を有する超伝導回路装置に関する。
形成し、且つその層間絶縁層上に超伝導回路を構
成している超伝導回路構成部が、基板上に形成さ
れている構成を有する超伝導回路装置に関する。
従来、第１図を伴つて次に述べる超伝導回路装
置が提案されている。
置が提案されている。
すなわち、シリコン、ガラスなどで基板１上
に、鉛、鉛―インジウム―金合金、ニオブなどで
なる接地用超伝導体層２が、蒸着、スパツタリン
グなどによつて形成されている。
に、鉛、鉛―インジウム―金合金、ニオブなどで
なる接地用超伝導体層２が、蒸着、スパツタリン
グなどによつて形成されている。
また、接地用超伝導体層２上に、SiO2などで
なる層間絶縁層３が、蒸着などによつて形成され
ている。
なる層間絶縁層３が、蒸着などによつて形成され
ている。
さらに、層間絶縁層３上に、超伝導回路４が構
成されている。
成されている。
この場合、超伝導回路４は次に述べる構成を有
する。
する。
すなわち、層間絶縁層３上に、鉛、鉛―インジ
ウム―金合金、鉛―ビスマス合金、ニオブなどで
なる超伝導体層５が、所要のパターンに形成され
ている。
ウム―金合金、鉛―ビスマス合金、ニオブなどで
なる超伝導体層５が、所要のパターンに形成され
ている。
また、超伝導体層５の少くとも遊端部の表面上
に、超伝導体層５に対する酸化処理によつてトン
ネル障壁となる薄い絶縁層６が形成されている。
に、超伝導体層５に対する酸化処理によつてトン
ネル障壁となる薄い絶縁層６が形成されている。
さらに、層間絶縁層３上に、超伝導体層５と同
様の材料でなる超伝導体層７が、超伝導体層５と
絶縁層６を介して対向延長している態様で、所要
のパターンに形成されている。
様の材料でなる超伝導体層７が、超伝導体層５と
絶縁層６を介して対向延長している態様で、所要
のパターンに形成されている。
また、層間絶縁層３上に、超伝導体層５及び７
を埋設している態様で、層間絶縁層３と同様の材
料でなる層間絶縁層８が形成されている。
を埋設している態様で、層間絶縁層３と同様の材
料でなる層間絶縁層８が形成されている。
さらに、層間絶縁層８上に、超伝導体層５及び
７と同様の材料でなる超伝導体層９が、超伝導体
層７が超伝導体層５と絶縁層６を介して対向延長
している部と対向延長している態様で、所要のパ
ターンに形成されている。
７と同様の材料でなる超伝導体層９が、超伝導体
層７が超伝導体層５と絶縁層６を介して対向延長
している部と対向延長している態様で、所要のパ
ターンに形成されている。
以上が、従来提案されている超伝導回路装置の
構成である。
構成である。
このような構成を有する超伝導回路装置は、接
地用超伝導体層２と、層間絶縁層３と、超伝導回
路４とによつて構成された超伝導回路構成部１０
を有し、その超伝導回路構成部１０が、基板１上
に形成されている構成を有する。
地用超伝導体層２と、層間絶縁層３と、超伝導回
路４とによつて構成された超伝導回路構成部１０
を有し、その超伝導回路構成部１０が、基板１上
に形成されている構成を有する。
この場合、超伝導回路構成部１０の超伝導回路
４は、超伝導体層７が超伝導体層５に絶縁層６を
介して対向延長している部において形成されてい
るジヨセフソン接合１１を有する。
４は、超伝導体層７が超伝導体層５に絶縁層６を
介して対向延長している部において形成されてい
るジヨセフソン接合１１を有する。
そして、そのジヨセフソン接合１１は、超伝導
体層７が超伝導体層５に絶縁層６を介して対向延
長している部、すなわちジヨセフソン接合１１と
対向延長している超伝導体層９に、制御用電流が
流されることによつて、その超伝導体層９の周り
に発生する磁場の影響を受けて、スイツチング制
御される。
体層７が超伝導体層５に絶縁層６を介して対向延
長している部、すなわちジヨセフソン接合１１と
対向延長している超伝導体層９に、制御用電流が
流されることによつて、その超伝導体層９の周り
に発生する磁場の影響を受けて、スイツチング制
御される。
この場合、接地用超伝導体層２が、超伝導体層
９の周りに発生する磁場を、接地用超伝導体層２
と超伝導体層９との間に局在させるので、上述し
たジヨセフソン接合１１のスイツチング制御を効
果的に行うことができる。
９の周りに発生する磁場を、接地用超伝導体層２
と超伝導体層９との間に局在させるので、上述し
たジヨセフソン接合１１のスイツチング制御を効
果的に行うことができる。
上述したように、第１図に示す従来の超伝導回
路装置によれば、接地用超伝導体層２上に、層間
絶縁層３を形成し、且つその層間絶縁層３上に超
伝導回路４を構成している超伝導回路構成部１０
が、基板１上に形成されている構成を有し、そし
て、接地用超伝導体層２によつて、超伝導回路４
を構成している超伝導体層９に流される電流によ
つてその超伝導体層９の周りに発生する磁場を、
接地用超伝導体層２と超伝導体層９との間に局在
させるようにしているので、超伝導回路４が構成
しているジヨセフソン接合１１を、効果的にスイ
ツチング制御させることができる。
路装置によれば、接地用超伝導体層２上に、層間
絶縁層３を形成し、且つその層間絶縁層３上に超
伝導回路４を構成している超伝導回路構成部１０
が、基板１上に形成されている構成を有し、そし
て、接地用超伝導体層２によつて、超伝導回路４
を構成している超伝導体層９に流される電流によ
つてその超伝導体層９の周りに発生する磁場を、
接地用超伝導体層２と超伝導体層９との間に局在
させるようにしているので、超伝導回路４が構成
しているジヨセフソン接合１１を、効果的にスイ
ツチング制御させることができる。
しかしながら、接地用超伝導体層２によつて、
超伝導回路４を構成している超伝導体層９に流さ
れる電流によつてその超伝導体層９の周りに発生
する磁場を、接地用超伝導体層２と超伝導体層９
との間に局在させるようにしているため、接地用
超伝導体層２と超伝導体層９との間に、磁場の影
響を受けてはならない超伝導体層や、他のジヨセ
フソン接合などを配し得ないという制約を有して
いた。
超伝導回路４を構成している超伝導体層９に流さ
れる電流によつてその超伝導体層９の周りに発生
する磁場を、接地用超伝導体層２と超伝導体層９
との間に局在させるようにしているため、接地用
超伝導体層２と超伝導体層９との間に、磁場の影
響を受けてはならない超伝導体層や、他のジヨセ
フソン接合などを配し得ないという制約を有して
いた。
このため、本発明者は、上述した制約を解除し
得る超伝導回路装置を提案するに到つた。
得る超伝導回路装置を提案するに到つた。
第２図は、その本発明者の提案するに到つた超
伝導回路装置の一例を示し、次に述べる構成を有
する。
伝導回路装置の一例を示し、次に述べる構成を有
する。
すなわち、第１図で上述した、接地用超伝導体
層２上に層間絶縁層３を形成し、且つその層間絶
縁層３上に超伝導回路４を構成している超伝導回
路構成部１０と同様の構成を有する超伝導回路構
成部の少くとも２つを、第１及び第２の超伝導回
路構成部１０Ａ及び１０Ｂとして有する。なお、
第１及び第２の超伝導回路構成部１０Ａ及び１０
Ｂにおいて、第１図との対応部分には、同一符号
にＡ及びＢが付されている。
層２上に層間絶縁層３を形成し、且つその層間絶
縁層３上に超伝導回路４を構成している超伝導回
路構成部１０と同様の構成を有する超伝導回路構
成部の少くとも２つを、第１及び第２の超伝導回
路構成部１０Ａ及び１０Ｂとして有する。なお、
第１及び第２の超伝導回路構成部１０Ａ及び１０
Ｂにおいて、第１図との対応部分には、同一符号
にＡ及びＢが付されている。
この場合、超伝導回路構成部１０Ａ及び１０Ｂ
は、超伝導回路構成部１０Ａを基板１側にして、
第１図の場合と同様の基板１上に積重ねられて形
成され、また、超伝導回路構成部１０Ａ及び１０
Ｂ間に、層間絶縁層３と同様の絶縁層２１が介挿
されている。
は、超伝導回路構成部１０Ａを基板１側にして、
第１図の場合と同様の基板１上に積重ねられて形
成され、また、超伝導回路構成部１０Ａ及び１０
Ｂ間に、層間絶縁層３と同様の絶縁層２１が介挿
されている。
以上が、本発明者により提案された超伝導回路
装置の一例構成である。
装置の一例構成である。
このような構成を有する超伝導回路装置によれ
ば、その超伝導回路構成部１０Ａ及び１０Ｂのそ
れぞれが、第１図で上述した超伝導回路構成部１
０と同様の構成を有するので、超伝導回路構成部
１０Ａにおいて、第１図の場合と同様に、接地用
超伝導体層２Ａによつて、超伝導回路４Ａを構成
している超伝導体層９Ａに流される電流によつて
その超伝導体層９Ａの周りに発生する磁場を、接
地用超伝導体層２Ａと超伝導体層９Ａとの間に局
在させるので、超伝導回路４Ａが構成しているジ
ヨセフソン接合１１Ａを、効果的にスイツチング
制御させることができる。
ば、その超伝導回路構成部１０Ａ及び１０Ｂのそ
れぞれが、第１図で上述した超伝導回路構成部１
０と同様の構成を有するので、超伝導回路構成部
１０Ａにおいて、第１図の場合と同様に、接地用
超伝導体層２Ａによつて、超伝導回路４Ａを構成
している超伝導体層９Ａに流される電流によつて
その超伝導体層９Ａの周りに発生する磁場を、接
地用超伝導体層２Ａと超伝導体層９Ａとの間に局
在させるので、超伝導回路４Ａが構成しているジ
ヨセフソン接合１１Ａを、効果的にスイツチング
制御させることができる。
また、超伝導回路構成部１０Ｂにおいても、同
様に、接地用超伝導体層２Ｂによつて、超伝導回
路４Ｂを構成している超伝導体層９Ｂに流される
電流によつてその超伝導体層９Ｂの周りに発生す
る磁場を、接地用超伝導体層２Ｂと超伝導体層９
Ｂとの間に局在させるので、超伝導回路４Ｂを構
成しているジヨセフソン接合１１Ｂを、効果的に
スイツチング制御させることができる。
様に、接地用超伝導体層２Ｂによつて、超伝導回
路４Ｂを構成している超伝導体層９Ｂに流される
電流によつてその超伝導体層９Ｂの周りに発生す
る磁場を、接地用超伝導体層２Ｂと超伝導体層９
Ｂとの間に局在させるので、超伝導回路４Ｂを構
成しているジヨセフソン接合１１Ｂを、効果的に
スイツチング制御させることができる。
さらに、第１図の場合と同様に、超伝導回路構
成部１０Ａにおいて、接地用超伝導体層２Ａと超
伝導体層９Ａとの間に、磁場の影響を受けてはな
らない超伝導体層や、他のジヨセフソン接合など
を配し得ず、また、超伝導回路構成部１０Ｂにお
いても、同様に、接地用超伝導体層２Ｂと超伝導
体層９Ｂとの間に、磁場の影響を受けてはならな
い超伝導体層や、他のジヨセフソン接合などを配
し得ない。
成部１０Ａにおいて、接地用超伝導体層２Ａと超
伝導体層９Ａとの間に、磁場の影響を受けてはな
らない超伝導体層や、他のジヨセフソン接合など
を配し得ず、また、超伝導回路構成部１０Ｂにお
いても、同様に、接地用超伝導体層２Ｂと超伝導
体層９Ｂとの間に、磁場の影響を受けてはならな
い超伝導体層や、他のジヨセフソン接合などを配
し得ない。
しかしながら、第２図に示す超伝導回路装置の
場合、第１図で上述した超伝導回路構成部１０と
同様の超伝導回路構成部１０Ａ及び１０Ｂが、基
板１上に積重ねられて形成されているので、基板
１の面積を、第１図の場合の1/2程度まで小とし
ても、第１図の場合と同様の機能を得ることがで
きる。
場合、第１図で上述した超伝導回路構成部１０と
同様の超伝導回路構成部１０Ａ及び１０Ｂが、基
板１上に積重ねられて形成されているので、基板
１の面積を、第１図の場合の1/2程度まで小とし
ても、第１図の場合と同様の機能を得ることがで
きる。
また、超伝導回路構成部１０Ａ及び１０Ｂをそ
れぞれ構成している接地用超伝導体層２Ａ及び２
Ｂは、当然ながら、反磁性を呈するものである
が、このような反磁性を呈する接地用超伝導体層
２Ｂが、超伝導回路構成部１０Ａ及び１０Ｂ間に
介挿されている構成を有するので、超伝導回路構
成部１０Ａ及び１０Ｂが、接地用超伝導体層２Ｂ
によつて、磁気的に互に分離されている状態で動
作する。
れぞれ構成している接地用超伝導体層２Ａ及び２
Ｂは、当然ながら、反磁性を呈するものである
が、このような反磁性を呈する接地用超伝導体層
２Ｂが、超伝導回路構成部１０Ａ及び１０Ｂ間に
介挿されている構成を有するので、超伝導回路構
成部１０Ａ及び１０Ｂが、接地用超伝導体層２Ｂ
によつて、磁気的に互に分離されている状態で動
作する。
このため、第２図に示す超伝導回路装置によれ
ば、第１図で上述した従来の超伝導回路装置で得
られると同様の機能を、第１図で上述した従来の
超伝導回路装置に比し、格段的に小面積化して得
ることができる。
ば、第１図で上述した従来の超伝導回路装置で得
られると同様の機能を、第１図で上述した従来の
超伝導回路装置に比し、格段的に小面積化して得
ることができる。
しかしながら、第２図に示す超伝導回路装置の
場合、超伝導回路構成部１０Ａの超伝導体層９Ａ
に流れる電流によつてその超伝導体層９Ａの周り
に発生する磁場が、超伝導回路構成部１０Ｂの接
地用超伝導体層２Ｂに達するため、超伝導回路構
成部１０Ｂの接地用超伝導体層２Ｂが、超伝導回
路構成部１０Ａの接地用超伝導体層として、超伝
導回路構成部１０Ａの接地用超伝導体層２Ａと同
様の作用を行う。すなわち、超伝導回路構成部１
０Ｂの接地用超伝導体層２Ｂが、超伝導回路構成
部１０Ａの超伝導体層９Ａに流される電流によつ
てその超伝導体層９Ａの周りに発生する磁場を、
超伝導回路構成部１０Ｂの接地用超伝導体層２Ｂ
と超伝導回路構成部１０Ａの超伝導体層９Ａとの
間にも局在させるように作用する。このため、超
伝導回路構成部１０Ａの超伝導体層９Ａに流され
る電流によつてその超伝導体層９Ａの周りに発生
する磁場によつて、超伝導回路構成部１０Ａが所
期の特性で作動しないおそれがある、という欠点
を有する。このことは、超伝導回路構成部１０Ａ
及び１０Ｂ間の間隔が小さくなればなおさらであ
る。
場合、超伝導回路構成部１０Ａの超伝導体層９Ａ
に流れる電流によつてその超伝導体層９Ａの周り
に発生する磁場が、超伝導回路構成部１０Ｂの接
地用超伝導体層２Ｂに達するため、超伝導回路構
成部１０Ｂの接地用超伝導体層２Ｂが、超伝導回
路構成部１０Ａの接地用超伝導体層として、超伝
導回路構成部１０Ａの接地用超伝導体層２Ａと同
様の作用を行う。すなわち、超伝導回路構成部１
０Ｂの接地用超伝導体層２Ｂが、超伝導回路構成
部１０Ａの超伝導体層９Ａに流される電流によつ
てその超伝導体層９Ａの周りに発生する磁場を、
超伝導回路構成部１０Ｂの接地用超伝導体層２Ｂ
と超伝導回路構成部１０Ａの超伝導体層９Ａとの
間にも局在させるように作用する。このため、超
伝導回路構成部１０Ａの超伝導体層９Ａに流され
る電流によつてその超伝導体層９Ａの周りに発生
する磁場によつて、超伝導回路構成部１０Ａが所
期の特性で作動しないおそれがある、という欠点
を有する。このことは、超伝導回路構成部１０Ａ
及び１０Ｂ間の間隔が小さくなればなおさらであ
る。
よつて、本発明は、第２図に示す本発明者の提
案した超伝導回路装置を基礎とするが、その超伝
導回路装置の上述した欠点のない、新規な超伝導
回路装置を提案せんとするもので、以下述べると
ころから明らかとなるであろう。
案した超伝導回路装置を基礎とするが、その超伝
導回路装置の上述した欠点のない、新規な超伝導
回路装置を提案せんとするもので、以下述べると
ころから明らかとなるであろう。
第３図は、本発明による超伝導回路装置の一例
を示す。
を示す。
第３図において、第２図との対応部分には同一
符号を付し、詳細説明は省略する。
符号を付し、詳細説明は省略する。
第３図に示す本発明による超伝導回路装置は、
第２図で上述した超伝導回路装置の構成におい
て、超伝導回路構成部１０Ａ及び１０Ｂ間に、絶
縁層２１と超伝導回路構成部１０Ｂを構成してい
る接地用超伝導体層２Ｂとの間に介挿されている
態様で、パーマロイ、ミユーメタルなどの高透磁
率を有する材料でなる磁性層２２が介挿されてい
ることを除いて、第２図の場合と同様の構成を有
する。
第２図で上述した超伝導回路装置の構成におい
て、超伝導回路構成部１０Ａ及び１０Ｂ間に、絶
縁層２１と超伝導回路構成部１０Ｂを構成してい
る接地用超伝導体層２Ｂとの間に介挿されている
態様で、パーマロイ、ミユーメタルなどの高透磁
率を有する材料でなる磁性層２２が介挿されてい
ることを除いて、第２図の場合と同様の構成を有
する。
以上が、本発明による超伝導回路装置の一例の
構成である。
構成である。
このような構成を有する本発明による超伝導回
路装置によれば、それが、第２図で上述した構成
において、その超伝導回路構成部１０Ａ及び１０
Ｂ間に、高透磁率を有する磁性層２２が介挿され
ていることを除いて、第２図の場合と同様の構成
を有するので、詳細説明は省略するが、第２図の
場合と同様の優れた特徴を有する。
路装置によれば、それが、第２図で上述した構成
において、その超伝導回路構成部１０Ａ及び１０
Ｂ間に、高透磁率を有する磁性層２２が介挿され
ていることを除いて、第２図の場合と同様の構成
を有するので、詳細説明は省略するが、第２図の
場合と同様の優れた特徴を有する。
しかしながら、第３図に示す本発明による超伝
導回路装置の場合、超伝導回路構成部１０Ａ及び
１０Ｂ間に高透磁率を有する磁性層２２が介挿さ
れているので、超伝導回路構成部１０Ａの超伝導
体層９Ａと、超伝導回路構成部１０Ｂの接地用超
伝導体層２Ｂとの間の間隔が、第２図の場合に比
し格段的に小であつても、超伝導回路構成部１０
Ａの超伝導体層９Ａの周りに発生する磁場の超伝
導回路構成部１０Ｂ側への拡がりが、高透磁率を
有する磁性層２２内に留められるので、その磁場
が超伝導回路構成部１０Ｂを構成している接地用
超伝導体層２Ｂに達しない。
導回路装置の場合、超伝導回路構成部１０Ａ及び
１０Ｂ間に高透磁率を有する磁性層２２が介挿さ
れているので、超伝導回路構成部１０Ａの超伝導
体層９Ａと、超伝導回路構成部１０Ｂの接地用超
伝導体層２Ｂとの間の間隔が、第２図の場合に比
し格段的に小であつても、超伝導回路構成部１０
Ａの超伝導体層９Ａの周りに発生する磁場の超伝
導回路構成部１０Ｂ側への拡がりが、高透磁率を
有する磁性層２２内に留められるので、その磁場
が超伝導回路構成部１０Ｂを構成している接地用
超伝導体層２Ｂに達しない。
このため、超伝導回路構成部１０Ｂの接地用超
伝導体層２Ｂが、超伝導回路構成部１０Ａの接地
用超伝導体層として、接地用超伝導体層２Ａと同
様の作用を行うことがない。よつて、超伝導回路
構成部１０Ａの超伝導体層９Ａと、超伝導回路構
成部１０Ｂの接地用超伝導体層２Ｂとの間の間隔
が小であつても、超伝導回路構成部１０Ａが、所
期の特性で作動する。
伝導体層２Ｂが、超伝導回路構成部１０Ａの接地
用超伝導体層として、接地用超伝導体層２Ａと同
様の作用を行うことがない。よつて、超伝導回路
構成部１０Ａの超伝導体層９Ａと、超伝導回路構
成部１０Ｂの接地用超伝導体層２Ｂとの間の間隔
が小であつても、超伝導回路構成部１０Ａが、所
期の特性で作動する。
なお、上述においては、本発明の一例を示した
に留まり、第３図で上述した構成において、その
超伝導回路構成部１０Ｂを、その接地用超伝導体
層２Ｂが超伝導回路構成部１０Ａ側とは反対側に
ある、という構成にすることもでき、また、超伝
導回路構成部１０Ａ及び１０Ｂの何れか一方が、
超伝導体層を有するとしてもジヨセフソン接合を
有していない構成とすることもできる。
に留まり、第３図で上述した構成において、その
超伝導回路構成部１０Ｂを、その接地用超伝導体
層２Ｂが超伝導回路構成部１０Ａ側とは反対側に
ある、という構成にすることもでき、また、超伝
導回路構成部１０Ａ及び１０Ｂの何れか一方が、
超伝導体層を有するとしてもジヨセフソン接合を
有していない構成とすることもできる。
また、上述においては、ジヨセフソン接合が、
いわゆるトンネル接合・直線型であるとして、図
示説明したものであるが、ジヨセフソン接合をい
わゆるトンネル接合・直交型とすることもでき、
さらには、ブリツジ型とすることもでき、その
他、本発明の精神を脱することなしに、種々の変
型、変更をなし得るであろう。
いわゆるトンネル接合・直線型であるとして、図
示説明したものであるが、ジヨセフソン接合をい
わゆるトンネル接合・直交型とすることもでき、
さらには、ブリツジ型とすることもでき、その
他、本発明の精神を脱することなしに、種々の変
型、変更をなし得るであろう。
第１図は、従来の超伝導回路装置を示す略線的
断面図である。第２図は、本発明の基礎となる超
伝導回路装置の一例を示す略線的断面図である。
第３図は、本発明による超伝導回路装置の一例を
示す略線的断面図である。 １……基板、２Ａ，２Ｂ……接地用超伝導体
層、３Ａ，３Ｂ……層間絶縁層、４Ａ，４Ｂ……
超伝導回路、５Ａ，５Ｂ，７Ａ，７Ｂ，９Ａ，９
Ｂ……超伝導体層、１０Ａ，１０Ｂ……超伝導回
路構成部、１１Ａ，１１Ｂ……ジヨセフソン接
合、２１……絶縁層、２２……磁性層。
断面図である。第２図は、本発明の基礎となる超
伝導回路装置の一例を示す略線的断面図である。
第３図は、本発明による超伝導回路装置の一例を
示す略線的断面図である。 １……基板、２Ａ，２Ｂ……接地用超伝導体
層、３Ａ，３Ｂ……層間絶縁層、４Ａ，４Ｂ……
超伝導回路、５Ａ，５Ｂ，７Ａ，７Ｂ，９Ａ，９
Ｂ……超伝導体層、１０Ａ，１０Ｂ……超伝導回
路構成部、１１Ａ，１１Ｂ……ジヨセフソン接
合、２１……絶縁層、２２……磁性層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 接地用超伝導体層上に層間絶縁層を形成し、
且つその層間絶縁層上に超伝導回路を構成してい
る超伝導回路構成部の少くとも２つを、第１及び
第２の超伝導回路構成部として有し、 上記第１及び第２の超伝導回路構成部が、基板
上に積重ねられて形成され、 上記第１及び第２の超伝導回路構成部間に、高
透磁率を有する磁性層が介挿されていることを特
徴とする超伝導回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56187186A JPS5889878A (ja) | 1981-11-21 | 1981-11-21 | 超伝導回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56187186A JPS5889878A (ja) | 1981-11-21 | 1981-11-21 | 超伝導回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5889878A JPS5889878A (ja) | 1983-05-28 |
| JPS6328516B2 true JPS6328516B2 (ja) | 1988-06-08 |
Family
ID=16201609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56187186A Granted JPS5889878A (ja) | 1981-11-21 | 1981-11-21 | 超伝導回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5889878A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198788A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-08 | Agency Of Ind Science & Technol | ジヨセフソン集積回路の構造 |
| JPH0719920B2 (ja) * | 1986-11-14 | 1995-03-06 | 富士通株式会社 | 磁界結合型ジヨセフソン集積回路 |
| JP4977328B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2012-07-18 | 日本電気株式会社 | 超伝導ランダムアクセスメモリおよびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5853874A (ja) * | 1981-09-26 | 1983-03-30 | Fujitsu Ltd | ジヨセフソン集積回路 |
-
1981
- 1981-11-21 JP JP56187186A patent/JPS5889878A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5889878A (ja) | 1983-05-28 |
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