JPS632915B2 - - Google Patents
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- JPS632915B2 JPS632915B2 JP54074076A JP7407679A JPS632915B2 JP S632915 B2 JPS632915 B2 JP S632915B2 JP 54074076 A JP54074076 A JP 54074076A JP 7407679 A JP7407679 A JP 7407679A JP S632915 B2 JPS632915 B2 JP S632915B2
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- JP
- Japan
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- powder
- grain boundary
- temperature
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- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
- C04B35/593—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride obtained by pressure sintering
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
本発明は、Si3N4の多結晶セラミツク体に関す
るものであり、特には実質上結晶性の粒界相を具
備するこのようなセラミツク体に関するものであ
る。本発明はまたこのようなセラミツク体を調製
する方法にも関係する。 0.1重量%以下のカチオン不純物、主に結晶性
α相及び(或いは)非晶質相からなる形態特性
(モルホロジー)及び微粒寸(B.E.T.により測定
されるものとして3ミクロン以下の平均粒寸法)
により特性づけられるSi3N4粉末は、MgO或いは
Y2O3のような添加剤と混合わされそして焼結さ
れる時、理論密度に近い多結晶体の製造を可能な
らしめることが知られている。米国特許第
4073845号を参照されたい。このような粉末は、
純度及び反応性のもつと悪い粉末を使用した場合
に必要とされるより厳しさの少い温度及び圧力条
件においてホツトプレスすることによつてでも
(米国特許第3830652号参照)、或いは純度及び反
応性のおとる粉末を使用した場合には不可能であ
つたコールドプレスと続いての焼結によつてでも
高密度体につき固められうる。このような多結晶
体の作製において、25重量%までのY2O3或いは
CeO2のようなランタニド希土類酸化物が代表的
に焼結助剤或いは高密化助剤として添加される。
このような改質剤は達成しうる最大高温強度及び
クリープ耐性に悪影響を与えるものと考えられる
が、にもかかわらず、これら添加剤は最大密度即
ち理論密度に近い密度を実現するのには必須と考
えられており、これはまた高温強度の実現にも重
要な役割を果す。 残念ながら、高密化添加剤を含有し、同時に室
温及び約1000℃までの昇温下において秀れた機械
的強度を示す或る種の高密度Si3N4体は、1000℃
以上の温度、特に1200℃以上の温度において強度
に関して相当の減少、時として激減を示すことが
見出されていた。 本発明に従えば、Si3N4結晶粒の第1相と
Si3N4、SiO2、意図的に添加される高密化助剤及
び意図せざる不純物から成る第2粒界相とから成
る高密度多結晶体は、粒界相が実質上完全に結晶
化される時、1000℃以上1600℃に至る温度におい
て機械的強度の顕著な持続を示すことが見出され
た。ここで使用する“結晶性(質)”及び“多結
晶”なる言葉は、3次元に反覆性を持つパターン
で配列される原子、イオン或いは分子から成りそ
して結晶構造固有のX線回折強度ピークを明瞭に
示す固体を指すものであり、他方“ガラス”、“ガ
ラス質”或いは“非晶質”なる用語はX線回折強
度ピークの欠如と巾広い赤外線吸収ピークによつ
て特性づけられるような短範囲規則化固体を意味
するものである。 本発明の好ましい具体例に従えば、非晶質或い
はガラス質物質の解消による粒界相の結晶化は、
ガラス安定化添加剤或いは不純物の排除を保証す
るべく処理中組成を制御することにより或いは焼
結後結晶化熱処理を与えることにより実現されう
る。 このような方法は、1000℃以上1600℃までの温
度において改善された機械的強度を有する多結晶
体の製造を可ならしめ、これは、これら生成物
を、例えば車輛や航空機エンジンや構造品、工業
廃熱回収の為の蓄熱器等の高い作動温度環境にお
いて使用される構造部品或いは要素として有用な
らしめる。 以下、本発明について具体的に説明する。 ここで記載される材料は、Si3N4結晶粒と、
SiO2(Si3N4出発粉末の表面上の自然の不純物)
及び高密化添加剤から成る粒界相との複合的ミク
ロ組織を有している。加えて、存在する意図せざ
る不純物は粒界相に集中しやすい。粒界相は連続
しているから、その特性は複合材料の高温性質に
大きな影響を与える。非晶質第2相は、結晶粒間
に形成されやすい珪酸塩ガラスが約1200℃以上で
のSi3N4体の機械的強度の欠乏を引起しやすいか
ら所望されない。 Si3N4粒間の非結晶物質の存在は高温でのそれ
ら粒の分離を促進する。この分離は、Si3N4体の
塑性変形につながりそして構造的な一体性の崩壊
をもたらすゆつくりとしたクラツクの伝播によつ
て顕在化される。 出発原料粉末中の不純物或いは粉末凝集化前の
処理中導入される不純物(珪酸塩第2相中に可溶
の酸化物(Al2O3のような)のような)は、結晶
化を可ならしめる再組織過程に対する妨げを呈す
ることにより粒界相をその非晶質状態において安
定化する。従つて、これら粉末は、そのような妨
げに打勝つて粒界相が焼結温度からの冷却中完全
結晶化を受けるような態様で或いはこの完全結晶
化が続いての熱処理過程によつて得られるような
態様で多結晶体に変換されることが望ましい。い
ずれの方法によつても、かなり高温で安定な粒界
相が得られ、これは結局著しく向上した高温機械
的強度及びガラス質相の存在下で観察される塑性
変形の大巾な減少乃至排除につながる。ガラス安
定化不純物は0.5重量%未満に維持されねばなら
ない。 本発明は、任意の高密化用添加剤(公知の添加
剤の例としてMgO、CrN、ZrO2、ZrN、Y2O3、
La2O3及びCeO2)を含有するSi3N4体に応用しう
るが、タイプRE2O3(ここでREはイツトリウム或
いはLa、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、
Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuを含むラン
タニド希土類元素である)の高密化添加剤を使用
することが好ましい。これら希土類酸化物の幾つ
かは出発物質としてRE2O3の形態にないこともあ
るが(例えばCeO2、PrO2)、これらは後に最終
的な高密度多結晶体においてRE2O3に変換され
る。 凝集(賦形、圧縮)の為の粉末組成物を調製す
る為に、Si3N4粉末は代表的にボールミリング処
理により高密化剤と混合される。ミリング処理は
乾式及び(或いは)湿式でなしうる。ミリング処
理中ミリング容器及びミリング媒体表面の磨滅に
よる粉末混合物の自然の汚染が生じる。このよう
な汚染を実質上軽減或いは回避する為に、ミリン
グ処理は、線状ポリエチレン、ポリウレタン或い
はゴム内張り容器においてSi3N4ミリング媒体を
使用して実施されるべきである。Al2O3を使用し
ての湿式及び乾式両方でミリング処理された粉末
は、化学分析の結果、総計1〜3重量%のAl2O3
がバツチに付加され、その場合その量の約1/2は
湿式ミリング処理中取込まれそして残りの半分が
乾式ミリング中取込まれたことを示した。この量
はミリング工程に非汚染性のSi3N4媒体を使用す
ることによりそして(或いは)ミリング時間を短
縮することにより減少された。湿式ミリングに対
してSi3N4媒体をそして乾式ミリングに対して
Al2O3媒体を使用することにより、Al2O3含量は
約0.5〜1.5重量%に減ぜられる。Si3N4媒体を使
用して湿式及び乾式双方のミリングを行うと、
Al2O3は実質上零に減じる。即ちSi3N4粉末中に
元々存在する不純物としての水準にまで減少す
る。 ミリング処理された粉末は通常、凝集化(賦
形、圧縮)前に粗いメツシユの篩、例えば50或い
は100メツシユを通して分篩される。 賦形体は、ホツトプレス法、高温静圧プレス
(isostatic pressing)法、あるいは乾燥プレス、
静圧プレス、押出し、スリツプ鋳造、射出成型等
のような適当な凝集化(圧縮乃至賦形)段階とそ
れに続いての圧力を適用しない焼結段階から成る
方法によつて調製されうる。窒化珪素体の圧力を
適用しない焼結の為の一般的やり方は米国特許第
4073845号を参照されたい。分級された粉末は内
面を窒化硼素粉末であらかじめ被覆したグラフア
イト製ホツトプレス用ダイス内に填入される。粉
末は約2000psiで予備プレスされそして後ダイス
はアルゴンを含む室内に置かれそして約500psiの
圧力が約1200℃まで適用され、そして後圧力及び
温度が最終圧力及び温度がほぼ同時に達成される
よう同時に増大される。ダイ本体内のラムの行程
を指示するダイヤルゲージを使用して高密化過程
が探知される。約0.004インチ/時間以下のラム
クロスヘツドの下向き移動速度が、高密化の完了
を指示する。組立体はその後約1〜2時間の期間
にわたつて冷却される。約3000〜5000psi及び
1675〜1800℃の最終圧力及び温度において約2〜
5時間が、実質上完全な窒化珪素体の高密化の実
現に充分な条件である。 ある範囲のAl2O3含量を持つSi3N4−Y2O3及び
Si3N4−CeO2粉末から理論密度までホツトプレス
された組成物の強度が表及びに呈示されてい
る。 すべての測定値は、破壊係数(MOR)
(103psi)として表わされたものでありそして測
定は0.9″外側スパン及び0.4″内側スパンを使用す
る4点負荷治具を使用して室温から1400℃までで
為された。試片はクロス曲げにより負荷された。
試片寸法は0.050″×0.100″×1″であつた。ホツト
プレスされた試片はすべて、インストロン試験機
において0.02″/分のクロスヘツド速度を用いて
強度の高い方向において試験された。強度は、弾
性梁公式、試片の寸法及び試験治具により決定さ
れた。理論密度はSi3N4及びRE2O3に対する混合
物の簡単な式により計算された。これら表からわ
かるように、強度はAl2O3不純物含量の減少に伴
い1400℃において急上昇する。
るものであり、特には実質上結晶性の粒界相を具
備するこのようなセラミツク体に関するものであ
る。本発明はまたこのようなセラミツク体を調製
する方法にも関係する。 0.1重量%以下のカチオン不純物、主に結晶性
α相及び(或いは)非晶質相からなる形態特性
(モルホロジー)及び微粒寸(B.E.T.により測定
されるものとして3ミクロン以下の平均粒寸法)
により特性づけられるSi3N4粉末は、MgO或いは
Y2O3のような添加剤と混合わされそして焼結さ
れる時、理論密度に近い多結晶体の製造を可能な
らしめることが知られている。米国特許第
4073845号を参照されたい。このような粉末は、
純度及び反応性のもつと悪い粉末を使用した場合
に必要とされるより厳しさの少い温度及び圧力条
件においてホツトプレスすることによつてでも
(米国特許第3830652号参照)、或いは純度及び反
応性のおとる粉末を使用した場合には不可能であ
つたコールドプレスと続いての焼結によつてでも
高密度体につき固められうる。このような多結晶
体の作製において、25重量%までのY2O3或いは
CeO2のようなランタニド希土類酸化物が代表的
に焼結助剤或いは高密化助剤として添加される。
このような改質剤は達成しうる最大高温強度及び
クリープ耐性に悪影響を与えるものと考えられる
が、にもかかわらず、これら添加剤は最大密度即
ち理論密度に近い密度を実現するのには必須と考
えられており、これはまた高温強度の実現にも重
要な役割を果す。 残念ながら、高密化添加剤を含有し、同時に室
温及び約1000℃までの昇温下において秀れた機械
的強度を示す或る種の高密度Si3N4体は、1000℃
以上の温度、特に1200℃以上の温度において強度
に関して相当の減少、時として激減を示すことが
見出されていた。 本発明に従えば、Si3N4結晶粒の第1相と
Si3N4、SiO2、意図的に添加される高密化助剤及
び意図せざる不純物から成る第2粒界相とから成
る高密度多結晶体は、粒界相が実質上完全に結晶
化される時、1000℃以上1600℃に至る温度におい
て機械的強度の顕著な持続を示すことが見出され
た。ここで使用する“結晶性(質)”及び“多結
晶”なる言葉は、3次元に反覆性を持つパターン
で配列される原子、イオン或いは分子から成りそ
して結晶構造固有のX線回折強度ピークを明瞭に
示す固体を指すものであり、他方“ガラス”、“ガ
ラス質”或いは“非晶質”なる用語はX線回折強
度ピークの欠如と巾広い赤外線吸収ピークによつ
て特性づけられるような短範囲規則化固体を意味
するものである。 本発明の好ましい具体例に従えば、非晶質或い
はガラス質物質の解消による粒界相の結晶化は、
ガラス安定化添加剤或いは不純物の排除を保証す
るべく処理中組成を制御することにより或いは焼
結後結晶化熱処理を与えることにより実現されう
る。 このような方法は、1000℃以上1600℃までの温
度において改善された機械的強度を有する多結晶
体の製造を可ならしめ、これは、これら生成物
を、例えば車輛や航空機エンジンや構造品、工業
廃熱回収の為の蓄熱器等の高い作動温度環境にお
いて使用される構造部品或いは要素として有用な
らしめる。 以下、本発明について具体的に説明する。 ここで記載される材料は、Si3N4結晶粒と、
SiO2(Si3N4出発粉末の表面上の自然の不純物)
及び高密化添加剤から成る粒界相との複合的ミク
ロ組織を有している。加えて、存在する意図せざ
る不純物は粒界相に集中しやすい。粒界相は連続
しているから、その特性は複合材料の高温性質に
大きな影響を与える。非晶質第2相は、結晶粒間
に形成されやすい珪酸塩ガラスが約1200℃以上で
のSi3N4体の機械的強度の欠乏を引起しやすいか
ら所望されない。 Si3N4粒間の非結晶物質の存在は高温でのそれ
ら粒の分離を促進する。この分離は、Si3N4体の
塑性変形につながりそして構造的な一体性の崩壊
をもたらすゆつくりとしたクラツクの伝播によつ
て顕在化される。 出発原料粉末中の不純物或いは粉末凝集化前の
処理中導入される不純物(珪酸塩第2相中に可溶
の酸化物(Al2O3のような)のような)は、結晶
化を可ならしめる再組織過程に対する妨げを呈す
ることにより粒界相をその非晶質状態において安
定化する。従つて、これら粉末は、そのような妨
げに打勝つて粒界相が焼結温度からの冷却中完全
結晶化を受けるような態様で或いはこの完全結晶
化が続いての熱処理過程によつて得られるような
態様で多結晶体に変換されることが望ましい。い
ずれの方法によつても、かなり高温で安定な粒界
相が得られ、これは結局著しく向上した高温機械
的強度及びガラス質相の存在下で観察される塑性
変形の大巾な減少乃至排除につながる。ガラス安
定化不純物は0.5重量%未満に維持されねばなら
ない。 本発明は、任意の高密化用添加剤(公知の添加
剤の例としてMgO、CrN、ZrO2、ZrN、Y2O3、
La2O3及びCeO2)を含有するSi3N4体に応用しう
るが、タイプRE2O3(ここでREはイツトリウム或
いはLa、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、
Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuを含むラン
タニド希土類元素である)の高密化添加剤を使用
することが好ましい。これら希土類酸化物の幾つ
かは出発物質としてRE2O3の形態にないこともあ
るが(例えばCeO2、PrO2)、これらは後に最終
的な高密度多結晶体においてRE2O3に変換され
る。 凝集(賦形、圧縮)の為の粉末組成物を調製す
る為に、Si3N4粉末は代表的にボールミリング処
理により高密化剤と混合される。ミリング処理は
乾式及び(或いは)湿式でなしうる。ミリング処
理中ミリング容器及びミリング媒体表面の磨滅に
よる粉末混合物の自然の汚染が生じる。このよう
な汚染を実質上軽減或いは回避する為に、ミリン
グ処理は、線状ポリエチレン、ポリウレタン或い
はゴム内張り容器においてSi3N4ミリング媒体を
使用して実施されるべきである。Al2O3を使用し
ての湿式及び乾式両方でミリング処理された粉末
は、化学分析の結果、総計1〜3重量%のAl2O3
がバツチに付加され、その場合その量の約1/2は
湿式ミリング処理中取込まれそして残りの半分が
乾式ミリング中取込まれたことを示した。この量
はミリング工程に非汚染性のSi3N4媒体を使用す
ることによりそして(或いは)ミリング時間を短
縮することにより減少された。湿式ミリングに対
してSi3N4媒体をそして乾式ミリングに対して
Al2O3媒体を使用することにより、Al2O3含量は
約0.5〜1.5重量%に減ぜられる。Si3N4媒体を使
用して湿式及び乾式双方のミリングを行うと、
Al2O3は実質上零に減じる。即ちSi3N4粉末中に
元々存在する不純物としての水準にまで減少す
る。 ミリング処理された粉末は通常、凝集化(賦
形、圧縮)前に粗いメツシユの篩、例えば50或い
は100メツシユを通して分篩される。 賦形体は、ホツトプレス法、高温静圧プレス
(isostatic pressing)法、あるいは乾燥プレス、
静圧プレス、押出し、スリツプ鋳造、射出成型等
のような適当な凝集化(圧縮乃至賦形)段階とそ
れに続いての圧力を適用しない焼結段階から成る
方法によつて調製されうる。窒化珪素体の圧力を
適用しない焼結の為の一般的やり方は米国特許第
4073845号を参照されたい。分級された粉末は内
面を窒化硼素粉末であらかじめ被覆したグラフア
イト製ホツトプレス用ダイス内に填入される。粉
末は約2000psiで予備プレスされそして後ダイス
はアルゴンを含む室内に置かれそして約500psiの
圧力が約1200℃まで適用され、そして後圧力及び
温度が最終圧力及び温度がほぼ同時に達成される
よう同時に増大される。ダイ本体内のラムの行程
を指示するダイヤルゲージを使用して高密化過程
が探知される。約0.004インチ/時間以下のラム
クロスヘツドの下向き移動速度が、高密化の完了
を指示する。組立体はその後約1〜2時間の期間
にわたつて冷却される。約3000〜5000psi及び
1675〜1800℃の最終圧力及び温度において約2〜
5時間が、実質上完全な窒化珪素体の高密化の実
現に充分な条件である。 ある範囲のAl2O3含量を持つSi3N4−Y2O3及び
Si3N4−CeO2粉末から理論密度までホツトプレス
された組成物の強度が表及びに呈示されてい
る。 すべての測定値は、破壊係数(MOR)
(103psi)として表わされたものでありそして測
定は0.9″外側スパン及び0.4″内側スパンを使用す
る4点負荷治具を使用して室温から1400℃までで
為された。試片はクロス曲げにより負荷された。
試片寸法は0.050″×0.100″×1″であつた。ホツト
プレスされた試片はすべて、インストロン試験機
において0.02″/分のクロスヘツド速度を用いて
強度の高い方向において試験された。強度は、弾
性梁公式、試片の寸法及び試験治具により決定さ
れた。理論密度はSi3N4及びRE2O3に対する混合
物の簡単な式により計算された。これら表からわ
かるように、強度はAl2O3不純物含量の減少に伴
い1400℃において急上昇する。
【表】
【表】
表及びにおいて呈示されたデータは、高純
度Si3N4粉末、即ち約0.1重量%以下のカチオン不
純物を含む粉末から作製されたSi3N4体に対して
得られた。表及びは最終高温強度に及ぼす出
発粉末物質中の不純物含量の影響を示す。表から
わかるように、ミリング処理中アルミナが導入さ
れないよう両粉末がSi3N4媒体でもつて線状ポリ
エチレン容器においてミリング処理された場合、
高温強度は高純度粉末の方が低純度粉末よりも60
%まで大きい。両サンプルは1750℃及び5000psi
において100%理論密度までホツトプレスされた。
度Si3N4粉末、即ち約0.1重量%以下のカチオン不
純物を含む粉末から作製されたSi3N4体に対して
得られた。表及びは最終高温強度に及ぼす出
発粉末物質中の不純物含量の影響を示す。表から
わかるように、ミリング処理中アルミナが導入さ
れないよう両粉末がSi3N4媒体でもつて線状ポリ
エチレン容器においてミリング処理された場合、
高温強度は高純度粉末の方が低純度粉末よりも60
%まで大きい。両サンプルは1750℃及び5000psi
において100%理論密度までホツトプレスされた。
【表】
【表】
先の例は、Si3N4体をホツトプレスすることに
よる焼結に対して得られたものである。窒素雰囲
気中で圧力を適用しない状態での焼結もまた
Al2O3含量を様々に変えたSi3N4体を調製するの
に使用された。6重量%Y2O3を有しそしてAl2O3
を実質上含まないSi3N4体が1775℃で2時間そし
て1975℃で2時間焼結され、約98%の理論密度を
もたらした。この試料がCuK〓照射による走査型
X線回折計を使用してX線回折解析された。回折
線の解析は、βSi3N4、Y2Si2O7及び10Y2O3・
9SiO2・1Si3N4という3つの相の存在を示した。
6重量%Y2O3及び約2.5重量%Al2O3を含むSi3N4
体の先の回折解析はβSi3N4のみの存在を示し、
これは第2相がX線的に見て非晶質であることを
示した。アルミナ含有したもの及び含有しない
Si3N4体に対して回折計走査の関心のある部分が
第1及び2図に示され、これはAl2O3が圧力適用
なしに焼結されたSi3N4体において第2相をX線
回折でみて非晶質とすることを示す。 6%Y2O3を含有するSi3N4の圧力適用なし焼結
体の高温強度に及ぼすAl2O3水準を変えることの
影響が表V及び第8図に示されている。第8図は
1400℃における応力対クロスヘツド行程(10-3イ
ンチ)の関係をプロツトしたものである。グラフ
は、表Vのデータに対して1400℃における強度は
2.5重量%に至る量のアルミナの存在により激減
することを例示する。この量のアルミナにおいて
は、粒界相が結晶化促進の為熱処理されなかつ
た。
よる焼結に対して得られたものである。窒素雰囲
気中で圧力を適用しない状態での焼結もまた
Al2O3含量を様々に変えたSi3N4体を調製するの
に使用された。6重量%Y2O3を有しそしてAl2O3
を実質上含まないSi3N4体が1775℃で2時間そし
て1975℃で2時間焼結され、約98%の理論密度を
もたらした。この試料がCuK〓照射による走査型
X線回折計を使用してX線回折解析された。回折
線の解析は、βSi3N4、Y2Si2O7及び10Y2O3・
9SiO2・1Si3N4という3つの相の存在を示した。
6重量%Y2O3及び約2.5重量%Al2O3を含むSi3N4
体の先の回折解析はβSi3N4のみの存在を示し、
これは第2相がX線的に見て非晶質であることを
示した。アルミナ含有したもの及び含有しない
Si3N4体に対して回折計走査の関心のある部分が
第1及び2図に示され、これはAl2O3が圧力適用
なしに焼結されたSi3N4体において第2相をX線
回折でみて非晶質とすることを示す。 6%Y2O3を含有するSi3N4の圧力適用なし焼結
体の高温強度に及ぼすAl2O3水準を変えることの
影響が表V及び第8図に示されている。第8図は
1400℃における応力対クロスヘツド行程(10-3イ
ンチ)の関係をプロツトしたものである。グラフ
は、表Vのデータに対して1400℃における強度は
2.5重量%に至る量のアルミナの存在により激減
することを例示する。この量のアルミナにおいて
は、粒界相が結晶化促進の為熱処理されなかつ
た。
【表】
約1/2〜2重量%Al2O3を含有するSi3N4+12重
量%Y2O3の一連の試片が作製されそして幾つか
が焼結後10−9−1(10Y2O3・9SiO2・1Si3N4)
第2相を結晶化するべく1525℃において5時間熱
処理された。すべての試料がその強度測定の為試
験された。焼結したままの試料及び熱処理した試
料に対する記録計チヤートが第3及び4図に示さ
れており、ここでは適用負荷が水平軸でありそし
てクロスヘツド移行時間が垂直に表わされてい
る。焼結したままのサンプルに対する上2つの曲
線(第3図)は、負荷適用に際して緩やかな変位
(クロスヘツド移行)曲線を示し、この場合試片
を破壊するに充分な負荷を適用するのに50〜80秒
要した。この曲率は負荷中のサンプルの塑性変形
のめやすである。2つの試料例の平均破壊強さは
19205psiであつた。熱処理された2つの試料に対
して(10−9−1第2相が結晶化)、第4図にお
ける荷重−変形曲線により明らかにされるように
別の結果が得られた。第1に、変位トレイスに曲
状部が実質上存在せず、これは塑性変形が最小限
或いは排除されたことを示す。破壊負荷を適用す
るのに僅か20〜22秒を要したにすぎず、これは塑
性変形の起らないことのまた別のめやすである。
次に、2つの試片に対する平均破壊強さは
25255psiであつた。これは焼結されたままの試片
に対して測定された値より31.5%の増大であつ
た。これは、熱処理により形成された結晶化第2
相が、焼結されたままの状態における非結質第2
相を有する同じ組成に較べてSi3N4−SiO2−Y2O3
組成の昇温強度を増大することを示す。 上記圧力適用なしの焼結サンプルにおいて、第
2相の容積は少なかつた。粒界物質の相モルホロ
ジーをもつと明瞭に観察する為に、52重量%
Y2O3−28重量%Al2O3−20重量%SiO2及び65重
量%Y2O3−35重量%SiO2の2種の粉末混合物が
調製された。これらは、2重量%Al2O3を含んだ
場合と含まない場合の6重量%Y2O3を含むSi3N4
体の第2相組成物である。SiO2は、出発Si3N4粉
末の表面上に代表的に約3重量%水準において自
然に存在する物質であるから添加された。混合物
は1750℃及び1840℃それぞれにおいて溶融されそ
して後室温まで急冷された。溶融に際して、
Y2O3−Al2O3−SiO2組成物は、非平衡相7Y2O3・
9SiO2(J.Mat.Sci.Voll、pp1305〜1309、1976に従
えば)+第5図のX線回折図における巾広いこぶ
によつて証明される大量の非晶物質を含んだ。
Al2O3を含まないY2O3−SiO2組成物は平衡相
Y2Si2O7+少量のY6Si6O21に直接結晶化し、そし
て非晶質物質の存在の兆候はない。第6図のX線
回折図を見られたい。斯くして、模擬粒界相組成
物を使用しての直接的実験により、Al2O3のよう
なガラス安定化酸化物の存在が冷却中それが存在
しなければ瞬時的に高程度に進行する結晶化過程
を阻止することが示された。 ガラス質粒界相の高温機械的性質がAl2O3含有
Si3N4体において観察される高温塑性変形に寄与
するかどうか調べる為に、膨脹計試験が、上述し
たように調製された粒界相模擬組成物について行
われた。得られた曲線が第7図に示されている。
曲線“a”はAl2O3含有組成物が約800℃のガラ
ス遷移点及び約890℃の膨脹計軟化点を持つこと
を示す。遷移温度は、熱膨脹が固体ガラスの比較
的低い値から液体相の比較的高い値にまで変化す
る温度である。軟化点は、膨脹計の探針の圧力が
サンプルの変形をもたらす温度である。比較の
為、1400℃での結晶化処理後の組成物に対して得
られた曲線“b”は、1200℃もの高い水準でのガ
ラス遷移点と約1380℃での軟化点の存在をほぼ証
拠づける。これはガラス相が約1400℃で結晶化す
ることを示す。 溶解されたままのまた1400℃において15時間熱
処理後のY2O3−Al2O3−SiO2体に対して強度が
測定された。試料は、非弾性降伏点を決定する為
漸時高くされる温度において6000psiまで周期的
に負荷された。未熱処理試料は800℃まで弾性で
900℃において変形した。対照的に、熱処理した
試料は1300℃まで弾性で1360℃において降伏の兆
候なく破壊し、19.2ksiのMORを示した。斯くし
て、熱処理を行わない状態では、膨脹計及び
MOR試験はいずれも約900℃において溶解した
ままの試料の粘性における相当の減少を示した。
熱処理試料のX線回折解析は、熱処理によつて非
平衡7Y2O3・9SiO2相がY2Si2O7及び同定しえな
い結晶相に変換されそして非晶質物質の存在の兆
しはないことを示した。主相としてのY2Si2O7の
確認は金相学的に達成された。 以上、本発明について具体的に説明したが、本
発明の精神内で多くの改変を為しうることを銘記
されたい。
量%Y2O3の一連の試片が作製されそして幾つか
が焼結後10−9−1(10Y2O3・9SiO2・1Si3N4)
第2相を結晶化するべく1525℃において5時間熱
処理された。すべての試料がその強度測定の為試
験された。焼結したままの試料及び熱処理した試
料に対する記録計チヤートが第3及び4図に示さ
れており、ここでは適用負荷が水平軸でありそし
てクロスヘツド移行時間が垂直に表わされてい
る。焼結したままのサンプルに対する上2つの曲
線(第3図)は、負荷適用に際して緩やかな変位
(クロスヘツド移行)曲線を示し、この場合試片
を破壊するに充分な負荷を適用するのに50〜80秒
要した。この曲率は負荷中のサンプルの塑性変形
のめやすである。2つの試料例の平均破壊強さは
19205psiであつた。熱処理された2つの試料に対
して(10−9−1第2相が結晶化)、第4図にお
ける荷重−変形曲線により明らかにされるように
別の結果が得られた。第1に、変位トレイスに曲
状部が実質上存在せず、これは塑性変形が最小限
或いは排除されたことを示す。破壊負荷を適用す
るのに僅か20〜22秒を要したにすぎず、これは塑
性変形の起らないことのまた別のめやすである。
次に、2つの試片に対する平均破壊強さは
25255psiであつた。これは焼結されたままの試片
に対して測定された値より31.5%の増大であつ
た。これは、熱処理により形成された結晶化第2
相が、焼結されたままの状態における非結質第2
相を有する同じ組成に較べてSi3N4−SiO2−Y2O3
組成の昇温強度を増大することを示す。 上記圧力適用なしの焼結サンプルにおいて、第
2相の容積は少なかつた。粒界物質の相モルホロ
ジーをもつと明瞭に観察する為に、52重量%
Y2O3−28重量%Al2O3−20重量%SiO2及び65重
量%Y2O3−35重量%SiO2の2種の粉末混合物が
調製された。これらは、2重量%Al2O3を含んだ
場合と含まない場合の6重量%Y2O3を含むSi3N4
体の第2相組成物である。SiO2は、出発Si3N4粉
末の表面上に代表的に約3重量%水準において自
然に存在する物質であるから添加された。混合物
は1750℃及び1840℃それぞれにおいて溶融されそ
して後室温まで急冷された。溶融に際して、
Y2O3−Al2O3−SiO2組成物は、非平衡相7Y2O3・
9SiO2(J.Mat.Sci.Voll、pp1305〜1309、1976に従
えば)+第5図のX線回折図における巾広いこぶ
によつて証明される大量の非晶物質を含んだ。
Al2O3を含まないY2O3−SiO2組成物は平衡相
Y2Si2O7+少量のY6Si6O21に直接結晶化し、そし
て非晶質物質の存在の兆候はない。第6図のX線
回折図を見られたい。斯くして、模擬粒界相組成
物を使用しての直接的実験により、Al2O3のよう
なガラス安定化酸化物の存在が冷却中それが存在
しなければ瞬時的に高程度に進行する結晶化過程
を阻止することが示された。 ガラス質粒界相の高温機械的性質がAl2O3含有
Si3N4体において観察される高温塑性変形に寄与
するかどうか調べる為に、膨脹計試験が、上述し
たように調製された粒界相模擬組成物について行
われた。得られた曲線が第7図に示されている。
曲線“a”はAl2O3含有組成物が約800℃のガラ
ス遷移点及び約890℃の膨脹計軟化点を持つこと
を示す。遷移温度は、熱膨脹が固体ガラスの比較
的低い値から液体相の比較的高い値にまで変化す
る温度である。軟化点は、膨脹計の探針の圧力が
サンプルの変形をもたらす温度である。比較の
為、1400℃での結晶化処理後の組成物に対して得
られた曲線“b”は、1200℃もの高い水準でのガ
ラス遷移点と約1380℃での軟化点の存在をほぼ証
拠づける。これはガラス相が約1400℃で結晶化す
ることを示す。 溶解されたままのまた1400℃において15時間熱
処理後のY2O3−Al2O3−SiO2体に対して強度が
測定された。試料は、非弾性降伏点を決定する為
漸時高くされる温度において6000psiまで周期的
に負荷された。未熱処理試料は800℃まで弾性で
900℃において変形した。対照的に、熱処理した
試料は1300℃まで弾性で1360℃において降伏の兆
候なく破壊し、19.2ksiのMORを示した。斯くし
て、熱処理を行わない状態では、膨脹計及び
MOR試験はいずれも約900℃において溶解した
ままの試料の粘性における相当の減少を示した。
熱処理試料のX線回折解析は、熱処理によつて非
平衡7Y2O3・9SiO2相がY2Si2O7及び同定しえな
い結晶相に変換されそして非晶質物質の存在の兆
しはないことを示した。主相としてのY2Si2O7の
確認は金相学的に達成された。 以上、本発明について具体的に説明したが、本
発明の精神内で多くの改変を為しうることを銘記
されたい。
第1図は、6%Y2O3+約2.5%Al2O3を含む窒
化珪素に対するX線回折模様の一部である。第2
図はAl2O3を実質上含まない第1図の窒化珪素に
対するX線回折模様の一部である。第3a及び3
b並びに第4a及び4b図は焼結後の結晶化熱処
理を行う前及び後の、12%Y2O3+2%までの
Al2O3を含むSi3N4体に対する負荷変形曲線であ
る。第5図は、52%Y2O3−28%Al2O3−20%
SiO2組成物に対するX線回折図の一部である。
第6図は、65%Y2O3−35%SiO2組成物に対する
X線回折図の一部である。第7図は第5図の組成
物に対して熱処理前a及び熱処理後bの膨脹試験
曲線を示すグラフである。第8図は、6%Y2O3
及び0〜2.5%Al2O3を含有するSi3N4体に対する
1400℃における機械的応力対クロスヘツド移行距
離の関係を示すグラフである。
化珪素に対するX線回折模様の一部である。第2
図はAl2O3を実質上含まない第1図の窒化珪素に
対するX線回折模様の一部である。第3a及び3
b並びに第4a及び4b図は焼結後の結晶化熱処
理を行う前及び後の、12%Y2O3+2%までの
Al2O3を含むSi3N4体に対する負荷変形曲線であ
る。第5図は、52%Y2O3−28%Al2O3−20%
SiO2組成物に対するX線回折図の一部である。
第6図は、65%Y2O3−35%SiO2組成物に対する
X線回折図の一部である。第7図は第5図の組成
物に対して熱処理前a及び熱処理後bの膨脹試験
曲線を示すグラフである。第8図は、6%Y2O3
及び0〜2.5%Al2O3を含有するSi3N4体に対する
1400℃における機械的応力対クロスヘツド移行距
離の関係を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 Si3N4粒の第1相と、SiO2、Si3N4及び高密
化用添加剤RE2O3(ここでREはY並びにランタニ
ド希土類元素La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、
Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuから成
る群から選択される)から実質成る第2の実質上
完全に結晶質の粒界相から成り、該粒界相のガラ
ス安定化不純物が0.5重量%より低い水準に維持
されるSi3N4多結晶セラミツク体。 2 REがY及びCeから成る群から選択される特
許請求の範囲第1項記載のSi3N4多結晶セラミツ
ク体。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/916,334 US4280850A (en) | 1978-06-15 | 1978-06-15 | S13N4 Having high temperature strength and method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS553397A JPS553397A (en) | 1980-01-11 |
| JPS632915B2 true JPS632915B2 (ja) | 1988-01-21 |
Family
ID=25437093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7407679A Granted JPS553397A (en) | 1978-06-15 | 1979-06-14 | Si3n4 having high temperature strength and its manufacture |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4280850A (ja) |
| EP (1) | EP0015277B1 (ja) |
| JP (1) | JPS553397A (ja) |
| CA (1) | CA1131257A (ja) |
| DE (1) | DE2967558D1 (ja) |
| WO (1) | WO1980000079A1 (ja) |
Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4388085A (en) * | 1980-07-09 | 1983-06-14 | Gte Laboratories Incorporated | Abrasion resistant articles based on silicon nitride |
| CA1155874A (en) * | 1980-07-09 | 1983-10-25 | Gte Laboratories Incorporated | Abrasion resistant articles based on silicon nitride |
| US4492765A (en) * | 1980-08-15 | 1985-01-08 | Gte Products Corporation | Si3 N4 ceramic articles having lower density outer layer, and method |
| US4384909A (en) * | 1981-11-16 | 1983-05-24 | United Technologies Corporation | Bonding Si3 N4 ceramics |
| JPS5895659A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-07 | 日本特殊陶業株式会社 | 高耐食性窒化珪素焼結体およびその製造方法 |
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| JPS605077A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-01-11 | 株式会社クボタ | 窒化けい素焼結体の製造法 |
| JPS605076A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-01-11 | 株式会社クボタ | 窒化けい素焼結体の製造法 |
| AU560369B2 (en) * | 1983-07-19 | 1987-04-02 | Ford Motor Co. | Method of making yttrium silicon oxynitrides |
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| JPS60191063A (ja) * | 1984-03-06 | 1985-09-28 | 京セラ株式会社 | 窒化珪素質焼結体 |
| US4603116A (en) * | 1984-04-09 | 1986-07-29 | Gte Laboratories Incorporated | Silicon nitride based ceramics and method |
| DE3423573A1 (de) * | 1984-06-27 | 1986-01-09 | Elektroschmelzwerk Kempten GmbH, 8000 München | Polykristalline sinterkoerper auf basis von siliciumnitrid und sinteradditiven |
| JPS6168373A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-08 | 日本碍子株式会社 | 窒化珪素焼結体およびその製造法 |
| US4619905A (en) * | 1984-12-24 | 1986-10-28 | Gte Laboratories Incorporated | Process for the synthesis of silicon nitride |
| US4608354A (en) * | 1984-12-24 | 1986-08-26 | Gte Laboratories Incorporated | Silicon nitride substrate |
| EP0197548B1 (en) * | 1985-04-10 | 1991-07-17 | GTE Products Corporation | Silicon nitride fixtures |
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| JPH0772105B2 (ja) * | 1985-10-31 | 1995-08-02 | 京セラ株式会社 | 窒化珪素質焼結体およびその製造方法 |
| US4629707A (en) * | 1986-01-21 | 1986-12-16 | Gte Products Corporation | High strength, low mass porous silicon nitride based articles |
| US4696778A (en) * | 1986-01-31 | 1987-09-29 | Gte Laboratories Incorporated | Process for sintering silicon nitride articles |
| JPS62207765A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-12 | 日本碍子株式会社 | 窒化珪素焼結体 |
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| US4830800A (en) * | 1987-07-27 | 1989-05-16 | The Regents Of The University Of California | Method of producing a dense refractory silicon nitride (SI3 N4) compact with one or more crystalline intergranular phases |
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1979
- 1979-06-11 CA CA329,447A patent/CA1131257A/en not_active Expired
- 1979-06-13 DE DE7979900728T patent/DE2967558D1/de not_active Expired
- 1979-06-13 WO PCT/US1979/000406 patent/WO1980000079A1/en not_active Ceased
- 1979-06-14 JP JP7407679A patent/JPS553397A/ja active Granted
-
1980
- 1980-01-29 EP EP79900728A patent/EP0015277B1/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0015277A4 (en) | 1980-09-29 |
| JPS553397A (en) | 1980-01-11 |
| DE2967558D1 (en) | 1986-02-06 |
| EP0015277A1 (en) | 1980-09-17 |
| WO1980000079A1 (en) | 1980-01-24 |
| EP0015277B1 (en) | 1985-12-27 |
| CA1131257A (en) | 1982-09-07 |
| US4280850A (en) | 1981-07-28 |
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