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JPS6329428B2 - - Google Patents
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JPS6329428B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6329428B2
JPS6329428B2 JP58186411A JP18641183A JPS6329428B2 JP S6329428 B2 JPS6329428 B2 JP S6329428B2 JP 58186411 A JP58186411 A JP 58186411A JP 18641183 A JP18641183 A JP 18641183A JP S6329428 B2 JPS6329428 B2 JP S6329428B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phototransistor
region
semiconductor device
optically coupled
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP58186411A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5994476A (ja
Inventor
Toshibumi Yoshikawa
Hisao Nagao
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP58186411A priority Critical patent/JPS5994476A/ja
Publication of JPS5994476A publication Critical patent/JPS5994476A/ja
Publication of JPS6329428B2 publication Critical patent/JPS6329428B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 ＜技術分野＞ 本発明は発光ダイオードとホトトランジスタを
１つのパツケージに封入してなる光結合半導体装
置に関する。
＜従来技術＞ 光結合半導体装置において、発光ダイオードと
ホトトランジスタ間に急峻なパルス電圧が掛かる
と、ホトトランジスタが誤動作する現象はよく知
られている。これは、発光ダイオードとホトトラ
ンジスタ間の容量による静電カツプリングによる
ものである。
第１図に従来のホトトランジスタ側の構造を、
第２図に光結合半導体装置の等価回路を示す。
発光ダイオードLEDとホトトランジスタPT間
の容量は、ホトトランジスタのＮ型コレクタ領域
１の表面積に比例する容量CGPCと、P+型ベース領
域２の表面積に比例する容量CGPBと、N+型エミ
ツタ領域３の表面積に比例する容量CGPEに分離で
きる。容量CGPC、CGPB、CGPEにおいて、最も重要
なものはベース領域２の表面積に比例する容量
CGPBである。なぜならば、容量CGPBに対応する静
電カツプリングがベース電流となり、hFE（一般に
hFEは10〜5000）倍に増幅されるためである。
＜発明の目的＞ 本発明はこのような容量CGPBを減少して、静電
カツプリングによる誤動作を防止した構造の光結
合半導体装置を提供するものである。
＜実施例＞ 第３図に本発明光結合半導体装置のホトトラン
ジスタの構造例を示す。Ｎ型コレクタ領域１、
P+型ベース領域２、N+型エミツタ領域３の基本
的構造は、第１図のものと同じである。しかし、
ここではベース領域２の主たる部分を覆うように
該当部にエミツタ領域３を形成している。この結
果、ベース領域２の表面積に比例する容量CGPBは
大幅に減少し、これに対応する静電カツプリング
による影響は大幅に低減される。
また図示のように、アルミニウム等の金属層４
を、コレクタ・ベース接合５とエミツタ・ベース
接合６上にそれぞれはみ出すよう形成し、エミツ
タ電極７等を介してエミツタ領域３に接続すると
更に効果的である。この場合、ベース電極８以外
のベース領域２の表面は、すべて実質的にエミツ
タ領域３及び上記金属層４でシールドされること
になる。又、必要ならば、ベース電極８も省略し
てよい。
なお、エミツタ領域３は薄く、コレクタ・ベー
ス接合５における光電流生成にはほとんど影響の
ないようにできる。もちろん、エミツタ電極７も
充分小さく、ベース領域３での受光作用に支障は
ない。また、本発明は、NPNP構造を有するホ
トサイリスタ、ホトトライアツクにも適用でき
る。
＜発明の効果＞ 以上のように本発明によれば、受光部側のホト
トランジスタの電池増幅率hFEより、入出力間の
電流伝達比が大きくとれる光結合半導体装置にあ
つて、構成簡単なシールド構造により、電流増幅
率hFEに従つて顕著に表われる、光結合半導体装
置における静電カツプリングの影響を除去でき、
急峻なパルス電圧印加による誤動作をなくして有
用な光結合半導体装置が提供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のホトトランジスタ側構造を示す
断面図、第２図は光結合半導体装置の静電カツプ
リングを説明する等価回路、第３図は本発明の一
実施例におけるホトトランジスタ側構造を有す断
面図である。 １……コレクタ領域、２……ベース領域、３…
…エミツタ領域、LED……発光ダイオード、PT
……ホトトランジスタ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 発光ダイオードとホトトランジスタを１つの
    パツケージに封入してなる光結合半導体装置にお
    いて、ホトトランジスタのベース領域の主たる部
    分にエミツタ領域を形成するとともに、露出する
    ベース領域に絶縁物を介して金属層を形成し、ベ
    ース電極以外のベース領域の表面を、前記エミツ
    タ領域及び前記金属層によりシールドしてなるこ
    とを特徴とする光結合半導体装置。
JP58186411A 1983-10-03 1983-10-03 光結合半導体装置 Granted JPS5994476A (ja)

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JP58186411A JPS5994476A (ja) 1983-10-03 1983-10-03 光結合半導体装置

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JP58186411A JPS5994476A (ja) 1983-10-03 1983-10-03 光結合半導体装置

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Publication Number Publication Date
JPS5994476A JPS5994476A (ja) 1984-05-31
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6195581A (ja) * 1984-10-16 1986-05-14 Toshiba Corp 光結合素子
JPH0575159A (ja) * 1991-09-18 1993-03-26 Nec Corp 光半導体装置
EP0645827B1 (de) * 1993-09-23 1998-02-11 Siemens Aktiengesellschaft Optokoppler und Verfahren zu dessen Herstellung

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5039996B2 (ja) * 1971-12-27 1975-12-20

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JPS5994476A (ja) 1984-05-31

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