JPS6330985B2 - - Google Patents
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- JPS6330985B2 JPS6330985B2 JP55115760A JP11576080A JPS6330985B2 JP S6330985 B2 JPS6330985 B2 JP S6330985B2 JP 55115760 A JP55115760 A JP 55115760A JP 11576080 A JP11576080 A JP 11576080A JP S6330985 B2 JPS6330985 B2 JP S6330985B2
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- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液状金属の噴霧発生源に関する。
針状先端部からの電界放射により形成されたイ
オンや細滴の噴霧を用いて金属被覆を堆積させる
ことは周知の技術である。金属の液滴やイオンの
発生源の諸タイプについては、本発明者により英
国特許第1442998号および特許出願15111/76と
30722/77に記載されている。
オンや細滴の噴霧を用いて金属被覆を堆積させる
ことは周知の技術である。金属の液滴やイオンの
発生源の諸タイプについては、本発明者により英
国特許第1442998号および特許出願15111/76と
30722/77に記載されている。
イオンや液滴が発生するかどうかは、主とし
て、発生源の寸法、形状および印加電界の強度に
よる。
て、発生源の寸法、形状および印加電界の強度に
よる。
本発明によれば、電界の作用を受けて液状材料
の細滴およびイオンの噴霧を形成する噴霧発生源
が提供される。この噴霧発生源は頂角が30°と40°
の間にあり且つ基底部から1乃至3mmの距離だけ
突出する、丸みを帯びたチツプを有する、円錐状
の放射先端部と、噴霧すべき液状材料を放射先端
部に供給する装置と、放射先端部において液状材
料を分裂させ液滴とイオンの噴霧を形成させるに
充分な電界が放射先端部に印加されるようにする
電界発生電極から構成され、この放射先端部は液
状材料で濡らされしかもこの液状材料に対しては
低溶解限度を示す材料で作られる。
の細滴およびイオンの噴霧を形成する噴霧発生源
が提供される。この噴霧発生源は頂角が30°と40°
の間にあり且つ基底部から1乃至3mmの距離だけ
突出する、丸みを帯びたチツプを有する、円錐状
の放射先端部と、噴霧すべき液状材料を放射先端
部に供給する装置と、放射先端部において液状材
料を分裂させ液滴とイオンの噴霧を形成させるに
充分な電界が放射先端部に印加されるようにする
電界発生電極から構成され、この放射先端部は液
状材料で濡らされしかもこの液状材料に対しては
低溶解限度を示す材料で作られる。
添付図面を参照して、以下に実例により本発明
を説明する。
を説明する。
第1図を参照して、液状金属細滴の噴霧発生源
は液状金属2を取容する液溜め1から構成される
が、この液溜めは外径約7mmの中空円筒状基底部
3で終端している。基底部3の内径は約5mmで先
端に近づくにつれて減少し約0.5mmとなる。基底
部3の中心には放射先端部4が配置されていて、
この放射先端部は基底部3から約1乃至3mm突出
している。放射先端部4の直径は基底部3の中心
に明けられた孔口5の内径より25μm小さい。放
射先端部4の噴射チツプ11と基底部3の端部は
共に頂角35゜の円錐様形状をなしているが、頂角
は30゜でも40゜であつてもよい。放射先端部4は噴
霧中の液滴の存在比に応じて20μから100μの間の
チツプ半径を有する。印加電圧が一定の場合、チ
ツプ半径が小さい方が、丸みを帯びた大きめの半
径のチツプよりも、高めのイオン数対液滴数比が
得られる。大抵の金属被覆の応用にとつて最適の
チツプ半径値は約60μmである。
は液状金属2を取容する液溜め1から構成される
が、この液溜めは外径約7mmの中空円筒状基底部
3で終端している。基底部3の内径は約5mmで先
端に近づくにつれて減少し約0.5mmとなる。基底
部3の中心には放射先端部4が配置されていて、
この放射先端部は基底部3から約1乃至3mm突出
している。放射先端部4の直径は基底部3の中心
に明けられた孔口5の内径より25μm小さい。放
射先端部4の噴射チツプ11と基底部3の端部は
共に頂角35゜の円錐様形状をなしているが、頂角
は30゜でも40゜であつてもよい。放射先端部4は噴
霧中の液滴の存在比に応じて20μから100μの間の
チツプ半径を有する。印加電圧が一定の場合、チ
ツプ半径が小さい方が、丸みを帯びた大きめの半
径のチツプよりも、高めのイオン数対液滴数比が
得られる。大抵の金属被覆の応用にとつて最適の
チツプ半径値は約60μmである。
放射先端部4のまわりに形成される液状金属の
薄膜を裂くに充分な電界は、通常は直径2乃至5
mmの開口である引出し電極6および略図で7とし
て示される端子を介して、発生源に対し印加され
る。噴霧すべき金属を液体状態に維持するため発
生源を加熱する必要のある場合、これは液溜めと
基底部を囲繞する電熱フイラメント(図示せず)
によるか又はその他便宜な方法により行なうこと
ができる。放射先端部4への液体の供給流量は表
面張力、印加電界の強度、粘性による引張り作用
および重力により制御される。
薄膜を裂くに充分な電界は、通常は直径2乃至5
mmの開口である引出し電極6および略図で7とし
て示される端子を介して、発生源に対し印加され
る。噴霧すべき金属を液体状態に維持するため発
生源を加熱する必要のある場合、これは液溜めと
基底部を囲繞する電熱フイラメント(図示せず)
によるか又はその他便宜な方法により行なうこと
ができる。放射先端部4への液体の供給流量は表
面張力、印加電界の強度、粘性による引張り作用
および重力により制御される。
この形態の実施例において、上述の材料に代え
て、基底部3をその外側が液体金属で濡れること
のない材料で作ることもできる。これは余分な液
状金属が放射先端部4のまわりに満ち溢ふれるこ
とを防ぐため場合によつては必要となろう。
て、基底部3をその外側が液体金属で濡れること
のない材料で作ることもできる。これは余分な液
状金属が放射先端部4のまわりに満ち溢ふれるこ
とを防ぐため場合によつては必要となろう。
このような場合としては、金および金合金を噴
霧する例があり、その実施例を第2a図に示す。
基底部3は金で濡れないカーボンで作られる。放
射先端部4は直径1.6mmのタングステンワイヤー
で作られる。タングステンワイヤーは基底部3の
端面を越えて約1乃至3mmの長さだけ突出して延
びる縮小部分8においては0.5mmの縮小した半径
を有する。
霧する例があり、その実施例を第2a図に示す。
基底部3は金で濡れないカーボンで作られる。放
射先端部4は直径1.6mmのタングステンワイヤー
で作られる。タングステンワイヤーは基底部3の
端面を越えて約1乃至3mmの長さだけ突出して延
びる縮小部分8においては0.5mmの縮小した半径
を有する。
基底部3の孔口5は約1.8乃至2.0mmの値径を有
する。放射先端部4と基底部3の間の隙間には直
径0.1mmのタングステンワイヤーの堅巻き螺旋9
が詰められている。螺旋9は液状金属がこれに沿
つて流れ、ついで放射先端部4の主部と縮小部8
の会合部分に形成される肩部10においてメニス
カスを形成するためのキヤピラリ通路となつてい
る。液状金属はメニスカスから放射先端部4の縮
小部8の表面を流れ噴射チツプ11に達し、そこ
から印加電界の作用により液滴とイオンの形態で
放射される。
する。放射先端部4と基底部3の間の隙間には直
径0.1mmのタングステンワイヤーの堅巻き螺旋9
が詰められている。螺旋9は液状金属がこれに沿
つて流れ、ついで放射先端部4の主部と縮小部8
の会合部分に形成される肩部10においてメニス
カスを形成するためのキヤピラリ通路となつてい
る。液状金属はメニスカスから放射先端部4の縮
小部8の表面を流れ噴射チツプ11に達し、そこ
から印加電界の作用により液滴とイオンの形態で
放射される。
濡れない材料で作つた基底部3を用いる場合、
螺旋9と、ワイヤー4の主部と縮小部の会合部分
に形成される肩部10とが存在していることがこ
の会合区域にメニスカスが形成されるための基本
的条件である。噴射チツプ11を形成する、放射
先端部4の円錐状尖端の表面に図示してない子午
線方向溝を設けることにより、液体が肩部10か
ら放射先端部4の縮小部8を越えて充分に流れる
ことを確実に実現できる。
螺旋9と、ワイヤー4の主部と縮小部の会合部分
に形成される肩部10とが存在していることがこ
の会合区域にメニスカスが形成されるための基本
的条件である。噴射チツプ11を形成する、放射
先端部4の円錐状尖端の表面に図示してない子午
線方向溝を設けることにより、液体が肩部10か
ら放射先端部4の縮小部8を越えて充分に流れる
ことを確実に実現できる。
本発明の噴霧器を動作中に顕微鏡で観察して、
この噴霧器の挙動を説明するモデルの正しいこと
を確認したが、その詳細は再び第2a図を参照し
て述べれば次の通りである。
この噴霧器の挙動を説明するモデルの正しいこと
を確認したが、その詳細は再び第2a図を参照し
て述べれば次の通りである。
液状金属は、重力と表面を濡らそうとする力と
の協働作用により、液溜めから螺旋制御部9を経
て肩部10に到りそこにメニスカスを形成する。
印加電圧を増すと、噴射チツプ11から放出され
る液状材料の損失もまた増える。この損失分は肩
部10から放射先端部4の縮小部8に沿つて液状
材料を流すことにより補給されなければならな
い。液状材料の充分な供給は肩部10と噴射チツ
プ11の間に連続して液体が流れる通路が確保さ
れた場合に限り維持される。これが細い子午線方
向溝を設けた理由である。噴射チツプ11からの
金属放射が比較的多いときに相当する約60μAか
若干これを上回る動作電流の場合、肩部10にお
けるメニスカス面は放射先端部4の縮小部8の柄
部分に沿い引張られるように観察され、メニスカ
ス面の輪郭は、平衡状態においては、メニスカス
自身の下に横たわる、放射先端部4の地形に忠実
に做つた形状のものであつた。噴射チツプ11か
らの放射が遥るかに小さいときに相当する約
200μAの動作電流の場合、この場合には噴霧は主
にイオンから成り液滴は比較的少ししか含まれな
いが、メニスカス面は肩部10の区域における放
射先端部4の地形を強調した輪郭をとつた。発生
源がこの低電流値域で長い間継続して動作する
と、メニスカス上にあつて、この下に横たわる針
状基底部3に溶け込んで行く、このメニスカス上
の点は益々噴射チツプ11の方に接近するよう移
動する。極限状態においては、テイラー円錐体が
形成され、針状基底部は視野から消え、基底部は
噴霧器の液体メニスカス中に完全に没した態様を
示すが、これは“溢液”と呼ばれる。第2a図を
参照しつゝ、発生源の挙動を要約すると次のよう
になる。
の協働作用により、液溜めから螺旋制御部9を経
て肩部10に到りそこにメニスカスを形成する。
印加電圧を増すと、噴射チツプ11から放出され
る液状材料の損失もまた増える。この損失分は肩
部10から放射先端部4の縮小部8に沿つて液状
材料を流すことにより補給されなければならな
い。液状材料の充分な供給は肩部10と噴射チツ
プ11の間に連続して液体が流れる通路が確保さ
れた場合に限り維持される。これが細い子午線方
向溝を設けた理由である。噴射チツプ11からの
金属放射が比較的多いときに相当する約60μAか
若干これを上回る動作電流の場合、肩部10にお
けるメニスカス面は放射先端部4の縮小部8の柄
部分に沿い引張られるように観察され、メニスカ
ス面の輪郭は、平衡状態においては、メニスカス
自身の下に横たわる、放射先端部4の地形に忠実
に做つた形状のものであつた。噴射チツプ11か
らの放射が遥るかに小さいときに相当する約
200μAの動作電流の場合、この場合には噴霧は主
にイオンから成り液滴は比較的少ししか含まれな
いが、メニスカス面は肩部10の区域における放
射先端部4の地形を強調した輪郭をとつた。発生
源がこの低電流値域で長い間継続して動作する
と、メニスカス上にあつて、この下に横たわる針
状基底部3に溶け込んで行く、このメニスカス上
の点は益々噴射チツプ11の方に接近するよう移
動する。極限状態においては、テイラー円錐体が
形成され、針状基底部は視野から消え、基底部は
噴霧器の液体メニスカス中に完全に没した態様を
示すが、これは“溢液”と呼ばれる。第2a図を
参照しつゝ、発生源の挙動を要約すると次のよう
になる。
1 メニスカスに到る液の流れは螺旋9により制
御され、正常動作の期間を通じて印加電界の強
度には弱く依存するに過ぎない。
御され、正常動作の期間を通じて印加電界の強
度には弱く依存するに過ぎない。
2 肩部10におけるメニスカスは中間液溜めと
して機能し、その寸法および形状は噴射チツプ
11からの放射量と共に変化する。
して機能し、その寸法および形状は噴射チツプ
11からの放射量と共に変化する。
3 発生源により放射される材料(全露出液面か
ら起きる原子の蒸発以外の)は皆噴射チツプ1
1から生起するものであり、その放射量はこの
放射区域に印加される電界の強さにより定ま
る。
ら起きる原子の蒸発以外の)は皆噴射チツプ1
1から生起するものであり、その放射量はこの
放射区域に印加される電界の強さにより定ま
る。
4 このようにして放射された材料は、肩部10
におけるメニスカス11から、子午線方向溝に
沿つた流れにより供給され、従つてその寸法お
よび形状によつて変化する。
におけるメニスカス11から、子午線方向溝に
沿つた流れにより供給され、従つてその寸法お
よび形状によつて変化する。
5 肩部10から噴射チツプ11に到る流量を定
める電気力は噴射チツプ11に対しては直接に
作用を及ぼし、肩部10と噴射チツプ11を連
接する非圧縮性液体薄膜の連続性を介して肩部
10とは間接的に作用面で結合される。従つ
て、肩部10の区域における電気力は通常は比
較的重要でない役割りを果たすに過ぎない。
める電気力は噴射チツプ11に対しては直接に
作用を及ぼし、肩部10と噴射チツプ11を連
接する非圧縮性液体薄膜の連続性を介して肩部
10とは間接的に作用面で結合される。従つ
て、肩部10の区域における電気力は通常は比
較的重要でない役割りを果たすに過ぎない。
上述の螺旋型流量制御方式に代わる方式を用い
た例が、第2b図に示す、噴霧器の、もう1つの
実施例である。この実施例において、液溜めとメ
ニスカスを連ねる流路は1辺が0.05mmの正方形断
面を有する狭いキヤピラリ12であつて、このキ
ヤピラリ12は液溜めから約3mmばかり延びて、
放射先端部4の肩部10が縮小部8と会合する角
のところに姿を現わす。この流路を作るには深さ
0.55mm、幅0.05mmの矩形溝を、放射先端部4の1
つの側面にそつて、肩部10からその上方に約
4.5mmの高さにまで先ず機械加工する。次いで0.5
mm×3mm×0.05mmのタングステンの帯板14を用
いて溝13を部分的に塞ぎ、0.05mm×0.05mm×3
mmの内部通路12を放射先端部4中に残すように
する。この通路12は基底部3の最狭溢部分中に
約3mmばかり延びる。
た例が、第2b図に示す、噴霧器の、もう1つの
実施例である。この実施例において、液溜めとメ
ニスカスを連ねる流路は1辺が0.05mmの正方形断
面を有する狭いキヤピラリ12であつて、このキ
ヤピラリ12は液溜めから約3mmばかり延びて、
放射先端部4の肩部10が縮小部8と会合する角
のところに姿を現わす。この流路を作るには深さ
0.55mm、幅0.05mmの矩形溝を、放射先端部4の1
つの側面にそつて、肩部10からその上方に約
4.5mmの高さにまで先ず機械加工する。次いで0.5
mm×3mm×0.05mmのタングステンの帯板14を用
いて溝13を部分的に塞ぎ、0.05mm×0.05mm×3
mmの内部通路12を放射先端部4中に残すように
する。この通路12は基底部3の最狭溢部分中に
約3mmばかり延びる。
第3図は液状金属噴霧発生源のまた別の実施形
態を示す。発生源は液滴を発生すべき液状金属2
3を収容する液溜め22を形成する、直径5乃至
7mmの、円筒状基底部21から構成される。基底
部21の底面24は円錐状放射先端部25を有
し、放射先端部は基底部21の底面24の下方に
約2mmばかり突出する。前述の発生源の場合と同
様に、放射先端部の頂角は35゜である。放射先端
部25のチツプ半径は24μmより若干大きい。放
射先端部25が基底部21の残余の部分と会合す
る区域に直径約50μmの孔口26を設ける。孔口
26はその直径を0.5mmまで大きくすることがで
きる。孔口26により液状金属は液溜め22から
放射先端部25に達することができて、表面濡ら
し効果により放射先端部25の表面を伝わつて流
れるが、その流れは端子27と電極28により印
加された電界の影響を受けて液状金属の液滴が放
射先端部25の尖端から放出されるようになる流
量で流れる。前と同様に、必要なことが分かれ
ば、金属を液体状態に維持するため液溜め22を
加熱するような構造をとることもできる。放射先
端部25に対する液状金属23の補給量の制御を
一層確実に行なうことを望むのであれば、液溜め
22中にピストンを設けピストンが液状金属23
の表面を押圧するようにすればこれを達成するこ
とができる。
態を示す。発生源は液滴を発生すべき液状金属2
3を収容する液溜め22を形成する、直径5乃至
7mmの、円筒状基底部21から構成される。基底
部21の底面24は円錐状放射先端部25を有
し、放射先端部は基底部21の底面24の下方に
約2mmばかり突出する。前述の発生源の場合と同
様に、放射先端部の頂角は35゜である。放射先端
部25のチツプ半径は24μmより若干大きい。放
射先端部25が基底部21の残余の部分と会合す
る区域に直径約50μmの孔口26を設ける。孔口
26はその直径を0.5mmまで大きくすることがで
きる。孔口26により液状金属は液溜め22から
放射先端部25に達することができて、表面濡ら
し効果により放射先端部25の表面を伝わつて流
れるが、その流れは端子27と電極28により印
加された電界の影響を受けて液状金属の液滴が放
射先端部25の尖端から放出されるようになる流
量で流れる。前と同様に、必要なことが分かれ
ば、金属を液体状態に維持するため液溜め22を
加熱するような構造をとることもできる。放射先
端部25に対する液状金属23の補給量の制御を
一層確実に行なうことを望むのであれば、液溜め
22中にピストンを設けピストンが液状金属23
の表面を押圧するようにすればこれを達成するこ
とができる。
前述の両タイプの液状金属噴霧発生装置に用い
られる材料は噴霧すべき液状金属に適合するよう
なものでなければならない。この材料選択のため
の判定基準は発生源に用いる材料は噴霧すべき材
料により濡らされるが、この材料中に溶け込むも
のであつてはならないということである。しかし
ながら、目的によつては発生源用材料の、液状金
属に対する、若干の制限つきの溶解限度が許容さ
れる。例えば、噴霧すべき金属が金の場合、第1
の実施例の基底部3と放射先端部4を夫々モリブ
デンとモリブデン又はモリブデンとタングステン
で作ることができる。勿論、長く続く期間にわた
り信頼性の高い挙動を得たいとするならば、第2
a図または第2b図に示すタングステン製の放射
先端部と液状材料供給装置つきのカーボン製液溜
めを選択すべきであることは言うまでもない。上
述の材料は第2の実施例の液溜め22と放射先端
部25に対してもこれを用いることができる。
られる材料は噴霧すべき液状金属に適合するよう
なものでなければならない。この材料選択のため
の判定基準は発生源に用いる材料は噴霧すべき材
料により濡らされるが、この材料中に溶け込むも
のであつてはならないということである。しかし
ながら、目的によつては発生源用材料の、液状金
属に対する、若干の制限つきの溶解限度が許容さ
れる。例えば、噴霧すべき金属が金の場合、第1
の実施例の基底部3と放射先端部4を夫々モリブ
デンとモリブデン又はモリブデンとタングステン
で作ることができる。勿論、長く続く期間にわた
り信頼性の高い挙動を得たいとするならば、第2
a図または第2b図に示すタングステン製の放射
先端部と液状材料供給装置つきのカーボン製液溜
めを選択すべきであることは言うまでもない。上
述の材料は第2の実施例の液溜め22と放射先端
部25に対してもこれを用いることができる。
アルミニウムまたはその合金を噴霧するには、
窒化硼素/2硼化チタン複合材料が両実施例の場
合における放射先端部材料として使用できる。ガ
リウムを噴霧するためには、タングステンかタン
タルのどちらかが使用できる。シリコンを噴霧す
るためには、グラフアイトの放射先端部が使用さ
れる。
窒化硼素/2硼化チタン複合材料が両実施例の場
合における放射先端部材料として使用できる。ガ
リウムを噴霧するためには、タングステンかタン
タルのどちらかが使用できる。シリコンを噴霧す
るためには、グラフアイトの放射先端部が使用さ
れる。
第1図は本発明を実施した発生源の縦断面図で
ある。第2a図及び第2b図は金と金合金と噴霧
させる場合の実施例を示す縦断面図である。第3
図は本発明のまた別の実施例の縦断面図である。 1,22……溜め、2,23……液状材料、
3,21……基底部、4,25……放射先端部、
5,26……オリフイス、6,28……電極、1
0……肩部、11……チツプ。
ある。第2a図及び第2b図は金と金合金と噴霧
させる場合の実施例を示す縦断面図である。第3
図は本発明のまた別の実施例の縦断面図である。 1,22……溜め、2,23……液状材料、
3,21……基底部、4,25……放射先端部、
5,26……オリフイス、6,28……電極、1
0……肩部、11……チツプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 頂角が30度と40度の間にあり且つ基底部から
1乃至3mmの距離だけ突出する放射先端部と、噴
霧すべき液状材料を放射先端部に供給する装置
と、放射先端部において液状材料を分裂させ液滴
とイオンの噴霧を形成させるに充分な電界が放射
先端部に印加されるようにする電界発生電極から
構成され、この放射先端部は液状材料で濡らされ
しかもこの材料に対しては低溶解限度を示す材料
で作られることを特徴とする、電界の作用を受け
て液状材料の細滴とイオンの噴霧を形成する発生
源。 2 放射先端部は基底部の部分を形成する円錐状
突出部中のオリフイスを通り抜けていること、ま
た放射先端部のチツプに到る液状材料の流量制御
装置を具備することを特徴とする上記第1項に記
載の発生源。 3 放射先端部は20μから100μの間にあるチツプ
半径を有することを特徴とする前記第1項又は第
2項に記載の発生源。 4 放射先端部のチツプ半径が60μであることを
特徴とする上記第3項に記載の発生源。 5 放射先端部のチツプの頂角が35゜であること
を特徴とする前記第1項に記載の発生源。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB7929361 | 1979-08-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5633468A JPS5633468A (en) | 1981-04-03 |
| JPS6330985B2 true JPS6330985B2 (ja) | 1988-06-21 |
Family
ID=10507384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11576080A Granted JPS5633468A (en) | 1979-08-23 | 1980-08-22 | Spray generating source of fine droplet and ion of liquid material |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4431137A (ja) |
| JP (1) | JPS5633468A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016163046A1 (ja) * | 2015-04-09 | 2016-10-13 | 旭サナック株式会社 | エレクトロスプレーイオン化法に用いる放電ノズル |
| JP2016198756A (ja) * | 2015-04-09 | 2016-12-01 | 旭サナック株式会社 | エレクトロスプレーイオン化法に用いる放電ノズル |
| JP2016215134A (ja) * | 2015-05-21 | 2016-12-22 | 東レエンジニアリング株式会社 | エレクトロスプレー装置 |
| WO2018008063A1 (ja) * | 2016-07-04 | 2018-01-11 | 旭サナック株式会社 | エレクトロスプレー用放電ノズル |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57205953A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-17 | Jeol Ltd | Ion source |
| JPS5835829A (ja) * | 1981-08-28 | 1983-03-02 | Jeol Ltd | 金属イオン源 |
| JPS5895232U (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-28 | 日本電子株式会社 | 液体金属イオン源 |
| JPS58137943A (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-16 | Jeol Ltd | イオン源 |
| JPS58137941A (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-16 | Jeol Ltd | イオン源 |
| JPS58137939A (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-16 | Jeol Ltd | イオン源 |
| GB2115604B (en) * | 1982-02-22 | 1986-06-11 | Atomic Energy Authority Uk | Liquid metal ion sources |
| JPS5955848U (ja) * | 1982-09-21 | 1984-04-12 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 電界放射型イオン源 |
| JPS601717A (ja) * | 1983-06-20 | 1985-01-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電界放出型液体金属イオン源の針状エミツタ |
| US4762975A (en) * | 1984-02-06 | 1988-08-09 | Phrasor Scientific, Incorporated | Method and apparatus for making submicrom powders |
| JPS61232151A (ja) * | 1985-04-04 | 1986-10-16 | 東洋製罐株式会社 | アルミ製接着缶 |
| JPS61211937A (ja) * | 1985-11-15 | 1986-09-20 | Hitachi Ltd | 電界放出型イオン源 |
| US4774037A (en) * | 1986-09-26 | 1988-09-27 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method for producing solid or hollow spherical particles of chosen chemical composition and of uniform size |
| JPH0364484A (ja) * | 1989-08-01 | 1991-03-19 | Nippon Paint Co Ltd | アルミニウム又はその合金の表面処理剤及び処理浴 |
| JPH0692277B2 (ja) * | 1990-01-19 | 1994-11-16 | 工業技術院長 | 選択エピタキシャル方法 |
| US5165601A (en) * | 1990-04-11 | 1992-11-24 | Terronics Development Corporation | Nozzle for low resistivity flowable material |
| US5332154A (en) * | 1992-02-28 | 1994-07-26 | Lundy And Associates | Shoot-up electrostatic nozzle and method |
| GB9416581D0 (en) * | 1993-09-02 | 1994-10-12 | Ici Plc | Electrostatic spraying device |
| GB0308021D0 (en) * | 2003-04-07 | 2003-05-14 | Aerstream Technology Ltd | Spray electrode |
| US7673820B2 (en) * | 2006-12-18 | 2010-03-09 | Yehuda Ivri | Subminiature thermoelectric fragrance dispenser |
| JP5077651B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2012-11-21 | 東洋製罐株式会社 | 樹脂被覆金属板及びそれを用いた成形体 |
| JP6613481B2 (ja) * | 2015-08-28 | 2019-12-04 | アネスト岩田株式会社 | 液体塗着方法 |
| CN112191853B (zh) * | 2020-03-31 | 2022-05-10 | 北京航空航天大学 | 一种室温下液态金属镓的快速成型方法 |
| CA3191397A1 (en) | 2020-09-03 | 2022-03-10 | Peter Schmitt | Improved metal deposition system |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2840185A (en) * | 1955-05-03 | 1958-06-24 | Norgren Co C A | Aerosol reclassifier |
| US3475636A (en) * | 1967-11-14 | 1969-10-28 | Hughes Aircraft Co | Liquid-metal arc cathode with maximized electron/atom emission ratio |
| GB1574611A (en) * | 1976-04-13 | 1980-09-10 | Atomic Energy Authority Uk | Ion sources |
| US4264641A (en) * | 1977-03-17 | 1981-04-28 | Phrasor Technology Inc. | Electrohydrodynamic spraying to produce ultrafine particles |
-
1980
- 1980-08-22 JP JP11576080A patent/JPS5633468A/ja active Granted
-
1982
- 1982-11-03 US US06/438,912 patent/US4431137A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016163046A1 (ja) * | 2015-04-09 | 2016-10-13 | 旭サナック株式会社 | エレクトロスプレーイオン化法に用いる放電ノズル |
| JP2016198756A (ja) * | 2015-04-09 | 2016-12-01 | 旭サナック株式会社 | エレクトロスプレーイオン化法に用いる放電ノズル |
| JP2016215134A (ja) * | 2015-05-21 | 2016-12-22 | 東レエンジニアリング株式会社 | エレクトロスプレー装置 |
| WO2018008063A1 (ja) * | 2016-07-04 | 2018-01-11 | 旭サナック株式会社 | エレクトロスプレー用放電ノズル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5633468A (en) | 1981-04-03 |
| US4431137A (en) | 1984-02-14 |
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