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JPS6333858B2 - - Google Patents
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JPS6333858B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6333858B2
JPS6333858B2 JP55077947A JP7794780A JPS6333858B2 JP S6333858 B2 JPS6333858 B2 JP S6333858B2 JP 55077947 A JP55077947 A JP 55077947A JP 7794780 A JP7794780 A JP 7794780A JP S6333858 B2 JPS6333858 B2 JP S6333858B2
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JP
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circuit
output
signal
capacitance
electrodes
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Application number
JP55077947A
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Japanese (ja)
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JPS573623A (en
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Kaoru Machida
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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  • Measurement And Recording Of Electrical Phenomena And Electrical Characteristics Of The Living Body (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、例えば乳がんの集団検診等におい
て、がん細胞を非観血かつ無侵襲で計測すること
ができる異常細胞検出装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an abnormal cell detection device that can measure cancer cells non-invasively and non-invasively, for example in mass breast cancer screenings.

従来、生体内の異常細胞、例えば乳がんのがん
細胞の検診方法として、触診の他、X線マンモグ
ラフイ、超音波スキヤナ、サーモグラフイによる
診断装置が考えられている。しかるに、X線マン
モグラフイは解像力の点では群を抜いているもの
の、奇型児出産或いは二次的がん障害等の放射線
障害の問題があるために特に米国を中心として規
制される傾向にある。また、超音波スキヤナは最
近急速にその診断需要を伸ばしているものの、解
像力が劣るために乳がんの早期発見という観点か
ら考えると若干物足りない。ましてやサーモグラ
フイは未だ実用段階には至つていない。
BACKGROUND ART Conventionally, as a method for examining abnormal cells in a living body, such as breast cancer cells, in addition to palpation, diagnostic devices using X-ray mammography, ultrasound scanners, and thermography have been considered. However, although X-ray mammography is unsurpassed in terms of resolution, it tends to be regulated, especially in the United States, because of the problems of radiation damage such as birth of abnormal babies and secondary cancer damage. . Furthermore, although the demand for diagnostic ultrasound scanners has been rapidly increasing recently, their poor resolution makes them somewhat unsatisfactory from the perspective of early detection of breast cancer. Moreover, thermography has not yet reached the practical stage.

そのような中で最近、第1図に示すように乳房
1を含む生体関心領域の両端表面に電極2a,2
bを密着配置し、この電極を各々独立な電極セル
の集合体とし、各電極セルから他方の対向電極ま
での経路内に存在する静電容量値を測定し、その
値の大小によりがん細胞の有無を判断するマンモ
スキヤナなる装置が発表された。しかしながら、
このようなマンモスキヤナでは、一方の電極2a
を乳房に、他方の電極2bを背中に配置するもの
であるため、その間に介在する種々の器官(即ち
細胞)及びそれらの変動による影響を受け、測定
値に誤差成分が多く含まれるという問題があり、
又、上記各電極対を結ぶ経路の長さl1、l2………
が乳房の起伏等によりそれぞれ異なることになる
のでこれに応じてその経路内の細胞数も異なるこ
とになり、異常細胞が存在しないのにも拘わら
ず、異常であるかのように測定される虞れがあ
り、かかる不都合を生じさせないために体形に応
じた補正等の後処理が必要となり、このために装
置全体が大がかりなものになつてしまうという大
きな問題を有する。
Recently, as shown in FIG.
b are placed in close contact with each other, each electrode is an assembly of independent electrode cells, and the capacitance value existing in the path from each electrode cell to the other opposing electrode is measured. A device called Mammoth Scanner has been announced to determine the presence or absence of however,
In such a mammoth scanner, one electrode 2a
Since the electrode 2b is placed on the breast and the other electrode 2b is placed on the back, there is a problem that the measured value contains many error components due to the influence of various organs (i.e. cells) intervening between them and their fluctuations. can be,
Also, the lengths of the paths connecting each of the above electrode pairs l 1 , l 2 ......
Since the number of cells in the path will vary depending on the undulation of the breast, etc., the number of cells in the path will also differ accordingly, and there is a risk that the measurement may be performed as if there were abnormal cells even though there are no abnormal cells. In order to prevent such inconvenience from occurring, post-processing such as correction according to the body shape is required, which poses a major problem in that the entire device becomes large-scale.

本発明は前記事情に鑑みてなされたものであ
り、前記マンモスキヤナの欠点を除去して正確な
測定を行なうことができると共に安全性を確保す
ることができ、かつ装置を大型化することなく信
頼性の向上を図ることができる異常細胞検出装置
を提供することを目的とするものである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and can eliminate the drawbacks of the mammoth scanner to perform accurate measurements, ensure safety, and improve reliability without increasing the size of the device. It is an object of the present invention to provide an abnormal cell detection device that can improve the performance.

以下基本原理及び実施例により本発明を具体的
に説明する。
The present invention will be specifically explained below with reference to the basic principle and examples.

第2図乃至第4図は本発明の基本原理を説明す
るための図である。そのうち、第2図は生体Aと
その内部の細胞Bを模擬的に描いたものであり、
第3図は第2図におけるX−Y方向の直線上での
電気的な等価回路である。ただし、第3図におい
ては第2図の生体Aの表皮部分及び核は一切捨象
してある。これは、表皮や核は電気的特性に関し
ては無視できる程度のものだからである。図中
C1〜C4は細胞内液及び静電容量、R1〜R4は同じ
く細胞内液及び外液の抵抗、C5〜C8は細胞の形
質膜の静電容量である。ここで、上記各定数は各
組織によつてそれぞれ異なるが、測定部位内の細
胞数は極めて大きく、それらの配列はランダムで
あるので、ここでは説明の便宜上それぞれは全て
等しい値をとるものとする。特に乳房部のみに関
しては各組織がほぼ均一と見なせるのでこの擬制
は正当化できる。これを表示すると次式(1)〜(3)の
如くになる。
2 to 4 are diagrams for explaining the basic principle of the present invention. Of these, Figure 2 is a simulated depiction of living body A and cell B inside it.
FIG. 3 is an electrical equivalent circuit on a straight line in the X-Y direction in FIG. 2. However, in FIG. 3, the epidermis and nucleus of living body A in FIG. 2 are completely abstracted away. This is because the epidermis and nucleus have negligible electrical properties. In the diagram
C 1 to C 4 are the intracellular fluid and capacitance, R 1 to R 4 are the resistance of the intracellular fluid and external fluid, and C 5 to C 8 are the capacitance of the plasma membrane of the cell. Here, each of the above constants differs depending on each tissue, but since the number of cells in the measurement site is extremely large and their arrangement is random, here, for convenience of explanation, it is assumed that they all have the same value. . In particular, this assumption is justified since each tissue can be considered to be almost uniform only in the breast region. When this is displayed, it becomes as shown in the following equations (1) to (3).

C1=C2=C3=C4=Cl ……(1) R1=R2=R3=R4=Rl ……(2) C5=C6=C7=C8=Cn ……(3) 一方第4図は生体組織の比誘電率εSの周波数
特性を示す図であり、各組織により特性曲線の細
部は異なるがほぼ同じような傾向を示す。即ち、
ある周波数付近で比誘電率εSが減少分散現象が
3箇所部分(α、β、γ)で見られ、特にβ分散
は構造性分散とも呼ばれ電気定数が細胞レベルの
各部分で異なるために生ずる現象である。即ち、
β分散を起す周波数oよりも低い周波数部分で
は外部印加電圧は殆んど形質膜にかかりoより
も高い周波数部分では細胞内液及び外液のキヤパ
シタンス及び形質膜にかかることになる。この場
合、細胞内液及び外液のキヤパシタンスと形質膜
のキヤパシタンスとは第3図に示すように直列に
接続されており、かつ前者は後者よりも小さな値
を示すものであるから周波数oを境にして外部
から測定される静電容量は大幅に減少することに
なる。
C 1 = C 2 = C 3 = C 4 = C l ...(1) R 1 = R 2 = R 3 = R 4 = R l ...(2) C 5 = C 6 = C 7 = C 8 = C n ...(3) On the other hand, FIG. 4 is a diagram showing the frequency characteristics of the dielectric constant εS of biological tissues, and although the details of the characteristic curve differ depending on each tissue, they show almost the same tendency. That is,
The relative dielectric constant εS decreases around a certain frequency. Dispersion phenomenon is observed in three parts (α, β, γ), and β dispersion in particular is also called structural dispersion and occurs because the electrical constant differs in each part at the cellular level. It is a phenomenon. That is,
In the frequency range lower than the frequency o that causes β dispersion, the externally applied voltage is applied mostly to the plasma membrane, and in the frequency range higher than o, it is applied to the capacitance of the intracellular fluid and external fluid and the plasma membrane. In this case, the capacitance of the intracellular and external fluids and the capacitance of the plasma membrane are connected in series as shown in Figure 3, and the former has a smaller value than the latter, so they are separated by the frequency o. The capacitance measured externally will be significantly reduced.

以上の事実を前提として再び第3図の等価回路
を考えてみる。ここでは前記周波数oよりも低
い周波数をL、高い周波数をHとし、Xo−Yoの
電極間での電流経路における細胞数をnとする。
Let's consider the equivalent circuit in Figure 3 again assuming the above facts. Here, let L be a frequency lower than the frequency o, H be a higher frequency, and n be the number of cells in the current path between the Xo and Yo electrodes.

周波数LでのXo−Yo間のインピーダンス(即
ち静電容量CL)は前式(1)〜(3)の関係から次式(4)
の如く表わされる。
The impedance between Xo and Yo at frequency L (i.e. capacitance C L ) is expressed by the following equation (4) from the relationship of the previous equations (1) to (3).
It is expressed as follows.

CL=Cn/n ……(4) そして、周波数Hに対しての静電容量CHは前記
同様にして次式(5)の如く表わされる。
C L =C n /n (4) Then, the capacitance C H with respect to the frequency H is expressed as in the following equation (5) in the same way as above.

CH=1/n(Cl・Cn/Cl+Cn) ……(5) 従つて両静電容量の比は次式(6)の如くなり、細
胞数nに関係ないものとなる。
C H = 1/n (C l・C n /C l +C n )...(5) Therefore, the ratio of both capacitances is as shown in the following equation (6), which is independent of the number of cells n. .

CL/CH=1+Cn/Cl ……(6) 次に、測定部位内に例えばがん細胞が存在しこ
のために細胞数がnからm(n>m)に減少した
とする。このときの形質膜数は細胞数に応じて減
少するが、細胞内液及び外液の静電容量(抵抗分
も同様)は測定部位長が不変であるため等価的に
n個の細胞がある状態と同様であると見なすこと
ができる。従つて周波数Lに対する静電容量C′L
は次式(7)によつて表わされる。
C L /C H =1+C n /C l (6) Next, assume that, for example, cancer cells exist within the measurement site, and the number of cells decreases from n to m (n>m). At this time, the number of plasma membranes decreases according to the number of cells, but the capacitance (same resistance) of the intracellular and external fluids does not change the length of the measurement site, so there are equivalently n cells. can be considered to be similar to the state. Therefore, the capacitance C′ L for frequency L
is expressed by the following equation (7).

C′L=Cn/m ……(7) 一方、周波数Hに対する静電容量C′Hは次式(8)
によつて表わされる。
C' L = C n /m ...(7) On the other hand, the capacitance C' H with respect to frequency H is expressed by the following formula (8)
It is represented by.

C′H=Cl.Cm/mCl+nCm ……(8) そして、各静電容量の比(C′L/C′H)は次式(9)
によつて表わされる。
C′ H = C l . Cm/mC l +nCm ……(8) And the ratio of each capacitance (C′ L /C′ H ) is calculated using the following formula (9)
It is represented by.

C′L/C′H=1+(n/m)・Cn/Cl ……(9) ここで、n>mの関係があるから、前式(6)と(9)
の間には次式(10)の関係が成立する。
C′ L /C′ H =1+(n/m)・C n /C l ...(9) Here, since the relationship n>m, the previous equations (6) and (9)
The following equation (10) holds true between .

(CL/CH)<(CL′/CH′) ……(10) このような結果に基づき前記各電極セルからの
電流経路での周波数LHの静電容量値を求め、
その比を算出し、算出結果を測定部位に対応する
濃淡信号として表示を行なうようにすれば、前記
(10)式の関係からがん細胞の有無及びその位置を検
出することができるものとなる。
(C L /C H )<(C L ′/C H ′) ...(10) Based on these results, calculate the capacitance values at frequencies L and H in the current path from each electrode cell,
If the ratio is calculated and the calculation result is displayed as a gray signal corresponding to the measurement area, the above-mentioned
From the relationship of equation (10), the presence or absence of cancer cells and their location can be detected.

以上の原理を具体化した実施例について説明す
る。
An embodiment embodying the above principle will be described.

第5図は本発明装置の一実施例を示すブロツク
図である。図中1は被検体であり、乳がん検診の
ため、乳房上表部及び下表部に電極2a,2bを
密着させておくものとする。また、図では明示さ
れていないが、電極2aはその内部で各電極セル
に分割されているものとする。該電極2aを構成
する各電極セルからの信号S1aはそれぞれの電
流経路毎にアナログスイツチAS1a,AS1b,
AS1nの一端にそれぞれ接続されて、これらの
アナログスイツチAS1a〜AS1nの他端を介し
て、前記他方の電極2bからの信号S1bと共に
静電容量測定装置3に入力されるようになつてい
る。該静電容量測定装置3は、前記2通りの周波
LH(振幅は等しい)を有する2種類の電圧
を別々に発生する基準電圧発生装置6の出力信号
S12が入力されると共に、前記各電極セルの電
流経路中でそれぞれの周波数LHにおける静電
容量値に対応する電圧信号S2を順次選択的に出
力するようになつている。この静電容量測定装置
3からの電圧信号S2は2個のアナログスイツチ
AS2a,AS2bを介して、対応する2個の尖頭
値検出保持装置4a及び4bへそれぞれ転送され
るようになつている。この2個の尖頭値検出保持
装置4a及び4bの出力信号S3a,S3bは除
算装置7に入力されており、この除算装置7から
は両信号S3a,S3bの比の信号S4が出力さ
れる。この信号S4はアナログ−デイジタル変換
器(ADC)8に入力され、このADC8の出力デ
イジタル信号S5が順次記憶装置9に格納される
ことになる。10は記憶装置9内の情報に基づく
出力信号S6を入力し、適宜信号処理を施した後
所望の表示を行なう表示装置である。5は前記各
種装置を制御するタイミング制御回路であり、前
記静電容量測定装置3及び尖頭値検出保持装置4
a,4bをリセツトするためのリセツト信号S
7、アナログスイツチAS1a〜AS1nを順次
ON、OFFするアナログスイツチゲート信号S
8、前記基準電圧発生装置6及びアナログスイツ
チAS2a,AS2bを前記2種類の周波数L及び
Hに応じて選択的に切換えるゲート信号S9、記
憶装置のアドレスを選択するアドレス選択信号S
10、メモリラツチ信号S11をそれぞれ出力す
るようになつている。
FIG. 5 is a block diagram showing one embodiment of the apparatus of the present invention. Reference numeral 1 in the figure is a subject, and electrodes 2a and 2b are brought into close contact with the upper and lower surfaces of the breast for breast cancer screening. Although not clearly shown in the figure, it is assumed that the electrode 2a is internally divided into electrode cells. The signal S1a from each electrode cell constituting the electrode 2a is sent to analog switches AS1a, AS1b,
They are connected to one end of AS1n, respectively, and are input to the capacitance measuring device 3 together with the signal S1b from the other electrode 2b via the other ends of these analog switches AS1a to AS1n. The capacitance measuring device 3 receives the output signal S12 of the reference voltage generating device 6 that separately generates two types of voltages having the two frequencies L and H (equal amplitude), and also Voltage signals S2 corresponding to capacitance values at respective frequencies L and H are sequentially and selectively output in the current path of the electrode cell. The voltage signal S2 from this capacitance measuring device 3 is sent to two analog switches.
The signals are transferred to two corresponding peak value detection and holding devices 4a and 4b via AS2a and AS2b, respectively. The output signals S3a and S3b of the two peak value detection and holding devices 4a and 4b are inputted to a dividing device 7, which outputs a signal S4 which is the ratio of both signals S3a and S3b. This signal S4 is input to an analog-digital converter (ADC) 8, and the output digital signal S5 of this ADC 8 is sequentially stored in the storage device 9. Reference numeral 10 denotes a display device that receives an output signal S6 based on information in the storage device 9, performs appropriate signal processing, and then displays a desired display. Reference numeral 5 denotes a timing control circuit for controlling the various devices, including the capacitance measuring device 3 and the peak value detection and holding device 4.
Reset signal S for resetting a and 4b
7.Sequentially turn analog switches AS1a to AS1n
Analog switch gate signal S to turn ON and OFF
8. The reference voltage generator 6 and analog switches AS2a, AS2b are set to the two types of frequencies L and
Gate signal S9 that selectively switches according to H , address selection signal S that selects the address of the storage device
10, each outputs a memory latch signal S11.

前記静電容量測定装置3の詳細を示す一実施例
回路を第6図を参照して説明する。この静電容量
測定装置は、抵抗R5〜R7を有する演算増幅器IC1
と、抵抗R8〜R10及びダイオードD1,D2を有し、
前記演算増幅器IC1の出力を入力とする演算増幅
器IC2と、抵抗R11〜R13を有し、前記演算増幅器
IC2の出力を入力とする演算増幅器IC3とを備え、
前記演算増幅器IC1の入出力間に前記電極2aと
2bを結ぶ電流経路上に存在する人体の静電容量
Cが接続されると共に、帰還経路にリセツト信号
S7によつて駆動されるスイツチングトランジス
タQ1が接続されて積分回路3Aが構成され、後
段の2つの演算増幅器IC2,IC3とによつて絶対値
回路3Bが構成されている。
An example circuit showing details of the capacitance measuring device 3 will be described with reference to FIG. 6. This capacitance measuring device consists of an operational amplifier IC 1 with resistors R 5 to R 7
and has resistors R 8 to R 10 and diodes D 1 and D 2 ,
an operational amplifier IC 2 that receives the output of the operational amplifier IC 1 as an input; and resistors R 11 to R 13 ;
It is equipped with an operational amplifier IC 3 whose input is the output of IC 2 ,
The electrostatic capacitance C of the human body existing on the current path connecting the electrodes 2a and 2b is connected between the input and output of the operational amplifier IC1 , and a switching transistor driven by the reset signal S7 is connected to the feedback path. Q 1 is connected to constitute an integrating circuit 3A, and the two subsequent operational amplifiers IC 2 and IC 3 constitute an absolute value circuit 3B.

前記尖頭値検出保持装置4a,4bの詳細一実
施例回路を第7図を参照して説明する。この装置
は、入力抵抗R14、帰還コンデンサC9を有する演
算増幅器IC4、ダイオードD3、コンデンサC10
らなる検出保持回路4a1と、該検出保持回路4a1
の出力側に設けられたソースフオロワ回路(電源
+Vと−Vとの間に電界効果トランジスタQ4
び抵抗R15が直列接続されてなる)4a2と、リセ
ツト信号S7を抵抗R16を介してベースに印加す
るトランジスタQ2が電源+Vと−V端子間にそ
れぞれ抵抗R17,R18を介して直列接続されると
共に、該トランジスタQ2のコレクタ側出力によ
つて駆動される電界効果トランジスタQ3が前記
ダイオードD3のカソードと接地端子間に接続さ
れたリセツト回路4a3とによつて構成されてい
る。
A detailed circuit of one embodiment of the peak value detection and holding devices 4a and 4b will be described with reference to FIG. This device includes a detection and holding circuit 4a 1 consisting of an input resistor R 14 , an operational amplifier IC 4 having a feedback capacitor C 9 , a diode D 3 and a capacitor C 10 , and the detection and holding circuit 4a 1
A source follower circuit (consisting of a field effect transistor Q4 and a resistor R15 connected in series between the power supplies +V and -V ) 4a2 provided on the output side of the A field effect transistor Q 3 is connected in series between the power supply +V and -V terminals via resistors R 17 and R 18 , respectively, and is driven by the collector side output of the transistor Q 2 . is constituted by a reset circuit 4a3 connected between the cathode of the diode D3 and the ground terminal.

前記タイミング制御回路5の詳細実施例回路を
第8図を参照して説明する。この回路は、抵抗
R19、コンデンサC11からなるパワーリセツト回路
5Aと、このパワーリセツト回路5Aの出力によ
つてリセツトされると共に、押ボタンスイツチ
PB1及びPB2によつてセツト及びリセツトが行な
われるゲート回路IC5,IC6によつて構成されるフ
リツプフロツプFFと、このフリツプフロツプFF
の一方の出力信号S13によつて制御されるゲート
回路IC7,IC8、抵抗R22,R23、コンデンサC12
水晶発振子XTLからなる発振器OSCと、この発
振器OSCの出力をクロツク端子に入力する第1
のJKフリツプフロツプIC10と、このフリツプ
フロツプIC10の出力をクロツク端子に入力す
る第2のJKフリツプフロツプIC11と、このフ
リツプフロツプIC11の出力をクロツク端子に
共通に入力するシフトレジスタIC12及びカウ
ンタIC13と、4個のナンドゲート回路IC14
〜IC17とによつて構成され、JKフリツプフロ
ツプIC10,IC11及びシフトレジスタIC12、
カウンタIC13は共に前記フリツプフロツプFF
の他方の出力信号によつてクリアされるようにな
つている。ここで、初段のナンドゲート回路IC
14からは発振器OSCの出力、第1第2のJKフ
リツプフロツプIC10及びIC11の出力との関
係でリセツト信号S7が出力され、次段のナンド
ゲート回路C15からは発振器OSCの反転信号
(インバータIC9によつて反転)、第1、第2の
JKフリツプフロツプIC10,IC11との関係で
メモリラツチ信号S11が出力され、第3段及び
第4段のナンドゲート回路IC16,IC17から
は第1及び第2のJKフリツプフロツプIC10,
IC11との関係でそれぞれ前記アナログスイツ
チAS2a,AS2bを切換えるアナログスイツチ
ゲート信号S9a,S9b,S9が出力され、n
個の出力端子を有するシフトレジスタIC12か
らは前記アナログスイツチAS1a〜AS1nを切
換えるアナログスイツチゲート信号S8が出力さ
れ、カウンタIC13からはバイナリ信号による
アドレス信号S10がそれぞれ出力されるように
なつている。尚、前記押ボタンスイツチのうち一
方のスイツチPB1はスタート用で、この閉成によ
つて各回路を活性化するものであり、他方のスイ
ツチPB2はストツプ用で、測定終了時に閉成され
ることによつてタイミング制御回路5の全ての出
力信号を不活性化するためのものである。
A detailed embodiment of the timing control circuit 5 will be described with reference to FIG. This circuit is a resistor
It is reset by a power reset circuit 5A consisting of R 19 and a capacitor C 11 and the output of this power reset circuit 5A, and is also reset by a push button switch.
A flip-flop FF constituted by gate circuits IC 5 and IC 6 whose setting and reset are performed by PB 1 and PB 2 , and this flip-flop FF.
Gate circuits IC 7 , IC 8 , resistors R 22 , R 23 , capacitor C 12 , controlled by one output signal S 13 of
An oscillator OSC consisting of a crystal oscillator XTL, and a first
A second JK flip-flop IC11 that inputs the output of this flip-flop IC10 to the clock terminal, a shift register IC12 and a counter IC13 that commonly input the output of this flip-flop IC11 to the clock terminal, and four NAND gates. Circuit IC14
~ IC17, JK flip-flop IC10, IC11 and shift register IC12,
Both the counter IC 13 and the flip-flop FF
is cleared by the other output signal. Here, the first stage NAND gate circuit IC
14 outputs a reset signal S7 in relation to the output of the oscillator OSC and the outputs of the first and second JK flip-flops IC10 and IC11, and the next stage NAND gate circuit C15 outputs the inverted signal of the oscillator OSC (by inverter IC9). inversion), first, second
A memory latch signal S11 is output in relation to the JK flip-flop IC10, IC11, and the third and fourth stage NAND gate circuits IC16, IC17 output the first and second JK flip-flop IC10,
Analog switch gate signals S9a, S9b, and S9 are output for switching the analog switches AS2a and AS2b, respectively, in relation to IC11, and n
The shift register IC12, which has four output terminals, outputs an analog switch gate signal S8 for switching the analog switches AS1a to AS1n, and the counter IC13 outputs an address signal S10 in the form of a binary signal. One of the pushbutton switches, PB1 , is for starting, and when closed, activates each circuit.The other switch, PB2 , is for stopping, and is closed at the end of the measurement. This is to inactivate all the output signals of the timing control circuit 5.

次に第9図を参照して前記基準電圧発生装置の
詳細一実施例回路を説明する。この装置は、前記
低周波数L選択用のアナログスイツチS2a及び
高周波数H選択用のアナログスイツチS2bを選
択的に切換えるためのアナログスイツチゲート信
号S9a,S9bによつてそれぞれ制御されるア
ナログスイツチAS3a,AS3bに接続された第
1の共振回路(抵抗R24、コンデンサC13によつて
構成される)6A1及び第2の共振回路(抵抗
R25、コンデンサC14によつて構成される)6A2
及びコンデンサC15、抵抗R26,R27、ボリウム抵
抗VR1を有する演算増幅器IC18とによつて構
成されるウイーンブリツジ発振器6Aと、このウ
イーンブリツジ発振器6Aの出力をダイオード
D4,D5を介して入力すると共に、抵抗R28,R29
及びボリウム抵抗VR2を有する演算増幅器IC1
9からなるボルテージフオロワ6Bとによつて構
成されており、各周波数に対応した2種類の基準
電圧を出力信号S12として発生するようになつ
ている。
Next, a detailed circuit of an embodiment of the reference voltage generating device will be described with reference to FIG. This device includes analog switches AS3a and AS3b which are respectively controlled by analog switch gate signals S9a and S9b for selectively switching the analog switch S2a for selecting the low frequency L and the analog switch S2b for selecting the high frequency H. A first resonant circuit (consisting of resistor R 24 and capacitor C 13 ) connected to 6A 1 and a second resonant circuit (consisting of resistor R 24 and capacitor C 13) connected to
R 25 , configured by capacitor C 14 ) 6A 2
and an operational amplifier IC18 having a capacitor C 15 , resistors R 26 , R 27 , and a volume resistor VR 1 , and the output of this Wien Bridge oscillator 6A is connected to a diode.
Input via D 4 , D 5 and resistors R 28 , R 29
and operational amplifier IC1 with volume resistor VR 2
9, and is configured to generate two types of reference voltages corresponding to each frequency as the output signal S12.

次に、第10図のタイムチヤートをも参照して
前記構成装置の動作を説明する。
Next, the operation of the component device will be explained with reference to the time chart of FIG. 10.

先ず、電源投入後、所望の位置、例えば第5図
に示すように乳房上表部及び下表部に電極2a及
び2bを取付ける。そして、スタート用押ボタン
スイツチPB1をオンすることによりタイミング制
御回路5内の発振器OSCを活性化し、インバー
タIC8の出力端子から第10図に示すようなパ
ルス状信号S14を発生させる。次にタイミング
制御回路5内の第1のJKフリツプフロツプIC1
0が活性化されるため、ナンドゲート回路IC1
6も活性化されて先ず、低周波数L選択用アナロ
グスイツチゲート信号S9aが出力されるため、
基準電圧発生装置6の低周波数L選択用アナログ
スイツチAS3aがオンになり周波数Lの正弦波
電圧Eがウイーンブリツジ発振器6Aから発生さ
れる。従つてこのときのボルテージフオロワ6B
からの出力信号S12Lは次式(11)で計算される電
圧となる。
First, after turning on the power, electrodes 2a and 2b are attached to desired positions, for example, on the upper and lower surfaces of the breast as shown in FIG. Then, by turning on the start push button switch PB1 , the oscillator OSC in the timing control circuit 5 is activated, and a pulse-like signal S14 as shown in FIG. 10 is generated from the output terminal of the inverter IC8. Next, the first JK flip-flop IC 1 in the timing control circuit 5
0 is activated, NAND gate circuit IC1
6 is also activated and the analog switch gate signal S9a for low frequency L selection is output.
The low frequency L selection analog switch AS3a of the reference voltage generator 6 is turned on, and a sine wave voltage E of frequency L is generated from the Wien Bridge oscillator 6A. Therefore, the voltage follower 6B at this time
The output signal S12L from is a voltage calculated by the following equation (11).

S12L=E sin(2πL)t ……(11) このような信号S12Lが静電容量測定装置3
に入力されると共に、タイミング制御回路5内の
シフトレジスタIC12の並列出力信号S8のう
ち最下位ビツト(以下LSBと略記する)が活性
化状態となつているので、信号S8aによりアナ
ログスイツチAS1aがオンとなり、静電容量測
定装置3からは次式(12)によつて表わされる出力信
号S2Lが得られる(実際には絶対値回路3Bに
よつて絶対増幅された信号)。
S12 L = E sin (2π L ) t ...(11) Such a signal S12 L is detected by the capacitance measuring device 3.
At the same time, the least significant bit (hereinafter abbreviated as LSB) of the parallel output signal S8 of the shift register IC12 in the timing control circuit 5 is in the active state, so the analog switch AS1a is turned on by the signal S8a. Therefore, the capacitance measuring device 3 obtains an output signal S2L expressed by the following equation (12) (actually, the signal is absolutely amplified by the absolute value circuit 3B).

S2L=|−1/R5・CLp tS12dt|=E/2πL
R5・CL・cos(2πL)t……(12) 更に前記アナログスイツチゲート信号S9aに
より、アナログスイツチAS2aもオン状態であ
るので前記信号S2Lが尖頭値検出保持装置4a
に入力される。従つて、尖頭値検出保持装置4a
の尖頭値増幅度を1とすれば、その出力信号S3
aは次式(13)によつて表わされる値となり、保
持される。
S2 L = |-1/R 5・C Lp t S12dt|=E/2π L
R 5 · C L · cos (2π L ) t...(12) Furthermore, since the analog switch AS2a is also in the ON state due to the analog switch gate signal S9a, the signal S2 L is detected by the peak value detection and holding device 4a.
is input. Therefore, the peak value detection and holding device 4a
If the peak amplification degree of is 1, the output signal S3
a becomes a value expressed by the following equation (13) and is held.

S3a=max(S2L)=E/2π・L・R5・CL ……(13) (以上第10図の時刻T1) 続いて、タイミング制御回路5内の最下段のナ
ンドゲート回路IC17からのH選択用アナログス
イツチゲート信号S9bが活性化し、基準電圧発
生装置6内のアナログスイツチAS3bをオン状
態にさせることにより、次式(14)に示すような
値の出力信号S12Hを発生する。
S3a=max(S2 L )=E/2π・LR5CL ...(13) (The above is time T1 in FIG. 10) Next, from the NAND gate circuit IC17 at the bottom stage in the timing control circuit 5 The H selection analog switch gate signal S9b is activated and the analog switch AS3b in the reference voltage generator 6 is turned on, thereby generating an output signal S12H having a value as shown in the following equation (14).

S12H=E sin(2πH)t ……(14) 従つて、積分装置3からは次式(15)に示すよ
うな値の出力信号S2Hが得られる。
S12 H =E sin(2π H )t (14) Therefore, an output signal S2 H having a value as shown in the following equation (15) is obtained from the integrating device 3.

S2H=E/2πH・R5・CH|cos(2πH)t| ……(15) 更に、この信号S2HがアナログスイツチAS2
bを介して尖頭値検出保持装置4bに入力され、
その出力信号S3bは次式(16)によつて表わさ
れる値を示すものとなる。
S2 H = E/2π H・R 5・C H | cos (2π H ) t | ...(15) Furthermore, this signal S2 H is the analog switch AS2
input to the peak value detection and holding device 4b via b,
The output signal S3b indicates a value expressed by the following equation (16).

S3b=E/2πH・R5・CH ……(16) (以上第10図の時刻T2) 以上のようにして得られた信号S3a,S3b
は除算装置7に入力され、この除算装置7では両
者の比が計算されて、次式(17)に示すような値
を有する信号S4が出力される。
S3b=E/2π H・R 5・C H ...(16) (The above is time T 2 in Fig. 10) Signals S3a, S3b obtained as above
is input to the division device 7, which calculates the ratio between the two and outputs a signal S4 having a value as shown in the following equation (17).

S4=S3b/S3a=(LH)・(CL/CH) ……(17) ここで、(LH)は既知の定数であるから、
前記(6)乃至(9)式によつて静電容量値の比が、前記
信号S4に基づいて等価的に求められることにな
る。続いて、該出力信号S4をADC8でデイジ
タル化し、このデイジタル化信号S5を記憶装置
9内に格納する。この格納は、タイミング制御回
路5内のカウンタIC13及びナンドゲート回路
IC15の活性化によつて行なわれる。即ち、カ
ウンタIC13の活性化によつて並列出力アドレ
ス信号S10が得られ、ナンドゲート回路IC1
5の活性化によつてメモリラツチ信号S11が得
られ、これらの組合せによつて前記デイジタル化
信号S5が所定の番地に格納される。この場合、
例えば記憶装置9は前記アレー状又はマトリクス
状の電極2aに対応するエリアを有するように構
成し、前記格納の際には、前記電極2aの各セル
を切換えるアナログスイツチゲート信号S8に同
期して、対応する番地に格納できるようにしてお
くものとする。
S4=S3b/S3a=( L / H )・( CL /CH ) ...(17) Here, since ( L / H ) is a known constant,
The ratio of capacitance values can be equivalently determined based on the signal S4 using the above equations (6) to (9). Subsequently, the output signal S4 is digitized by the ADC 8, and this digitized signal S5 is stored in the storage device 9. This storage is performed by the counter IC 13 and the NAND gate circuit in the timing control circuit 5.
This is done through activation of IC15. That is, the parallel output address signal S10 is obtained by activating the counter IC13, and the NAND gate circuit IC1
5, a memory latch signal S11 is obtained, and the combination of these causes the digitized signal S5 to be stored at a predetermined address. in this case,
For example, the storage device 9 is configured to have an area corresponding to the array or matrix electrodes 2a, and when storing, in synchronization with an analog switch gate signal S8 that switches each cell of the electrodes 2a, It is assumed that the data can be stored at the corresponding address.

(以上第10図の時刻T4) その後、タイミング制御回路5内の最上段のナ
ンドゲート回路IC14を活性化してリセツト信
号S7を出力し、このリセツト信号S7により静
電容量測定装置3及び尖頭値検出保持装置4a,
4bをリセツトする。
(The above is time T 4 in FIG. 10.) Thereafter, the uppermost NAND gate circuit IC14 in the timing control circuit 5 is activated to output a reset signal S7, and this reset signal S7 resets the capacitance measuring device 3 and the peak value. detection holding device 4a,
4b.

(以上第10図の時刻T5) 以下同様にして、電極セルの個数分について同
様な動作を繰り返し、各電極セルに対応する前記
式(17)によつて求められる値S4に基づくデイ
ジタル信号S5を順次記憶装置9内の所定の番地
に格納する。そして、随時該記憶装置9内のデー
タを、各番地毎に順次読み出し、デイジタル/ア
ナログ変換等の信号処理を介して表示装置10の
画面上に表示させる。このとき、記憶装置9内の
各番地のデータの大小を例えば、大きい値に対し
ては濃く、小さい値に対しては薄く、中間値に対
しては灰色になるように複数の階調度信号に輝度
変調してCRT等に表示するものとする。従つて
乳房における2つの電極2a,2bによつて挾ま
れた部分の組織が濃淡表示されることになり、特
にがん細胞の存在する部分に対応する画面上の点
はより濃く表示されるので、その発見が極めて容
易になる。尚、前記表示装置10に濃淡表示の機
能と共に、具体的数値又はヒストグラム等のグラ
フ表示を行なえるような機能を持たせて、各画像
を同時表示するようにしておけば、測定精度の一
層の向上が図れることになる。
(The above is time T 5 in FIG. 10) Thereafter, the same operation is repeated for the number of electrode cells, and the digital signal S5 is generated based on the value S4 obtained by the above formula (17) corresponding to each electrode cell. are sequentially stored at predetermined addresses in the storage device 9. Then, the data in the storage device 9 is read out sequentially for each address at any time and displayed on the screen of the display device 10 through signal processing such as digital/analog conversion. At this time, the magnitude of the data at each address in the storage device 9 is converted into multiple gradation signals such that, for example, large values are dark, small values are light, and intermediate values are gray. The brightness will be modulated and displayed on a CRT, etc. Therefore, the tissue in the area of the breast sandwiched between the two electrodes 2a and 2b will be displayed in shading, and in particular, the points on the screen corresponding to the areas where cancer cells are present will be displayed in a darker shade. , its discovery becomes extremely easy. Incidentally, if the display device 10 is provided with a function of displaying specific numerical values or a graph such as a histogram in addition to a function of displaying gradation, so that each image can be displayed simultaneously, the measurement accuracy can be further improved. This will lead to improvements.

尚、生体の測定範囲表面が電極2aの面積を超
える場合には、電極2a,2bを別の位置に取付
け直す必要があるので、前記一連の測定を終了し
た後は、タイミング制御回路5に設けられたスト
ツプボタンPB2を押して全ての機能を停止させ
ることになる。測定を終了した後も同様である。
このような実施例装置であれば、各電極間の距離
が不均一であつても確実に異常細胞を検出するこ
とができ、又、電極間の距離が狭いものであるた
め生体組織に流れる電流も微小なものとなるから
安全性を確保することができ、更に構成が極めて
簡単であるから、装置の小型軽量化及び低価格化
が図れるものとなる。
Note that if the measurement range surface of the living body exceeds the area of the electrode 2a, it is necessary to reinstall the electrodes 2a and 2b at different positions. Pressing the stop button PB2 will stop all functions. The same applies after the measurement is finished.
With such an embodiment device, abnormal cells can be reliably detected even if the distance between the electrodes is uneven, and since the distance between the electrodes is narrow, the current flowing through the living tissue can be detected. Since the structure is also minute, safety can be ensured, and since the structure is extremely simple, the device can be made smaller, lighter, and less expensive.

本発明は前記実施例に限定されず種々の変形実
施が可能である。
The present invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications can be made.

第11図は本発明の他の実施例を示すブロツク
図である。この回路は抵抗Ra,Rb、容量C,
C′からなるホイートストンブリツジ回路(以下単
にブリツジ回路)WBCを有する。このブリツジ
回路WBCの一方の容量Cの接続される端子間に
は前記第1実施例における生体に取付けられる電
極2a,2bの各電極セルを順次駆動することに
よつて得られる静電容量が接続され、他方の容量
C′が接続される部分には詳細を後述するアナログ
スイツチ回路ASCによつて選択された可変容量
が接続される。又、このブリツジ回路WBCの電
源端子には、前記第1実施例に示した基準電圧発
生装置と同様な機能即ち、選択信号によつて高周
波数Hに基づく基準電圧VHと低周波数Lに基づく
基準電圧VLをそれぞれ発生する基準電圧発生装
置RVCが接続されており、このブリツジ回路
WBCの出力端子には零状態検出回路(ゼロ検出
回路ともいう)ZDTが接続されている。従つて、
前記ブリツジ回路WBCを構成する各素子のイン
ピーダンスをそれぞれRa=Z〓1、Rb=Z〓2、C=
Z〓3、C′=Z〓4とし、Z〓1=Z〓2とすれば、Z〓1・Z〓
3=Z〓3
Z〓4となつたとき、ゼロ検出回路ZDTが動作し、
所定の出力を得ることができる。即ち、生体容量
Cと可変容量C′とが一致した(Z〓3=Z〓4)ときに所
定の出力が得られることになるわけである。
FIG. 11 is a block diagram showing another embodiment of the present invention. This circuit consists of resistances Ra, Rb, capacitance C,
It has a Wheatstone bridge circuit (hereinafter simply referred to as a bridge circuit) WBC consisting of C′. The capacitance obtained by sequentially driving each electrode cell of the electrodes 2a and 2b attached to the living body in the first embodiment is connected between the terminals to which one capacitor C of this bridge circuit WBC is connected. and the capacity of the other
A variable capacitor selected by an analog switch circuit ASC, the details of which will be described later, is connected to the portion to which C' is connected. The power supply terminal of this bridge circuit WBC has the same function as the reference voltage generator shown in the first embodiment, that is, a reference voltage V H based on the high frequency H and a reference voltage V H based on the low frequency L based on the selection signal. A reference voltage generator RVC that generates a reference voltage V L is connected to this bridge circuit.
A zero state detection circuit (also referred to as a zero detection circuit) ZDT is connected to the output terminal of the WBC. Therefore,
The impedance of each element constituting the bridge circuit WBC is Ra=Z〓 1 , Rb=Z〓 2 , C=
If Z〓 3 , C′=Z〓 4 , and Z〓 1 = Z〓 2 , then Z〓 1・Z〓
3 = Z〓 3
When Z = 4 , the zero detection circuit ZDT operates,
A predetermined output can be obtained. That is, when the biological capacitance C and the variable capacitance C' match (Z〓 3 =Z〓 4 ), a predetermined output is obtained.

前記アナログスイツチ回路ASCはアドレス型
のものであり、複数個(図では8個)の容量が並
列に配置されており、内部には複数個のアナログ
スイツチと、これを選択制御するデコーダが含ま
れている。このデコーダは、カウンタCTの出力
に基づいて制御されるようになつている。即ち、
このカウンタCTは発振器OSCoの出力によつて
カウントアツプ動作を行ない複数の出力端子(図
では8ビツト)から順次カウント出力を発生する
ものであり、このカウント出力によつて前記アナ
ログスイツチ回路のアドレス選択が行なわれ、こ
れによつてデコーダが8ビツトの組合せ信号
(255個)を出力し、対応するアナログスイツチを
導通させて容量値を選択することになる。従つ
て、各容量Ca〜Chの各容量値を例えば1、2、
4、8、16、32、64、128pFとした場合には前記
8ビツトの組合せに基づく信号により1〜255pF
の範囲の容量値の選択が可能になるわけである。
前記カウンタCTの8ビツトの出力信号は2個の
ラツチ回路LTA及びLTBの入力端子に印加され
ており、更にナンドゲート回路NGoの入力端子
に印加されるようになつている。このナンドゲー
ト回路NGoは前記カウンタCTが最大カウント値
(「255」)をカウントし、全てのビツトの出力が一
致する毎に「0」レベル出力を発生するものであ
り、この「0」レベル出力によつて基準電圧切換
用フリツプフロツプFFoが動作するようになつて
いる。このフリツプフロツプFFoは前記ナンドゲ
ート回路NGoの「0」レベル出力毎にQ、出
力が反転するクロツク型フリツプフロツプであ
り、各出力によつて基準電圧発生装置RVCの基
準電圧をVH又はL側にそれぞれ切換えるものであ
る。
The analog switch circuit ASC is of an address type, and has a plurality of capacitors (eight in the figure) arranged in parallel, and internally includes a plurality of analog switches and a decoder that selects and controls them. ing. This decoder is controlled based on the output of the counter CT. That is,
This counter CT performs a count-up operation using the output of the oscillator OSCo and sequentially generates count outputs from multiple output terminals (8 bits in the figure), and this count output selects the address of the analog switch circuit. As a result, the decoder outputs an 8-bit combination signal (255 signals), turns on the corresponding analog switch, and selects the capacitance value. Therefore, each capacitance value of each capacitance Ca to Ch is set to, for example, 1, 2,
In the case of 4, 8, 16, 32, 64, 128pF, the signal based on the above 8-bit combination will be 1 to 255pF.
This makes it possible to select a capacitance value within the range of .
The 8-bit output signal of the counter CT is applied to the input terminals of two latch circuits LTA and LTB, and is further applied to the input terminal of a NAND gate circuit NGo. This NAND gate circuit NGo generates a "0" level output every time the counter CT counts the maximum count value ("255") and the outputs of all bits match, and this "0" level output Therefore, the reference voltage switching flip-flop FFo is activated. This flip-flop FFo is a clock type flip-flop whose output is inverted every time the NAND gate circuit NGo outputs a "0" level, and each output switches the reference voltage of the reference voltage generator RVC to the VH or L side, respectively. It is something.

一方、前記ゼロ検出回路ZDTの出力側にはモ
ノマルチバイブレータ(以下モノマルチという)
MMが設けられており、ゼロ検出回路ZDTの出
力によつてトリガされて、所定時間反転出力を発
生するようになつている。このモノマルチMMの
Q、出力はそれぞれ2つのナンドゲート回路
NG1及びNG2の一方の入力端子に印加されるよ
うになつており、これらナンドゲート回路NG1
及びNG2の他方の入力端子には前記クロツク型
フリツプフロツプFFoのQ、出力がそれぞれ印
加されるようになつている。そして、一方のナン
ドゲート回路NG1の出力は前記一方のラツチ回
路LTAのストローブ端子に、又、他方のナンド
ゲート回路NG2の出力は前記他方のラツチ回路
LTBのストローブ端子にそれぞれ印加されるよ
うになつている。尚、前記カウンタCTのクリア
端子には前記ナンドゲート回路NGoの反転信号
(インバータINoによつて反転)と前記モノマル
チMMの出力とを2入力とするナンドゲート回
路NG3の出力が印加されるようになつており、
通常はカウンタCTのカウント動作が終了した段
階でクリアされるが、このときゼロ検出回路の出
力が生じてモノマルチMMがトリガされたときに
はクリア動作を一時停止させて測定動作に支障を
来さないようにしてある。又、2つのラツチ回路
LTA及びLTBの出力はデイジタル除算回路
DMCの入力端子IN−A及びIN−Bに入力される
ようになつており、このデイジタル除算回路
DMCの出力データは前記第1実施例に示したも
のと同様の記憶装置に格納し得るようになつてい
る。
On the other hand, a mono multi vibrator (hereinafter referred to as mono multi) is installed on the output side of the zero detection circuit ZDT.
A MM is provided and is configured to generate an inverted output for a predetermined period of time when triggered by the output of the zero detection circuit ZDT. The Q and output of this mono multi MM are each two NAND gate circuits.
The voltage is applied to one input terminal of NG 1 and NG 2 , and these NAND gate circuits NG 1
The Q and output of the clock type flip-flop FFo are applied to the other input terminals of NG2 and NG2 , respectively. The output of one NAND gate circuit NG 1 is connected to the strobe terminal of the one latch circuit LTA, and the output of the other NAND gate circuit NG 2 is connected to the other latch circuit LTA.
It is designed to be applied to each strobe terminal of the LTB. The clear terminal of the counter CT is applied with the output of the NAND gate circuit NG3 , which has two inputs: the inverted signal of the NAND gate circuit NGo (inverted by the inverter INo) and the output of the monomulti MM. It's getting old,
Normally, it is cleared when the counting operation of the counter CT is finished, but if the zero detection circuit outputs at this time and the mono multi MM is triggered, the clearing operation is temporarily stopped so that it does not interfere with the measurement operation. It's like this. Also, two latch circuits
LTA and LTB outputs are digital divider circuits
It is designed to be input to the input terminals IN-A and IN-B of the DMC, and this digital divider circuit
The output data of the DMC can be stored in a storage device similar to that shown in the first embodiment.

次に、第12図のタイムチヤートをも参照して
前記回路の動作を説明する。尚、この回路例にお
いては前記第1実施例で使用したアナログスイツ
チを使用して各電極セルの切換えを行なうものと
するが、その場合、カウンタCTが2巡する場合
(即ち、基準電圧発生装置RVCが第1の基準電圧
VH及び第2の基準電圧VLをそれぞれ1回ずつ発
生し終つた場合)を1サイクルとした場合に、各
サイクルの切換タイミングと前記電極セルの切換
タイミングとが同期して行なわれるように、フリ
ツプフロツプFFoの出力信号の立下りタイミン
グで前記電極セルを切換える。
Next, the operation of the circuit will be explained with reference to the time chart of FIG. In this circuit example, each electrode cell is switched using the analog switch used in the first embodiment. RVC is the first reference voltage
The switching timing of each cycle and the switching timing of the electrode cell are synchronized when one cycle is defined as the case where V H and the second reference voltage V L are generated and completed once each. , the electrode cells are switched at the falling timing of the output signal of the flip-flop FFo.

先ず、第12図における時刻t1でカウンタCT
が最大値(「255」)をカウントし、その各ビツト
出力が一致したとすると、ナンドゲート回路
NGo,NG3の出力が順次「0」レベルとなり、
このタイミングでカウンタCTがクリアされ、又
これと同時にフリツプフロツプFFoのQ出力が
「1」レベルとなるため、基準電圧発生装置RVC
からVL出力が生じ、これによりブリツジ回路
WBCに電源電圧が印加される。そして、ナンド
ゲート回路NGoの出力が直ちに「1」レベルに
戻るためナンドゲート回路NG3の出力も「1」
レベルに復帰し、カウンタCTのカウント動作が
開始される。このときに同期したタイミングで前
記電極における最初の電極セルが選択されて生体
の容量Cがブリツジ回路WBCの一方の容量端子
に接続される状態となる。又、カウンタCTの動
作に基づいてアナログスイツチ回路ASCのアド
レスが順次選択されてアナログスイツチの切換が
行なわれ、ブリツジ回路WBCの他方の容量端子
に接続される容量C′の値が順次増大する方向に変
化することになる。そして、両容量値(インピー
ダンス)が一致した段階でゼロ検出回路ZDTか
ら出力が発生し、モノマルチMMがトリガされ
る。このため、モノマルチMMのQ出力が「1」
レベルになり、フリツプフロツプFFoのQ出力が
入力されているナンドゲート回路NG1のゲート
を開く。このため第1ラツチ回路LTAにストロ
ーブ信号が与えられ、カウンタCTの現在カウン
ト出力がラツチされる。このときのラツチ回路
LTAにラツチされたデイジタル値が基準電圧VL
印加時の前記生体の容量Cの容量値に対応するも
のとなる(時刻t2)。
First, at time t 1 in Fig. 12, the counter CT
Suppose that counts the maximum value (“255”) and each bit output matches, then the NAND gate circuit
The outputs of NGo and NG 3 sequentially become "0" level,
At this timing, the counter CT is cleared, and at the same time, the Q output of the flip-flop FFo becomes "1" level, so the reference voltage generator RVC
produces a V L output, which causes the bridge circuit to
Power supply voltage is applied to WBC. Since the output of the NAND gate circuit NGo immediately returns to the "1" level, the output of the NAND gate circuit NG3 also becomes "1".
The level is restored and the counter CT starts counting. At a timing synchronized with this, the first electrode cell of the electrode is selected, and the capacitance C of the living body becomes connected to one capacitance terminal of the bridge circuit WBC. Also, based on the operation of the counter CT, the addresses of the analog switch circuit ASC are sequentially selected and the analog switch is switched, and the value of the capacitor C' connected to the other capacitor terminal of the bridge circuit WBC increases sequentially. It will change to. Then, when both capacitance values (impedances) match, an output is generated from the zero detection circuit ZDT, and the monomulti MM is triggered. Therefore, the Q output of the monomulti MM is "1"
level, and opens the gate of NAND gate circuit NG1 to which the Q output of flip-flop FFo is input. Therefore, a strobe signal is applied to the first latch circuit LTA, and the current count output of the counter CT is latched. Latch circuit at this time
The digital value latched in LTA is the reference voltage V L
This corresponds to the capacitance value of the capacitance C of the living body at the time of application (time t 2 ).

次にカウンタCTが1巡するとその各ビツトの
出力が全て一致するのでナンドゲート回路NGo
の出力が再び「0」レベルになり、これに応じて
ナンドゲート回路NG3の出力も「0」レベルに
なりカウンタCTがクリアされる。このときフリ
ツプフロツプFFoの出力も反転し、出力が
「1」レベルとなるので基準電圧発生装置RVCの
基準電圧VHに切換えられて、ブリツジ回路WBC
に電源電圧VHが印加されることになる(時刻t3)。
その後前記同様にして最初に選択された電極セル
直下の生体の容量Cと前記可変容量C′とが比較さ
れ、両者が一致したところでゼロ検出回路ZDT
から出力が発生する。このため、モノマルチMM
が再びトリガされてQ出力が「1」レベルにな
り、今度はフリツプフロツプFFoの出力が入力
される第2のナンドゲート回路NG2のゲートが
開き、第2のラツチ回路LTBにストローブ信号
が与えられる。この結果カウンタCTの現在カウ
ント値がラツチ回路LTBにラツチされる。この
ようにしてラツチされたデイジタル値が基準電圧
VHが印加された際の前記生体の容量Cの容量値
に対応するものとなる(時刻t4)。
Next, when the counter CT goes through one cycle, the outputs of each bit all match, so the NAND gate circuit NGo
The output of the NAND gate circuit NG3 becomes "0" level again, and accordingly, the output of the NAND gate circuit NG3 also becomes "0" level and the counter CT is cleared. At this time, the output of the flip-flop FFo is also inverted and becomes the "1" level, so it is switched to the reference voltage VH of the reference voltage generator RVC, and the bridge circuit WBC
The power supply voltage V H is applied to (time t 3 ).
Thereafter, in the same manner as above, the capacitance C of the living body directly under the electrode cell selected first is compared with the variable capacitance C', and when the two match, the zero detection circuit ZDT
Output is generated from. For this reason, monomulti MM
is triggered again and the Q output goes to the "1" level, this time the gate of the second NAND gate circuit NG2 to which the output of the flip-flop FFo is input is opened, and a strobe signal is given to the second latch circuit LTB. As a result, the current count value of the counter CT is latched in the latch circuit LTB. The digital value latched in this way is the reference voltage.
This corresponds to the capacitance value of the capacitance C of the living body when V H is applied (time t 4 ).

以上のように、2つのラツチ回路LTA,LTB
に基準電圧VL及びVHを供給した際に得られる容
量値に対応するデイジタルデータがラツチされる
と、このタイミングでデイジタル除算回路DMC
が動作し、両者の比に対応するデータを出力す
る。この出力データを前記第1実施例の場合と同
様な記憶装置の所定の番地に格納する。
As mentioned above, the two latch circuits LTA and LTB
When the digital data corresponding to the capacitance value obtained when the reference voltages V L and V H are supplied to is latched, at this timing the digital divider circuit DMC
operates and outputs data corresponding to the ratio of the two. This output data is stored at a predetermined address in the same storage device as in the first embodiment.

かかる動作を各電極セルの切換毎に順次行な
い、記憶装置に格納し終つた後に、表示装置への
表示を行ない各種測定に供することになる。
This operation is performed sequentially each time each electrode cell is switched, and after the data has been stored in the storage device, it is displayed on the display device and used for various measurements.

ところで、カウンタCTのカウント終了直前に
ゼロ検出回路ZDTから出力が発生した場合には
カウンタCTのクリア動作との関係で該動作が行
なわれる虞れが生ずるが、この実施例回路ではイ
ンバータINoとナンドゲート回路NG3とを組合せ
ることによつて誤動作を確実に防止している。即
ち、第12図におけるカウンタCTの各ビツトの
一致信号が発生する直前の時刻t5で生体の容量C
と可変容量C′における最大容量値(255番目に選
択されたもの)とが一致した場合には、この段階
でモノマルチMMの出力が「0」レベルとなる
ため、その期間内(時刻t5〜t6)はナンドゲート
回路NG3のゲートが開かず、モノマルチMMの
Q出力が「1」レベルに復帰した段階で始めてカ
ウンタCTをクリアすることとなる(時刻t6)。従
つて、ラツチ回路LTAにラツチされるデイジタ
ルデータが事実と異なつたデータとなる虞れは全
くなくなる。
By the way, if an output is generated from the zero detection circuit ZDT immediately before the counter CT finishes counting, there is a possibility that this operation will be performed in relation to the counter CT clearing operation, but in this example circuit, the inverter INo and the NAND gate By combining it with circuit NG 3 , malfunctions are reliably prevented. That is, at time t5 immediately before the coincidence signal of each bit of the counter CT in FIG. 12 is generated, the capacitance C of the living body
If the maximum capacitance value (255th selected value) of the variable capacitance C′ matches, the output of the monomulti MM becomes the “0” level at this stage, so within that period (time t 5 ~ t6 ), the gate of the NAND gate circuit NG3 does not open, and the counter CT is cleared only when the Q output of the monomulti MM returns to the "1" level (time t6 ). Therefore, there is no possibility that the digital data latched in the latch circuit LTA will be incorrect data.

このような実施例装置によれば、前記第1実施
例装置における効果に加えて信号処理回路を全て
デイジタル化できるため装置の小型、軽量化及び
低価格化を一層助長するという効果が得られると
共に回路動作の信頼性が向上し、又操作性に優れ
たものとなるという特有の効果が得られる。
According to the device of this embodiment, in addition to the effects of the device of the first embodiment, the signal processing circuit can be completely digitalized, so that the device can be further reduced in size, weight, and cost. The unique effects of improved reliability of circuit operation and excellent operability can be obtained.

更に上記実施例において、前記一対の電極2
a,2bは、第13図aに示すように一方の電極
2aをn個の分割セルの集合体とし、他方の電極
2bを一枚の平板電極とした構成となつている。
この場合、例えばアナログスイツチAS1aの選
択による両電極2a,2b間の電流経路は、必ず
しも両電極2a,2b間の最短経路i1を通るとは
限らない。即ち、この場合、両電極2a,2b間
の電流経路は、最もインピーダンスの小さい経路
となるため、前記最短経路l1よりパスの長い経路
i1′,i1′となる可能性がある。従つて、電極2aの
分割セルのマトリツクスによる電流経路の位置的
対応付けが難しいことになる。そこで、第13図
bに示すように、前記他方の電極2bを、前記一
方の電極2aと同様にn個の分割セルとし、前記
アナログスイツチAS1a〜AS1nと同様の構成
及び制御駆動によるアナログスイツチAS1a′〜
AS1n′により、電極セルの選択によつて、その
電流経路を第13図bの図示i1,i2,i3………inの
ように、所定の電極セル対ごと規定するように構
成する。これにより、電流経路の位置的対応が明
確となり、表示画像の診断価値が向上する。
Furthermore, in the above embodiment, the pair of electrodes 2
As shown in FIG. 13a, electrodes a and 2b have a structure in which one electrode 2a is a collection of n divided cells, and the other electrode 2b is a single plate electrode.
In this case, for example, the current path between the electrodes 2a and 2b selected by the analog switch AS1a does not necessarily pass through the shortest path i1 between the electrodes 2a and 2b. That is, in this case, the current path between both electrodes 2a and 2b is the path with the lowest impedance, so the path is longer than the shortest path l1.
There is a possibility that i 1 ′, i 1 ′. Therefore, it is difficult to make the positional correspondence of the current paths by the matrix of the divided cells of the electrode 2a. Therefore, as shown in FIG. 13b, the other electrode 2b is made into n divided cells like the one electrode 2a, and an analog switch AS1a with the same configuration and control drive as the analog switches AS1a to AS1n is formed. ′~
AS1n' is configured to define the current path for each predetermined electrode cell pair by selecting the electrode cells, as shown in the diagram i 1 , i 2 , i 3 . . . in in FIG. . This clarifies the positional correspondence of the current paths and improves the diagnostic value of the displayed image.

尚、前記各実施例に示した表示装置10への表
示方法は記憶装置9の記憶データをそのまま画像
表示する場合のみに限定されない。例えば前記第
5図の記憶装置9と表示装置10との間に鎖線の
ブロツクで示すデータ処理装置11を挿入接続し
て種々の表示態様を採用してもよい。このデータ
処理装置11は例えば第14図に示すように、前
記記憶装置9の記憶データを複数個組合せてその
平均値を演算出力する演算回路(例えばデイジタ
ル演算回路)11Aと、該演算出力を対応する番
地に一時記憶する平均値記憶装置11Bと、該平
均値記憶装置11Bの記憶データと前記記憶装置
9の記憶データを合成して表示すべき画像のデー
タとして記憶する表示画像記憶装置11Cと、こ
れら各装置の動作を制御する制御回路11Dとに
よつて構成されている。
Note that the display method on the display device 10 shown in each of the above embodiments is not limited to the case where the data stored in the storage device 9 is displayed as an image as it is. For example, a data processing device 11 indicated by a dashed line block may be inserted and connected between the storage device 9 and the display device 10 in FIG. 5 to adopt various display modes. For example, as shown in FIG. 14, this data processing device 11 includes an arithmetic circuit (for example, a digital arithmetic circuit) 11A that combines a plurality of data stored in the storage device 9 and calculates and outputs an average value thereof, and a corresponding one that corresponds to the arithmetic output. a display image storage device 11C that combines the data stored in the average value storage device 11B and the data stored in the storage device 9 and stores it as data of an image to be displayed; The control circuit 11D controls the operation of each of these devices.

次に、このデータ処理装置11の動作を第15
図乃至第17図を参照して説明する。先ず、前記
記憶装置9には第15図に示すように前記電極の
分割セルにおける横列S11〜S1o×縦列S11〜So1
(−1)のマトリクスに対応するマトリクスを有
し、それぞれの分割セルにデータP11〜P1o、P11
〜Po1、………が対応して記憶されているものと
する(即ち、各分割セル部に記憶されたデータ
P11、P12、………は、そのセル部分の中心部分の
明るさを表示するものであるとみなすことができ
る)。このような記憶装置9を基準にして演算回
路では、所定の演算プログラムに基づく制御回路
11Dの動作により第16図a乃至eに示すよう
な演算が行なわれ順次平均値記憶装置に記憶され
る。
Next, the operation of this data processing device 11 will be explained in the 15th section.
This will be explained with reference to FIGS. 17 to 17. First, in the memory device 9, as shown in FIG. 15, rows S 11 to S 1o ×columns S 11 to S o1 in the divided cells of the electrodes are stored.
It has a matrix corresponding to the matrix of (-1), and data P 11 to P 1o , P 11 are stored in each divided cell.
It is assumed that ~P o1 , ...... are stored in correspondence (i.e., the data stored in each divided cell section
P 11 , P 12 , . . . can be regarded as indicating the brightness of the central portion of the cell portion). With such a storage device 9 as a reference, the calculation circuit performs calculations as shown in FIGS. 16a to 16e by the operation of the control circuit 11D based on a predetermined calculation program, and sequentially stores them in the average value storage device.

即ち、先ず横一列の隣接する2個のデータP11
P12、P12、P13の平均値(P11+P12/2、P12
P13/2)を演算し、この演算データを平均値記
憶装置11Bの各分割セルS11,S12,S12,S13
接線を含むセルS100,S101の中心部に対応する位
置に記憶する(同図a,b)。順次1個づつずら
して横方向に隣接する2個のデータの平均値を求
め対応位置に記憶する。次に今度は縦一列の隣接
データP11、P21、P21、P31の平均値(P11+P21
2、P21+P31/2)を演算し、この演算データを
平均値記憶装置11BのセルS100,S111の中心部
に対応する位置に記憶する(同図c,d)。この
ようにして順次1個づつずらして縦方向の2個の
データの平均値を求め対応位置に記憶する。最後
に隣接する4個のデータP11、P12、P21、P22の平
均値(P11+P12+P21+P22/4)を求め、平均値
記憶装置11Bの4個のセルの中心部に位置する
セルS200に記憶し(同図e)、順次1個づつずら
して同様な処理を行なう。このようにして、前記
平均値記憶装置11Bには、前記第15図に示し
たような記憶装置9の各分割セルの接線の中心部
に平均値データが記憶されることになる。このよ
うにして得られた平均値記憶装置11Bのデータ
と前記記憶装置9のデータが制御回路11Dの動
作により順次読み出されて、表示画像記憶装置1
1Cの対応番地に書き込まれる。この結果、得ら
れた表示画像記憶装置11Cのデータの配列は第
17図に示すように、各分割セルの中心部分に表
示画像用データが記憶されると共に、各分割セル
のあらゆる接線の中心部にも表示画像用データが
記憶された状態となる。
That is, first, two adjacent pieces of data P 11 in a horizontal row,
Average value of P 12 , P 12 , P 13 (P 11 + P 12 /2, P 12 +
P 13 /2), and this calculated data is stored in the average value storage device 11B at a position corresponding to the center of cells S 100 and S 101 including the tangents of each divided cell S 11 , S 12 , S 12 , and S 13 . (a, b in the same figure). The average value of two horizontally adjacent pieces of data is sequentially shifted one by one and stored in the corresponding position. Next, the average value ( P 11 + P 21 /
2, P 21 +P 31 /2), and this calculated data is stored in a position corresponding to the center of the cells S 100 and S 111 of the average value storage device 11B (c and d in the figure). In this way, the average value of the two pieces of data in the vertical direction is obtained by sequentially shifting one piece at a time and storing it in the corresponding position. Finally, the average value (P 11 +P 12 +P 21 +P 22 /4) of the four adjacent data P 11 , P 12 , P 21 , P 22 is calculated, and the center value of the four cells of the average value storage device 11B is calculated . The data is stored in the cell S 200 located at (e in the same figure), and the same process is performed by sequentially shifting the data one by one. In this way, average value data is stored in the average value storage device 11B at the center of the tangent to each divided cell of the storage device 9 as shown in FIG. 15. The data in the average value storage device 11B obtained in this way and the data in the storage device 9 are sequentially read out by the operation of the control circuit 11D, and the display image storage device 1
It is written to the corresponding address of 1C. As a result, the data arrangement of the display image storage device 11C obtained is as shown in FIG. Display image data is also stored in the .

このような表示画像記憶装置11Cの記憶デー
タに基づいて表示装置10に画像を表示するもの
とすれば、濃淡の密度が一層細かくなり、検出精
度の向上を図ることができる。尚、前記データ処
理装置11における演算処理をマイクロコンピユ
ータを用いて種々の手法に基づいて行なうことと
してもよい。
If an image is displayed on the display device 10 based on the data stored in the display image storage device 11C, the density of shading becomes finer and the detection accuracy can be improved. Note that the arithmetic processing in the data processing device 11 may be performed based on various methods using a microcomputer.

以上詳述した本発明装置によれば、従来の診断
装置に比べて、異常細胞の検出能力、安全性等の
面で最適な診断機能を発揮することができる。
又、装置全体の構成が簡単であるため装置の小型
化低価格化を図ることができる。特に乳がん検診
用のマンモスキヤナと比較しても、測定部位範囲
を狭く設定できると共に、対向電極間に距離のバ
ラツキがあつても誤検出を生じさせる虞れは全く
なく、診断精度の向上を図ることができ、かつ生
体内電流に対する安全性の面でも格段に優れたも
のとなる。ちなみに、マンモスキヤナでは乳房と
背中との間に100μA程度の電流を流すため心臓等
を直撃する危険性があるのに対して本発明装置で
は電極を乳房の上表面と下表面の狭い距離間に配
置するだけなので、流す電流も微少であり、かつ
心臓を直撃する虞れもないから極めて安全に使用
できる。更に操作も簡単であるので集団検診用装
置として使用した場合に特にその効果は大きい。
According to the apparatus of the present invention described in detail above, compared to conventional diagnostic apparatuses, it is possible to exhibit optimal diagnostic functions in terms of ability to detect abnormal cells, safety, etc.
Furthermore, since the overall configuration of the device is simple, the device can be made smaller and less expensive. In particular, compared to mammoth scanners for breast cancer screening, the measurement area range can be set narrower, and even if there is variation in the distance between opposing electrodes, there is no risk of false detection, which improves diagnostic accuracy. It is also extremely safe in terms of safety against in-vivo currents. By the way, in the mammoth scanner, a current of about 100 μA is passed between the breast and the back, so there is a risk of direct damage to the heart, etc., whereas with the device of the present invention, the electrodes are placed between a narrow distance between the upper and lower surfaces of the breast. It is extremely safe to use because the current applied is very small and there is no risk of direct damage to the heart. Furthermore, since it is easy to operate, it is particularly effective when used as a device for mass medical examinations.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来のマンモスキヤナの原理説明図、
第2図は生体組織の状態を示す模式図、第3図は
生体組織の電気的等価回路図、第4図は本発明装
置の原理説明図、第5図は本発明装置の一実施例
ブロツク図、第6図はそれに用いられる積分装置
の一実施例回路図、第7図は同じくそれに用いら
れる尖頭値検出保持装置の一実施例回路図、第8
図は同じくそれに用いられるタイミング制御回路
の一実施例回路図、第9図は同じくそれに用いら
れる基準電圧発生装置の一実施例回路図、第10
図は前記実施例装置の動作説明のためのタイムチ
ヤート、第11図は本発明の他の実施例を示すブ
ロツク図、第12図はその動作説明のためのタイ
ムチヤート、第13図a及びbは本発明装置に使
用される電極の構成の一例を示す概略図、第14
図は本発明装置の他の実施例に用いられるデータ
処理装置の一実施例ブロツク図、第15図乃至第
17図は前記データ処理装置のデータ処理態様を
説明するためのマトリクス図である。 2a,2b……電極、3……積分装置、4a,
4b……尖頭値検出保持装置、5……タイミング
制御回路、6……基準電圧発生装置、7……除算
装置、8……アナログ・デイジタル変換装置、9
……記憶装置、10……表示装置、11……デー
タ処理装置。
Figure 1 is a diagram explaining the principle of the conventional mammoth scanner.
Fig. 2 is a schematic diagram showing the state of living tissue, Fig. 3 is an electrical equivalent circuit diagram of living tissue, Fig. 4 is a diagram explaining the principle of the device of the present invention, and Fig. 5 is a block diagram of an embodiment of the device of the present invention. 6 is a circuit diagram of an embodiment of an integrating device used therein, FIG. 7 is a circuit diagram of an embodiment of a peak value detection and holding device similarly used therefor, and FIG.
9 is a circuit diagram of an embodiment of a timing control circuit used therein, FIG. 9 is a circuit diagram of an embodiment of a reference voltage generator similarly used therefor, and FIG.
11 is a block diagram showing another embodiment of the present invention. FIG. 12 is a time chart for explaining the operation. FIGS. 13 a and b 14 is a schematic diagram showing an example of the structure of an electrode used in the device of the present invention.
The figure is a block diagram of an embodiment of a data processing apparatus used in another embodiment of the apparatus of the present invention, and FIGS. 15 to 17 are matrix diagrams for explaining data processing aspects of the data processing apparatus. 2a, 2b...electrode, 3...integrator, 4a,
4b... Peak value detection and holding device, 5... Timing control circuit, 6... Reference voltage generator, 7... Division device, 8... Analog-to-digital converter, 9
... Storage device, 10 ... Display device, 11 ... Data processing device.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 生体における被測定部位に密着配置される少
なくとも一対の電極と、該電極間に周波数の異な
る第1と第2の電圧を供給する電圧発生手段と、
前記電極間に第1と第2の電圧が供給された際に
被測定部位から得られる第1と第2の静電容量値
を個別的に検出する検出手段と、該検出手段によ
つて得られた第1と第2の静電容量値の比を算出
する除算手段と、該除算手段の結果に基づいて生
体内の組織を濃淡表示する表示手段とを具備した
ことを特徴とする異常細胞検出装置。 2 前記一対の電極の一方の電極を各々独立な電
極セルの集合体としたことを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の異常細胞検出装置。 3 前記第1と第2の周波数が、被測定部位に存
在する細胞の周波数対比誘電率特性曲線における
構造性分散を起す周波数の前後に位置する周波数
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項又
は第2項記載の異常細胞検出装置。
[Scope of Claims] 1. At least a pair of electrodes disposed in close contact with a part to be measured in a living body, and voltage generating means for supplying first and second voltages of different frequencies between the electrodes;
a detection means for individually detecting first and second capacitance values obtained from the measurement site when first and second voltages are supplied between the electrodes; an abnormal cell characterized by comprising: a dividing means for calculating the ratio of the first and second capacitance values, and a display means for displaying the in-vivo tissue in shading based on the result of the dividing means. Detection device. 2. The abnormal cell detection device according to claim 1, wherein one of the pair of electrodes is an assembly of independent electrode cells. 3. The first and second frequencies are frequencies located before and after a frequency that causes structural dispersion in a frequency versus permittivity characteristic curve of cells existing in the measurement site. The abnormal cell detection device according to item 1 or 2.
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