JPS633452B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS633452B2 JPS633452B2 JP53087157A JP8715778A JPS633452B2 JP S633452 B2 JPS633452 B2 JP S633452B2 JP 53087157 A JP53087157 A JP 53087157A JP 8715778 A JP8715778 A JP 8715778A JP S633452 B2 JPS633452 B2 JP S633452B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- slit
- gas
- electron
- torr
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスリツトの像を投影する方式の電子ビ
ーム露光装置に関する。
ーム露光装置に関する。
スリツト像を投影する方式の電子ビーム露光
は、電子線を例えば矩形の開口を有したスリツト
に照射し、このスリツト位置の像をウエハに投影
する技術である。この方式においては本質的に矩
形電子ビーム内の電流密度分布は一様となり、し
かもビーム周辺でのエツヂの切れが良い。この点
は、それまでの円形ビームで用いられていた様
な、クロスオーバー像を投影する方式で、ビーム
がガウス分布であつたのとは全く異なる方式と言
える。
は、電子線を例えば矩形の開口を有したスリツト
に照射し、このスリツト位置の像をウエハに投影
する技術である。この方式においては本質的に矩
形電子ビーム内の電流密度分布は一様となり、し
かもビーム周辺でのエツヂの切れが良い。この点
は、それまでの円形ビームで用いられていた様
な、クロスオーバー像を投影する方式で、ビーム
がガウス分布であつたのとは全く異なる方式と言
える。
ところが実際には上記スリツト像を投影する方
式で形成された投影像も、そのエツジ部において
傾斜した電流密度分布を示す。
式で形成された投影像も、そのエツジ部において
傾斜した電流密度分布を示す。
第１図ａには予定した矩形投影像を、第１図ｂ
には第１図ａに示した矩形投影像の実際のＸ軸上
電流密度分布を表わした。このビームの拡がり
は、電子ビームを形成する電子間相互のクーロン
斤力によるもの（空間電荷効果）として説明され
ている。従つてビームの全電流Ｉが大きい程に、
スリツト投影像のエツジ部における電流密度立上
がり巾ｄは拡がる。この立ち上がり巾ｄは電流密
度を一定にしてスリツトの開口を拡げるよりもス
リツトの開口を一定にして全電流Ｉを増加させた
方が特に顕著である。
には第１図ａに示した矩形投影像の実際のＸ軸上
電流密度分布を表わした。このビームの拡がり
は、電子ビームを形成する電子間相互のクーロン
斤力によるもの（空間電荷効果）として説明され
ている。従つてビームの全電流Ｉが大きい程に、
スリツト投影像のエツジ部における電流密度立上
がり巾ｄは拡がる。この立ち上がり巾ｄは電流密
度を一定にしてスリツトの開口を拡げるよりもス
リツトの開口を一定にして全電流Ｉを増加させた
方が特に顕著である。
さてこの様に投影像エツジ部の露光量が傾斜し
ていると、レジストのエツチング時にエツヂの切
れは悪くなる。従つてビーム電流Ｉにはおのずと
上限が生じる。立上がり巾ｄの許容上限dmaxを
0.1μｍとするとImaxはおよそ1μAである。Imax
が決定されれば投影像の面積には最大値Smaxが
あつて、Smax＝Imax／I0で与えられる。I0はビ
ームの電流密度である。通常Smaxは10μm2より
小さくなつてしまう。
ていると、レジストのエツチング時にエツヂの切
れは悪くなる。従つてビーム電流Ｉにはおのずと
上限が生じる。立上がり巾ｄの許容上限dmaxを
0.1μｍとするとImaxはおよそ1μAである。Imax
が決定されれば投影像の面積には最大値Smaxが
あつて、Smax＝Imax／I0で与えられる。I0はビ
ームの電流密度である。通常Smaxは10μm2より
小さくなつてしまう。
この様に実用的に必要なSmaxを定めればI0が
小さくなり、I0を大きくとるにはSmaxを押える
必要がある。つまり大きな投影像を描こうとする
とビームの強度を押える必要が生じることがこの
スリツト像投影方式における限界となつている。
ちなみに上述したクロスオーバー像を投影する方
式においては、途中スリツトを設けてもビームは
ガウス分布を有しているので、上記クーロン斤力
による拡がり効果はガウス分布の拡がりの程度に
比べて無視し得るものである。
小さくなり、I0を大きくとるにはSmaxを押える
必要がある。つまり大きな投影像を描こうとする
とビームの強度を押える必要が生じることがこの
スリツト像投影方式における限界となつている。
ちなみに上述したクロスオーバー像を投影する方
式においては、途中スリツトを設けてもビームは
ガウス分布を有しているので、上記クーロン斤力
による拡がり効果はガウス分布の拡がりの程度に
比べて無視し得るものである。
スリツト像投影方式の一応用例であり近年、高
速描画を特徴として注目されている可変ビーム方
式（variable−shaped spot method）がある。
第２図は可変ビーム方式の光学系の一典型例を説
明するものである。
速描画を特徴として注目されている可変ビーム方
式（variable−shaped spot method）がある。
第２図は可変ビーム方式の光学系の一典型例を説
明するものである。
第２図において、電子銃２０より放射された電
子ビームは照射レンズ２２により例えば正方形開
口を有したビーム成形第１スリツリ２２上に照射
される。この正いけ開口をビームの仮想光源とし
てコンデンサレンズ２３がこの正方形像を、やは
り正方形開口を有した第２のビーム成形スリツト
２４上に投影する。その重さなり具合は途中設け
られた偏向器２５により与えられ、その結果第２
スリツト２４を通過するビームの量と形が変わ
る。つまりここで種々の形状の電子ビームが、こ
の場合矩形ビームが形成される。さらに第２スリ
ツト２４の位置でのビームを新たな仮想光源と
し、その像（スリツト像）はコンデンサレンズ２
６、対物レンズ２７により試料であるウエハ２８
上に投影される。このウエハ２８上の投影位置の
選択は偏向器２９により行なわれる。上記ウエハ
２８上に投影された投影像の形状は第１図ａに示
したのと同様に矩形である。
子ビームは照射レンズ２２により例えば正方形開
口を有したビーム成形第１スリツリ２２上に照射
される。この正いけ開口をビームの仮想光源とし
てコンデンサレンズ２３がこの正方形像を、やは
り正方形開口を有した第２のビーム成形スリツト
２４上に投影する。その重さなり具合は途中設け
られた偏向器２５により与えられ、その結果第２
スリツト２４を通過するビームの量と形が変わ
る。つまりここで種々の形状の電子ビームが、こ
の場合矩形ビームが形成される。さらに第２スリ
ツト２４の位置でのビームを新たな仮想光源と
し、その像（スリツト像）はコンデンサレンズ２
６、対物レンズ２７により試料であるウエハ２８
上に投影される。このウエハ２８上の投影位置の
選択は偏向器２９により行なわれる。上記ウエハ
２８上に投影された投影像の形状は第１図ａに示
したのと同様に矩形である。
このような可変ビーム方式の光学系において
は、上述したクーロン斤力によるビーム拡がり効
果はさらに甚大である。前述した如くこの可変ビ
ーム方式においては複数のスリツト間の電子ビー
ムの通過具合を制御することにより、種々の形
状、ビーム量の電子ビームを形成する。各シヨツ
トは投影像の大きさが異なるものを有しているの
で投影像エツヂ部の立ち上がり巾は夫々について
異なる。従つて予定したパターンと実際にエツチ
ングされたパターンとの大きさの差は、投影像の
大きさにより異なりパターン精度に低下を来た
す。
は、上述したクーロン斤力によるビーム拡がり効
果はさらに甚大である。前述した如くこの可変ビ
ーム方式においては複数のスリツト間の電子ビー
ムの通過具合を制御することにより、種々の形
状、ビーム量の電子ビームを形成する。各シヨツ
トは投影像の大きさが異なるものを有しているの
で投影像エツヂ部の立ち上がり巾は夫々について
異なる。従つて予定したパターンと実際にエツチ
ングされたパターンとの大きさの差は、投影像の
大きさにより異なりパターン精度に低下を来た
す。
「ビーム電子間のクーロン斥力が最大スポツト
径に実質的限界を与える」ことは“Variable
Spot Shaping for Electron Beam
Lithography、”14th Sycnp on Electron、Ion
and Photon Beam Technology（Balo Alto）、
Scanning Electron Beam Lithography Ｉ、
２：10、May 1977に触れられている。
径に実質的限界を与える」ことは“Variable
Spot Shaping for Electron Beam
Lithography、”14th Sycnp on Electron、Ion
and Photon Beam Technology（Balo Alto）、
Scanning Electron Beam Lithography Ｉ、
２：10、May 1977に触れられている。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、電
子ビームをスリツトに照射し、このスリツトを通
過した前記電子ビームのスリツト位置の像を試料
に投影する様にし、装置内に気体を導入して前記
電子ビームの衝撃に伴ない発生した正イオンによ
り前記電子ビームの空間電荷をイオン中和するに
際して、 （ｐ：上記気体の圧力、α0：上記気体の電離係
数、Ｖ：上記電子ビームの加速電圧、ｔ：試料の
１シヨツト露光時間）で表わされる関係を満すこ
とにより、照射される電子ビームを速やかにイオ
ン中和してエツヂの切れの良い露光パターンを得
ることのできる電子ビーム露光装置を提供するも
のである。
子ビームをスリツトに照射し、このスリツトを通
過した前記電子ビームのスリツト位置の像を試料
に投影する様にし、装置内に気体を導入して前記
電子ビームの衝撃に伴ない発生した正イオンによ
り前記電子ビームの空間電荷をイオン中和するに
際して、 （ｐ：上記気体の圧力、α0：上記気体の電離係
数、Ｖ：上記電子ビームの加速電圧、ｔ：試料の
１シヨツト露光時間）で表わされる関係を満すこ
とにより、照射される電子ビームを速やかにイオ
ン中和してエツヂの切れの良い露光パターンを得
ることのできる電子ビーム露光装置を提供するも
のである。
以下本発明を可変ビーム露光装置に適用した一
実施例につき図面を参照しながら詳細に説明す
る。
実施例につき図面を参照しながら詳細に説明す
る。
第３図は第２図に示した光学系を収納した本発
明による電子ビーム露光装置の好ましい実施例を
示す。電子ビームの流路に沿つて電子銃３１、第
２図に示した光学系２１乃至２７及び２９が配置
されたライナーチユーブ３２及びウエハ２８を収
納した試料室３３を有している。
明による電子ビーム露光装置の好ましい実施例を
示す。電子ビームの流路に沿つて電子銃３１、第
２図に示した光学系２１乃至２７及び２９が配置
されたライナーチユーブ３２及びウエハ２８を収
納した試料室３３を有している。
第３図において３４は電子を引出す陽極、３
５，３６は接地された真空ポンプであり夫々絶縁
物３７，３８により本体と電気的に分離されてい
る。また陽極３４を絶縁物３９を介して接地して
もよい。
５，３６は接地された真空ポンプであり夫々絶縁
物３７，３８により本体と電気的に分離されてい
る。また陽極３４を絶縁物３９を介して接地して
もよい。
先述した様に正イオンの流出を防ぐ為にライナ
ーチユーブ３２、試料室３３は可変電源４０によ
り負のバイアスが与えられている。４１は散乱防
止用アパチヤーである。また気体の導入は気体導
入装置４２と本体とを流量調節バルブ４３を介し
て行なわれる。
ーチユーブ３２、試料室３３は可変電源４０によ
り負のバイアスが与えられている。４１は散乱防
止用アパチヤーである。また気体の導入は気体導
入装置４２と本体とを流量調節バルブ４３を介し
て行なわれる。
いまこの電子銃３１乃至試料室３３に気体を導
入した場合を考える。電子銃３１から放射された
電子ビームはこの気体に衝突して正イオンを発生
させる。電子ビームの位置は負の空間電荷即ち電
子ビームを構成する電子の存在によつて周囲より
もポテンシヤルが低い。従つて上記正イオンはポ
テンシヤルの低い、電子ビームが存在する空間に
流入する。
入した場合を考える。電子銃３１から放射された
電子ビームはこの気体に衝突して正イオンを発生
させる。電子ビームの位置は負の空間電荷即ち電
子ビームを構成する電子の存在によつて周囲より
もポテンシヤルが低い。従つて上記正イオンはポ
テンシヤルの低い、電子ビームが存在する空間に
流入する。
そしてさらにポテンシヤルの低い陰極即ち電子
銃３１へとビーム路に沿つて流れ込む。正イオン
の発生と陰極空間への流出とがバランスしたとき
平衡分布を為す。このとき正イオンの密度分布は
ビーム流路方向のポテンシヤルの傾き（電子銃−
試料間）に従いウエハ２８付近にて高く、陰極付
近で低い。
銃３１へとビーム路に沿つて流れ込む。正イオン
の発生と陰極空間への流出とがバランスしたとき
平衡分布を為す。このとき正イオンの密度分布は
ビーム流路方向のポテンシヤルの傾き（電子銃−
試料間）に従いウエハ２８付近にて高く、陰極付
近で低い。
さて、イオン中和がすすめば、電子ビーム中の
正イオンの存在によつて電子ビームを横切る方向
のポテンシヤルは平担化されて電子ビームを構成
している電子間のクーロン斥力は押えられ、ビー
ムの拡がり効果はなくなる。
正イオンの存在によつて電子ビームを横切る方向
のポテンシヤルは平担化されて電子ビームを構成
している電子間のクーロン斥力は押えられ、ビー
ムの拡がり効果はなくなる。
上記した様に正イオンの密度分布は試料面付近
で最大を示すから装置内に気体を導入すると導入
量に伴ない先ず試料面付近がイオン中和される。
このときの装置内の気体の圧力を臨界圧力Pcと
する。従つてライナーチユーブ内においても電子
ビームをイオン中和するのに要する気体の圧力は
Pcよりも高くなる。この臨界圧力PcはＦ−Ｓ−
Ｈモデルによれば100pipcd＝0.86φ1/2（MH／Ｍ）1/2
（I0／V0 1/2）1/2で与えられる。ここでMHは水素原
子の質量、Ｍは気体分子の質量、V0は加速電圧I0
はビーム電流、Piは０℃1Torrにおいて電子１個
が１cm進む間に発生する正イオン数、ｄはビーム
の流路長である。
で最大を示すから装置内に気体を導入すると導入
量に伴ない先ず試料面付近がイオン中和される。
このときの装置内の気体の圧力を臨界圧力Pcと
する。従つてライナーチユーブ内においても電子
ビームをイオン中和するのに要する気体の圧力は
Pcよりも高くなる。この臨界圧力PcはＦ−Ｓ−
Ｈモデルによれば100pipcd＝0.86φ1/2（MH／Ｍ）1/2
（I0／V0 1/2）1/2で与えられる。ここでMHは水素原
子の質量、Ｍは気体分子の質量、V0は加速電圧I0
はビーム電流、Piは０℃1Torrにおいて電子１個
が１cm進む間に発生する正イオン数、ｄはビーム
の流路長である。
また、φ＝１／２＋ln（ａ／ｂ）で与えられ、ａは
ライナ・チユーブの半径、ｂは電子ビームの半径
である。このＦ−Ｓ−ＨモデルについてはＭ・
Ｅ・Hlines Ｇ・Ｗ・Hobbmar and Ｊ・Ａ・
Salon：Positiul−ion drainge in magnetically
focused electvon beans、Ｊ・Appl phys 26
（1955）1157に記載がある。これはビーム路が静
止定常化している場合のモデルである。
である。このＦ−Ｓ−ＨモデルについてはＭ・
Ｅ・Hlines Ｇ・Ｗ・Hobbmar and Ｊ・Ａ・
Salon：Positiul−ion drainge in magnetically
focused electvon beans、Ｊ・Appl phys 26
（1955）1157に記載がある。これはビーム路が静
止定常化している場合のモデルである。
しかしながら、電子ビーム光に際しては、ビー
ムは空間的に移動（走査）或いは少なくとも間欠
的に露光することになる。従つてイオン中和に際
しては少なくとも露光時間（試料面上の一点にビ
ームが連続的に照射される時間）ｔと同等以下の
時間内に速やかにイオン中和する必要がある。こ
の場合の気体の圧力Ｐは （Ｐは気体の圧力、α0は気体の電離係数、Ｖは電
子ビームの加速電圧） からなる関係を満す必要がある。
ムは空間的に移動（走査）或いは少なくとも間欠
的に露光することになる。従つてイオン中和に際
しては少なくとも露光時間（試料面上の一点にビ
ームが連続的に照射される時間）ｔと同等以下の
時間内に速やかにイオン中和する必要がある。こ
の場合の気体の圧力Ｐは （Ｐは気体の圧力、α0は気体の電離係数、Ｖは電
子ビームの加速電圧） からなる関係を満す必要がある。
発明者等によれば、加速電圧20KVビーム電流
10μA、ライナーチユーブの長さ0.1ｍ、気体を空
気とすればビーム静止時のPc10-5Torrとなり
ライナーチユーブ内は10-4Torr程度にすればイ
オン中和が進んだ。一方ビームがオンしてからイ
オンが作られイオン中和が進むまでの時間はライ
ナーチユーブ内の空気圧Ｐ＝10-2Torrについて
20nsec程度であり、空気の圧力に反比例する。通
常の電子ビーム露光装置のオン−オフ立ち上が
り、立ち下がり時間は20nsec程度で、一つのパタ
ーンのシヨツト時間は1000nsec〜1μsec程度であ
るからおよそＰ＝10-2Torrでイオン中和は充分
進み良好である。
10μA、ライナーチユーブの長さ0.1ｍ、気体を空
気とすればビーム静止時のPc10-5Torrとなり
ライナーチユーブ内は10-4Torr程度にすればイ
オン中和が進んだ。一方ビームがオンしてからイ
オンが作られイオン中和が進むまでの時間はライ
ナーチユーブ内の空気圧Ｐ＝10-2Torrについて
20nsec程度であり、空気の圧力に反比例する。通
常の電子ビーム露光装置のオン−オフ立ち上が
り、立ち下がり時間は20nsec程度で、一つのパタ
ーンのシヨツト時間は1000nsec〜1μsec程度であ
るからおよそＰ＝10-2Torrでイオン中和は充分
進み良好である。
なお、気体の導入によつて正イオンが生じるが
生じたイオンは電子ビーム路に沿つて陰極へ流
れ、陰極の寿命を縮める。これに対しては電子銃
室の真空度を例えば10-6Torr以上に上げると共
にライナーチユーブ空間の電位を陽極より低く、
例えば数＋Ｖ低くすればよい。正イオンはライナ
ーチユーブでトラツプされ、陰極の方へ流れにく
くなるばかりでなく正イオンが失なわれにくいの
で装置に導入する気体は少なくて済む。
生じたイオンは電子ビーム路に沿つて陰極へ流
れ、陰極の寿命を縮める。これに対しては電子銃
室の真空度を例えば10-6Torr以上に上げると共
にライナーチユーブ空間の電位を陽極より低く、
例えば数＋Ｖ低くすればよい。正イオンはライナ
ーチユーブでトラツプされ、陰極の方へ流れにく
くなるばかりでなく正イオンが失なわれにくいの
で装置に導入する気体は少なくて済む。
一方電子の平均自由行程を考えればライナーチ
ユーブ内の真空度は10-4Torrより良いことが好
ましい。
ユーブ内の真空度は10-4Torrより良いことが好
ましい。
ところで通常のスリツト像投影方式において
は、ビーム巾を遂次縮小して投影するものであ
り、例えば第２図に示した光学系において、ビー
ムを最も細く絞る空間は対物レンズ２７からウエ
ハ２８に至る空間であり、二の間におけるビーム
拡がり効果は最も大きい。従つて試料面付近を
10-2乃至10-3Torr台の真空とし、ライナーチユ
ーブ内は10-4Torrより良い真空度とすれば露光
装置の機能を損うことなく、ビームの拡がり効果
を効果的に押えることができる。
は、ビーム巾を遂次縮小して投影するものであ
り、例えば第２図に示した光学系において、ビー
ムを最も細く絞る空間は対物レンズ２７からウエ
ハ２８に至る空間であり、二の間におけるビーム
拡がり効果は最も大きい。従つて試料面付近を
10-2乃至10-3Torr台の真空とし、ライナーチユ
ーブ内は10-4Torrより良い真空度とすれば露光
装置の機能を損うことなく、ビームの拡がり効果
を効果的に押えることができる。
導入する気体はその正イオンが速やかに電子ビ
ームの空間電荷をイオン中和する様にその質量は
小さい方がよい。尚気体としては、空気の他水
素、稀ガス、窒素、金属、酸素等一般の気体であ
つてよいことは言うまでもない。このうち好まし
い例としては水素であり、また稀ガスを用いれば
装置内で反応を起すことはない。
ームの空間電荷をイオン中和する様にその質量は
小さい方がよい。尚気体としては、空気の他水
素、稀ガス、窒素、金属、酸素等一般の気体であ
つてよいことは言うまでもない。このうち好まし
い例としては水素であり、また稀ガスを用いれば
装置内で反応を起すことはない。
可変ビーム方式等のスリツト像を投影する方式
ではスリツト２２，２４が帯電することが問題と
なる。これは装置内で浮遊するレジスト等が分解
した有機物、例えばハイドロカーボンが電子ビー
ムの衝撃によつてイオン化し、その正イオンが電
子ビーム内に移動して来て、スリツトにハイドロ
カーボンが焼きつけられることであり、スリツト
が帯電する。従つてスリツトを通過する電子ビー
ムは位置変動や非点収差を生ずる。これに対し、
ハイドロカーボン以外の正イオン例えば水素イオ
ンが装置内で支配的であればビーム内に存在する
正イオンは大部分水素イオンであるから上記した
帯電現象は減少する。もし金属イオンが支配的で
あればスリツトの導電性は失なわれず、帯電は防
止できる。
ではスリツト２２，２４が帯電することが問題と
なる。これは装置内で浮遊するレジスト等が分解
した有機物、例えばハイドロカーボンが電子ビー
ムの衝撃によつてイオン化し、その正イオンが電
子ビーム内に移動して来て、スリツトにハイドロ
カーボンが焼きつけられることであり、スリツト
が帯電する。従つてスリツトを通過する電子ビー
ムは位置変動や非点収差を生ずる。これに対し、
ハイドロカーボン以外の正イオン例えば水素イオ
ンが装置内で支配的であればビーム内に存在する
正イオンは大部分水素イオンであるから上記した
帯電現象は減少する。もし金属イオンが支配的で
あればスリツトの導電性は失なわれず、帯電は防
止できる。
第１図ａ，ｂは従来のスリツト像投影方式で作
成される矩形パターンとその電流密度分布を説明
する為の図、第２図は一般的な可変ビーム方式の
光学系を説明する図、第３図は本発明の電子ビー
ム露光装置の一実施例を説明する為の図。 ２０……電子銃、２２……ウエハ、３４……陽
極、３２……ライナーチユーブ、３３……試料
室、３５，３６……真空ポンプ、３７，３８，３
９……絶縁物、４０……可変電源、４１……散乱
防止アパチヤー、４２……気体導入装置、４３…
…バルブ。
成される矩形パターンとその電流密度分布を説明
する為の図、第２図は一般的な可変ビーム方式の
光学系を説明する図、第３図は本発明の電子ビー
ム露光装置の一実施例を説明する為の図。 ２０……電子銃、２２……ウエハ、３４……陽
極、３２……ライナーチユーブ、３３……試料
室、３５，３６……真空ポンプ、３７，３８，３
９……絶縁物、４０……可変電源、４１……散乱
防止アパチヤー、４２……気体導入装置、４３…
…バルブ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電子ビームをスリツトに照射し、このスリツ
トを通過した前記電子ビームのスリツト位置の像
を試料に投影する様にし、装置内に気体を導入し
て前記電子ビームの衝撃に伴ない発明した正イオ
ンにより前記電子ビームの空間電荷をイオン中和
するに際して、 （ｐ：上記気体の圧力、α0：上記気体の電離係
数、Ｖ：上記電子ビームの加速電圧、ｔ：試料の
１シヨツト露光時間）で表わされる関係を有する
様にした電子ビーム露光装置。 ２ ライナーチユーブ及び試料室は装置内の真空
度を調整する真空ポンプ及び陽極よりも低い電位
に保たれていることを特徴とする前記特許請求の
範囲第１項記載の電子ビーム露光装置。 ３ 電子銃室を10-6Torr以上、ライナーチユー
ブを10-4Torr以上、試料付近をおよそ10-3乃至
10-2Torrの真空度にした前記特許請求の範囲第
１項記載の電子ビーム露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8715778A JPS5515205A (en) | 1978-07-19 | 1978-07-19 | Electronic beam exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8715778A JPS5515205A (en) | 1978-07-19 | 1978-07-19 | Electronic beam exposure apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5515205A JPS5515205A (en) | 1980-02-02 |
| JPS633452B2 true JPS633452B2 (ja) | 1988-01-23 |
Family
ID=13907145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8715778A Granted JPS5515205A (en) | 1978-07-19 | 1978-07-19 | Electronic beam exposure apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5515205A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58103135A (ja) * | 1981-12-15 | 1983-06-20 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856955B2 (ja) * | 1976-06-02 | 1983-12-17 | 株式会社日立製作所 | イオン打込み装置 |
-
1978
- 1978-07-19 JP JP8715778A patent/JPS5515205A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5515205A (en) | 1980-02-02 |
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