JPS633456B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS633456B2 JPS633456B2 JP57193877A JP19387782A JPS633456B2 JP S633456 B2 JPS633456 B2 JP S633456B2 JP 57193877 A JP57193877 A JP 57193877A JP 19387782 A JP19387782 A JP 19387782A JP S633456 B2 JPS633456 B2 JP S633456B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride film
- beam lead
- semiconductor substrate
- exposed
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/60—Strap connectors, e.g. thick copper clips for grounding of power devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はビームリード型半導体装置に係り、半
導体基板とビームリード間に形成される窒化膜の
欠損により、前記二者間の接触不良を防いだビー
ムリード型半導体装置に関する。
導体基板とビームリード間に形成される窒化膜の
欠損により、前記二者間の接触不良を防いだビー
ムリード型半導体装置に関する。
一般的にビームリード型半導体装置の構造は第
１図の様になつている。半導体基板１の表層（下
面側）に素子が形成され、該半導体基板１上には
素子形成等に於いて酸化膜２が形成されている。
そして該酸化膜２上には外部からの汚れ例えば
Naイオン等から素子特性の劣化を防ぐ為窒化膜
３等の絶縁膜が形成される。該窒化膜３の膜厚は
1000Å前後である。そして該窒化膜３の上に配線
形成を行う。配線形成では先ずチタン、白金等の
下地配線形成後、金メツキ等で数μｍ厚の金配線
４を形成する（ここでの金配線を以後第１金配線
とする）。さらにビームリード部に対しては10数
μｍ厚の金配線５を形成する（ここでの金配線を
以後第２金配線とする）。ビームリード型半導体
装置が実装基板に組立られる時、機械的な圧力に
より半導体基板１とビームリード部との間隔が非
常に狭く、接触不良を起す恐れがある為、前記窒
化膜３が半導体基板１よりも外に露出する様に設
計されている。
１図の様になつている。半導体基板１の表層（下
面側）に素子が形成され、該半導体基板１上には
素子形成等に於いて酸化膜２が形成されている。
そして該酸化膜２上には外部からの汚れ例えば
Naイオン等から素子特性の劣化を防ぐ為窒化膜
３等の絶縁膜が形成される。該窒化膜３の膜厚は
1000Å前後である。そして該窒化膜３の上に配線
形成を行う。配線形成では先ずチタン、白金等の
下地配線形成後、金メツキ等で数μｍ厚の金配線
４を形成する（ここでの金配線を以後第１金配線
とする）。さらにビームリード部に対しては10数
μｍ厚の金配線５を形成する（ここでの金配線を
以後第２金配線とする）。ビームリード型半導体
装置が実装基板に組立られる時、機械的な圧力に
より半導体基板１とビームリード部との間隔が非
常に狭く、接触不良を起す恐れがある為、前記窒
化膜３が半導体基板１よりも外に露出する様に設
計されている。
その形状は第２図ａの様に半導体基板１の端部
ラインに全面的に露出する方法や第３図ａの様に
ビームリード部のみを露出する方法等が一般的で
ある。この時の窒化膜の半導体基板１端部からの
距離は設計上は数10μｍ程度であるが、各素子の
分離には化学的エツチングを用いる為直線的には
ならず波状になる。特に素子サイズが大きく、ビ
ームリード数が増してくると全ビームリード部に
ついて窒化膜３を半導体基板１より露出する様に
する為さらにバラツキが大きくなる。
ラインに全面的に露出する方法や第３図ａの様に
ビームリード部のみを露出する方法等が一般的で
ある。この時の窒化膜の半導体基板１端部からの
距離は設計上は数10μｍ程度であるが、各素子の
分離には化学的エツチングを用いる為直線的には
ならず波状になる。特に素子サイズが大きく、ビ
ームリード数が増してくると全ビームリード部に
ついて窒化膜３を半導体基板１より露出する様に
する為さらにバラツキが大きくなる。
各素子の分離は石英板等にワツクスで粘り付
け、固定してから化学的エツチングにより半導体
基板１の裏面（第１図では上側）から行う。その
後素子個別の特性検査を行つて、良品の素子のみ
を取り出す。
け、固定してから化学的エツチングにより半導体
基板１の裏面（第１図では上側）から行う。その
後素子個別の特性検査を行つて、良品の素子のみ
を取り出す。
素子を取り出す時、石英板上のワツクスを溶か
して第１図のＡ側より真空吸着機で吸い上げて取
る。そして素子に付着したワツクスを落す為、有
機溶剤を第１図のＢ側より吹きつけて洗浄し製造
を完了する。
して第１図のＡ側より真空吸着機で吸い上げて取
る。そして素子に付着したワツクスを落す為、有
機溶剤を第１図のＢ側より吹きつけて洗浄し製造
を完了する。
以下に従来の欠点について説明する。
前記の様に窒化膜３の厚さは1000Å程度なので
前記ワツクス洗浄に於いて半導体基板１より外に
露出した窒化膜３の距離の大きいもの程、有機溶
剤の当る面積が広く、圧力が強くなるので、欠損
する割合いが大きかつた。例えば第２図ａの構造
は第２図ｂの様に、第３図ａの構造では第３図ｂ
の様になつてしまう。この様な窒化膜３が欠損し
た状態で素子を実装基板に組立を行うと、組立時
の機械的圧力等により半導体基板１とビームリー
ドの接触する危険が増し品質上重大な問題となつ
ていた。
前記ワツクス洗浄に於いて半導体基板１より外に
露出した窒化膜３の距離の大きいもの程、有機溶
剤の当る面積が広く、圧力が強くなるので、欠損
する割合いが大きかつた。例えば第２図ａの構造
は第２図ｂの様に、第３図ａの構造では第３図ｂ
の様になつてしまう。この様な窒化膜３が欠損し
た状態で素子を実装基板に組立を行うと、組立時
の機械的圧力等により半導体基板１とビームリー
ドの接触する危険が増し品質上重大な問題となつ
ていた。
本発明では以上の様な欠点を無くす為、ワツク
ス洗浄で有機溶剤が直接窒化膜に当らない様にビ
ームリード側面の第１金配線と第２金配線の形成
で生ずる傘状の内域に傘化膜の形成を行い、品質
の高いビームリード型半導体装置を提供すること
にある。
ス洗浄で有機溶剤が直接窒化膜に当らない様にビ
ームリード側面の第１金配線と第２金配線の形成
で生ずる傘状の内域に傘化膜の形成を行い、品質
の高いビームリード型半導体装置を提供すること
にある。
本発明の特徴は、ビームリード型半導体装置に
於いて半導体基板とビームリード間に形成される
窒化膜を少くとも前記ビームリード取り出し部で
は前記半導体基板の縁端部より外に露出させ且つ
傘状の構造を持つ前記ビームリードの側面に於い
て前記半導体基板縁端部より露出した窒化膜を該
ビームリードの側面の傘状の内域に形成し、且つ
前記ビームリード取り出し部で前記半導体基板縁
端部より露出する窒化膜の底部に窪みを設けたビ
ームリード型半導体装置にある。
於いて半導体基板とビームリード間に形成される
窒化膜を少くとも前記ビームリード取り出し部で
は前記半導体基板の縁端部より外に露出させ且つ
傘状の構造を持つ前記ビームリードの側面に於い
て前記半導体基板縁端部より露出した窒化膜を該
ビームリードの側面の傘状の内域に形成し、且つ
前記ビームリード取り出し部で前記半導体基板縁
端部より露出する窒化膜の底部に窪みを設けたビ
ームリード型半導体装置にある。
以下に本発明の実施例を説明する。
第１図のＣ側より見たところに相当する断面図
が第４図で、これは従来構造（窒化膜の構造は第
３図）で、本発明の実施例は第５図である。又第
１図のＡ側から見たところに相当する本発明の実
施例の図は第６図である。
が第４図で、これは従来構造（窒化膜の構造は第
３図）で、本発明の実施例は第５図である。又第
１図のＡ側から見たところに相当する本発明の実
施例の図は第６図である。
第１金配線４上に形成される第２金配線は金の
膜厚が10数μｍある為横方向へのふくらみが出来
傘状の構造になる。そこで半導体基板１より外に
露出していて、ビームリード上に形成される窒化
膜３を前記ビームリードの傘状構造の内域（距離
Ｅ）に形成し、又ビームリードの取り出し部の窒
化膜３に窪みＦを入れた構造とする。
膜厚が10数μｍある為横方向へのふくらみが出来
傘状の構造になる。そこで半導体基板１より外に
露出していて、ビームリード上に形成される窒化
膜３を前記ビームリードの傘状構造の内域（距離
Ｅ）に形成し、又ビームリードの取り出し部の窒
化膜３に窪みＦを入れた構造とする。
窒化膜３の構造をこの様にすると窒化膜３は第
２金配線の陰に隠れた状態となり前記ワツクス洗
浄時の有機溶剤が直接窒化膜３に当ることが無く
なる。又窪みＦは素子分離の為の半導体基板１の
エツチングのバラツキで過剰にエツチングされた
場合、ビームリード部以外の半導体基板１ライン
からの窒化膜の露出面積が大きくなり、これがビ
ームリード取り出し部の窒化膜を含めて欠損の恐
れが出てくる。しかし窪みＦを設けることによ
り、ビームリード取り出し部の窒化膜には影響は
及ばなくなる。つまりビームリード部以外の窒化
膜のラインを窪みＦの地点迄下げると過剰に半導
体基板１のエツチングが行なわれた場合内部素子
の機能が損なわれる危険が発生するので半導体基
板１のエツチングの終止点を設ける必要があり、
その役目は窪みＦよりビームリード間の窒化膜の
ラインを出すことで可能となり、窪みＦ以上に半
導体基板１のエツチングが進むことを防止出来る
為である。
２金配線の陰に隠れた状態となり前記ワツクス洗
浄時の有機溶剤が直接窒化膜３に当ることが無く
なる。又窪みＦは素子分離の為の半導体基板１の
エツチングのバラツキで過剰にエツチングされた
場合、ビームリード部以外の半導体基板１ライン
からの窒化膜の露出面積が大きくなり、これがビ
ームリード取り出し部の窒化膜を含めて欠損の恐
れが出てくる。しかし窪みＦを設けることによ
り、ビームリード取り出し部の窒化膜には影響は
及ばなくなる。つまりビームリード部以外の窒化
膜のラインを窪みＦの地点迄下げると過剰に半導
体基板１のエツチングが行なわれた場合内部素子
の機能が損なわれる危険が発生するので半導体基
板１のエツチングの終止点を設ける必要があり、
その役目は窪みＦよりビームリード間の窒化膜の
ラインを出すことで可能となり、窪みＦ以上に半
導体基板１のエツチングが進むことを防止出来る
為である。
又、ビームリード上の窒化膜３の半導体基板１
から露出する距離を大きくすればエツチングのバ
ラツキにも余裕は出来るが、素子サイズを大きく
する必要も出てくる為、本発明の構造が最適と思
われる。
から露出する距離を大きくすればエツチングのバ
ラツキにも余裕は出来るが、素子サイズを大きく
する必要も出てくる為、本発明の構造が最適と思
われる。
以上説明した様に本発明での窒化膜の構造にす
れば、窒化膜の欠損は殆んど発生しなくなり、半
導体基板とビームリードの接触も無くなる。これ
により外観検査の簡略化が可能になり、歩留も向
上し、製造及び信頼性上大きな効果を上げること
が出来る。
れば、窒化膜の欠損は殆んど発生しなくなり、半
導体基板とビームリードの接触も無くなる。これ
により外観検査の簡略化が可能になり、歩留も向
上し、製造及び信頼性上大きな効果を上げること
が出来る。
第１図は一般的なビームリード型半導体装置の
断面図であり第２図ａ、第３図ａは裏面（第１図
ではＡ側）より見た従来のビームリード型半導体
装置の一部分で、窒化膜の構造を示し、第２図
ｂ、第３図ｂは窒化膜の一部が欠損した例を示
す。第４図は従来のビームリード型半導体装置の
リード側（第１図ではＣ側）より見た断面図であ
る。第５図、第６図は本発明の実施例で前者は第
４図と同一方向より見た断面図であり、後者は裏
面より見たビームリード部の一部分の図である。 尚、図に於いて、１……半導体基板、２……酸
化膜、３……窒化膜、４……第１金配線、５……
第２金配線、Ａ，Ｂ，Ｃ……外観の説明で方向を
示す、Ｄ……第２金配線より外側に出る窒化膜の
距離、Ｅ……第１金配線より外側に出る第２金配
線との距離である。
断面図であり第２図ａ、第３図ａは裏面（第１図
ではＡ側）より見た従来のビームリード型半導体
装置の一部分で、窒化膜の構造を示し、第２図
ｂ、第３図ｂは窒化膜の一部が欠損した例を示
す。第４図は従来のビームリード型半導体装置の
リード側（第１図ではＣ側）より見た断面図であ
る。第５図、第６図は本発明の実施例で前者は第
４図と同一方向より見た断面図であり、後者は裏
面より見たビームリード部の一部分の図である。 尚、図に於いて、１……半導体基板、２……酸
化膜、３……窒化膜、４……第１金配線、５……
第２金配線、Ａ，Ｂ，Ｃ……外観の説明で方向を
示す、Ｄ……第２金配線より外側に出る窒化膜の
距離、Ｅ……第１金配線より外側に出る第２金配
線との距離である。
Claims (1)
- １ 半導体基板とビームリード間に形成される窒
化膜を少くとも前記ビームリード取り出し部では
前記半導体基板の縁端部より外に露出させ且つ傘
状の構造を持つ前記ビームリードの側面に於いて
前記半導体基板縁端部より露出した窒化膜を該ビ
ームリードの側面の傘状の内域に形成し、且つ、
前記ビームリード取り出し部で前記半導体基板縁
端部より露出する窒化膜の底部に窪みを設けるこ
とを特徴とするビームリード型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57193877A JPS5984445A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | ビ−ムリ−ド型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57193877A JPS5984445A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | ビ−ムリ−ド型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5984445A JPS5984445A (ja) | 1984-05-16 |
| JPS633456B2 true JPS633456B2 (ja) | 1988-01-23 |
Family
ID=16315227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57193877A Granted JPS5984445A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | ビ−ムリ−ド型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5984445A (ja) |
-
1982
- 1982-11-04 JP JP57193877A patent/JPS5984445A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5984445A (ja) | 1984-05-16 |
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