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JPS6335104B2 - - Google Patents
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JPS6335104B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6335104B2
JPS6335104B2 JP58137151A JP13715183A JPS6335104B2 JP S6335104 B2 JPS6335104 B2 JP S6335104B2 JP 58137151 A JP58137151 A JP 58137151A JP 13715183 A JP13715183 A JP 13715183A JP S6335104 B2 JPS6335104 B2 JP S6335104B2
Authority
JP
Japan
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flat hollow
ring
plates
hollow bodies
hollow body
Prior art date
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Expired
Application number
JP58137151A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS6028253A (en
Inventor
Ryoichi Hoshino
Hirotaka Tanaka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Altemira Co Ltd
Original Assignee
Showa Aluminum Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Showa Aluminum Corp filed Critical Showa Aluminum Corp
Priority to JP58137151A priority Critical patent/JPS6028253A/en
Publication of JPS6028253A publication Critical patent/JPS6028253A/en
Publication of JPS6335104B2 publication Critical patent/JPS6335104B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W40/00Arrangements for thermal protection or thermal control
    • H10W40/40Arrangements for thermal protection or thermal control involving heat exchange by flowing fluids
    • H10W40/43Arrangements for thermal protection or thermal control involving heat exchange by flowing fluids by flowing gases, e.g. forced air cooling

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、サイリスタ、ダイオード、トラン
ジスタ等の半導体素子の冷却装置に関し、さらに
詳しくいえば、半導体素子の許容上限温度以下で
蒸発する液状の冷媒を封入するタンク部および放
熱部を備えており、冷媒中に半導体素子を浸漬
し、冷媒の沸騰と凝縮を利用して半導体素子を冷
却する冷却装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a cooling device for semiconductor devices such as thyristors, diodes, and transistors, and more specifically, to a cooling device for semiconductor devices such as thyristors, diodes, and transistors. The present invention relates to a cooling device that immerses a semiconductor element in a refrigerant and uses boiling and condensation of the refrigerant to cool the semiconductor element.

従来、この種半導体素子冷却装置としては、冷
媒を密閉しておくタンクと、冷媒流通管および放
熱フインを備えた放熱器とを別々に組立て、これ
らを、冷媒流通管がタンク内と連通するように配
管し、溶接等により組立てたものがある。しかし
ながら、従来の半導体素子冷却装置では、タンク
と熱交換器とを別々に組立てるために工数が多く
なつて手間がかかるとともに費用も高くつくとい
う問題があつた。また、この半導体素子冷却装置
は大きなスペースを必要とするという問題もあつ
た。
Conventionally, in this type of semiconductor device cooling device, a tank for sealing a refrigerant and a radiator equipped with a refrigerant flow pipe and heat radiation fins are assembled separately, and these are connected so that the refrigerant flow pipe communicates with the inside of the tank. There are some that are assembled by welding, etc. with piping. However, the conventional semiconductor device cooling device has a problem in that the tank and the heat exchanger are assembled separately, which increases the number of man-hours, which is time-consuming and expensive. Another problem was that this semiconductor device cooling device required a large space.

この発明は上記実情に鑑みてなされたものであ
つて、組立てが簡単で費用が安くなるとともにコ
ンパクトな半導体素子冷却装置を提供することを
目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device cooling device that is easy to assemble, inexpensive, and compact.

この発明による半導体素子冷却装置は、縦長で
かつ下端部に孔があけられた1対のプレートが対
向状に配置されるとともに、両プレートの周縁全
体のうち少なくとも両側縁および下縁どうしが両
プレート間に配置された連結壁を介してまたはプ
レートに設けられた屈曲部において接合されてな
る縦長の偏平中空体が、並列状に複数配置され、
すべての偏平中空体が、隣り合う偏平中空体どう
しの間の下端部に孔を囲むように介在させられた
リングによつて相互に連通状に接続され、リング
の上方において隣り合う偏平中空体どうしの間に
放熱フインが介在させられているものである。
In the semiconductor device cooling device according to the present invention, a pair of vertically elongated plates each having a hole in the lower end are arranged facing each other, and at least both side edges and the lower edge of the entire circumferential edges of both plates are arranged opposite to each other. A plurality of vertically elongated flat hollow bodies connected through connecting walls arranged between them or at bent portions provided on the plate are arranged in parallel,
All the flat hollow bodies are connected to each other in a continuous manner by a ring interposed at the lower end between the adjacent flat hollow bodies so as to surround the hole, and the adjacent flat hollow bodies are connected above the ring. A heat dissipation fin is interposed between the two.

上記において、対向状に配置された1対のプレ
ートの周縁全体のうち少なくとも両側縁および下
縁どうしをプレート間に配置された連結壁を介し
て接合すること、ならびにプレートに設けられた
屈曲部において接合することは、ろう付法により
行われる。偏平中空体内には、上下方向に伸びる
多数の凹凸のすじを有するコルゲート・フインを
配置して内面にろう付けしておくことが好まし
い。偏平中空体とリングとは、たとえばろう付に
よつて接合される。リングの両端には、プレート
の下端部にあけられた孔に嵌合しうる突部を設け
ておくのがよい。偏平中空体と放熱フインとはろ
う付するのがよい。プレートの周縁どうしのろう
付、偏平中空体とリングとのろう付および偏平中
空体と放熱フインとのろう付は、たとえば真空ろ
う付法により同時に行なわれる。
In the above, at least both side edges and the lower edge of the entire peripheral edges of the pair of plates arranged opposite to each other are joined via a connecting wall arranged between the plates, and at the bent part provided on the plates. The joining is performed by a brazing method. It is preferable that corrugated fins having a large number of uneven striations extending in the vertical direction are arranged inside the flat hollow body and brazed to the inner surface. The flat hollow body and the ring are joined by brazing, for example. Preferably, both ends of the ring are provided with protrusions that can fit into holes drilled in the lower end of the plate. It is preferable to braze the flat hollow body and the heat radiation fins. Brazing between the peripheral edges of the plates, brazing between the flat hollow body and the ring, and brazing between the flat hollow body and the radiation fins are performed simultaneously by, for example, a vacuum brazing method.

この半導体素子冷却装置では、リングと、各偏
平中空体におけるリングと対応する高さ位置にあ
る部分とで液状冷媒密閉用タンク部が形成され、
各偏平中空体におけるリングよりも上方の部分と
放熱フインとで放熱部が形成される。そして、タ
ンク部内に封入された液状冷媒に半導体素子が浸
漬される。半導体素子から発する熱が液状冷媒に
伝わると、冷媒が沸騰して気化する。このガス状
冷媒は、偏平中空体内を上昇して放熱部に到り、
ガス状冷媒の有する熱がプレートおよび放熱フイ
ンから偏平中空体間の空気に放熱されて冷媒は凝
縮する。凝縮した液状冷媒は偏平中空体内を流れ
落ちてタンク部に戻る。この動作を繰返して、半
導体素子が冷却される。
In this semiconductor device cooling device, a liquid refrigerant sealing tank portion is formed by the ring and a portion of each flat hollow body located at a height position corresponding to the ring.
A heat radiating portion is formed by a portion of each flat hollow body above the ring and the heat radiating fin. Then, the semiconductor element is immersed in the liquid refrigerant sealed in the tank section. When the heat emitted from the semiconductor element is transferred to the liquid refrigerant, the refrigerant boils and vaporizes. This gaseous refrigerant rises inside the flat hollow body and reaches the heat dissipation section.
Heat possessed by the gaseous refrigerant is radiated from the plates and the radiation fins to the air between the flat hollow bodies, and the refrigerant is condensed. The condensed liquid refrigerant flows down the flat hollow body and returns to the tank section. This operation is repeated to cool the semiconductor element.

この発明の半導体素子冷却装置は、上記のよう
に構成されて、冷媒密閉タンク部と放熱部とが一
体化されているので、従来の半導体素子冷却装置
に比べて組立てが簡単で費用もやすくてすみ、し
かもコンパクトにすることが可能となる。
The semiconductor device cooling device of the present invention is configured as described above, and the refrigerant sealed tank portion and the heat dissipation portion are integrated, so it is easier to assemble and is less expensive than conventional semiconductor device cooling devices. It is possible to make it compact and convenient.

この発明を、以下図面に示す実施例について詳
しく説明する。以下の説明において、左右とは第
1図に向つていうものとする。
This invention will be described in detail below with reference to embodiments shown in the drawings. In the following description, left and right refer to those toward FIG. 1.

半導体素子冷却装置1は、対向状に配置された
1対の縦長方形アルミニウム・ブレージングシー
ト製プレート2から形成され、かつ並列状に配置
された複数の偏平中空体3と、隣り合う偏平中空
体3の下端部間に配置されかつ偏平中空体3どう
しを連通状に接続するアルミニウム製円形リング
4と、リング4の上方で隣り合う偏平中空体3間
に介在させられたアルミニウム製コルゲート・フ
インよりなる放熱フイン5とを備えている。
A semiconductor device cooling device 1 is formed from a pair of vertically rectangular aluminum brazing sheet plates 2 arranged oppositely, and includes a plurality of flat hollow bodies 3 arranged in parallel, and adjacent flat hollow bodies 3. It consists of an aluminum circular ring 4 disposed between the lower end portions and connecting the flat hollow bodies 3 in a continuous manner, and an aluminum corrugated fin interposed between the adjacent flat hollow bodies 3 above the ring 4. The heat dissipation fins 5 are also provided.

アルミニウム製プレート2の下端部には円形孔
2aがあけられている。偏平中空体3は、対向す
る1対のプレート2の周縁全体のうち両側縁およ
び下縁どうしをアルミニウム製連結壁6を介して
ろう付することにより形成されている。偏平中空
体3内には、上下方向に伸びる多数の凹凸のすじ
を有するアルミニウム製コルゲート・フイン7が
配置されてプレート2内面にろう付されている。
また、偏平中空体3内におけるコルゲート・フイ
ン7よりも下方の位置でかつ孔2aのまわりの部
分には、円周方向に所定間隔をおいて4ケ所にア
ルミニウム製コルゲート・フイン8が配置され、
プレート2内面にろう付されている。このフイン
8も放熱の役目を果す。左右両端に位置する偏平
中空体3の左右両側には、それぞれ所定間隔をお
いて縦長方形でかつ下端部に円形孔9aがあけら
れたアルミニウム・ブレージングシート製サイ
ド・プレート9が配置され、アルミニウム製円形
リング10を介して偏平中空体3にろう付されて
いる。サイド・プレート9と左右両端の偏平中空
体3との間におけるリング10よりも上方の部分
にも、幅方向に伸びる多数の凹凸のすじを有する
アルミニウム製コルゲート・フインよりなる放熱
フイン11が配置されて偏平中空体3およびサイ
ド・プレート9にろう付されている。すべての偏
平中空体3の上端は、下面が開口したアルミニウ
ム製空気溜12に偏平中空体3内部が空気溜12
内部と連通するように接続されている。空気溜1
2の幅は偏平中空体3の幅と等しくなつている。
サイド・プレート9の上端も空気溜12の左右両
端に接合されている。空気溜12の下面開口にお
ける残りの部分は、隣り合う偏平中空体3の上端
間および左右両端の偏平中空体3の上端とサイ
ド・プレート9の上端との間に介在されたアルミ
ニウム製角材13によつて閉塞されている。空気
溜12の左端には、半導体素子冷却装置1内を真
空引きするとともに装置1内部に冷媒を入れるた
めの管14が取付けられている。この管14は、
冷媒を入れた後第1図に示されるように閉塞され
る。
A circular hole 2a is bored in the lower end of the aluminum plate 2. The flat hollow body 3 is formed by brazing both side edges and lower edges of the entire peripheral edges of a pair of opposing plates 2 to each other via an aluminum connecting wall 6. Inside the flat hollow body 3, an aluminum corrugated fin 7 having a large number of uneven lines extending in the vertical direction is arranged and brazed to the inner surface of the plate 2.
In addition, aluminum corrugated fins 8 are arranged at four locations at predetermined intervals in the circumferential direction at a position below the corrugated fins 7 in the flat hollow body 3 and around the hole 2a.
It is brazed to the inner surface of plate 2. This fin 8 also plays a role of heat radiation. On both left and right sides of the flat hollow body 3 located at both left and right ends, side plates 9 made of aluminum brazing sheets are arranged at predetermined intervals and are vertically rectangular and have a circular hole 9a in the lower end. It is brazed to the flat hollow body 3 via a circular ring 10. Also disposed above the ring 10 between the side plate 9 and the flat hollow bodies 3 at both left and right ends are heat dissipation fins 11 made of aluminum corrugated fins having a large number of uneven streaks extending in the width direction. The flat hollow body 3 and the side plate 9 are brazed to each other. The upper ends of all the flat hollow bodies 3 are connected to an aluminum air reservoir 12 with an open bottom surface.
Connected to communicate with the inside. Air reservoir 1
The width of 2 is equal to the width of the flat hollow body 3.
The upper end of the side plate 9 is also joined to both left and right ends of the air reservoir 12. The remaining portion of the lower opening of the air reservoir 12 is formed by an aluminum square member 13 interposed between the upper ends of adjacent flat hollow bodies 3 and between the upper ends of the flat hollow bodies 3 at both left and right ends and the upper ends of the side plates 9. It is obstructed. A pipe 14 is attached to the left end of the air reservoir 12 for evacuating the inside of the semiconductor device cooling device 1 and for introducing a refrigerant into the inside of the device 1. This tube 14 is
After charging the refrigerant, it is closed as shown in FIG.

リング4の両端には、プレート2の孔2aに嵌
合しうる突部4aが設けられており、この突部4
aを孔2aに嵌合させた状態でプレート2にろう
付されている。また、リング10の両端にも突部
10aが設けられており、一方の突部10aがプ
レート2の孔2aに嵌合され、他方の突部10a
がサイド・プレート9の孔9aに嵌合された状態
で、リング10がプレート2およびサイド・プレ
ート9にろう付されている。左右のサイド・プレ
ート9の孔9aには、それぞれ連通状にアルミニ
ウム製パイプ15,16が溶接されている。両パ
イプ15,16のサイド・プレート9への接合端
には孔9aに嵌合しうる突部が設けられ、この突
部を孔9aに嵌合させて溶接されている。左側の
パイプ15の左端にはフランジ15aが設けら
れ、このフランジ15aに蓋17が取付けられて
いる。右側のパイプ16の右端にはフランジ16
aが設けられ、このフランジ16aに蓋18が取
付けられている。蓋18には、後述するように、
タンク部B内の液状冷媒Cに浸漬される半導体素
子20に電力を与えるための電力供給線22を挿
通させる孔18aがあけられている。
A protrusion 4a that can fit into the hole 2a of the plate 2 is provided at both ends of the ring 4.
It is brazed to the plate 2 with the hole 2a fitted into the hole 2a. Further, protrusions 10a are provided at both ends of the ring 10, one protrusion 10a is fitted into the hole 2a of the plate 2, and the other protrusion 10a is fitted into the hole 2a of the plate 2.
The ring 10 is brazed to the plate 2 and the side plate 9, with the ring 10 being fitted into the hole 9a of the side plate 9. Aluminum pipes 15 and 16 are welded to the holes 9a of the left and right side plates 9 so as to communicate with each other, respectively. A protrusion that can fit into the hole 9a is provided at the joint end of both pipes 15, 16 to the side plate 9, and the protrusion is fitted into the hole 9a and welded. A flange 15a is provided at the left end of the left pipe 15, and a lid 17 is attached to this flange 15a. There is a flange 16 at the right end of the right pipe 16.
a, and a lid 18 is attached to this flange 16a. The lid 18 includes, as described later,
A hole 18a is formed through which a power supply line 22 for supplying power to the semiconductor element 20 immersed in the liquid refrigerant C in the tank part B is inserted.

放熱フイン5は、偏平中空体3の幅方向に伸び
る多数の凹凸のすじを有しており、偏平中空体3
にろう付されている。
The heat dissipation fin 5 has a large number of uneven streaks extending in the width direction of the flat hollow body 3.
It is soldered to.

この半導体素子冷却装置1は、各偏平中空体3
におけるリング4よりも上方の部分および放熱フ
イン5により放熱部Aが形成され、リング4,1
0、偏平中空体3におけるリング4,10と対応
する高さ位置に存在する部分およびパイプ15,
16によりタンク部Bが形成され、両部A,Bが
一体化されている。そして、半導体素子冷却装置
1内にフロンからなる液状冷媒Cが封入され、こ
の液状冷媒Cがタンク部B内に溜まつている。液
状冷媒Bを封入するさいにまぎれ込んだ空気等
は、フロンよりも軽いので空気溜12内に押し上
げられる。
This semiconductor device cooling device 1 includes each flat hollow body 3.
A heat dissipation part A is formed by the portion above the ring 4 and the heat dissipation fin 5.
0, a portion of the flat hollow body 3 existing at a height position corresponding to the rings 4, 10 and the pipe 15,
16 forms a tank portion B, and both portions A and B are integrated. A liquid refrigerant C made of fluorocarbon is sealed in the semiconductor device cooling device 1, and this liquid refrigerant C is accumulated in the tank portion B. Air and the like that are mixed in when liquid refrigerant B is sealed are pushed up into the air reservoir 12 because it is lighter than Freon.

タンク部B内には、半導体素子20と冷却フイ
ン21とが左右方向に交互に層状に重ね合せられ
たものが配置され、図示しない適宜な手段で支持
される。半導体素子20には電力供給線22によ
り電力が供給されるようになつている。電力供給
線22は孔18aを通つて外部に導出され、孔1
8a内における電力供給線22のまわりに絶縁材
23が充填されている。冷却フイン21は、銅ま
たはアルミニウム合金からなり、その左右両側面
における半導体素子取付部を除いて、全面を覆う
ようにアルミニウム粉体24がろう付されて多孔
質面とされている。アルミニウム粉体24は、た
とえばアルミニウム粉体24とアルミニウムろう
材粉体とをアクリル等の有機結合剤に溶かしてス
ラリー状としたものを冷却フイン21に塗布し、
乾燥させた後ろう付される。冷却フイン21が銅
製の場合、アルミニウム粉末と共晶反応を起こし
相互に拡散するため多孔質面とすることができな
いので、フイン21の表面に予めニツケルメツキ
を施しておく。
Inside the tank part B, semiconductor elements 20 and cooling fins 21 are arranged in layers alternately in the left-right direction and supported by suitable means (not shown). Power is supplied to the semiconductor element 20 through a power supply line 22 . The power supply line 22 is led out through the hole 18a, and is connected to the hole 1.
An insulating material 23 is filled around the power supply line 22 in the inside 8a. The cooling fin 21 is made of copper or aluminum alloy, and has a porous surface with aluminum powder 24 brazed to cover the entire surface except for the semiconductor element mounting portions on both left and right sides. The aluminum powder 24 is made by dissolving the aluminum powder 24 and aluminum brazing filler metal powder in an organic binder such as acrylic to form a slurry, which is then applied to the cooling fins 21.
Brazed after drying. If the cooling fins 21 are made of copper, the surfaces of the fins 21 are plated with nickel in advance, since a porous surface cannot be used because they cause a eutectic reaction with the aluminum powder and diffuse into each other.

このような構成において、半導体素子20から
発生した熱は冷却フイン21およびアルミニウム
粉体24を経て液状冷媒Cに伝わる。このとき、
冷却フイン21表面におけるアルミニウム粉体2
4で形成された多孔空隙が蒸気泡の沸騰核とな
り、液状冷媒Cが上記熱により容易に沸騰させら
れる。こうして発生したガス状冷媒は、偏平中空
体3内を上昇して放熱部Aに到る。ガス状冷媒の
有する熱は、プレート2および放熱フイン5を経
て偏平中空体3間を流れる空気に放熱されてガス
状冷媒が凝縮する。凝縮した液状冷媒は空間内を
流れて落ちてタンク部Bに戻る。このような動作
を繰返して半導体素子20が冷却される。
In such a configuration, heat generated from the semiconductor element 20 is transmitted to the liquid coolant C via the cooling fins 21 and the aluminum powder 24. At this time,
Aluminum powder 2 on the surface of the cooling fin 21
The porous voids formed in step 4 become boiling nuclei of vapor bubbles, and the liquid refrigerant C is easily boiled by the heat. The gaseous refrigerant thus generated rises within the flat hollow body 3 and reaches the heat radiation section A. The heat possessed by the gaseous refrigerant is radiated to the air flowing between the flat hollow bodies 3 via the plate 2 and the radiation fins 5, and the gaseous refrigerant is condensed. The condensed liquid refrigerant flows through the space and falls back to the tank section B. The semiconductor element 20 is cooled by repeating such operations.

半導体素子冷却装置1はたとえばつぎのように
して組立てられる。
The semiconductor device cooling device 1 is assembled, for example, as follows.

まず、プレート2、コルゲート・フイン7,
8、連結壁6、放熱フイン5、リング4,10お
よびサイド・プレート9を所定の位置にセツト
し、真空ろう付法により同時にろう付する。その
後、空気溜12およびパイプ15,16を溶接す
る。
First, plate 2, corrugated fin 7,
8. Set the connecting wall 6, heat dissipation fin 5, rings 4, 10 and side plate 9 in predetermined positions and braze them simultaneously by vacuum brazing. After that, the air reservoir 12 and the pipes 15 and 16 are welded.

上記実施例においては、プレート2にあけられ
た孔2aおよびリング4は円形であるが、これに
限るものではない。また、上記実施例において、
隣り合う偏平中空体3間に縦長方形のアルミニウ
ム・ブレージングシート製放熱プレートを配置
し、この放熱プレートとの間に放熱フインを配置
してろう付してもよい。こうすれば伝熱面積が増
大して冷却効率が向上する。上記放熱プレートの
下端部にはリング4の外径と等しい径の円形孔を
あけておき、この円形孔にリング4を挿通させて
放熱プレートを取付ける。また、上記実施例にお
いては、対向状に配置された1対のプレート2の
両側縁および下縁どうしだけが連結壁6を介して
接合されているが、上縁どうしも連結壁を介して
接合しておいてもよく、この場合プレートの上縁
どうしの間に介在させられる連結壁の一部を切欠
いて、偏平中空体3内部と作動溜12とを連通さ
せるようにしておく。さらに、上記実施例におい
ては空気溜12が設けられているが、これは必ず
しも必要としない。この場合、対向状に配置され
た1対のプレート2の周縁全体どうしを連結壁を
介して接合し、プレート2間を密閉しておく。
In the above embodiment, the hole 2a drilled in the plate 2 and the ring 4 are circular, but the shape is not limited to this. Furthermore, in the above embodiment,
A vertically rectangular aluminum brazing sheet heat dissipation plate may be arranged between adjacent flat hollow bodies 3, and heat dissipation fins may be disposed and brazed between the heat dissipation plate and the heat dissipation plate. This increases the heat transfer area and improves cooling efficiency. A circular hole having a diameter equal to the outer diameter of the ring 4 is provided at the lower end of the heat dissipation plate, and the heat dissipation plate is attached by inserting the ring 4 into the circular hole. Further, in the above embodiment, only the both side edges and the lower edges of the pair of plates 2 which are arranged opposite to each other are connected to each other via the connecting wall 6, but the upper edges are also connected to each other via the connecting wall. In this case, a part of the connecting wall interposed between the upper edges of the plates is cut out to communicate the inside of the flat hollow body 3 and the working reservoir 12. Furthermore, although the air reservoir 12 is provided in the above embodiment, this is not necessarily required. In this case, the entire peripheries of a pair of plates 2 arranged opposite to each other are joined together via a connecting wall, and the space between the plates 2 is sealed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

図面はこの発明の実施例を示し、第1図は一部
切欠き正面図、第2図は第1図の―線にそう
断面図、第3図は第1図の―線にそう断面
図、第4図は冷却フインの垂直断面図である。 1……半導体素子冷却装置、2……プレート、
2a……孔、3……偏平中空体、4……リング、
5……放熱フイン、6……連結壁。
The drawings show an embodiment of the present invention; FIG. 1 is a partially cutaway front view, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line --- of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the -- line of FIG. 1. , FIG. 4 is a vertical cross-sectional view of the cooling fin. 1... Semiconductor element cooling device, 2... Plate,
2a...hole, 3...flat hollow body, 4...ring,
5... Heat dissipation fin, 6... Connecting wall.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 縦長でかつ下端部に孔2aがあけられた1対
のプレート2が対向状に配置されるとともに、両
プレート2の周縁全体のうち少なくとも両側縁お
よび下縁どうしが両プレート2間に配置された連
結壁6を介してまたはプレート2に設けられた屈
曲部において接合されてなる縦長の偏平中空体3
が、並列状に複数配置され、すべての偏平中空体
3が、隣り合う偏平中空体3どうしの間の下端部
に孔2aを囲むように介在させられたリング4に
よつて相互に連通状に接続され、リング4の上方
において隣り合う偏平中空体3どうしの間に放熱
フイン5が介在させられている半導体素子冷却装
置。
1 A pair of plates 2 which are vertically elongated and have holes 2a in their lower ends are arranged to face each other, and at least both side edges and lower edges of the entire circumferential edges of both plates 2 are arranged between both plates 2. A vertically elongated flat hollow body 3 joined via a connecting wall 6 or at a bent portion provided on the plate 2.
A plurality of flat hollow bodies 3 are arranged in parallel, and all the flat hollow bodies 3 are in communication with each other by a ring 4 interposed at the lower end between adjacent flat hollow bodies 3 so as to surround the hole 2a. A semiconductor device cooling device in which a heat dissipation fin 5 is interposed between adjacent flat hollow bodies 3 connected to each other above a ring 4.
JP58137151A 1983-07-27 1983-07-27 Cooling device for semiconductor element Granted JPS6028253A (en)

Priority Applications (1)

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JP58137151A JPS6028253A (en) 1983-07-27 1983-07-27 Cooling device for semiconductor element

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