JPS6337566B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6337566B2 JPS6337566B2 JP57204275A JP20427582A JPS6337566B2 JP S6337566 B2 JPS6337566 B2 JP S6337566B2 JP 57204275 A JP57204275 A JP 57204275A JP 20427582 A JP20427582 A JP 20427582A JP S6337566 B2 JPS6337566 B2 JP S6337566B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- side conductor
- voltage side
- pressure vessel
- low
- grounded metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Installation Of Bus-Bars (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、同位相二電圧系ガス絶縁母線に関
するものであり、さらに詳しくいうと、たとえば
単巻変圧器の一次，二次回路のように、接地系が
共通で電圧の大きさは異るが、ほぼ同位相であ
り、かつ、２つの電圧系のいずれかが無電圧状態
で運転されることのない、特別な電路に供用され
る同位相二電圧系ガス絶縁母線に関するものであ
る。
するものであり、さらに詳しくいうと、たとえば
単巻変圧器の一次，二次回路のように、接地系が
共通で電圧の大きさは異るが、ほぼ同位相であ
り、かつ、２つの電圧系のいずれかが無電圧状態
で運転されることのない、特別な電路に供用され
る同位相二電圧系ガス絶縁母線に関するものであ
る。
従来、この種のガス絶縁母線は、二電圧系それ
ぞれの電圧回路ごとに設けていたので、相分離形
ガス絶縁母線を適用するならば、一次，二次両回
路で各三相づつの合計６本の相分離母線を設置す
る必要があり、経済性の面で問題があつた。
ぞれの電圧回路ごとに設けていたので、相分離形
ガス絶縁母線を適用するならば、一次，二次両回
路で各三相づつの合計６本の相分離母線を設置す
る必要があり、経済性の面で問題があつた。
この発明は、以上の事情にかんがみてなされた
もので、たとえば単巻変圧器の一次，二次回路の
電圧が、大きさは互いに異るがほぼ同位相である
こと、および共通の接地系にあることに着目し、
仕上り外径がほぼ高電圧側の相分離母線と同程度
の円筒状の接地外被内に同心的に高，低両電圧系
の２つの導体を配設した併架系とすることによ
り、３本の相分離母線で二電圧系の電路を形成
し、経済性を改善した同位相二電圧系ガス絶縁母
線を提供することを目的とするものである。
もので、たとえば単巻変圧器の一次，二次回路の
電圧が、大きさは互いに異るがほぼ同位相である
こと、および共通の接地系にあることに着目し、
仕上り外径がほぼ高電圧側の相分離母線と同程度
の円筒状の接地外被内に同心的に高，低両電圧系
の２つの導体を配設した併架系とすることによ
り、３本の相分離母線で二電圧系の電路を形成
し、経済性を改善した同位相二電圧系ガス絶縁母
線を提供することを目的とするものである。
また、この発明の目的は、円筒状の高電圧側導
体と、この高電圧側導体の外側にほぼ同心的に配
置された円筒状の低電圧側導体と、この低電圧側
導体の外側にほぼ同心的に配置され絶縁性気体が
密封された円筒状の接地金属圧力容器と、低電圧
側導体を接地金属圧力容器に絶縁支持する絶縁体
と、高電圧側導体を低電圧側導体および接地金属
圧力容器の少くとも一方に絶縁支持する絶縁体を
備えてなり、もつて、接地金属圧力容器の半径を
高電圧側導体のみがある場合の半径とほとんど同
じくして、二電圧系の導体を収納することがで
き、接地金属圧力容器を従来よりも１個節約でき
るうえに、電路布設ルートの所要空間を大幅に縮
小できる併架式の同位相二電圧系ガス絶縁母線を
提供することである。
体と、この高電圧側導体の外側にほぼ同心的に配
置された円筒状の低電圧側導体と、この低電圧側
導体の外側にほぼ同心的に配置され絶縁性気体が
密封された円筒状の接地金属圧力容器と、低電圧
側導体を接地金属圧力容器に絶縁支持する絶縁体
と、高電圧側導体を低電圧側導体および接地金属
圧力容器の少くとも一方に絶縁支持する絶縁体を
備えてなり、もつて、接地金属圧力容器の半径を
高電圧側導体のみがある場合の半径とほとんど同
じくして、二電圧系の導体を収納することがで
き、接地金属圧力容器を従来よりも１個節約でき
るうえに、電路布設ルートの所要空間を大幅に縮
小できる併架式の同位相二電圧系ガス絶縁母線を
提供することである。
以下、この発明の一実施例について図面を参照
して説明する。第１図および第２図において、円
筒状の高電圧側導体１の外側に、高電圧側導体１
を中心として、これとほぼ同心的に順次に円筒状
の低電圧側導体２、円筒状の接地金属圧力容器３
が配設されている。低電圧側導体２は絶縁支持体
４により接地金属圧力容器３に支持され、高電圧
側導体１は絶縁支持体５，６によりそれぞれ低電
圧側導体２と接地金属圧力容器３に支持されてい
る。低電圧側導体２には絶縁支持体６が貫通する
穴７が穿設されている。絶縁支持体４，５および
６はエポキシ注形絶縁物などの絶縁体でなるもの
である。実際的には、絶縁支持体５，６は、その
いずれか一方を用いることが多い。接地金属圧力
容器３内には数気圧のSF6ガスのごとき絶縁ガス
が密封される。
して説明する。第１図および第２図において、円
筒状の高電圧側導体１の外側に、高電圧側導体１
を中心として、これとほぼ同心的に順次に円筒状
の低電圧側導体２、円筒状の接地金属圧力容器３
が配設されている。低電圧側導体２は絶縁支持体
４により接地金属圧力容器３に支持され、高電圧
側導体１は絶縁支持体５，６によりそれぞれ低電
圧側導体２と接地金属圧力容器３に支持されてい
る。低電圧側導体２には絶縁支持体６が貫通する
穴７が穿設されている。絶縁支持体４，５および
６はエポキシ注形絶縁物などの絶縁体でなるもの
である。実際的には、絶縁支持体５，６は、その
いずれか一方を用いることが多い。接地金属圧力
容器３内には数気圧のSF6ガスのごとき絶縁ガス
が密封される。
次に、以上の構成による作用効果について説明
する。一例として550kv／300kvの二電圧系併架
の場合、高電圧側導体１と低電圧側導体２の大地
に対する所要雷インパルス絶縁強度をそれぞれ
V1＝1550kv，V2＝1050kvとする。説明を簡単に
するため、低電圧側導体２の厚みを無視し、内外
径を同じ値として扱う。絶縁支持体５，５あるい
は６の影響により絶縁のための離隔距離が、ガス
絶縁のみの場合と若干異なるのが普通であるが、
これは絶縁支持体の形状によりガス絶縁のみの場
合と等価とすることも可能であるので、ここでは
絶縁支持体４，５あるいは６の影響を無視する。
周知のように、ガス絶縁機器の絶縁設計は、最大
許容電界を設定し、各部の電界強度がこの最大許
容電界を上回らないようにすることが基本であ
る。説明を具体的に進めるため、最大許容電界
Enaxを18kv／mmと仮定すると、第２図において、
高電圧側導体１の半径r1の最小値は、下式で求め
られる。
する。一例として550kv／300kvの二電圧系併架
の場合、高電圧側導体１と低電圧側導体２の大地
に対する所要雷インパルス絶縁強度をそれぞれ
V1＝1550kv，V2＝1050kvとする。説明を簡単に
するため、低電圧側導体２の厚みを無視し、内外
径を同じ値として扱う。絶縁支持体５，５あるい
は６の影響により絶縁のための離隔距離が、ガス
絶縁のみの場合と若干異なるのが普通であるが、
これは絶縁支持体の形状によりガス絶縁のみの場
合と等価とすることも可能であるので、ここでは
絶縁支持体４，５あるいは６の影響を無視する。
周知のように、ガス絶縁機器の絶縁設計は、最大
許容電界を設定し、各部の電界強度がこの最大許
容電界を上回らないようにすることが基本であ
る。説明を具体的に進めるため、最大許容電界
Enaxを18kv／mmと仮定すると、第２図において、
高電圧側導体１の半径r1の最小値は、下式で求め
られる。
r1＝V1／Enax＝1550kvpeak／18kvpeak／mm＝86mm (1)
このr1の最小値に対応する接地金属圧力容器３
の半径r3の最小値は、ｅを自然対数の底として次
の式で与えられる。
の半径r3の最小値は、ｅを自然対数の底として次
の式で与えられる。
r3＝r1e＝234mm (2)
いま、低電圧側導体２にV2＝1050kvpeakの雷イ
ンパルスが侵入したとき、これが高電圧側導体１
に閃絡しないための条件は、次の式を満足するよ
う低電圧側導体２の半径r2を決めればよい。
ンパルスが侵入したとき、これが高電圧側導体１
に閃絡しないための条件は、次の式を満足するよ
う低電圧側導体２の半径r2を決めればよい。
V2／r1・lor2／r1＝1050kvpeak／86・lor2／8618kv
peak／mm(3) この(3)式を数値的に解いてr2の最小値を求める
と、r2≒169.5mmとなる。次に、低電圧側導体２
にV2＝1050kvpeakの雷インパルスが侵入した場
合、接地金属圧力容器３へ閃絡しないための条件
は、周知のように次式を満足するように、接地金
属圧力容器３の半径r3′を求めればよい。
peak／mm(3) この(3)式を数値的に解いてr2の最小値を求める
と、r2≒169.5mmとなる。次に、低電圧側導体２
にV2＝1050kvpeakの雷インパルスが侵入した場
合、接地金属圧力容器３へ閃絡しないための条件
は、周知のように次式を満足するように、接地金
属圧力容器３の半径r3′を求めればよい。
V2／r2・lor3′／r2＝1050／169.5・lor3′／169.518
peak／mm(4) この(4)式を数値的に解いてr3′の最小値を求め
ると、r3′＝239mmとなる。そこで、(2)式で得たr3
と(4)式で求めたr3′の大きい方を採用すべきであ
るので、接地金属圧力容器３の半径は239mmとす
る。次に、高電圧側導体１に侵入した雷インパル
ス電圧V1＝1550kvpeakは、高電圧側導体１と低電
圧側導体２間の静電容量C1と、低電圧側導体２
と接地金属圧力容器３との間の静電容量C2とで
静電容量分圧される。いま、各導体の長さが十分
長く、かつ、互いに等しいとすれば、単位長さ当
りの静電容量は周知のように次式で与えられる。
peak／mm(4) この(4)式を数値的に解いてr3′の最小値を求め
ると、r3′＝239mmとなる。そこで、(2)式で得たr3
と(4)式で求めたr3′の大きい方を採用すべきであ
るので、接地金属圧力容器３の半径は239mmとす
る。次に、高電圧側導体１に侵入した雷インパル
ス電圧V1＝1550kvpeakは、高電圧側導体１と低電
圧側導体２間の静電容量C1と、低電圧側導体２
と接地金属圧力容器３との間の静電容量C2とで
静電容量分圧される。いま、各導体の長さが十分
長く、かつ、互いに等しいとすれば、単位長さ当
りの静電容量は周知のように次式で与えられる。
C1＝2πε0／lo（r2／r1）＝2πε0／lo（169.5／86
）＝2πε0×1.474（Ｆ／ｍ）（5a） C2＝2πε0／lo（r3′／r1）＝2πε0／lo（239／169
.5）＝2πε0×2.910（Ｆ／ｍ）（5b） 以上により、高電圧側導体１に侵入した雷イン
パルス電圧V1＝1550kvpeakが高電圧側導体１と低
電圧側導体２との間で分担される電圧V2′は次式
で求められる。
）＝2πε0×1.474（Ｆ／ｍ）（5a） C2＝2πε0／lo（r3′／r1）＝2πε0／lo（239／169
.5）＝2πε0×2.910（Ｆ／ｍ）（5b） 以上により、高電圧側導体１に侵入した雷イン
パルス電圧V1＝1550kvpeakが高電圧側導体１と低
電圧側導体２との間で分担される電圧V2′は次式
で求められる。
V2′＝C2／C1＋C2V1＝2.910×1550／1.474＋2.910＝1
029kv(6) V2′は低電圧側導体２の絶縁強度V2＝
1050kvpeakよりも高くないので、高電圧側導体１
と低電圧側導体２との間で閃絡は生じないことが
わかる。
029kv(6) V2′は低電圧側導体２の絶縁強度V2＝
1050kvpeakよりも高くないので、高電圧側導体１
と低電圧側導体２との間で閃絡は生じないことが
わかる。
次に、他の例として、550kv／204kvの二電圧
系併架の場合について説明する。両電圧系の所要
雷パルス絶縁強度を大地に対してそれぞれV1＝
1550kv，V2＝750kvとする。前例と同様の計算
を進めると、(1)式よりr1＝86mm，(2)式よりr3＝
234mmとなる。(3)式で低電圧側導体２の半径を求
めると、 V2／r1・lor2／r1＝750kvpeak／86・lor2／8618kvp
eak／mm よりr2の最小値は140mmとなり、これより(4)式で
接地金属圧力容器３の半径r3′を求めると、 V2／r2・lor3′／r2＝750kvpeak／140・lor3′／140
18kvpeak／mm より、r3′の最小値は189mmとなり、r3よりも小さ
い。したがつて接地金属圧力容器の半径として
は、r3＝234mmを採用すべきである。このような
場合は、低電圧側導体２の半径r2は、r3が与えら
れたものとして低電圧側導体２にV2＝750kvpeak
の雷インパルスが侵入しても、接地金属圧力容器
３へ閃絡しない条件、すなわち次式を満足する最
大のr2を求めればよい。
系併架の場合について説明する。両電圧系の所要
雷パルス絶縁強度を大地に対してそれぞれV1＝
1550kv，V2＝750kvとする。前例と同様の計算
を進めると、(1)式よりr1＝86mm，(2)式よりr3＝
234mmとなる。(3)式で低電圧側導体２の半径を求
めると、 V2／r1・lor2／r1＝750kvpeak／86・lor2／8618kvp
eak／mm よりr2の最小値は140mmとなり、これより(4)式で
接地金属圧力容器３の半径r3′を求めると、 V2／r2・lor3′／r2＝750kvpeak／140・lor3′／140
18kvpeak／mm より、r3′の最小値は189mmとなり、r3よりも小さ
い。したがつて接地金属圧力容器の半径として
は、r3＝234mmを採用すべきである。このような
場合は、低電圧側導体２の半径r2は、r3が与えら
れたものとして低電圧側導体２にV2＝750kvpeak
の雷インパルスが侵入しても、接地金属圧力容器
３へ閃絡しない条件、すなわち次式を満足する最
大のr2を求めればよい。
V2／r2・lor3／r2＝750kvpeak／r2・lo224／r218kv
peak／mm(7) よつてr2＝187.3mmが得られる。ここで、前述
の（5a），（5b）式によりC1，C2を求める。
peak／mm(7) よつてr2＝187.3mmが得られる。ここで、前述
の（5a），（5b）式によりC1，C2を求める。
C1＝2πε0／lor2／r1
＝2πε0×1.285（Ｆ／ｍ）
C2＝2πε0／lor3／r2
＝2πε0×4.492（Ｆ／ｍ）
高電圧側導体１に侵入した雷インパルス電圧
V1＝1550kvpeakが、高電圧側導体１と低電圧側導
体２との間で分担される電圧V1′は、(6)式と同様
にして、 V1′＝C2V1／C1＋C2＝4.492×1550／1.285＋4.492＝1
205kv この電圧V1による高電圧側導体１の電界強度
は、次式で求められる。
V1＝1550kvpeakが、高電圧側導体１と低電圧側導
体２との間で分担される電圧V1′は、(6)式と同様
にして、 V1′＝C2V1／C1＋C2＝4.492×1550／1.285＋4.492＝1
205kv この電圧V1による高電圧側導体１の電界強度
は、次式で求められる。
V1′／r1・lor2／r1＝1205／86・lo187.3／86＝18.00
kv／mm(8) これによつて低電圧側導体１の電界強度は許容
電界強度となることがわかる。
kv／mm(8) これによつて低電圧側導体１の電界強度は許容
電界強度となることがわかる。
次に、550kv／204kvの二電圧系に、550kv／
300kv系の同位相二電圧併架式ガス絶縁母線をそ
のまま適用することも可能である。しかし、常規
の交流運転電圧の差は、550kv／204kv系の方が
大きいので、高電圧側導体１と低電圧側導体２と
の離隔距離は550kv／300kv系の場合より大きい
方が望ましいので、各電圧の組合せごとに上記二
つの構成のいずれかを適用して最適寸法を求める
のが望ましい。
300kv系の同位相二電圧併架式ガス絶縁母線をそ
のまま適用することも可能である。しかし、常規
の交流運転電圧の差は、550kv／204kv系の方が
大きいので、高電圧側導体１と低電圧側導体２と
の離隔距離は550kv／300kv系の場合より大きい
方が望ましいので、各電圧の組合せごとに上記二
つの構成のいずれかを適用して最適寸法を求める
のが望ましい。
以上の説明から明らかなように、接地系が共通
で、電圧の大きさは異なるが、ほぼ同位相であつ
て、かつ、２つの電圧系のいずれかが無電圧状態
で運転されることのない特別な電路には、この発
明によるガス絶縁母線を適用することにより、接
地金属圧力容器３の半径を高電圧側導体１のみが
ある場合の寸法とほとんど同じ値として、二電圧
系の導体を収納でき、接地金属圧力容器が１個節
約できるばかりでなく、電路布設ルートの所要空
間を著しく縮小することができる。
で、電圧の大きさは異なるが、ほぼ同位相であつ
て、かつ、２つの電圧系のいずれかが無電圧状態
で運転されることのない特別な電路には、この発
明によるガス絶縁母線を適用することにより、接
地金属圧力容器３の半径を高電圧側導体１のみが
ある場合の寸法とほとんど同じ値として、二電圧
系の導体を収納でき、接地金属圧力容器が１個節
約できるばかりでなく、電路布設ルートの所要空
間を著しく縮小することができる。
この発明を単巻変圧器の一次，二次回路に適用
すると、三次回路の容量にもよるが、一次，二次
回路で電流が逆向きとなり、外部漏れ磁束は両電
流の差によつて定まるので、低圧側である二次側
回路単独のガス絶縁母線の場合よりも外部漏れ磁
束が少なくなるので、接地金属圧力容器を安価な
磁性鋼で製作できる電流範囲を増大しうる効果が
ある。
すると、三次回路の容量にもよるが、一次，二次
回路で電流が逆向きとなり、外部漏れ磁束は両電
流の差によつて定まるので、低圧側である二次側
回路単独のガス絶縁母線の場合よりも外部漏れ磁
束が少なくなるので、接地金属圧力容器を安価な
磁性鋼で製作できる電流範囲を増大しうる効果が
ある。
また、この発明は、同位相二電圧系に用いるこ
とを主眼としているが、現状のように運転電圧値
に比べて雷インパルス絶縁強度の規定値が高い場
合は、接地系の共通性が維持される条件下で、逆
位相二電圧系にも適用可能である。
とを主眼としているが、現状のように運転電圧値
に比べて雷インパルス絶縁強度の規定値が高い場
合は、接地系の共通性が維持される条件下で、逆
位相二電圧系にも適用可能である。
さらに、低電圧側導体が接地されずに中間浮き
電極として運転されるならば、高電圧側導体のみ
の運転が可能であるのはもちろんのこと、低電圧
側導体のみを運転する場合は、高電圧側導体は接
地されていても、何ら差支えない。
電極として運転されるならば、高電圧側導体のみ
の運転が可能であるのはもちろんのこと、低電圧
側導体のみを運転する場合は、高電圧側導体は接
地されていても、何ら差支えない。
第１図はこの発明の一実施例の縦断面略図、第
２図は同じく横断面略図である。 １…高電圧側導体、２…低電圧側導体、３…接
地金属圧力容器、４，５，６…絶縁支持体。
２図は同じく横断面略図である。 １…高電圧側導体、２…低電圧側導体、３…接
地金属圧力容器、４，５，６…絶縁支持体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 円筒状の高電圧側導体と、この高電圧側導体
の外側に同心的に配置され前記高電圧側導体と同
相の円筒状の低電圧側導体と、この低電圧側導体
の外側にほぼ同心的に配置され絶縁ガスが密封さ
れた円筒状の接地金属圧力容器と、前記高電圧側
導体を前記低電圧側導体および前記接地金属圧力
容器の少くとも一方に支持する第１の絶縁支持体
と、前記低電圧側導体を前記接地金属圧力容器に
支持する第２の絶縁支持体とを備えてなる同位相
二電圧系ガス絶縁母線。 ２ 高電圧側導体および低電圧側導体の大地に対
する雷インパルス絶縁強度の設定値をそれぞれ
V1およびV2、ガス絶縁母線各部の最大許容電界
の設定値をEnaxとし 前記高電圧側導体の半径r1を r1≒V1／Enax 前記低電圧側導体の半径r2を V2／r1・lor2／r1≦Enax 接地金属圧力容器の半径r3を V2／r2・lor3／r2≦Enax なる条件式によりそれぞれ決定してなる特許請求
の範囲第１項記載の同位相二電圧系ガス絶縁母
線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20427582A JPS5996806A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 同位相二電圧系ガス絶縁母線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20427582A JPS5996806A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 同位相二電圧系ガス絶縁母線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5996806A JPS5996806A (ja) | 1984-06-04 |
| JPS6337566B2 true JPS6337566B2 (ja) | 1988-07-26 |
Family
ID=16487776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20427582A Granted JPS5996806A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 同位相二電圧系ガス絶縁母線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5996806A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4843569B2 (ja) * | 2007-06-28 | 2011-12-21 | 株式会社ダイヘン | インダクタ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5768613A (en) * | 1980-10-16 | 1982-04-27 | Masami Fujii | Gas insualted core conductor electric path |
-
1982
- 1982-11-19 JP JP20427582A patent/JPS5996806A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5996806A (ja) | 1984-06-04 |
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