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JPS6339101B2 - - Google Patents
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JPS6339101B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6339101B2
JPS6339101B2 JP54097574A JP9757479A JPS6339101B2 JP S6339101 B2 JPS6339101 B2 JP S6339101B2 JP 54097574 A JP54097574 A JP 54097574A JP 9757479 A JP9757479 A JP 9757479A JP S6339101 B2 JPS6339101 B2 JP S6339101B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
constant current
current source
terminals
chip
window comparator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP54097574A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS5621339A (en
Inventor
Masamitsu Saito
Kenji Fujino
Seiichiro Kobayashi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Instruments Inc filed Critical Seiko Instruments Inc
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Publication of JPS5621339A publication Critical patent/JPS5621339A/en
Publication of JPS6339101B2 publication Critical patent/JPS6339101B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices

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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、端子間がダイオード特性を示すIC
チツプとこれに接続された回路パターンとのコン
タクト不良検出方法および装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] The present invention is an IC that exhibits diode characteristics between terminals.
The present invention relates to a method and apparatus for detecting contact failure between a chip and a circuit pattern connected thereto.

周知のようにIC素子はICチツプのパツドと回
路パターンに電気的コンタクトを行ない、封止等
を行なつてから使用する。この際コンタクトが第
3図a〜eに示したような不良状態になる場合が
ある。
As is well known, IC elements are used after electrical contact is made between the pads of the IC chip and the circuit pattern, and sealing is performed. At this time, the contacts may become defective as shown in FIGS. 3a to 3e.

従来は封止作業前に、回路基板またはフイルム
上の回路パターンとICチツプの各端子とのコン
タクト状態を作業者が顕微鏡等でのぞいて、第3
図の不良があるか否か検査していた。この方法で
は時間がかかり、かつ不良検出率がよいとはいえ
ない。又、封止後ではコンタクト部分をすべて樹
脂等でおおつてしまうため、目視検査は不可能だ
つた。
Conventionally, before sealing work, a worker used a microscope to observe the contact status between the circuit pattern on the circuit board or film and each terminal of the IC chip.
I was checking to see if there were any defects in the drawings. This method takes time and does not have a good defect detection rate. Furthermore, after sealing, all contact parts are covered with resin, etc., making visual inspection impossible.

また、特開昭50−107864号公報に記載されたよ
うに、ボンデイング装置のステージとキヤピラリ
ーがリーク電流検出器の入力端子となるように接
続しておいてボンデイング終了後直ちに結果の良
否を検定する方法もあるが、この方法では各接続
電極同士の良否のみしか検出できず、複数のIC
チツプ端子間のリーク等複雑なコンタクト不良ま
では検出できないという欠点があつた。
Furthermore, as described in Japanese Patent Application Laid-open No. 50-107864, the stage of the bonding device and the capillary are connected so as to serve as input terminals of the leakage current detector, and the quality of the results is verified immediately after the bonding is completed. There is a method, but this method can only detect the quality of each connected electrode, and
This method has the disadvantage that it cannot detect complex contact failures such as leaks between chip terminals.

本発明は、例えば、CMOS−LSIのようなICチ
ツプ内部にダイオード特性を示すIC素子に対し
て、その特性を利用することにより、端子と回路
パターンとのコンタクト不良及び隣接する端子間
のコンタクト不良を検出する方法および装置を提
供することを目的とする。
The present invention utilizes the characteristics of an IC element such as a CMOS-LSI that exhibits diode characteristics inside an IC chip to prevent contact failures between terminals and circuit patterns and contact failures between adjacent terminals. An object of the present invention is to provide a method and apparatus for detecting.

以下、図面を参照して本発明を詳細に説明する
と、第1図は本発明を使用したコンタクト不良検
出方法を使用した一実施例の概要図である。1は
ICチツプ、2はICチツプと回路パターン間をワ
イアボンデイングしたワイア、3,4は回路パタ
ーンで、上記1〜4は基板5上にマウントされ
て、これらでIC素子を構成する。このIC素子に
対向配置されたICプローブヘツド(図示省略)
は、その複数のプローブが上記回路パターンに一
対一に対応して、一斉に対応する回路パターンに
接触したり離れたりするようになつており、接触
中、つまり、コンタクト不良検出作業中は、第1
図のように、各回路パターン3,4はスイツチン
グ装置6に接続される。7は定電流源で、その二
つの出力端子は、上記スイツチング装置6に接続
される。スイツチング装置6は、上記定電流源7
と各回路パターン3,4を順次選択的に切替える
もので、定電流源7のA側出力端子に他のICチ
ツプ端子4との間にダイオード特性を示すICチ
ツプ端子3を任意にひとつ選択して接続し、他の
ICチツプ端子4は一定電圧Vdd、ここではグラウ
ンドされたE側出力端子に接続するようになつて
おり、この選択を順次切替えていくものである。
8はウインドコンパレータで、その測定入力端子
iは定電流源7のA側出力端子に接続され、低電
圧判定用入力端子lは低電圧基準電源VLの一出
力端に、高電圧判断用入力端子hは高電圧基準電
源VHの一出力端にそれぞれ接続され、上記基準
電源VL,VHの各他側の出力端はグラウンドされ
ている。上記ウインドコンパレータ8の出力はデ
イスプレイ装置9に送られるとともに、インバー
タ10を通してアンドゲート11の一入力端に送
られる。
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram of an embodiment using a contact failure detection method using the present invention. 1 is
An IC chip, 2 is a wire bonded between the IC chip and a circuit pattern, 3 and 4 are circuit patterns, and the above 1 to 4 are mounted on a substrate 5, and these constitute an IC element. IC probe head placed opposite this IC element (not shown)
In this case, the plurality of probes correspond to the circuit patterns one-to-one, and come into contact with and leave the corresponding circuit patterns all at once.During contact, that is, during contact failure detection work, 1
As shown, each circuit pattern 3, 4 is connected to a switching device 6. 7 is a constant current source, and its two output terminals are connected to the switching device 6. The switching device 6 includes the constant current source 7
and each circuit pattern 3, 4 is selectively switched in sequence, and one IC chip terminal 3 exhibiting diode characteristics is arbitrarily selected between the A side output terminal of the constant current source 7 and other IC chip terminals 4. and connect to other
The IC chip terminal 4 is connected to a constant voltage Vdd, here the E side output terminal which is grounded, and this selection is sequentially switched.
8 is a window comparator, its measurement input terminal i is connected to the A side output terminal of the constant current source 7, and the low voltage judgment input terminal l is connected to one output terminal of the low voltage reference power supply VL , and the high voltage judgment input terminal The terminals h are each connected to one output terminal of a high voltage reference power source VH , and the output terminals on the other side of each of the reference power supplies VL and VH are grounded. The output of the window comparator 8 is sent to a display device 9 and also to one input terminal of an AND gate 11 through an inverter 10.

スイツチング装置6の選択切換えのタイミング
はクロツク信号Cにより規制される。すなわち、
クロツク信号Cはスイツチング装置6のコントロ
ール端子に入力され、スイツチング装置6は予め
設定された順序と組合せでクロツク信号ごとに選
択切換えられるのである。また、上記クロツク信
号Cはカウンタ12とアンドゲート11にも入力
され、上記カウンタ12の出力はデイスプレイ装
置9に送られて、どの測定ステツプかを示すのに
用いられ、上記アンドゲート11の出力は検出装
置の異常停止用に用いられる。
The timing of selection switching of the switching device 6 is regulated by the clock signal C. That is,
The clock signal C is input to the control terminal of the switching device 6, and the switching device 6 is selectively switched for each clock signal in a preset order and combination. The clock signal C is also input to a counter 12 and an AND gate 11, the output of the counter 12 is sent to a display device 9 and used to indicate which measurement step is being taken, and the output of the AND gate 11 is Used for abnormal shutdown of detection equipment.

以下、第1図の実施例の作用を説明する。 The operation of the embodiment shown in FIG. 1 will be explained below.

定電流源7からICチツプ内部のダイオードを
破壊しない程度の微少電流ICを選択された一回
路パターン3に流し込む。この際この一回路パタ
ーン以外の回路パターン4は、上述の様に一定電
圧Vdd(通常は0V)になつており、これに対しA
点は第2図に示すICチツプ内部のダイオード特
性から、選択された回路パターン3のワイアが正
常にワイアボンドされていたならば、ある一定の
ダイオード順方向電圧VFを指示する。上述の基
準電源VL,VHの各基準電圧は、測定するICチツ
プ内の端子から見たダイオード特性と定電流源7
の電流値、および最大電圧値とから勘案して第2
図のVL,VHの様に予め設定しておく。したがつ
て、ダイオード順方向電圧VFがウインドコンパ
レータ8に入力されたときは、デイスプレイ装置
9は正常を表示する。
A minute current IC, which does not destroy the diode inside the IC chip, is applied from the constant current source 7 to the selected one circuit pattern 3. At this time, circuit patterns 4 other than this one circuit pattern are at a constant voltage Vdd (usually 0V) as described above, whereas A
From the diode characteristics inside the IC chip shown in FIG. 2, the dot indicates a certain diode forward voltage V F if the wires of the selected circuit pattern 3 are wire-bonded normally. The reference voltages of the reference power supplies V L and V H mentioned above are based on the diode characteristics seen from the terminals in the IC chip to be measured and the constant current source 7.
Considering the current value and maximum voltage value, the second
Set in advance as V L and V H in the figure. Therefore, when the diode forward voltage V F is input to the window comparator 8, the display device 9 displays normality.

ところが、選択された一回路パターン3のワイ
アが第3図aの様に断線していた場合は、電流が
ICチツプ内に流れ込まないのでA点は定電流源
7の最大電圧値を示す。
However, if the wire of the selected circuit pattern 3 is disconnected as shown in Figure 3a, the current will be
Since the voltage does not flow into the IC chip, point A indicates the maximum voltage value of the constant current source 7.

又、注目パターンのワイアが第3図b〜eの様
にサブストレートや隣のワイアへシヨートしてい
る場合には、ICチツプ内部のダイオードに流れ
込む以前にVddへ流れ込んでしまい第2図のICチ
ツプ内部のダイオード特性に示したダイオードの
順方向電圧VFは発生しない。したがつて、この
様なコンタクト不良の場合には、A点の電圧は、
第2図のVHよりも高いかVLより低くなり、デイ
スプレイ装置9には、その時のチエツク端子のい
づれであるかと、その端子がコンタクト不良であ
ることが表示され、同時に、アンドゲート11か
らは測定停止信号が出力される。
In addition, if the wire of the pattern of interest is shot to the substrate or the adjacent wire as shown in Figure 3 b to e, it will flow to Vdd before flowing into the diode inside the IC chip, and the IC shown in Figure 2 The diode forward voltage V F shown in the diode characteristics inside the chip does not occur. Therefore, in the case of such a contact failure, the voltage at point A is
The voltage becomes higher than V H or lower than V L in FIG. A measurement stop signal is output.

上記実施例において、スイツチング装置6に
は、マルチプレクサ等の電子スイツチング装置
や、機械的リレースイツチ群を用いることができ
る。スイツチの選択は、選択された一回路パター
ン以外の全てを定電位Vddするかわりに、とくに
サブストレートやシヨートの起こりやすい隣接回
路パターンと、更に、この隣接回路パターンが選
択された一回路パターンとの間でダイオード特性
を有しない場合は第3の補助回路パターンとを選
んでVddにしてもよい。また、上記実施例では、
ワイアボンデイングされたICチツプのコンタク
ト不良検出について説明したが、他のコンタクト
手段によるICチツプのコンタクト不良検出にも
本発明は実施できる。
In the embodiments described above, the switching device 6 may be an electronic switching device such as a multiplexer or a group of mechanical relay switches. Instead of applying a constant potential Vdd to all but one selected circuit pattern, the switch selection is made between adjacent circuit patterns that are particularly susceptible to substrate and shorting, and furthermore, this adjacent circuit pattern is connected to the selected one circuit pattern. If there is no diode characteristic between them, the third auxiliary circuit pattern may be selected and set to Vdd. Furthermore, in the above embodiment,
Although the detection of contact failures in wire-bonded IC chips has been described, the present invention can also be implemented in detection of contact failures in IC chips using other contact means.

以上の様に、本発明によれば、ICチツプ内部
のダイオード特性から適宜の基準電圧VLとVH
設定しておき、順次選択される一回路パターンと
他の回路パターンとの間に定電流を流して、IC
チツプのパツドと回路パターン間とをワイアボン
デイングした数を、検査することにより、ICチ
ツプと回路パターンのすべてのワイアボンデイン
グ不良、及び隣接する端子間のワイアボンデイン
グ不良を検出することが可能になり、作業者の負
担を軽くすることができると共に封止後のコンタ
クト不良検出をもできるなど、高不良検出率で、
かつ、短時間のコンタクト不良検出が可能とな
る。
As described above, according to the present invention, appropriate reference voltages V L and V H are set based on the diode characteristics inside the IC chip, and a voltage is set between one circuit pattern and another circuit pattern that are sequentially selected. Apply current to the IC
By inspecting the number of wire bonds between the pads of the chip and the circuit patterns, it is possible to detect all wire bonding defects between the IC chip and the circuit patterns, as well as wire bonding defects between adjacent terminals. With a high defect detection rate, it can reduce the burden on the operator and also detect contact defects after sealing.
Moreover, contact failure can be detected in a short time.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、この発明によるIC素子のワイアボ
ンデイングの不良検出装置の一実施例を示すブロ
ツク図、第2図は、ICチツプ内部のダイオード
特性を示すグラフ、第3図a〜eは、IC素子の
ワイアボンデイング故障例を示す要部拡大図であ
る。 1……ICチツプ、2……ICチツプと回路パタ
ーン間をワイアボンデイングしたワイア、3……
選択された一回路パターン、4……回路パター
ン、5……回路パターンを有する基板、6……ス
イツチング装置、7……定電流源、8……ウイン
ドコンパレータ、9……デイスプレイ装置、10
……インバータゲート、11……アンドゲート、
12……カウンタ。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a defect detection device for wire bonding of an IC element according to the present invention, FIG. 2 is a graph showing diode characteristics inside an IC chip, and FIGS. FIG. 2 is an enlarged view of a main part showing an example of a wire bonding failure of an element. 1...IC chip, 2...wire bonded between IC chip and circuit pattern, 3...
A selected circuit pattern, 4... Circuit pattern, 5... Board having the circuit pattern, 6... Switching device, 7... Constant current source, 8... Window comparator, 9... Display device, 10
...Inverter gate, 11...And gate,
12...Counter.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 端子間がダイオード特性を示すICチツプの
複数の端子の各々を前記複数の端子に対応する回
路パターンに接触するICプローブヘツドと、定
電流源と、該定電流源の出力端子を前記プローブ
ヘツドの各プローブに選択切換して接続するスイ
ツチング装置と、前記定電流源の出力端子間電圧
を測定するウインドコンパレータと、前記ウイン
ドコンパレータに入力接続され前記定電流源によ
つて発生されるダイオード順方向電圧値よりも低
くかつグランドレベルよりも高く設定された下限
電圧値を前記ウインドコンパレータに供給する低
電圧基準電源と、前記ウインドコンパレータに入
力接続され前記ダイオード順方向電圧値よりも高
くかつ前記定電流源の最大電圧値よりも低く設定
された上限電圧値を前記ウインドコンパレータに
供給する高電圧基準電源とを備え、前記スイツチ
ング装置は前記定電流源の一方の出力端子を前記
プローブヘツドの任意の一プローブに隣接するよ
うに選択切換するよう構成されたことを特徴とす
るIC素子のコンタクト不良検出装置。
1 An IC probe head that contacts each of a plurality of terminals of an IC chip whose terminals exhibit diode characteristics with a circuit pattern corresponding to the plurality of terminals, a constant current source, and an output terminal of the constant current source that contacts the probe head. a switching device selectively connected to each of the probes; a window comparator for measuring the voltage between the output terminals of the constant current source; and a diode forward direction input connected to the window comparator and generated by the constant current source. a low-voltage reference power source that supplies the window comparator with a lower limit voltage value that is set lower than the voltage value and higher than the ground level; and a high voltage reference power source that supplies the window comparator with an upper limit voltage value set lower than the maximum voltage value of the source, and the switching device connects one output terminal of the constant current source to any one of the probe head. 1. A contact failure detection device for an IC element, characterized in that the device is configured to selectively switch adjacent to a probe.
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