JPS6347161B2 - - Google Patents
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- JPS6347161B2 JPS6347161B2 JP56120045A JP12004581A JPS6347161B2 JP S6347161 B2 JPS6347161 B2 JP S6347161B2 JP 56120045 A JP56120045 A JP 56120045A JP 12004581 A JP12004581 A JP 12004581A JP S6347161 B2 JPS6347161 B2 JP S6347161B2
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、B級プツシユプル増幅器等に用い
て好適な増幅器のバイアス回路に関するものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an amplifier bias circuit suitable for use in a class B push-pull amplifier or the like.
従来、この種の増幅器のバイアス回路として
は、第1図に示すようなものが知られている。こ
の図に示すバイアス回路は、トランジスタ1
(PNPトランジスタ)により駆動されるダーリン
トン接続された第1のドライブトランジスタ2
a、第2のドライブトランジスタ2b、第1の出
力トランジスタ3a(共にNPNトランジスタ)
と、これらのトランジスタ2a,2b,3aと相
補構成をなすダーリントン接続された第3のドラ
イブトランジスタ2c、第4のドライブトランジ
スタ2d,第2の出力トランジスタ3b(共に
PNPトランジスタ)とを有し、出力電流を出力
端子4を介して送出するB級シングルエンデツド
プツシユプル増幅器において、トランジスタ5
(NPNトランジスタ)と、このトランジスタ5の
コレクタ―ベース間に介挿された抵抗6と、この
トランジスタ5のベース―エミツタ間に介挿され
た抵抗7とを有してなるバイアス電圧源8(定電
圧回路)を、前記ドライブトランジスタ2a,2
cの両ベース間に介挿すると共にこのバイアス電
圧源8におけるトランジスタ5と出力トランジス
タ3a,3bとを熱結合し、このバイアス電圧源
8により発生される電圧に応じてドライブトラン
ジスタ2a〜2d、出力トランジスタ3a,3b
にアイドリング電流が供給されるようにしたもの
である。なおこの場合、ドライブトランジスタ2
a〜2dに対しては、ドライブトランジスタ2
a,2cの両エミツタ間に介挿された抵抗9とド
ライブトランジスタ2b,2dの両エミツタ間に
介挿された抵抗10とによつてそれらがA級動作
を行なうに充分なアイドリング電流が供給される
ようになつている。 Conventionally, as a bias circuit for this type of amplifier, the one shown in FIG. 1 is known. The bias circuit shown in this figure consists of transistor 1
Darlington connected first drive transistor 2 driven by (PNP transistor)
a, second drive transistor 2b, first output transistor 3a (both NPN transistors)
A Darlington-connected third drive transistor 2c, fourth drive transistor 2d, and second output transistor 3b (all of which have a complementary configuration with these transistors 2a, 2b, and 3a)
In the class B single-ended push-pull amplifier which has a PNP transistor) and sends out an output current through the output terminal 4, the transistor 5
(NPN transistor), a resistor 6 inserted between the collector and base of this transistor 5, and a resistor 7 inserted between the base and emitter of this transistor 5. voltage circuit), the drive transistors 2a, 2
The transistor 5 in the bias voltage source 8 and the output transistors 3a, 3b are thermally coupled to each other, and the drive transistors 2a to 2d and the output transistors are connected in accordance with the voltage generated by the bias voltage source 8. Transistors 3a, 3b
The idling current is supplied to the In this case, drive transistor 2
For a to 2d, drive transistor 2
A resistor 9 inserted between the emitters of the drive transistors 2b and 2c and a resistor 10 inserted between the emitters of the drive transistors 2b and 2d supply sufficient idling current for them to perform class A operation. It is becoming more and more like this.
以上のような従来のバイアス回路を有する増幅
器において、トランジスタ1を介してドライブト
ランジスタ2aのベースとバイアス電圧源8との
接続点に供給されると共に定電流源11によつて
バイアス電源8とドライブトランジスタ2cのベ
ースとの接続点から吸収される電流iによつてド
ライブトランジスタ2a,2cの両ベース間に発
生される電圧をV1、ドライブトランジスタ2a,
2b,2c,2dのベース―エミツタ間電圧を
各々VBE1,VBE2,VBE3,VBE4、また出力トランジ
スタ3a,3bのベース―エミツタ間電圧を各々
VBE5,VBE6とした場合、出力トランジスタ3a,
3bの両エミツタ間に発生される電圧V2は、
V2=V1−(VBE1+VBE2+VBE3
VBE4+VBE5+VBE6) ……(1)
となる。したがつて、出力トランジスタ3a,3
bに流れるアイドリング電流Iidは、出力トラン
ジスタ3a,3bの各エミツタ抵抗12,13の
抵抗値を各々Re1,Re2とすれば、
Iid=V2/Re1+Re2 ……(2)
となり、電圧V2を一定化すれば定値になること
が解る。ここで電圧V2は、(1)式から明らかなよ
うに、電圧V1に対応するトランジスタ5と電圧
VBE1〜VBE6に各々対応するドライブトランジスタ
2a〜2d、出力トランジスタ3a,3bとが全
て完全に熱結合されている場合にのみ一定化させ
ることができるものであるが、ドライブトランジ
スタ2a,2c、ドライブトランジスタ2b,2
d、出力トランジスタ3a,3bは各々発熱量あ
るいは放熱特性等が各々異なるものであり、これ
らの発熱量のトータルでトランジスタ5を一括し
て制御するだけでは、当然のことながらドライブ
トランジスタ、出力トランジスタ個々の動作に常
に適切な補償を実現しているとは言い難い。すな
わち、通常の熱結合によつてこれらの素子本体間
の温度差をなくすことは不可能であり、通常は前
述したように最も温変化の大きい出力トランジス
タ3a,3bとトランジスタ5とのみが熱結合さ
れているのが現実である。したがつて、第1図に
示すような従来の増幅器のバイアス回路を用いた
場合は、ドライブトランジスタ2a〜2dの各素
子本体の温度変化によるベース―エミツタ間電圧
の変化によつて、電圧V2が変動してしまい、こ
の結果、特にB級シングルエンデツドプツシユプ
ル増幅器のように抵抗12,13の抵抗値Re1,
Re2が小である場合、アイドリング電流Iidが不安
定になつてしまうという問題があつた。またこの
ような従来のバイアス回路を用いた場合、増幅器
の出力が大きくなるとドライブトランジスタ2a
のベースと出力端子4との間の電圧、または出力
端子4とドライブトランジスタ2cのベースとの
間の電圧が電圧V1を越えてしまい、このためA
級動作をすべきドライブトランジスタ2a,2b
またはドライブトランジスタ2c,2dが非導通
状態になつてしまうという問題もあつた。 In the amplifier having the conventional bias circuit as described above, the voltage is supplied to the connection point between the base of the drive transistor 2a and the bias voltage source 8 via the transistor 1, and the constant current source 11 connects the bias voltage source 8 and the drive transistor. The voltage generated between the bases of the drive transistors 2a, 2c by the current i absorbed from the connection point with the base of the drive transistors 2a, 2c is V 1 , and the voltage generated between the bases of the drive transistors 2a, 2c is V 1 .
The base-emitter voltages of output transistors 2b, 2c, and 2d are V BE1 , V BE2 , V BE3 , and V BE4 respectively, and the base-emitter voltages of output transistors 3a and 3b are respectively
When V BE5 and V BE6 , output transistor 3a,
The voltage V 2 generated between both emitters of 3b is V 2 =V 1 −(V BE1 +V BE2 +V BE3 V BE4 +V BE5 +V BE6 ) (1). Therefore, the output transistors 3a, 3
The idling current Iid flowing through b is Iid=V 2 /Re 1 +Re 2 (2), where the resistance values of the emitter resistors 12 and 13 of the output transistors 3a and 3b are Re 1 and Re 2 , respectively. It can be seen that if the voltage V 2 is made constant, it becomes a constant value. Here, the voltage V 2 is the voltage between the transistor 5 corresponding to the voltage V 1 and the voltage
This can be made constant only when the drive transistors 2a to 2d and output transistors 3a and 3b corresponding to V BE1 to V BE6 , respectively, are completely thermally coupled, but the drive transistors 2a, 2c, Drive transistor 2b, 2
d. The output transistors 3a and 3b each have different heat generation amounts or heat dissipation characteristics, and if the total amount of heat generated from these transistors 5 is controlled all at once, it goes without saying that the drive transistor and the output transistor individually It is difficult to say that appropriate compensation is always achieved for the operation of the system. That is, it is impossible to eliminate the temperature difference between these element bodies by normal thermal coupling, and normally only the output transistors 3a, 3b and transistor 5, which have the largest temperature change, are thermally coupled as described above. The reality is that it is happening. Therefore, when using a conventional amplifier bias circuit as shown in FIG. As a result, especially in a class B single-ended push-pull amplifier, the resistance values Re 1 ,
When Re 2 is small, there is a problem that the idling current Iid becomes unstable. Furthermore, when using such a conventional bias circuit, when the output of the amplifier becomes large, the drive transistor 2a
The voltage between the base of A and the output terminal 4, or the voltage between the output terminal 4 and the base of the drive transistor 2c, exceeds the voltage V1 , so that A
Drive transistors 2a and 2b that should perform class operation
Another problem was that the drive transistors 2c and 2d became non-conductive.
この発明は以上のような事情に鑑みてなされた
ものであり、ダーリントン接続されたドライブト
ランジスタ、出力トランジスタを有してなる。プ
ツシユプル増幅器において、極めて簡単な構成で
温度変化に対して安定したアイドリング電流が得
られ、かつ大出力時においてもドライブトランジ
スタが非導通状態になることのない増幅器のバイ
アス回路を提供することを目的とし、ドライブト
ランジスタの両ベース間に介挿されるバイアス制
御回路を、直列接続された相補トランジスタで構
成し、この相補トランジスタによつてドライブト
ランジスタのアイドリング電流を電気的に安定化
させること、および出力トランジスタのアイドリ
ング電流を熱的に安定化させることを同時に実現
することを特徴としている。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and includes a drive transistor and an output transistor connected in a Darlington manner. The purpose of the present invention is to provide a bias circuit for a push-pull amplifier, which can obtain a stable idling current against temperature changes with an extremely simple configuration, and which prevents the drive transistor from becoming non-conductive even at high output. The bias control circuit inserted between both bases of the drive transistor is composed of complementary transistors connected in series, and the idling current of the drive transistor is electrically stabilized by the complementary transistor, and the idling current of the output transistor is It is characterized by simultaneously achieving thermal stabilization of the idling current.
以下、この発明の一実施例を図面を参照して説
明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第2図は、この発明の一実施例をB級シングル
エンデツドプツシユプル増幅器に適用した場合の
構成を示す回路図であり、この図において第1図
の各部に対応する部分には同一の符号を付してそ
の説明を省略する。第2図において、出力トラン
ジスタ3aのベースと出力トランジスタ3bのベ
ースとの間には抵抗14(値R1)、15(値R2)、
16(値R3)が順次直列に介挿されている。ド
ライブトランジスタ2a,2cの両ベース間に
は、トランジスタ17(NPNトランジスタ)と
トランジスタ18(PNPトランジスタ)とが電
流方向を一致させて順次直列に介挿されている。
また、抵抗14,15の接続点はトランジスタ1
7のベースに接続され、抵抗15,16の接続点
はトランジスタ18のベースに接続されている。
また、トランジスタ3a,3bとトランジスタ1
7,18とは熱結合されている。ここで、抵抗1
4〜16は出力トランジスタ3a,3bのベース
間電圧を検出するための抵抗回路19を構成する
ものであり、またトランジスタ17,18はドラ
イブトランジスタ2a,2cの両ベース間の電圧
V1を決めるバイアス制御回路20を構成するも
のである。 FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration when an embodiment of the present invention is applied to a class B single-ended push-pull amplifier. In this figure, parts corresponding to those in FIG. Reference numerals are given and explanations thereof are omitted. In FIG. 2, resistors 14 (value R 1 ), 15 (value R 2 ),
16 (value R 3 ) are inserted in series one after another. A transistor 17 (NPN transistor) and a transistor 18 (PNP transistor) are successively inserted in series between the bases of the drive transistors 2a and 2c with their current directions matching.
Also, the connection point between the resistors 14 and 15 is the transistor 1
The connection point between the resistors 15 and 16 is connected to the base of the transistor 18.
In addition, transistors 3a and 3b and transistor 1
7 and 18 are thermally coupled. Here, resistance 1
4 to 16 constitute a resistor circuit 19 for detecting the voltage between the bases of the output transistors 3a and 3b, and transistors 17 and 18 detect the voltage between the bases of the drive transistors 2a and 2c.
This constitutes a bias control circuit 20 that determines V1 .
次に以上の構成におけるこの実施例の回路動作
について考察する。まず、ドライブトランジスタ
2a,2c、ドライブトランジスタ2b,2dに
は抵抗9、抵抗14〜16によつてこれらがA級
動作するに充分なアイドリング電流が流れてい
る。ここで、抵抗14,15,16を順次介して
流れるI1、トランジスタ17,18のベース―エ
ミツタ間電圧を各々VBE7,VBE8とした場合、抵抗
15の両端間に発生する電圧R2・I1はトランジス
タ17,18を介して形成される負帰還ループに
より、
R2・I1=VBE7+VBE6 ……(3)
となるように制御される。すなわちこの場合、バ
イアス制御回路20は電流I1がここの(3)式を満足
するようにドライブトランジスタ2a,2cのベ
ース間電圧V1を制御する。そしてこの場合、出
力トランジスタ3a,3bの両ベース間の電圧
V3は、
V3=(R1+R2+R3)・I1
=(1+R1+R3/R2)(VBE7+VBE6) ……(4)
となるから、出力トランジスタ3a,3の両エミ
ツタ間の電圧V2は、
V2=V3−(VBE5+VBE6)
=(1+R1+R3/R2)(VBE7+VBE6)
(VBE5+VBE6) ……(5)
となる。またアイドリング電流Iidは前記(2)式と
同じく、
Iid=V2/Re1+Re2 ……(6)
であるから、このアイドリング電流Iidを一定化
させるには、(5)式が示す電圧V2を一定化させれ
ばよい。そしてこの場合、(5)式から明らかなよう
に、電圧V2は、出力トランジスタ3a,3bの
ベース―エミツタ間電圧VBE5,VBE6とトランジス
タ17,18のベース―エミツタ間電圧VBE7,
VBE8だけを温度変数とし、ドライブトランジスタ
2a〜2dのベース―エミツタ間電圧VBE1〜VBE4
には無関係であるから、これらのトランジスタ3
a,3b,17,18だけを熱結合させれば、一
定化させることができる。またこの場合、(5)式、
(6)式から明らかなように、抵抗値R1,R2,R3を
変化させることにより電圧V2を変化させ、これ
によりアイドリング電流Iidを任意の値に設定す
ることもできる。 Next, the circuit operation of this embodiment with the above configuration will be considered. First, sufficient idling current flows through the drive transistors 2a, 2c and the drive transistors 2b, 2d through the resistor 9 and the resistors 14 to 16 to enable them to perform Class A operation. Here, if I 1 flows through the resistors 14, 15, and 16 sequentially, and the base-emitter voltages of the transistors 17 and 18 are V BE7 and V BE8 , respectively, then the voltage R 2・I 1 is controlled by a negative feedback loop formed via transistors 17 and 18 so that R 2 ·I 1 =V BE7 +V BE6 (3). That is, in this case, the bias control circuit 20 controls the voltage V 1 between the bases of the drive transistors 2a and 2c so that the current I 1 satisfies the equation (3) here. In this case, the voltage between the bases of output transistors 3a and 3b
V 3 is as follows: V 3 = (R 1 + R 2 + R 3 )・I 1 = (1 + R 1 + R 3 /R 2 ) (V BE7 + V BE6 )...(4) Therefore, both output transistors 3a and 3 The voltage V 2 between the emitters is V 2 = V 3 − (V BE5 + V BE6 ) = (1+R 1 +R 3 /R 2 ) (V BE7 + V BE6 ) (V BE5 + V BE6 ) (5). Also, the idling current Iid is the same as the above equation (2), Iid = V 2 /Re 1 + Re 2 ... (6), so in order to keep this idling current Iid constant, the voltage V shown by the equation (5) must be adjusted. 2 should be kept constant. In this case, as is clear from equation (5), the voltage V 2 is the base-emitter voltages V BE5 , V BE6 of the output transistors 3a and 3b and the base-emitter voltages V BE7 , V BE7 of the transistors 17 and 18.
Using only V BE8 as a temperature variable, the base-emitter voltages V BE1 to V BE4 of drive transistors 2a to 2d
Since these transistors 3
If only a, 3b, 17, and 18 are thermally coupled, it can be made constant. Also, in this case, equation (5),
As is clear from equation (6), by changing the resistance values R 1 , R 2 , and R 3 , the voltage V 2 can be changed, thereby making it possible to set the idling current Iid to an arbitrary value.
次に、この実施例において、増幅器の出力が大
きい場合のドライブトランジスタ2b、またはド
ライブトランジスタ2dの導通状態について考察
する。前記(3)式から明らかなように、電流I1はト
ランジスタ17,18によつてこの増幅器が如何
なる出力状態であつても、
I1=VBE7+VBE8/R2 ……(7)
となるように制御される。そして、ドライブトラ
ンジスタ2b,2dのコレクタ電流を各々I2,
I3、出力トランジスタ3a,3bのベース電流を
各々I4,I5とした場合、
I2=I1+I4
I3=I1+I5 ……(8)
が成り立つから、ドライブトランジスタ2b,2
dはこの増幅器が如何なる大出力時であつても非
導通状態になることはなく、したがつてドライブ
トランジスタ2b,2dに必要以上のアイドリン
グ電流を流してそれらに熱的負担を掛ける必要も
ない。 Next, in this embodiment, the conduction state of drive transistor 2b or drive transistor 2d when the output of the amplifier is large will be considered. As is clear from the above equation (3), the current I 1 is generated by the transistors 17 and 18 so that no matter what the output state of this amplifier is, I 1 = V BE7 + V BE8 /R 2 ...(7) controlled as follows. Then, the collector currents of drive transistors 2b and 2d are respectively I 2 and
When I 3 and the base currents of the output transistors 3a and 3b are respectively I 4 and I 5 , I 2 = I 1 + I 4 I 3 = I 1 + I 5 ... (8) holds, so the drive transistors 2 b, 2
d does not become non-conductive no matter how large the output power of this amplifier is, and therefore there is no need to apply a thermal burden to the drive transistors 2b and 2d by passing an idling current larger than necessary.
以上説明したように、この発明による増幅器の
バイアス回路は、出力トランジスタのベース間に
介挿された抵抗回路と、この抵抗回路によつて検
出される出力トランジスタのベース間電圧が一定
になるようにドライブトランジスタのベース間電
圧を制御するバイアス制御回路とを具備して構成
されるものであるから、ドライブトランジスタに
は電気的なフイードバツクが、出力トランジスタ
には熱的なフイードバツクが各々適切に加わり、
各ベース―エミツタ間電圧等の温度変数に無関係
に極めて安定したアイドリング電流を供給するこ
とができると共に、また、これら双方のフイード
バツクはいずれもバイアス制御回路を構成する相
補トランジスタで実現されるため、構成的に極め
て簡単となり、さらに出力トランジスタのベース
に介挿された抵抗回路の定数によつてアイドリン
グ電流の値を任意の値に設定することができ、ま
た増幅器の出力が大きい場合においてもドライブ
トランジスタが非導通状態になることもないとい
う優れた作用効果を有している。 As explained above, the bias circuit of the amplifier according to the present invention includes a resistor circuit inserted between the bases of the output transistors and a voltage between the bases of the output transistors detected by this resistor circuit so that the voltage between the bases of the output transistors becomes constant. Since it is configured with a bias control circuit that controls the voltage between the bases of the drive transistor, electrical feedback is appropriately applied to the drive transistor, and thermal feedback is appropriately applied to the output transistor.
It is possible to supply an extremely stable idling current regardless of temperature variables such as each base-emitter voltage, and since both of these feedbacks are realized by complementary transistors that make up the bias control circuit, the configuration Furthermore, the value of the idling current can be set to any value by the constant of the resistor circuit inserted at the base of the output transistor, and even when the output of the amplifier is large, the drive transistor It has an excellent effect of not being in a non-conductive state.
第1図は従来の増幅器のバイアス回路の構成を
示す回路図、第2図はこの発明の一実施例をB級
シングルエンデツドプツシユプル増幅器に適用し
た場合の構成を示す回路図である。
2a〜2d…ドライブトランジスタ、3a,3
b…出力トランジスタ、19…抵抗回路、20…
バイアス制御回路。
FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of a bias circuit of a conventional amplifier, and FIG. 2 is a circuit diagram showing the configuration when an embodiment of the present invention is applied to a class B single-ended push-pull amplifier. 2a to 2d...Drive transistor, 3a, 3
b... Output transistor, 19... Resistance circuit, 20...
Bias control circuit.
Claims (1)
ンジスタおよび出力トランジスタがプツシユプル
接続されてなる増幅器における前記ドライブトラ
ンジスタと出力トランジスタとヘアイドリング電
流を供給するための増幅器のバイアス回路におい
て、前記両ドライブトランジスタのベース間にそ
の電流方向を一致させて順次直列に介挿された相
補トランジスタからなるバイアス制御回路と、前
記両出力トランジスタのベース間に介挿された抵
抗回路とを有してなり、前記バイアス制御回路の
相補トランジスタの各ベースに、前記抵抗回路の
抵抗両端出力をそれぞれ印加するとともに、該相
補トランジスタを前記両出力トランジスタにそれ
ぞれ熱結合してなることを特徴とする増幅器のバ
イアス回路。1. In an amplifier bias circuit for supplying a hair idling current to the drive transistor and the output transistor in an amplifier comprising two sets of Darlington-connected drive transistors and output transistors connected in a push-pull manner, between the bases of both drive transistors. The bias control circuit includes a bias control circuit consisting of complementary transistors inserted in series with their current directions matching, and a resistor circuit inserted between the bases of both the output transistors, and the bias control circuit is complementary to the bias control circuit. 1. A bias circuit for an amplifier, characterized in that an output across a resistor of the resistor circuit is applied to each base of a transistor, and the complementary transistor is thermally coupled to each of the output transistors.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56120045A JPS5821906A (en) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | Bias circuit of amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56120045A JPS5821906A (en) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | Bias circuit of amplifier |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821906A JPS5821906A (en) | 1983-02-09 |
| JPS6347161B2 true JPS6347161B2 (en) | 1988-09-20 |
Family
ID=14776527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56120045A Granted JPS5821906A (en) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | Bias circuit of amplifier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821906A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6113807A (en) * | 1984-06-29 | 1986-01-22 | Pioneer Electronic Corp | Push-pull amplifier circuit |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5845842B2 (en) * | 1976-12-15 | 1983-10-13 | 株式会社東芝 | transistor amplifier circuit |
-
1981
- 1981-07-31 JP JP56120045A patent/JPS5821906A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5821906A (en) | 1983-02-09 |
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